凌力尔特(Linear Technology)日前发表具备双组MOSFET驱动器的能源监测热插拔(Hot Swap)控制器--LTC4282，可致能100A和更高电流的电路板设计。该控制器透过控制外部N通道MOSFET缓慢上电电容，避免产生火花，连接器损坏和系统故障，确保从运作中的2.9V～33V背板的**电路板插拔。
高电流热插拔电路板采用并联的MOSFET，以减少电压降，但所有这些MOSFET都需要大量的**区(SOA)以穿越过流故障。透过控制两个匹配的电流限制路径，该产品减半每个路径的SOA的要求，以减少在高电流应用(>50A)中的MOSFET成本。而进一步的成本节约来自分阶段启动的配置，其中一个路径采用低SOA MOSFET，另一条路径则采用低RDS(ON) MOSFET。
在电路板电源闸极上，新产品的±0.7%精度ADC(类比数位转换器)会透过一个I2C/SMBus数位介面报告板上电压、电流、功率及能耗。在过电流条件下，该控制器会返折其2%精准电流限制，针对可调节的超时时间保持恒定的MOSFET的功耗。数位配置的电流限制允许当负载变化时的动态调整，并简化对于低值感测电阻的选择。
此外,新款产品内部EEPROM提供针对暂存器配置和故障日志数据的非挥发性储存。为防止电路板的灾难性破坏，MOSFET会在连续异常时持续监控，例如低闸极电压和汲极-源极短路或大压降。
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