全球SiC**者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其*新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围，能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战，更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下，C3M0065090J拥有目前市面上*低的65mΩ的额定导通电阻；当温度高至150°C时，也可保证导通电阻只有90mΩ，这能有效降低功率损耗，并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的**限制，有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。

图： CREE业界首款900V MOSEFET C3M0065090J

C3M0065090J不仅提高了系统效率，还增加了功率密度以及开关频率，能够提供优化的+ 15 v / 5 v门极驱动和+/- 36 v连续漏电流。配备131数控C3M0065090D通孔模型和134数控C3M0065090J表面装配模型的快速二极管，所以反向恢复时间短。此外，该产品采用业界标准TO247-3/TO220-3封装，还能提供开尔文连接的低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装，从而减小了栅极振荡。欢迎拨打世强服务**电话 40088-73266咨询订购。

C3M0065090J的特点与优势：

• 　采用SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，n沟道增强型

• 　高阻断电压，较低的导通电阻65mΩ（25°C），90mΩ（150°C）

• 　较低的高速开关功放

• 　新的低阻抗包和驱动源

• 　具用快速内在二极管，反向恢复电流较低（Qrr）

• 　工作温度：-55 °C 至 +150 °C

• 　封装：标准TO247-3/TO220-3，及低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装

• 　无卤，通过无铅认证

C3M0065090J的应用：

• 　可再生能源

• 　电动汽车电池充电器

• 　高压直流/直流转换器

• 　开关模式电源

• 太阳能逆变器

相关阅读

业界首款900V SiC MOSFET，导通电阻65 mΩ

相关产品详情

碳化硅MOSFET

C3M0065090J

关于世强

世强先进成立于1993年，是包括安华高、瑞萨电子、Silicon Labs、Rogers、Melexis、英飞凌、acam、Alliance、Micrel、Littelfuse、NEMICON、EMC & RF Labs、EPSON、Cpyress、Vincotech、SMI、理光微电子、是德等在内的全球知名半导体企业及测试测量仪器公司在大中国区的重要分销商，同时也是众多电子制造和研发企业的重要供应商，产品业务除了覆盖传统的工业、通信、消费和汽车电子领域，更为新兴的物联网、车联网、可穿戴设备、智能移动终端等市场带来更多前沿技术和**产品。

作为技术驱动型分销企业 ，世强还拥有成熟的技术支持团队和系统的服务流程，根据需求向客户提供新产品推介、快速样品、应用咨询、方案及软件设计、开发环境、售后及物流等方面的专业服务。2014年，世强年销售额2.32亿美金，在**设有17个分公司和办事处，拥有员工近500人。