日本京都大学和罗姆的研发小组试制出了耐压3kV、导通电阻20mΩcm2的双向SiC MOSFET，已在“ISPSD 2016”上发布。据称，这是全球**实现这种MOSFET。
该双向SiC MOSFET主要由两个区域构成，分别是主动区和终接区。主动区作为SiC MOSFET工作。该区域的SiC外延层的厚度为42μm。在n+型SiC基板上使外延层生长，然后利用机械研磨方法去除该基板，在该层直接安装漏电极。
研发人员使试制品在1kV、3A（电流密度为70A/cm2）下工作，与在相同条件下工作的相同耐压、相同导通电阻的SiC MOSFET比较了损耗。双向SiC MOSFET打开时的损耗和关闭时的损耗都与普通的SiC MOSFET相同，但导通损耗减小了35％。（记者：根津 祯）
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