熟悉半导体产业的人都知道，在元器件生产商和终端制造商之间，通常会有一个代理商充当桥梁的角色，把原厂的芯片卖给制造商。一般来说，原厂和代理商都是各司其职，很少兼任的。但半导体原厂富士通却代理了来自美国的Transphorm公司的产品，究竟是什么样的产品，能够让日本巨头为他做代理，我们来了解一下。

Transphorm和富士通“结缘”

在易维讯举办的第五届“趋势、**、共赢”年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会上，富士通电子元器件**市场经理蔡振宇在主题为“氮化镓产品主要的应用场景和未来的趋势”的演讲上指出，Transphorm是一家设计、生产GaN（氮化镓）功率转换器和模块的企业，其产品应用于电源、功率适配器、马达驱动器、太阳能转换器以及电动车辆等领域。

富士通电子元器件**市场经理蔡振宇

这家致力于提高能源转换效率的公司，从2007年成立到现在，获得了包括谷歌、富士通、凯鹏华盈、考菲尔德及拜尔斯、索罗斯基金管理公司、量子战略合作伙伴在内的众多投资机构的青睐。

经过了一系列的潜心研发之后，Transphorm已经成为市场上公认的GaN解决方案***。目前该公司的全球雇员人数已经超过120位。

而与富士通的深入“结缘”更是回溯到2014年，在当年2月，Transphorm收购了富士通半导体的GaN业务，并授权富士通旗下晶圆厂为其代工生产。而富士通也非常看好GaN的发展前景，就顺理成章地成为了Transphorm的代理。

性能**的GaN HEMT

一直以来，功率器件的原材料基本是硅，但随着使用环境的复杂度提高，还有工艺限制，硅已经基本到达了其物理极限，于是近年来，很多厂商都在投入了GaN和SiC（碳化硅）这类功率器件的研发。但就目前看来，GaN比SiC更有优势。

Si、SiC和GaN的性能对比蔡经理表示，由于GaN具有电子移动速度快和相对较低的成本，让其比SiC更具有市场吸引力。同时因为其具有比较好的开关性能，可以应用在很多射频产品上。

具体到Transphorm公司的GaN HEMT器件上，除了拥有比MOSFET更快的开关性能外，同时还因为工作频率的提高，从而降低了其电容和电阻的尺寸。更重要的是，在此提高频率的同时，效率并不会受到影响。“这一切都是得益于HEMT独有的结构。”蔡经理指出。

Transphorm产品的横截图

根据蔡经理的介绍，从上图我们可以看出，Transphorm GaN HEMT的结构和普通的MOSFET是不一样的，由于其是在硅衬底上面长出氮化镓，且S极垂直往上的，上面是S极流到D极，电流是横向流的，这点与传统的MOS管流动是不一样的。

“这样的结构的好处是可以将阈值稳定在2V，也就是在5V会打开，0V的时候关闭。且其驱动可以和现在的硅基产品兼容。这样就可以省去了设计师设计时所花费的时间。”

为了进一步阐述这款产品的高性能，蔡经理特意将GaN HEMT和一般的MOSFET在关键参数上做了详尽对比。

GaN HEMT和MOSFET的对比

GaN HEMT和SJ-MOSFET的对比

从上表可以看出，无论是正向导通的栅极电荷还是Qrr，Transphorm的GaN HEMT较其他产品都有明显的优势。

得益于其优越的性能，Transphorm的GaN HEMT成为全球首款也是**获得JEDEC认证的600 V GaN器件。能获得如此重要的认可，可以看出GaN HEMT的可靠性已经得到了充分的保证。

关于Transphorm产品的未来发展，蔡经理强调，除了坚持上电的管子开或关这两种产品同时开发外，Transphorm未来还会兼顾高低压两方面的市场，推出相应的产品。并在提供单独的GaN器件至于，同时提供模组化的产品，提高工程师的开发效率。

在硅工艺面临瓶颈和绿色能源社会的多样化要求下，Transphorm的出现无疑让制造商松了一口气，他未来会带来多少的惊喜呢？让我们拭目以待！