ROHM全SiC功率模块的产品阵容有助于大功率应用的高效化与小型化

华灿光电并购MEMSIC通过CFIUS审核

华灿光电今天一早披露，公司于5月9日收到CFIUS的确认信，公司收购和谐芯光(义乌)光电科技有限公司100%股权，以及和谐芯光子公司收购MEMSIC,Inc.的100%股权已经通过了CFIUS的审核。 华灿光电此举被业内认为是近年来我国半导体行业海外并购活动中一项具有重大影响的大事，CFIUS审核是其中的关键。据接近公司的人士介绍，通过了CFIUS的审核后，此宗收购已几乎没有障碍，剩下的仅仅是按照规定完成相应的程序。回查公告，2016年10月，华灿光电披露重大资产重组预案，拟购买和谐光电100%股权，从而实现收购目标公司MEMSIC的目的。MEMSIC是能够采用标准CMOS工艺实现MEMS大规模量产的公司，其采用标准CMOS集成电路工艺单芯片集成MEMS和ASIC电路，在晶圆级结合MEMS结构和CMOS的标准化工艺，可使用现成的设备与可兼容于CMOS制程的制造流程，制备出体积小、重量轻、低成本、可批量生产的传感器，应用领域涉及电子消费、汽车电子、工业控制等。据介绍，此次收购完成后，华灿光电将得以快速进入前景广阔的MEMS传感器领域。MEMS传感器领域作为半导体产业链中的一个细分行业，在

版权竞争力不足 Apple Music入华掘金之困

英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块，在PCIM上推出CoolSiC™系列产品的其他型号

美高森美新型FPGA纳入Intrinsic ID SRAM-PUF技术

美高森美(Microsemi)与Intrinsic ID宣布，美高森美的新型可程序设计逻辑器件(FPGA)PolarFire，已纳入Intrinsic ID的静态随机存取内存(SRAM)物理****功能(SRAM PUF)。 QUIDDIKEY-FLEX是**的高**性密钥产生和储存机制，可提供建基于SRAM PUF的先进**功能。 美高森美副总裁兼业务部经理Bruce Weyer表示，该公司PolarFire FPGA与Intrinsic ID合作来实现其QUIDDIKEY-FLEX SRAM-PUF，将有助于进一步满足日益增长的FPGA客户群日益提升的**需求。 PolarFire FPGA为这些具有挑战性的广泛应用提供了一个坚固、**的基础。SRAM PUF硬件是PolarFire FPGA**功能的主要元素，可凭借提供IP保密和防止复制及逆向工程来保护客户的知识产权(IP)。 PolarFire FPGA非常适合作为客户系统的信任根，利用QUIDDIKEY-FLEX的硬件固有密钥，为设备和系统提供关键的信任锚。 PUF也可用来保护新的**NVM(sNVM)服务，FPGA客户可选

传苹果将在Apple Music增加电视节目内容

华尔街日报指出苹果正与好莱坞制作人接洽，准备购买影视内容的改编权，同时聘请相关人才行销苹果生产的内容，未来纳入Apple Music服务，预计会在今年底上线。 华尔街日报本周引述消息来源报导，苹果正与好莱坞的制作人接洽，打算购买电视节目的改编权，也计画聘请有经验的行销人才来推广苹果所生产的内容。根据报导，苹果打算将电视节目纳入Apple Music服务中，预计于今年底前上线，希望能够建立如同《西方极乐园》（Westworld）或《怪奇物语》（Stranger Things）等受欢迎的影集。此外，苹果亦有自制电影的初步想法。然而，市场分析指出，即使苹果的企图心很强，但短期内要追上Amazon或Netflix等串流影片服务供应商并不容易，现况更像是把矛头指向Spotify，拉近与Spotify之间的距离。Spotify与Apple Music分占全球串流音乐市场的前两名，Spotify的订阅用户数已突破4000万名，Apple Music则是2000万名。

利用罗姆的SiC技术开发BNCT癌症**设备

日本京都府将与罗姆、京都府立医科大学、福岛SiC应用技研携手，推进新一代癌症放射**技术“BNCT（硼中子俘获疗法）”的临床应用。四家单位于2016年11月22日达成一致，将由京都府立医科大学与福岛SiC应用技研共同开发采用罗姆SiC（碳化硅）技术的BNCT**设备（SiC-BNCT设备），罗姆将向京都府捐赠SiC-BNCT设备和导入该设备的建筑物。 京都府立医科大学和福岛SiC应用技研将共同开发利用SiC加速器、比原来大幅减小了尺寸的BNCT设备及所需药剂。罗姆将向其提供*新的SiC技术（沟槽栅型SiC-MOSFET），并对设备开发提供技术支持。设备开发完成后，罗姆将把设备捐赠给京都府。罗姆将在京都府立医科大学内建设“罗姆纪念BNCT研究中心”（暂定名），并捐赠给京都府。该中心为地上两层地下两层的建筑，总建筑面积为3700m2左右。京都府立医科大学正在整修拥有癌症质子线**设施的“永守纪念***癌症**研究中心”。SiC-BNCT设备和罗姆纪念BNCT研究中心完成并投入临床应用后，癌症的质子线**和中子线**便可在一个地方一起完成。可利用多门照射进行深部**BNCT是采用中子线的放射

松下试制1.7kV GaN功率元件，导通电阻低于SiC MOSFET

松下试制了耐压为1.7kV、导通电阻仅1.0mΩcm2的GaN功率晶体管，并在“IEDM 2016”上进行了发表（演讲序号：10.1）（参阅本站报道）。这一导通电阻比相同耐压的SiC MOSFET还要“低”。导通电阻越低，越能降低导通时的损失。阈值电压为+2.5V，可常闭工作。该产品是在GaN基板上制作的立式元件。 此次主要采用了3项技术。**，设置了利用GaN晶体“半极性面”的V字型栅极结构。通过该结构提高了阈值电压，达到了+2.5V。**，设置了GaN/AlGaN的再生长层。由此，将再生长层的界面与沟道分开，与仅让AlGaN层再生长时相比，将电子迁移率提高至约5倍。因此，导通电阻大幅减小。由于再生长层的界面容易出现晶体缺陷，仅让AlGaN层再生长时，因再生长层的界面与沟道位于同一场所不容易提高迁移率。所以，此次将再生长层的界面与沟道分开。第三，为了抑制穿通现象，设置了掺杂碳的GaN层。由此，将未设置该层时约为600V的耐压提高到了1.7kV。在演讲的*后，松下展示了利用试制的GaN功率晶体管在400V电压和15A电流下的开关动作。开关切换顺利，未发生崩溃现象。（记者：根津祯）

华灿光电收购MEMSIC正在进行中，将积极配合 CFIUS 审查

华灿光电拟以发行股份购买资产方式购买标的公司和谐芯光(义乌)光电科技有限公司的 100%股权，本次交易的前次交易是和谐芯光(义乌)光电科技有限公司的子公司以现金方式收购 MEMSIC,Inc.的 100%的股权。目前，前次交易尚未完成美国政府 CFIUS 审查等程序，受此影响，MEMSIC,Inc. 的 100%股权尚未进行过户，前次交易尚未完成资产交割。本次交易尚需前次交易完成交割、美国 CFIUS 审查通过、公司董事会再次审议、公司股东大会审议通过、证监会核准、商务部同意等程序，能否取得上述批准以及*终取得核准的时间均存在不确定性。华灿光电已于 2017 年 2 月 23 日收到 CFIUS 的确认信，说明 2017 年 2 月 23 日将作为 CFIUS 本轮 30 天审核的***，CFIUS 将于 2017 年 3 月 24 日前通知公司结果是审批通过，或需要另外 45 天的审核期，抑或没有通过审核。公司将积极配合 CFIUS 审查，争取尽快通过审核。公开资料显示，MEMSIC主要从事微电子机械系统(MEMS)产品的研发、制造与销售，其主要产品为加速度计和磁传感器，产品广泛应用

收购失败！英飞凌购买科锐Wolfspeed案被终止！

科锐(CREE)2月16日宣布，将终止Wolfspeed电源和RF部门(“Wolfspeed”)出售案，其中包括碳化硅(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)的电源，RF和宝石应用的基板业务。Cree和Infineon无法确定解决美国外国投资委员会(CFIUS)关注的国家**问题的替代方案，因此，拟议的交易将被终止。Cree董事长兼**执行官Chuck Swoboda表示：“我们对Wolfspeed出售给英飞凌无法完成感到失望。“鉴于这一发展，我们将把我们的重心转移到增长的Wolfspeed业务。今年，Wolfspeed业务表现良好，因为我们的客户进一步认识到了我们独特技术的价值，并作为Cree的一部分走在了一条伟大的道路上。我们的资产负债表的强度和改善经营现金流使我们有能力投资Wolfspeed，同时继续追求我们的LED和照明增长计划。我们相信，投资增长所有三个业务将为股东创造*大的价值。Chuck Swoboda补充说：“我非常感谢Ploss博士和英飞凌团队的其他成员，感谢他们为成功完成交易所投入的大量时间和承诺。”虽然，Cree、英飞凌并未说明美国政府为何会对这项交易持保留

深圳市萨科微科技有限公司成立

为进一步促进韩国萨科微SLKOR电子在大中华地区的销售，为代理商、终端客户提供更好的技术支持和服务，深圳市金航标电子有限公司和韩国萨科微SLKOR电子有限公司共同出资成立深圳市萨科微科技有限公司。深圳市萨科微科技有限公司将立足深圳，依靠韩国萨科微SLKOR电子公司在功率器件尤其是碳化硅SiC元器件方面****的技术优势，凭借金航标公司在电子行业巨大的产业生态链优势，与产品代理商北京途易自尔科技公司、无锡奥利芯电子、东莞勤微电子、上海盛肯科技、西安立盟科技、成都真木科技、苏州龙俊科技、深圳猎芯科技和华深达实业、武汉明佳电子等多年积累的渠道，形成有效协同作战，力争用萨科微SLKOR的产品和品牌更好服务大中华区的客商，为股东、代理商、客户和社会创造更好的价值。深圳市萨科微科技有限公司接下来在加强现有销售推广团队的同时，还将设立功率电子检测实验室、碳化硅SiC应用研究所和加强FAE团队等，为代理商和客户提供电力电子相关一系列解决方案和技术保障。韩国萨科微SLKOR电子公司在大中华区的一切事宜，由深圳市萨科微科技有限公司全权负责。

苹果与印度专车Ola合作，提供车内Apple Music体验

太克推出S540功率半导体测试系统

太克(Tektronix)近期宣布推出Keithley S540功率半导体测试系统，这是为高达3kV的功率半导体装置和结构，提供的全自动48针脚参数测试系统。完全整合的S540是专为与*新复合功率半导体材料，包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，搭配使用而进行*佳化处理，可在一次探头接入中执行所有高压、低压和电容等测试。随着对功率半导体装置的需求不断提高，同时，SiC和GaN也日益商业化，製造商正在生产製程中採用晶圆级测试，以有效提升良率并改善盈利能力。针对这些应用，S540显着地缩短了测试时间和测试设定时间，并减少了占用空间，同时实现了实验室级高电压量测效能，进而降低了拥有成本。Tektronix Keithley产品系列总经理Mike Flaherty表示，许多晶圆厂正使用自订的混合测试系统来执行功率半导体测试，在从低电压测试转向高电压测试时，需手动变更测试设定，这却会增加製程步骤并拖慢生产速度。相较之下，S540是一款完全整合的解决方案，特别适合必须迅速测试各种装置的生产环境。为提供生产级效能，S540可在高达48针脚上执行参数量测，而不须更换电缆或探棒卡设施，还可执行高达3k

英飞凌描绘的车用SiC器件战略

2016年的功率半导体，SiC用于燃料电池车和新干线

一到年底，日经技术在线就会刊登各领域回顾一年技术动向的特辑。*近几年，笔者一直负责汇总功率半导体领域的话题，本文就稍早介绍一下2016年该领域的相关内容。首先说一下新一代功率半导体SiC（碳化硅）。2014年丰田宣布，将从2015年开始对驱动系统采用SiC功率元件的试制车（混合动力车）进行公路测试，并力争在2020年之前用于量产车（参阅本站报道）。由此，SiC功率元件扩大到车载用途马上就带上了现实的味道。关注SiC的并非只有丰田。本田及日产等也将SiC功率元件的应用纳入视野，不断研发。其中，本田在2016年3月上市的燃料电池车（FCV）“CLARITY FUEL CELL”中配备了SiC功率元件，这是**在该公司的量产车上配备。为了让较小的燃料电池堆也能提高电机的输出功率，该公司对燃料电池堆的输出电压进行了升压。这种升压转换器采用了SiC功率元件。与原来采用Si功率元件时相比，燃料电池升压转换器的体积缩小了40％。在早就采用SiC功率元件的铁路领域，2016年发布了一个重大新闻。东海旅客铁道（JR东海）宣布，将在2020年度起由东海道新干线运营的新一代新干线“N700S”上采用SiC功

蚀刻时间/缺陷率呈正函数关系　SiC晶圆表面处理时间要抓紧

碳化矽(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性*近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化矽(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性，在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。尽管商用4H–SiC单晶圆片的结晶完整性*近几年显着改进，但这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。 经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。表面缺陷严重影响SiC元件品质与矽元件相比，碳化矽的能带隙更宽，本征载流子浓度更低，且在更高的温度条件下仍能保持半导体特性，因此，采用碳化矽材料制成的元件，能在比矽元件更高的工作温度运作。碳化矽的高电击穿场强和高热导率，结合高工作温度，让碳化矽元件取得极高的功率密度和能效。 如今，碳化矽晶圆品质和元件制造制程显着改进，各大半导体厂商纷纷展示了高压碳化矽解决方案，其性能远超过矽萧特基势垒二极体(SBD)和场效应电晶体(FET)，其中包括阻断电压接近19kV的PiN整流管；击穿

深天马A：公司有望实质受益 强烈推荐评级

[摘要] 事件：今年事季度以来，受手机面板供给量下降影响，中小尺寸面板价格持续上涨。7月份中小尺寸面板价格环比涨幅继续扩大，4寸面板*高涨幅10%。随着下半年市场旺季的到来，面板供需紧张状态将进一步加剧。中投电子观点：去年年底以来，韩国，台湾面板厂商相继减少a-Si面板产能，同时国内面板厂逐渐加大LCM模组出货量幵减少CELL出货量。在多重因素持续发酵作用下，中小尺寸面板市场呈现供丌应求格局，面板价格持续上涨幵带劢LCM价格提升。随着下半年市场旺季到来，我们认为市场供应紧张状态有望持续到四季度幵持续推劢面板价格上涨。深天马(21.830, 0.15, 0.69%)作为国内与注中小尺寸面板生产制造的企业将成为面板价格上升*直接获益者。我们认为本轮面板涨价将为公司业绩注入足够弹性，带来公司业绩实质性增长。投资要点：韩国、台湾面板厂商减少a-Si面板出货，市场整体供应大幅减少。受台湾厂商关闭低丐代产线以及今年2月份台南地震影响，台湾地区面板供应大幅减少。2015年11月，中华映管关闭G4.5产线，预计每月市场减少300~400万5寸手机CELL供货。今年2月台南地震，群创光电和瀚宇彩晶产能受

世纪金光成功在SiC衬底上长出直径3英寸石墨烯

日前，北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果，**利用SiC外延生长方法，在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料，为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础！ 石墨烯是一种二维平面六边形蜂窝网状结构的单层碳原子薄膜，因其超高载流子迁移率、超高热导率、优异的等比缩小和有限的散射等优异特性，在高频电子器件、光电子器件及量子器件等诸多领域具有巨大的应用前景。世纪金光公司采用SiC外延法制成晶圆级石墨烯。SiC外延法是目前*具有发展优势和发展潜能的制备石墨烯的可靠方法。SiC外延制备的石墨烯能和主流CMOS工艺相兼容，无需进行衬底转移，可直接应用于电子器件研究。制成石墨烯材料的拉曼光谱中可清晰看到石墨烯的特征峰2D峰和G峰,缺陷峰D峰不明显，说明晶体质量良好。晶圆级石墨烯材料制备的突破，将满足新一代微纳电子器件的发展需求，促进我国新兴石墨烯产业化的快速发展，带动我国微纳电子、电力电子、新能源、新材料等相关产业链快速发展。

ROHM通过提供SiC功率元器件，助力赛车性能飞跃提升

原标题：ROHM成为文图里电动方程式车队（Venturi Formula E Team）的官方技术合作伙伴，通过提供SiC功率元器件，助力赛车性能飞跃提升 全球知名半导体制造商ROHM与参加国际汽车联合会（FIA）电动方程式锦标赛（Formula E）的文图里电动方程式车队（Venturi Formula E Team）签订了为期3年的技术合作伙伴协议。从10月9日开幕的第三赛季起，对于在赛车驱动中起到核心作用的逆变器部分，将提供世界*先进的功率半导体：SiC（碳化硅）功率元器件，对机械的小型化、轻型化和高效化提供支持。与以往的Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件作为可以实现大幅低损耗化的半导体，其在汽车、城市基础设施、环境/能源，以及工业设备领域中的表现都备受期待。ROHM在2010年于世界**开始量产SiC-MOSFET，作为SiC功率元器件的**企业，进行着世界*先进的开发。在汽车领域中，于快速充电用的车载充电器方面已经拥有了压倒性的市场份额，在电动汽车（EV）的马达和逆变器方面的采用也在加速。作为电动汽车的崭新舞台，全世界的赛车迷都为电动方程式赛车的魅力所倾倒。其于以往的

罗姆将提供功率半导体元件--碳化硅(SiC)功率元件

罗姆(ROHM)宣布与Venturi电动方程式赛车车队(Venturi Formula E Team)，缔结为期3年的技术伙伴契约，该车队长期参与FIA电动方程式赛车锦标赛。自10月开幕的第3季起，罗姆将提供功率半导体元件--碳化硅(SiC)功率元件，运用在赛车马力核心的变流器中，协助赛车小型化、轻量化和高效率化。相较于传统的硅(Si)功率元件，碳化硅功率元件的耗损更低，在汽车、基础设施、环境/能源、产业机器等领域的应用上备受瞩目。ROHM于2010年开始量产SiC-MOSFET，并持续研发先进元件。汽车领域方面，急速充电用的车用充电器，获得压倒性的市占率，碳化硅使用在电动汽车(EV)马达和变流器也迅速普及。电动方程式赛车是电动汽车全新的舞台，推出后立即吸引了全球赛车迷。和传统赛车不同的地方，其在于管理电力的能力非常重要，如何有效率地活用电池储备的电力，更左右了赛事的胜败。Venturi对于在汽车领域管理电力技术方面拥有**成绩，对于掌握高效率化关键—碳化硅的罗姆，抱持着非常大的期望。罗姆也将更进一步改革功率半导体元件的技术，对电动方程式赛车和电动汽车，以及社会的发展贡献一己之力。

梳理分析科锐和英飞凌留给我们的那些悬念

大家都说，昨天行业媒体上的热点新闻都被科锐和英飞凌两家企业给“承包”了。 事情是这样的，科锐决定以8.5亿美元将Wolfspeed出售给英飞凌，巧的是，科锐的中国区总经理也相继爆出了确认离职的消息。按理说，在近年的照明行业里，企业间兼并购、高管离职潮都已见怪不怪，何以这次同时发生在科锐身上，就仿佛一下子炸开了锅，掀动了轩然**？在媒体圈，新闻热点无疑是要追的，笔者自然也未能免俗，这就尝试从自己所了解的角度进行梳理，呈现一下这件事情的来龙去脉，以及各种悬念留给我们的若干思考。从分拆上市到待价而沽在去年（2015年），科锐曾以调整战略为名，声称要把自己打造成一个“更为集中的LED照明公司”。而作为该战略的一部分，该公司在9月份把高利润的功率（Power）和射频（RF）事业群分拆成独立公司，并命名为Wolfspeed。此后，科锐花费了200万美元，计划公开募股上市，拟通过此举创造一个更加集中的电源和RF管理团队，藉此来推动Wolfspeed的业绩增长，利于科锐股东释放价值。听起来，科锐这个对未来发展全新部署的方向很明确，意志也颇坚定。事实上，这一个由高利润事业群分拆而成的Wolfspeed，

Imagination 和 Intrinsic-ID 合作开发 IoT 硬件**性解决方案

原标题：Imagination 和 Intrinsic-ID 合作开发可扩展、灵活且平价的 IoT 硬件**性解决方案 集微网消息，2016 年 6 月 16 日 ─ Imagination Technologies 和 Intrinsic-ID 宣布，已合作将更高的**性带到内置Imagination IP 技术的产品中。双方合作的**个里程碑是，Intrinsic-ID **的**与验证技术现在已可支持 Imagination 的 MIPS M-class M5150 CPU，以瞄准包括 M2M、IoT 和嵌入式控制等低功耗应用。Intrinsic-ID 的实体不可仿制功能 (Physical Unclonable Function，PUF) 技术可有效地在 MIPS CPU 上设置包括设备验证与防止仿制等**功能。随着从消费类到汽车、工业及其它几乎各种类型的产品都开始具备联网功能，**性的挑战已日益严峻，同时大量的智能设备也使追踪每台单一设备变得更为困难。因此，业界需要一套更**、可扩展的做法来执行设备验证、注册以及生命周期管理等工作。Imagination 的 OmniShie

Imagination 和 Intrinsic-ID 合作开发可扩展、灵活且平价的 IoT 硬件**性解决方案

2016 年 6 月 16 日 ─ Imagination Technologies 和 Intrinsic-ID 宣布，已合作将更高的**性带到内置Imagination IP 技术的产品中。双方合作的**个里程碑是，Intrinsic-ID **的**与验证技术现在已可支持 Imagination 的 MIPS M-class M5150 CPU，以瞄准包括 M2M、IoT 和嵌入式控制等低功耗应用。Intrinsic-ID 的实体不可仿制功能 (Physical Unclonable Function，PUF) 技术可有效地在 MIPS CPU 上设置包括设备验证与防止仿制等**功能。随着从消费类到汽车、工业及其它几乎各种类型的产品都开始具备联网功能，**性的挑战已日益严峻，同时大量的智能设备也使追踪每台单一设备变得更为困难。因此，业界需要一套更**、可扩展的做法来执行设备验证、注册以及生命周期管理等工作。Imagination 的 OmniShield 多域**技术，运用内置于其*新 IP 产品中的硬件虚拟化技术，可在单一SoC上建立多个**区域。采用了这项强大技术的产品能够在

京大和罗姆试制出全球首款双向SiC MOSFET

日本京都大学和罗姆的研发小组试制出了耐压3kV、导通电阻20mΩcm2的双向SiC MOSFET，已在“ISPSD 2016”上发布。据称，这是全球**实现这种MOSFET。 该双向SiC MOSFET主要由两个区域构成，分别是主动区和终接区。主动区作为SiC MOSFET工作。该区域的SiC外延层的厚度为42μm。在n+型SiC基板上使外延层生长，然后利用机械研磨方法去除该基板，在该层直接安装漏电极。研发人员使试制品在1kV、3A（电流密度为70A/cm2）下工作，与在相同条件下工作的相同耐压、相同导通电阻的SiC MOSFET比较了损耗。双向SiC MOSFET打开时的损耗和关闭时的损耗都与普通的SiC MOSFET相同，但导通损耗减小了35％。（记者：根津 祯）

“扩大SiC晶圆业务”，英飞凌谈8.5亿美元收购美国科锐

大型功率半导体公司德国英飞凌科技于2016年7月21日在东京都内举行了新闻发布圆桌会议。其中，就2016年7月15日宣布的收购美国科锐公司功率器件和RF器件部门Wolfspeed一事（参阅本站报道 ）做了说明。 其中说明的一个要点是，此次收购包含SiC晶圆业务。在答记者问环节，当记者问“为何需要晶圆业务时？”，该公司的Peter Friedrichs（SiC业务**总监）回答说：“主要原因是我们希望对今后SiC晶圆的开发方向有影响力。我们现在正在从外部采购SiC晶圆，今后还将继续采购。从2015年左右开始，在功率器件用晶圆开发方面出现了多样化的动向。这是我们收购晶圆业务的原因”。另外，对于记者提问“SiC晶圆业务今后将如何展开？”，该公司通信副总裁Klaus Walther回答说：“今后将扩大SiC晶圆业务。此次决定收购的原因之一是Wolfspeed包含该公司在美国北卡罗来纳州所拥有的晶圆生产基地”。现在，市面上的SiC晶圆的晶圆口径为150mm（6英寸）。英飞凌指出“今后成功的关键是将晶圆口径扩大到200mm（8英寸）。我们的基地现在正在生产**款200mm晶圆样品。推进200mm化

雾霾来袭 LED、LD照明势在必行

转眼间，我们迎来了2015年的*后一个月，当我们在感叹时间飞快流逝的同时，也发现每年一度的“雾霾季”也以势不可挡之势降临我神州大地，“三十米人畜不分”、“天空飘来五个字”等奇观也纷纷上演。虽然近日因为大范围的雨雪天气让我们短暂的告别了这种鬼天气，但随着冷空气的离开，恐怕一切又将被“打回原形”…… 网友航拍“雾霾”时的 天空飘来五个字 对付雾霾，除了被动的如“等风来”、“等下雪”的“等字诀”，*有效的方式就是“节能减排”了，包括大型污染企业的减产限产、燃煤污染处理、机动车限行、使用清洁能源等。可这似乎看起来更我们浪潮华光没啥关系啊？有资料显示，照明消耗约占全球总电力消耗的20%，在全球节能环保的绿色大潮下，照明节能自然会成为人们关注的焦点，也会成为节能减排的重要战场，而以LED为代表的高效照明，堪称节能减排的典范。所以，小编认为“节能减排”不仅跟浪潮华光有关系，而且关系还是大大的…… LED照明产品的特点及当前在我国的应用领域 节能正是LED产品*大的特点，LED使用低压电源，能效高，LED光源耗电量少，节约能源，在同样亮度下耗电量仅为普通白炽灯的10%，而且5万到10万小时的超常寿命也

三大发光新材料将进入LED照明竞争领域

我国LED产业已初具规模，从LED主要技术指标光效来看，还有很大的推进空间，要加大对LED的研发力度，掌握LED核心技术，突破国外**制约，进一步拓展国内外半导体照明市场，扩大我国LED产业规模，为人们提供节能、环保、健康、舒适的照明环境。关于芯片领域的概况如下（未统计2015年），仅供参考。 LED衬底简况目前用于LED产业化的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、SiC、Si和GaN。Cree用SiC衬底，全球很多企业正在开发Si衬底，东芝曾经宣布投产8″Si衬底。其余的企业以蓝宝石为主，全球生产蓝宝石衬底有130多家，其中80多家是近两年加入的。目前以2″和4″衬底片为主，几年后将以6″为主，会达到50%以上。有人预测2016年蓝宝石、Si和GaN这三类衬底将各占三分之一。近几年全球正在研究开发很多LED新衬底，并取得突破性进展。中国开发、生产蓝宝石衬底的企业50多家，其中已投产20多家，我国生产能力已超过1亿片/年（以2″计算），超过全球的需求量，而且蓝宝石企业直接生产PSS衬底的不多，目前蓝宝石国产化约50%，企业的竞争力较差，走向转型、整合、兼并是必然的。另外，南昌晶能采用Si衬

“助攻”电源设计：900V SiC MOSFET导通电阻**低！

全球SiC**者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其*新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围，能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战，更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下，C3M0065090J拥有目前市面上*低的65mΩ的额定导通电阻；当温度高至150°C时，也可保证导通电阻只有90mΩ，这能有效降低功率损耗，并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的**限制，有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。图： CREE业界首款900V MOSEFET C3M0065090JC3M0065090J不仅提高了系统效率，还增加了功率密度以及开关频率，能够提供

打破日、美技术垄断 “硅衬底”受热捧事出有因？

高工LED近日获悉，2015年度国家科学技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)。据悉，此项“硅衬底技术”由江西省申报，项目主要参与人员包括南昌大学江风益教授、晶能光电(江西)的孙钱博士等。政府补贴 受热捧高工产研LED研究所(GGII)调查显示，目前LED能用于产业化生产蓝绿光的衬底材料包括：蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)和硅(Si)衬底。其中，蓝宝石衬底技术主要掌握在日本公司手中，成本较低，目前市场上的主流路线；而碳化硅则走的是“贵族路线”，成本高昂，其衬底及LED制备技术被美国公司垄断。本次极有可能获奖的“硅衬底技术”则由南昌大学主持研发，同时目前南大已在Si(111)衬底上生长出发光特性能与蓝宝石、SiC衬底相媲美的GaN蓝光LED，成为目前外延生长GaN薄膜的*佳选择。“这是一项中国人自主研发起来的硅衬底技术，它弥补了前两大技术路线的不足，在成本持续下降的背景下，硅衬底如若获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。”有产业分析人士指出。而近日记者也获悉，南昌市财政局从上年度市扶持制造业发展专项资金中安排3519万元用于晶能光电(

Apple Music安卓版迎来更新：iPhone用户只能看着

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

黑莓限量发售蓝色版Classic 依旧是全键盘

你会在Android手机上用Apple Music吗？

苹果将于11月30日关闭Beats Music

Bulk Si技术近极限，功率半导体大厂加速投入GaN、SiC开发

DIGITIMES Research观察，传统以块体矽（Bulk Si）材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现，业界逐渐改以新材料寻求突破，其中氮化镓（GaN）、碳化矽（SiC）材料技术*受瞩目，氮化镓具有 更高的切换频率，碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压，而原有的矽材仍有成本优势，预计未来功率半导体市场将三分天下。更高的耐受温度、电压，或更高的切换频率、运作频率，分别适用在不同的应用，对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压，对于新一代的行动通讯基地台，或资料中心机房设备而言，则需要更高的切换频率。氮化镓、碳化矽技术表现虽佳，但现阶段发展上有其挑战，包含过高的成本、技术表现可靠度不足、可供货业者有限，以及缺乏配套的封装整合技术等，不过业界正逐一寻求突破。业界为了加速发展新材料功率半导体已进行多项商业布局，包含投资新创业者、发动购并、事业体分拆、技术合作等。期许让功率半导体获得新应用话题、新成长动能。丰田汽车用碳化矽制程提升能源效率、减少容积

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

SiC市场***Cree（科锐公司）近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且**于900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds（on），大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的**空间，方便实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源设计方案。这也是新一代电力转换系统与硅成本平价的解决方案。图 基于900V SiC MOSFET平台的C3M0065090J世强代理的C3M0065090J，是该平台的主导产品，其额定工作电压/电流分别为900V/32A；在25°C条件下，可以实现*低至65 mΩ的额定导通电阻，在更高温度（Tj=150°C）工作时，导通电阻Rds（ON）也只有90mΩ，减少了系统的冷却需求。另外，该产品不仅拥有业界标准的TO247-3/TO220-3封装，还

免费用Apple Music？苹果音乐使用及退订攻略

刚刚过去的这个上午，苹果正式在内地开放Apple Music在内的多个应用服务，让不少闲置自带应用重见天日。不过话虽说得好，但是苹果音乐只提供付费服务。所以如何开通服务、到底怎样退订，传说的免费体验技能怎样Get，我们来篇小攻略。先研究下定价策略，Apple Music在国内的价格是每月10元人民币，如果选择家庭共享计划，可以让6名成员共同使用，每月15元，总之是要付费的。不过苹果公司为每个账号赠送三个月免费试用期，也就是说您现在开通是不付费的，三个月开通之后不续订即可。接下来说重点，三个月一到您如果不想付费肯定会涉及退订问题。仅从目前界面看，您只要点开付费服务，找到左上角个人图标，在弹出菜单找到View Apple ID（中文版正常显示Apple ID管理）；接下来按照正常逻辑点击“管理”就能看到目前全部订阅，继续点击查看详情，然后关闭“自动续订”，就能无忧体验三个月Apple Music服务。图片从左向右方向阅读另外，由于苹果采用统一平台，包括书籍电影，也采用同样流程退订，您只要在音乐，电影，书籍这几类软件里面随意打开一个就可以进入我们刚才说的路径。

Vishay的SiC530CD荣获《今日电子》杂志的Top-10电源产品奖

2015年9月25日-日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，该公司的SiC530CD30AVRPower®集成功率级荣获《今日电子》杂志和21IC的第十三届年度TOP-10电源产品奖。SiC530CD具有PS-4模式轻负载支持，可用于笔记本电脑和超极本，并凭借其高密度、高能源效率和不到16mm2的小尺寸而获奖。 Top-10电源产品奖已成为业内**DC/DC产品的标志性奖项。先由21IC的和《今日电子》的编辑根据**的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比显著提升等指标选出入围产品，再由专家组评选出获奖产品。 SiC530CD采用小尺寸3.5mmx4.5mmPowerPAK®封装，集成同步降压稳压器所需的高性能驱动器，以及高边和低边MOSFET。这种独特的封装结构使杂散电感和电阻*小化，实现超过1.5MHz的开关频率、30A的连续电流和40A的峰值电流。与Vishay的前一代分立方案相比，新的SiC530CD器件占板面积只有其45%，并且不会损失效率。下一代笔记本电脑和超极本要求电流提高50%以上，这颗器件减少了占位面积，可

苹果音乐靠谱吗？关于Apple Music的四个问题

Altera与Intrinsic-ID合作，开发世界上***的**FPGA