Synopsys助力“第12届研电赛集成电路专业赛”圆满举办

（原标题：Synopsys多渠道推动中国集成电**才培养与产学研合作 助力“第12届研电赛集成电路专业赛”圆满举办） 集微网消息，第12届研电赛暨集成电路专业赛决赛于8月7-9日在北京圆满举办。Synopsys作为研电赛暨集成电路专业赛指定的EDA工具赞助商，大力支持了本届赛事。 “中国研究生电子设计竞赛”由教育部学位与研究生教育发展中心、**工程专业学位研究生教育指导委员会、中国电子学会共同主办，旨在通过竞赛的方式，为电子设计人才培养尤其是研究生阶段的**型人才培养提供实践和**平台，进而为我国电子设计产业的迅速发展提供坚实的人才基础。集成电路专业赛关注集成电路设计领域，包括各种具有较强**的通专用集成电路、芯片、自主研发的EDA 软件或IP 核等，如CPU、信号处理、射频芯片，基于QuartusII 等软件开发的IP等。作为全球**的EDA工具提供商，Synopsys在21年里，连续十二届支持这一赛事。本次专业赛Synopsys支持决赛现场200台机器，300位参赛选手的数字芯片设计EDA平台。为此，Synopsys特别安排了多位**应用专家进行EDA工具的全方位赛前培训。同时，S

确定！韦尔股份公开收购北京豪威

集微网消息，韦尔股份8月4号晚间发布公告，因收购北京豪威科技有限公司（简称“北京豪威”）资产重组而持续停牌。此前韦尔股份就因重大资产重组停牌，业界猜疑与收购北京豪威有关，本次发布公告意味着韦尔股份收购北京豪威这只靴子将要落地了。 公告披露，为了加强韦尔股份在国内外集成电路产业的布局，提升公司在 IC 设计领域的核心竞争力，公司拟通过实施本次重大资产重组，进行有协同效应的企业并购，并购的标的为北京豪威。北京豪威系一家注册于北京的有限责任公司（中外合资）。北京豪威的主营业务主要通过其 OmniVision Technologies,Inc.,（简称 “美国豪威”）等开展。美国豪威原为美国纳斯达克上市公司，于2016年初完成私有化并成为北京豪威的全资子公司。美国豪威是一家**的数字图像处理方案提供商，主营业务为设计、制造和 销售高效能、高集成和高性价比半导体图像传感器设备，其Camera Chip和Amera Cube Chip系列CMOS图像传感芯片广泛应用于消费级和工业级应用，具体应用包括智能手机、笔记本、平板电脑、网络摄像头、**监控、娱乐设备、数码相机、 摄像机、汽车和医疗成像系统等

北大超薄柔性电子器件研究取得重要进展

集微网消息，据北京大学新闻网报道，大数据和物联网方兴未艾，令人们无时无刻地与数字世界互动。柔性可穿戴电子器件的发展有望彻底革新人与数字世界的交互方式，真正实现人体与数字世界的无缝对接。然而，当前柔性基底上的电子器件仍面临着诸多重大挑战，例如器件性能难以突破，传统的硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺与柔性电子器件不兼容，器件与人体的交互不够友好，等等；特别是如何在可共形贴敷于皮肤的超薄柔性衬底上实现高性能的CMOS器件与系统集成，是推动下一代服务于个人运动、健康、医疗监控的新型可穿戴技术的关键所在。 近日，北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员与彭练矛教授课题组针对超薄柔性电子器件的研究取得重要进展。他们利用碳纳米管网络薄膜作为沟道材料，在超薄柔性衬底上制备出高性能的CMOS电子器件，并成功地将传感集成系统应用于人体信息监测。课题组充分利用碳纳米管电子器件可低温加工的优势，用金属钯和钪作为电极接触，分别注入电子和空穴，在超薄柔性基底上构建CMOS器件和电路，克服了传统硅基技术中柔性基底与高温掺杂工艺不兼容的问题。在低温条件下制备的CMOS器件性能对

工研院半导体大会聚焦AI、自驾、5G等技术

台湾工研院一年一度「2018国际超大型集成电路技术研讨会」今日登场，今年大会聚焦于人工智能、自动驾驶、5G应用程式、集成电路设计、矽光子等相关技术产业之*新发展，预料将**半导体再创高峰，而纳米级的微处理器电路设计、矽光子、半导体异质整合是半导体下一波发展的关键技术，将是半导体产业下一波的成长契机。 工研院电子与光电系统研究所所长吴志毅表示，随着晶片效能提升、功耗有效减低、无线传输技术蓬勃发展，带动了物联网和AI等新兴科技发展，进而促发半导体产业升级往下世代发展的需求。工研院资讯与通讯研究所所长阙志克指出，人工智能成为各产业转型变革的*大动力，其中机器学习堪称核心技术，在机器学习领域深度神经网路演算法的研发更是现阶段资通讯领域发展的重点。DNN不仅是关键技术，也衍生出非常多新型态的产业，例如训练机器学习用的资料搜集及标签服务及机器训练设备等，都是AI带来的新兴商机。台积电业务开发副总经理张晓强指出，针对摩尔定律的发展推进CMOS技术进入纳米等级，功能尺寸的不断微缩所带来了挑战和机遇，设计上的微缩不再仅仅是几何缩减，而更多是关于使用新材料和电晶体架构的**，纳米级CMOS技术中的电路设计

推动中国集成电路技术砥砺前行

业界寻找后摩尔定律的发展之道

DARPA将在今年七月启动一项2亿美元的计划，并针对后摩尔定律时代的发展方向寻求广泛的意见，以提振美国电子产业... 为了提振美国电子产业，业界将启动一项耗资近50亿美元的计划，几位高阶主管也将在*近的**场活动中齐聚一堂。随后在矽谷还将举相关活动，针对后摩尔定律(post-Moore’s-law)时代的新材料、架构与设计流程，在科技界寻求更多更广泛的意见。由美国国防部先进计划署 (DARPA)推动的电子产业振兴计划(ERI)计划旨在满足**与科技产业的需求。DARPA计划支出2亿美元，其中的7,500万美元资金将由2018年财政预算拨出。DARPA微系统技术办公室(MTO)总监Bill Chappell负责监督此计划，他指出这项计划没有特别要求业界分担计划的费用，但应该以公司努力所得来的商业价值来衡量…[而]我们认为适合的成本分担比重是1：1。DARPA将于九月利用活动中所得到的回馈意见来征求计划提案，每个获选的计划可自行拟定时程表与交付成果，但DARPA计划的时间通常只有四年。这项计划的花费不小，但比起这项计划的远大抱负来说，这笔金额不算太大。此计划旨在加速后摩尔定律时代的研究，G

格美**战： 探保护上限，要技术回报；

华虹宏力：专注低功耗MCU技术 持续发力物联网市场

在物联网（IoT）逐渐成为微控制器（MCU）的主要应用市场之后，开发具备高能效比的MCU产品成为各厂商的重点方向。而一款低功耗MCU的成功开发，是内核、外设电路和工艺三方面共同作用的结果。随着新工艺技术的不断推出，制造工艺的重要性正在不断提升。专为物联网打造超低功耗工艺平台根据预测，到2020年左右，世界上将有超过500亿台设备实现联网。这使得有关物联网的话题备受行业瞩目。然而，如此之多的设备连接进入网络（很多设备是无线联网），必将对芯片功耗十分敏感。具有低功耗、高性能的MCU解决方案，可以简化系统设计，降低整体功耗，帮助系统设计人员将联网设备更快推向市场。因此，随着物联网市场的发展，具备高集成、低功耗的MCU日益受到市场欢迎。“华虹宏力有一套专为物联网打造的0.11微米超低功耗（ULL）嵌入式eFlash及eEEPROM工艺平台，晶体管静态功耗达到0.2pA/μm。同时可实现超低功耗数字/模拟电路、嵌入式闪存与RF-CMOS的技术结合，可为物联网客户量身定制性价比优越、**灵活的解决方案。”在接受《中国电子报》采访时，华虹宏力执行副总裁孔蔚然表示。华虹宏力0.11微米超低功耗双栅型嵌

Sony传扩增CMOS产能14%，满足车用、物联网市场需求

集微网消息，据海外媒体报道，Sony 计划于 2018 年 3 月底前将使用于智能手机、数字相机等用途的 CMOS 影像传感器月产能扩增至 10 万片（以 12 吋晶圆计算）左右水准，大幅增加 14%。目前 Sony 月产能约 8.8 万片。 报导指出，因智能手机自拍用前置相机朝高性能化演进，加上车用、物联网（IoT）用需求增加，因此 Sony 决定增产因应。根据 Sony 公布的财报数据显示，2016 年度（2016 年 4 月~2017 年 3 月）Sony 影像传感器销售额年增 15% 至 5486 亿日圆，2017 年度（2017 年 4 月~2018 年 3 月）销售额预估将年增 24% 至 6800 亿日圆。2017 年度 Sony 影像传感器设备投资额将达 1100 亿日圆，将较 2016 年度的 450 亿日圆大增 144%。在传感器领域中，Sony CMOS 传感器竞争对手包含 OmniVision、三星、夏普（Sharp）、Aptina Imaging 以及意法半导体（STMicroelectronics NV）。日前，因上海韦尔半导体股份有限公司筹划重大事项，经公

Peregrine不断丰富UltraCMOS产品线 助力日本村田提升半导体能力

派更半导体宣布可量产供应开创性的UltraCMOS® 60 GHz RF SOI开关

PE42525和PE426525具有高速开关、高隔离度、低插入损耗及出色的线性度等特性，为微波频段上的RF SOI设定了新标准 集微网消息，RF SOI（射频绝缘体上硅）的***及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司宣布，其可立即量产供应UltraCMOS® 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓（GaAs）技术主导的频段。这两种60 GHz开关在所有关键射频参数上均表现出杰出的性能，*高开关速度仅8纳秒。PE42525是5G系统中测试与测量（T&M）设备、微波回传解决方案及更高频率开关的理想选择。PE426525扩展了适用温度区间，成为工业市场中严苛环境应用的**。派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示：“去年10月初，我们在欧洲微波与射频通讯技术专业展览会（European Microwave Week）上宣布将推出60 GHz开关样品和评估工具，获得了巨大的市场反响。这些高频开关在多个市场被广泛应用，包括5G、测试与测量和防务市场等。这些开关不仅打破了高频开关产品的范例，同时也改变

派更半导体推出UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关

原标题：派更半导体公司高掷数射频开关可为测试与测量设计提供无可比拟的灵活性和高性能 派更半导体公司推出的UltraCMOS® SP6T、SP8T和SP12T开关专为新一代测试与测量设备打造，可提供业界**的高性能与灵活性集微网消息，RF SOI（射频绝缘体上硅）的***及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求，宽频范围可达9kHz~8GHz，并配有一个用于**杂散的外部Vss引脚。派更半导体推出的全新高掷数射频开关具有低插入损耗、高隔离度、**线性度，及快速开关时间与安定时间等特征，拥有业内**的高掷数配置性能规格与灵活性。UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512是滤波器组切换及信号发射/接收（T/R）路径切换等测试与测量应用程序的理想选择。派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示：“派更半导体推出的全新SP6T、SP8T和SP12T开关实现了无可比拟的高掷数

28纳米CMOS模数转换器推动下一波宽带软件定义系统

原标题：28纳米CMOS模数转换器推动下一波宽带软件定义系统，并树立新的性能基准 集微网消息，中国，北京——Analog Devices, Inc. (ADI)*近推出AD9208，属于新的高速模数转换器（A/D转换器）系列。这款模数转换器专为千兆赫兹带宽应用而设计，能够满足4G/5G多频段无线通信基站对更高频谱效率的需求。该器件也能达到多标准生产仪器仪表降低运行时间的目标，并为防务电子应用提供更大侦测范围和更高灵敏度。基于28纳米CMOS技术，AD9208可实现业界**的带宽和动态范围，覆盖*多的信号频段数。它还具有适用于分集射频接收和I/Q解调系统所需的低噪声频谱密度的特点，而功耗仅为其他解决方案的一半。AD9208及整套新产品组合将在国际微波技术研讨会上亮相。 •查看产品页面、下载数据手册、申请样片和订购评估板：http://www.analog.com/pr170502-2/ad9208•通过中文技术论坛EngineerZone®联系工程师和专家：https://ezchina.analog.com/community/data_converters 双通道、14位AD9208

索尼为什么不玩双镜头？终于说出原因

据外媒报道，新一代旗舰智能手机当中，后双摄像头似乎已经成了标准配置。不过，这对于索尼来说似乎并没有那么大诱惑力，这其中的原因索尼也终于说了。索尼移动**产品经理Kiyama Yosuke表示，目前一颗镜头就足以带来高画质体验，索尼也愿意将单镜头做到**。“索尼内部曾对是否使用双镜头进行过讨论，但*终大家还是决定将注意力集中在单镜头的**方面”，Kiyama Yosuke坦言。据了解，Xperia XZ Premium搭载了索尼自研的全球首款三层堆叠式传感器，这种传感器在传统的像素层和电路层之间加入了一层DRAM闪存，使传感器可以缓存更多的图片，并加速处理器读取图片的速度。因此，借助索尼Motion Eye系统，用户可以实现960fps的超极慢镜头或者是更快的抓拍效果。同时将像素数量降低至1900万，保证每一帧画面都能有充足的感光度。根据调查统计，CMOS感光元件市场中单索尼就控制着其中35%的市场份额。而其余的竞争者都无法撼动索尼的地位，不管是三星（19%）、OmniVision、On Semiconductor、佳能、东芝还是松下。另外预计在未来5年里，CMOS感光元件产业的价值将达

ADI公司凭借CMOS RADAR技术平台拓展自动驾驶**地位

中国能在碳基半导体技术上领跑吗？

1月20日，美国《科学》杂志刊登了北大电子学系主任彭练矛和物理电子学研究所副所长张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的***突破：**制备出5纳米栅长高性能碳纳米管晶体管，并证明其性能超越同等尺寸硅基CMOS场效应晶体管，将晶体管性能推至理论**。全球的集成电路产业一直在摩尔定律的“照耀”下沿着硅基的路线前行，但当主流的CMOS技术发展到10纳米技术节点之后，后续发展越来越受到来自物理规律和制造成本的限制，摩尔定律有可能面临终结。20多年来，科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术，期望替代硅基CMOS技术，但到目前为止，并没有机构能够实现10纳米的新型器件，并且也没有新型器件能够在性能上真正超过*好的硅基CMOS器件。在集成电路发展的道路上中国一直是个跟随者。而彭练矛和张志勇课题组的成果已经在实验室中实现了***突破，如果能够在产业化和工程化上提速，有可能带领中国的集成电路产业从跟随走到**阵营。问题是对于这样一个颠覆性技术，其产业化需要很长的时间投入和更多的产业生态加盟，而目前中国并没有碳基电子国家战略，对于前沿技术的产业化，我们应该怎么办？碳基超越硅基？目前，全球集

ADI公司宣布推出Drive360TM 28nm CMOS RADAR技术平台

投入or等待 中国集成电路产业能否“换道超车”？

1月20日，美国《科学》杂志刊登了北大电子学系主任彭练矛和物理电子学研究所副所长张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的***突破：**制备出5纳米栅长高性能碳纳米管晶体管，并证明其性能超越同等尺寸硅基CMOS场效应晶体管，将晶体管性能推至理论**。全球的集成电路产业一直在摩尔定律的“照耀”下沿着硅基的路线前行，但当主流的CMOS技术发展到10纳米技术节点之后，后续发展越来越受到来自物理规律和制造成本的限制，摩尔定律有可能面临终结。20多年来，科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术，期望替代硅基CMOS技术，但到目前为止，并没有机构能够实现10纳米的新型器件，并且也没有新型器件能够在性能上真正超过*好的硅基CMOS器件。在集成电路发展的道路上中国一直是个跟随者。而彭练矛和张志勇课题组的成果已经在实验室中实现了***突破，如果能够在产业化和工程化上提速，有可能带领中国的集成电路产业从跟随走到**阵营。问题是对于这样一个颠覆性技术，其产业化需要很长的时间投入和更多的产业生态加盟，而目前中国并没有碳基电子国家战略，对于前沿技术的产业化，我们应该怎么办？碳基超越硅基？目前，全球集

化学气体传感器蓄势待发 市场规模将达30亿美元

微型化与制造技术的进展，为MEMS传感器产业的业者开启了崭新的市场；根据IDTechEx估计，代工厂在未来几年内将生产数百万个气体传感器元件。 金属氧化物(MOS)气体传感器是1950年代日本神户的研究开发成果。这种感测元件由加热至高操作温度(300-500°C)的丝网印刷金属氧化物层(通常是SnO2、CuO或ZnO的改进版本)组成。在此高温下，氧吸附至表面并调整材料的导电性能，当大气中的气体随后与吸附的氧反应时，即可进一步调节材料的导电性能。这些研究发现创造了一个价值数十亿美元的工业**领域，包括侦测有毒气体与监测碳一氧化碳的商用传感器，一部份则来自几个国家的法规推动。然而，这种传感器的大外形尺寸与功率要求，使其至今仍无法被应用在更多的商用领域。微机电系统(MEMS)制造制程已经使得MOS传感器实现大量生产。以前它可用于同时印制200个传感器，但必须在实验室中以多层印刷材料进行。透过火焰热解的材料制造与沉积新方法意味着一座代工厂中每天可制造数百万个传感器。由于使用微型加热板，对于功率的要求已经大幅降低了十倍，如今的传感器功耗还不到10mW。这种被称为MEMS或CMOS气体传感器的新一

CMOS数字隔离技术展妙用 工业自动化**/可靠性大增

工业自动化发展热潮正不断升温，尤其是在可确保设备**性和可靠性的隔离设计方面上更是涌现了巨量的设计需求，引来可观的商机。 工业自动��四大技术挑战 为了协助业界人士加速实现相关解决方案，本文除针对工业自动化目标市场的隔离应用，专注于可编程逻辑控制器(PLC)和工厂自动化的发展进行详细的市场与技术分析外，也详细说明了新型互补式金属氧化物半导体(CMOS)数字隔离器相较于传统光耦合隔离方案对工业自动化应用所带来的显著优势。工业自动化的发展道路上，所包含的许多技术挑战包括：**：设备**无法妥协． **功能至关重要。． 产品在高应力下性能必须稳定。**：高噪声环境中的正常工作． 工厂外部电/磁场的抗干扰性高。． 高电压瞬变噪声的抗干扰能力强。第三：产品使用寿命长． 整个温度范围，不同VDD电压，以及长期使用时，关键参数必须稳定。． 在高应力下产品使用寿命长。第四：高性能． 产品性能必须世界**。． 低延迟和低延迟偏差以确保高效率和吞吐量。基于上述的技术挑战，适用于工业自动化的高性能隔离产品也必须是高**，高抗干扰性与长寿命。 工厂存在很多高压设备，透过隔离方案不仅能保护电子系统和人员，也能抑制

莫大康：SOI与FinFET技术谁更优

1999年，胡正明教授在美国加州大学领导着一个由美国国防部**研究计划局（DARPA）出资赞助的研究小组，当时他们的研究目标是CMOS技术如何拓展到 25nm及以下领域，显示有两种途径可以实现这种目的：一是立体型结构的FinFET晶体管，另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术 (UTB-SOI,也就是我们常说的FDSOI晶体管技术)。 体硅CMOS技术走到22nm之后，因为光刻技术所限，特征尺寸已很难继续微缩，急需革新技术来维持进一步发展。在众多的候选技术之中，FDSOI(Fully Depleted SOI，全耗尽SOI)技术**竞争力。对于FDSOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结的耗尽区，从而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering，漏致势垒降低)等短沟道效应，改善器件的亚阈特性，降低电路的静态功耗。此外，FDSOI晶体管无需沟道掺杂，可以避免RDF(Random Dopants Fluctuation，随机掺杂涨落)等效应，从而保持稳定的阈值电压，同时还可以避免因掺杂而引起的迁移率退化。FD-SOI技术不仅能得到Fi

机器视觉系统的构成及优缺点解析

半导体未来成长动力仰赖特殊制程与设计

电晶体尺寸不断微缩，价格也变得越来越昂贵，德州仪器技术长Ahmad Bahai日前在国际固态电路会议(ISSCC)上指出，结合特殊制程与设计方法才能继续推动半导体产业的快速成长。 根据EE Times报导，微缩CMOS尺寸对于小型电子产品和增加电池续航力是很重要的，但手机已不再是提供指数型成长的**产品，与其持续增加CMOS中的电晶体数量，不如将重点移往更聪明的设计与特殊封装。Bahai表示，模拟工程师可用的**架构包括了含精密被动元件的数位辅助类比和系统级封装，专门制程则包括BiCMOS，将功率较高的电晶体嵌在CMOS数位基板上，并使用矽锗(SiGe)、碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)供应电源。Bahai以汽车雷达处理器使用的mm-RF电路作为市场过于依赖CMOS微缩的例子。Bahai表示，汽车雷达收发器仰赖的是混合技术，技术要求包括宽带和波束成型，以达到高**度和材料穿透性，这方面微缩CMOS能增加的效益有限。封装金属化必须经过优化才能改善被动元件并克服封装中粗大图形尺寸的谐波特性。Bahai指出，汽车模组具有高度灵敏度，不仅可侦测并生成接近车辆的影像，还能针对驾驶的呼吸模式进行

SOI与FinFET技术谁更优

1999年，胡正明教授在美国加州大学领导一个由美国国防部**研究计划局（DARPA）出资赞助的研究小组，这个小组当时的研究目标是CMOS技术如何拓展到25nm及以下领域，实现这种目的有两种途径：一是立体型结构的FinFET晶体管，另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术（UTB-SOI，也就是我们常说的FD-SOI晶体管技术）。体硅CMOS技术走到22nm之后，因为光刻技术所限，特征尺寸已难继续微缩，急需革新技术来进一步发展。在众多的候选技术之中，FDSOI（Fully Depleted SOI，全耗尽SOI）技术**竞争力。对于FD-SOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结的耗尽区，从而可改善DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏致势垒降低）等短沟道效应，改善器件的亚阈特性，降低电路的静态功耗。此外，FD-SOI晶体管无需沟道掺杂，可以避免RDF（Random Dopants Fluctuation，随机掺杂涨落）等效应，从而保持稳定的阈值电压，同时还可以避免因掺杂而引起的迁移率退化。FD-SOI技术不仅能得到FinFET全耗

硅谷创业公司希望用新技术帮助中国突破DRAM；

1.硅谷创业公司希望用新技术帮助中国突破DRAM；2.上海谱瑞5大产线出货均优于去年；3.北京大学:碳纳米管电子产品有望2022年取代硅基CMOS 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.硅谷创业公司希望用新技术帮助中国突破DRAM；众所周知，中国是智能电子设备的制造大国和消费大国。在美国、欧洲、非洲各地都能看到有中国特色的手机和电脑卖的红红火火；每年在拉斯维加斯举办的全球消费电子展CES上也都挤满了各个领域的中国厂商。然而，手机、电脑产的多卖的好并不代表中国在基础的半导体行业上就赶上了**国家，而恰恰我们的大部分产品都还在用别人家的芯片和存储器。而近几年，中国政府对于半导体行业的支持力度相当大。国务院曾在2014年6月颁发了《国家集成电路产业发展推进纲要》，要实现集成电路行业销售收入从2015年3500亿人民币以每年20%的增速达到2020年约8700亿人民币的目标。那么，纵观全球总产值3500亿美元的半导体市场，哪一领域可能是中国快速提升的突破口呢？记者采访了位于圣何塞的

手机双镜头风潮持续　Sony CIS元件供不应求

智能手机搭载双镜头已成风潮，熟悉CIS元件(CMOS image sensor)厂商指出，Oppo、Vivo强力崛起，加上华为、小米等手机厂商，在产品规格上将不落国际龙头大厂之后，已经陆续推出双镜头机型，目前CIS元件可说是炽手可热，台湾IC渠道商尚立主要就是代理龙头业者Sony CIS元件，市场看好尚立2017年上半营运可望逐渐走强。熟悉CMOS影像传感器厂商表示，全球约有7成CIS元件应用于移动装置，而双镜头的风潮，更会造成CIS元件供不应求，全球主力大厂包括Sony、豪威(Omnivision)、安森美(On-semi)、三星电子(Samsung Electronics)，不过三星多半供货自家品牌出海口，前三业者将是主要供应给日系、大陆手机CIS元件的主要供应商。随着双镜头模组风潮蔓延，熟悉CIS相关领域业者认为，也会带动其他CMOS影像传感器设计厂商营运，主因系大多产能都投注在移动装置，但是其他如安防、汽车电子、无人机、智能家庭等等应用，便出现了更多机会，随着物联网(IoT)的概念日益普及，CIS的应用将会越来越广泛，也能够容纳更多厂商共逐市场大饼。从手机市场来看，手机品牌业者

五年后，指纹识别市场将达47亿美元

伴随移动支付业务的火爆，指纹识别技术已成为今天智能手机的标配，而在CMOS图像传感器/TFT显示屏、超音波侦测等新技术的不断助推下，更让其市场迎来了发展的新春。据调研机构Yole预测，未来5年，指纹识别市场的复合年增率（CAGR）将达到19%，市场规模有望从2016年的28亿美元，增加到2022年的47亿美元。*初只是作为方便手机解锁功能的元器件——指纹识别传感器，如今在智能手机移动支付业务的带动下，已经变成要为移动支付把关的重要**元素。据业内人士分析，目前的指纹识别市场，大多来自于OEM厂对全玻璃设计与防水功能的需求。这促使CMOS/TFT、超音波侦测等新技术，进一步推动高整合型指纹识别技术的演进。据统计，2016年的指纹识别传感器的出货量已达6.89亿颗，相较2013年的2300万颗，CAGR达到210%。当然，大量的需��也促使指纹识别传感器均价的走低，目前已从5美元下滑到3美元，甚至更低，未来供应商仍将继续面临价格压力。指纹识别市场对传感器制造商来说具有较高弹性，虽然今后5年的市场规模非常可观，但如何在激烈的市场竞争中脱颖而出，仍然是考验相关厂商的一道难题。

2016年销售冲破28亿美元,指纹识别大饼持续扩张

在隐私与行动支付的**需求导引下，指纹辨识已成为一项智慧型手机中十分普及的功能。目前不断投入的CMOS/TFT、超音波侦测等新技术，持续为指纹辨识此一市场大饼的扩张提供动能。根据研究机构Yole的预测，从2016～2022年，指纹辨识市场的复合年增率(CAGR)将达19%，市场规模则可望从2016年的28亿美元，增加到2022年的47亿。 Yole技术与市场分析师Guillaume Girardin表示，如今的指纹辨识市场，大多来自于OEM厂对全玻璃设计与防水功能的需求。这促使CMOS/TFT、超音波侦测等新技术，将进一步用来侦测高整合型的指纹辨识。Guillaume Girardin进一步表示，*初指纹辨识感测器是一种可达成方便性、保护性手机解锁功能的元件，然而，在智慧型手机数量遽增的情况下，它现在扮演的是替网路与行动支付认证把关的**性要角。也因为如此，智慧型手机应用对感测器的需求出现爆发性成长，出货量从2013年的2,300万颗，到2016年已达6.89亿个，CAGR达到210%。尽管出货量出现成长迅速，但Yole的报告也指出，指纹感测器元件的平均价格在同一时间已从5美元下滑到3

新一代STT-MRAM容量达Gb水准

被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM)，在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting；IEDM)中公开了若干突破性研究成果，*值得注意的是推出了容量超过1Gb的产品，以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术实证。 MRAM算是次世代非挥发性存储器科技中出现较早的一种，其记忆单元以磁隧结(MTJ)组成，由于占用体积大与耗电量高，*大容量约16Mb，仅适用于若干特殊需求；MTJ水平排列的iSTT-MRAM虽然成功缩小化，记忆密度还是偏低，*大容量仅256Mb。直到较新的pSTT-MRAM出现，MTJ改用垂直排列，才能进一步扩大记忆密度，韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)从2011年起合作，到2016年成功推出目前容量*大的STT-MRAM，记忆容量达4Gb，虽然详细数据并未公布，不过报导推算记忆密度与DRAM相当。不过，存储器技术要求的不只有记忆容量与密度，使用寿命与容错能力等数据也很重要，GlobalFoundries与Everspin Tec

CMOS和CCD传感器的分类和特点详解

安森美半导体和Hexius半导体扩展

原标题：安森美半导体和Hexius半导体扩展，下一代混合信号ASIC的模拟功能 集微网消息，2017年1月10日 — 推动高能效**的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，宣布与Hexius半导体合作，从而使其部分模拟知识产权(IP)能用于受欢迎的ONC18 0.18 µm CMOS工艺中。这使安森美半导体能更好地服务客户，提供经证实的模拟IP，可*终减少设计周期和产品面市时间。由该合作产生的八个初始设计包括各种不同的模拟-数字转换器、数字-模拟转换器、电压基准和电流基准。视乎需要，这些设计可按规定定制，以满足特定的应用需求。进一步的数据转换器和锁相环(PLL)设计目前正在开发中，将于今年晚些时候内推出。安森美半导体的ONC18工艺基于一个0.18微米（µm）CMOS结构，由于具备高电压能力，特别适用于汽车、工业、**和医疗的使用。客户获得权限使用支援该工艺的宽广阵容的合格IP，将受益于为其特定要求而高度优化的专用集成电路(ASIC)的实施，而无需为设计项目分配太多自己的工程资源。因此，可实现更快的设计周期、降低重新设计的风险并减少相关成本。安森

白宫阻碍中国半导体崛起的报告全文曝光

日前，美国美国总统科学技术咨询委员会 由于中国的加入，加速了敏感技术的传播，这会给美国的国防**带来极大的挑战。中国的“零和博弈”策略包括了以下方面：强迫或者鼓励本土消费者购买中国半导体供应商的产品，中国在这方面的表现是很突出的 盗窃IP，在技术**转移的过程中，这也明显对**造成影响。根据媒体报道，中国经常明里暗里盗取IP技术(证据呢?)。明地里意味着中国通过审查的方式，去检查哪些**可控的技术，以此获取相关半导体的技术细节(纽约时报曾经在2016年五月做过报道，说中国通过对苹果等在华运营的相关公司进行技术审查，以此获取美国的关键技术)。共谋，根据媒体报道，中国公司和一些低价值的收购目标共谋，协助中国获取相关技术。这些动作有时候会违反国际协议。四、应对策略为了应对这些挑战，美国的政策制定者应该遵循以下六大方针：1、为了获得胜利，必须跑得更快。从上面描述我们得知，在降低中国追赶速度的过程中，我们会面临很多的诱惑(什么鬼?)。但是我们要认清现状。如果美国在**全球制造的情况下，不保持**，那么在半导体方面的停止就会影响到生活水平和**实力。更重要的，一旦美国停止**，中国在半导体领域的领

安森美半导体和Hexius半导体扩展 下一代混合信号ASIC的模拟功能

推动高能效**的安森美半导体(ON Semiconductor)，宣布与Hexius半导体合作，从而使其部分模拟知识产权(IP)能用于受欢迎的ONC180.18 μm CMOS工艺中。这使安森美半导体能更好地服务客户，提供经证实的模拟IP，可*终减少设计周期和产品面市时间。由该合作产生的八个初始设计包括各种不同的模拟-数字转换器、数字-模拟转换器、电压基准和电流基准。视乎需要，这些设计可按规定定制，以满足特定的应用需求。进一步的数据转换器和锁相环(PLL)设计目前正在开发中，将于今年晚些时候内推出。安森美半导体的ONC18工艺基于一个0.18微米(μm)CMOS结构，由于具备高电压能力，特别适用于汽车、工业、**和医疗的使用。客户获得权限使用支援该工艺的宽广阵容的合格IP，将受益于为其特定要求而高度优化的专用集成电路(ASIC)的实施，而无需为设计项目分配太多自己的工程资源。因此，可实现更快的设计周期、降低重新设计的风险并减少相关成本。安森美半导体定制代工业务部总监RockeAcree说：“由于系统需要利用由传感器和用户接口捕获的真实数据，混合信号ASIC市场持续增长。OEM正寻求集成

安森美携手Hexius扩展混合讯号ASIC类比功能

安森美半导体(ON Semiconductor)宣布与Hexius半导体合作，在ONC18 0.18μm CMOS制程中使用Hexius半导体的类比智慧财产权(IP)。这使安森美半导体能为客户提供更好的服务，提供验证过的类比IP，可*终减少设计周期和产品面市时间。 由该合作产生的八个初始设计包括各种不同的类比-数位转换器、数位-类比转换器、参考电压和参考电流。视乎需要，这些设计可按规定订制，以满足特定的应用需求。进一步的资料转换器和锁相回路(PLL)设计目前正在开发中，将于今年稍晚推出。安森美半导体的ONC18制程奠基于一个0.18微米(μm)的CMOS结构，由于其高电压能力，特别适用于汽车、工业、**和医疗等应用。客户获得权限使用支援该工艺的宽广阵容的合格IP，将受益于已为其特定要求而高度优化的特殊应用积体电路(ASIC)实施，且不需分配过多本身的工程资源在设计项目上。因此，可实现更快的设计周期、降低重新设计的风险和减少相关成本。

ccd与cmos的区别及六大硬件技术指标

2016中国半导体行业十大事件

2016年度中国半导体产业十大事件点评

2016年全球半导体行业继续上演深度调整与整合，超大规模的并购持续，市场经历小幅的衰退，企业苦苦寻找新的增长点。相对而言，中国半导体产业受国家利好政策的支持有着更好的表现，Foundry厂新产线投资不断，存储器建设初露端倪，新生设计公司大幅增长。即使是传统短板的设备与材料领域也获得一些进步，中国半导体产业正在加速追赶。新年伊始，《中国电子报》盘点“2016年中国半导体产业十大新闻事件”，总结梳理，展望未来。1 大基金、紫光投资长江存储，中国进军存储器产业2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司宣布成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。点评：中国发展存储器产业十分必要。除长江存储之外，福建晋华与联电签订技术合作协定，由联电协助其生产利基型DRAM；新建的12英寸厂房已经动工，初步产能规划每月6万片，估计2017年底完成技术开发，2018年9月试产。合肥长鑫公司将投入约500

安森美半导体和Hexius半导体扩展

原标题：安森美半导体和Hexius半导体扩展，下一代混合信号ASIC的模拟功能 集微网消息，2017年1月10日 — 推动高能效**的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，宣布与Hexius半导体合作，从而使其部分模拟知识产权(IP)能用于受欢迎的ONC18 0.18 µm CMOS工艺中。这使安森美半导体能更好地服务客户，提供经证实的模拟IP，可*终减少设计周期和产品面市时间。由该合作产生的八个初始设计包括各种不同的模拟-数字转换器、数字-模拟转换器、电压基准和电流基准。视乎需要，这些设计可按规定定制，以满足特定的应用需求。进一步的数据转换器和锁相环(PLL)设计目前正在开发中，将于今年晚些时候内推出。安森美半导体的ONC18工艺基于一个0.18微米（µm）CMOS结构，由于具备高电压能力，特别适用于汽车、工业、**和医疗的使用。客户获得权限使用支援该工艺的宽广阵容的合格IP，将受益于为其特定要求而高度优化的专用集成电路(ASIC)的实施，而无需为设计项目分配太多自己的工程资源。因此，可实现更快的设计周期、降低重新设计的风险并减少相关成本。安森

索尼发布目前世界上*小的100万像素镜头模组

Sony 是当今感光元件世界大厂这点众所皆知，然而在既有的产品线之外，Sony 也一直在研发其他取向的感光元件，例如之前的曲面 CMOS，而现在 Sony 更发布了可应用在移动设备的超小型感光元件 IU233N2-Z 以及 IU233N5-Z。Sony 所发布的 IU233N2-Z 以及 IU233N5-Z 是目前世界上*小的 100 万像素镜头模组，前者可输出彩色画面，后者则为单色（黑白）感光元件。这枚感光元件尺寸仅只有 2&TImes;2mm 大小，对角线长度只有 1.72mm，换算我们常用的英寸单位则是 1/10.49 寸，即使是加上镜头模组也仅只有 2.6（W）&TImes;2.6（D）&TImes;1.45（H）mm，可说是非常微型的镜头模组。这块AMD型的感光元件可输出 106 万有效像素的影像，像素听起来似乎很低，但若以影片来说，它的分辨率是 1296（H）&TImes; 816（V），等于已有 720p HD 的水准。镜头为 3 片式塑料镜片，光圈 F2.4、视角 80.7 度，因为焦距极短的关系，镜头采用固定对焦的泛焦设计。除了体积超小之外，它们也非常轻量，感光元件加

Evolve无人机遥控器配置双屏幕：取景和多点触控操作

无人机目前已经应用在诸多领域，比如航拍，娱乐，勘测以及农业等。不管是普通无人机，还是专业无人机，***都为用户提供了特殊显示屏，来帮助操作者完成无人机的平稳“驾驶”。而这款名为“Evolve”的无人机，拥有全世界**双屏遥控器，它的创造灵感来自智能手机和手持游戏控制器。Evolve的开发商为XDynamics公司，这家公司为Evolve设计了一个配7英尺和5英尺双屏幕遥控器，其中顶部7英尺屏幕充当取景器，而底部5英尺屏幕充当多点触控面板，从而减少实体按键的数量。这家公司表示，即便是在直射太阳光下，用户也都能清楚得看到两款屏幕上的画面。得益于双屏幕设计，Evolve能够在飞行过程中保证更为稳定的状态，并且路线导航和社交媒体信息分享功能也将变得非常简单。这款无人机配置四核CPU，提供4GB内存，搭载安卓操作系统，并配有USB插口和MicroSD卡槽。XDynamics 公司表示，双屏远程遥控器是Evolve区别于市面上其他竞争对手的“法宝”。它上面预装了所有的东西，用户无需单独的应用软件和智能手机就能享受到全功能远程遥控器。Evolve配置了1240万像素索尼CMOS传感器和21mm F2

是德与UCSD联手展示5G通讯链路

是德科技(Keysight Technologies)日前与美国加州大学圣地亚哥分校(UCSD)共同宣布全球*长的60GHz双向相位阵列链路成功通过验证。 在300公尺连接距离内，32元(32-element)的阵列可在高达±45度的整个扫描角度内实现2Gbps以上的资料速率。在100公尺距离内，资料速率在多数扫描角度中可达到4Gbps，800公尺距离则可达到500Mbps。来自**无线服务供应商的初始测试结果显示，该系统可同时在300公尺距离内同时为8个家庭提供资料服务。整个相位阵列在发射(Tx)或接收(Rx)模式下，将消耗3到4瓦的直流功率。这受惠于UCSD所提供的高效能系统级晶片(SoC)设计。该设计采用全球专用晶圆制造领导厂商TowerJazz的第三代矽锗BiCMOS标准掩埋式集电极制程(SiGe BiCMOS SBC18H3)。是德科技的软硬体技术支援工程师快速设计系统原型，同时实现链路等化，以及在2GHz调变频宽下执行先进的效能测试。核心硬体元件包括Keysight M8195A任意波形产生器、E8267D PSG向量讯号产生器，以及DSOS804A高解析度示波器。UCSD

凌力尔特发布I2C μModule隔离器

凌力尔特(Linear)日前推出6通道SPI/ 数位，或I2C μModule隔离器LTM2887，该元件针对低电压元件设计，包含较新的DSP和微处理器。两个经过稳压的可调电源轨(高达5V)越过隔离势垒，提供大于100mA的负载电流，并具有高达62% 的效率。针对辅助电源，电压可调节至低如0.6V，而对于 SPI 介面，隔离型逻辑电源则可低至1.8V。每个电源提供一精准的电流限值调整针脚，并能使用外 部电阻来调节电压。 在工业系统应用中，接地电位的变化范围相当宽广，经常超过可容许的范围，这会造成通讯中断或甚至零组件损坏。LTM2887 透过在一个内部隔离势垒的每侧对逻辑位准介面进行电隔离来断开接地回路。该电感式耦合势垒可承受高达2,500VRMS 的非常大接地差分电压。低EMI隔离型DC/DC转换器负责为LTM2887供电，并向通讯介面和输出电源轨提供隔离式电源。单独的逻辑电源针脚可与低至1.62V的低压微控制器直接连接，而一个 ON针脚使该元件能够关机并采用小于10μA的电流。LTM2887 在共模瞬变>30kV/μs的情况下可提供不间断通讯，并在隔离势垒的两端提供强固的 ±10kV

CMOS图像传感​器2017年或迎来爆发

6通道逻辑/SPI/数位μModule隔离器实现高效率

凌力尔特(Linear Technology)日前推出6通道SPI/数位或I2C μModule隔离器 LTM2887，该元件针对低电压元件设计，包含较新的DSP和微处理器。 两个经过稳压的可调电源轨(高达5V)越过隔离势垒提供大于100mA的负载电流，并具有高达62%的效率。针对辅助电源，电压可调节至低如0.6V，而对于SPI介面，隔离型逻辑电源则可低至1.8V。每个电源提供一精准的电流限值调整针脚，并能使用外部电阻来调节电压。在工业系统应用中，接地电位的变化范围相当宽广，经常超过可容许的范围，这会造成通讯中断或甚至零组件损坏。LTM2887透过在一个内部隔离势垒的每侧对逻辑位准介面进行电隔离来断开接地回路。该电感式耦合势垒可承受高达2,500VRMS的非常大接地差分电压。低EMI隔离型DC/DC转换器负责为LTM2887供电，并向通讯介面和输出电源轨提供隔离式电源。单独的逻辑电源针脚可与低至1.62V的低压微控制器直接连接，而一个ON针脚使LTM2887能够关机并采用小于10μA的电流。LTM2887在共模瞬变>30kV/μs的情况下可提供不间断通讯，并在隔离势垒的两端提供强固的±

6 通道逻辑 / SPI / I2C μModule 隔离器

原标题：6 通道逻辑 / SPI / I2C μModule 隔离器，通过两个可调电源轨提供超过 100mA 电流 集微网消息，加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 12 月 12 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 6 通道 SPI / 数字或 I2C μModule® 隔离器 LTM2887，该器件面向低电压组件，包括较新的 DSP 和微处理器。两个经过良好稳压的可调电源轨 (高达 5V) 越过隔离势垒提供大于 100mA 的负载电流，并具有高达 62% 的效率。对于辅助电源，电压可调节到低至 0.6V，而对于 SPI 接口，隔离型逻辑电源则可低至 1.8V。每个电源提供一个精准的电流限值调整引脚，并能使用外部电阻器来调节电压。在工业系统应用中，接地电位的变化范围会很宽，常常超过可容许的范围，这会中断通信或甚至毁坏组件。LTM2887 通过在一个内部隔离势垒的每侧对逻辑电平接口实施电隔离来断开接地环路。这个电感式耦合势垒可承受高达 2,500VRMS 的非常大接地差分电压。一个低 EMI 隔离

7纳米以下技术候选人：IMEC看好GAA NWFET技术

比利时微电子(IMEC)在2016国际电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的CMOS集成电路，其关键技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等，且针对7纳米以下技术候选人，IMEC看好环绕式闸极纳米线电晶体(GAA NWFET)会雀屏中选。 比利时微电子研究中心与全球许多半导体大厂、系统大厂均为先进制程和**技术的合作伙伴；其中，在CMOS先进逻辑微缩技术研究的关键伙伴包括有台积电、三星电子(Samsung Electronics)、高通(Qualcomm)、GlobalFoundries、美光(Micron)、英特尔(Intel)、SK海力士(SK Hynix)、Sony、华为等。针对半导体7纳米以下制程，究竟谁可以接棒FinFET技术？比利时微电子研究中心表示，目前看起来环绕式闸极纳米线电晶体(GAA NWFET)是*有��能成功突破7纳米以下FinFET制程的候选人。比利时微电子进一步分析，因

是德科技与加州大学验证5G 60GHz通信可行性

本报讯 是德科技与加州大学圣迭戈分校日前宣布，60GHz频段超长双向相控阵链路成功通过验证。在300米的链路距离内，32单元阵列在高达±45度的整个扫描角度内可达到2Gbps以上的数据速率。在100米距离内，数据速率在绝大多数扫描角度内可达到4Gbps；在800米距离内，可达到500Mbps。**的无线提供商经过初始测试获得的结果表明，该系统可在300米的距离内同时为8个家庭提供数据内容。据介绍，整个相控阵在发射或接收模式下，将消耗3W至4W的直流功率。这得益于加州大学圣迭戈分校所提供的高性能系统级芯片（SoC）设计，该设计采用了全球专用晶圆制造***TowerJazz的第三代硅锗BiCMOS标准隐埋集电极（SiGe BiCMOS SBC18H3）制程制造而成。是德科技的硬件和软件支持工程师快速设计系统原型、实施链路均衡，以及在2GHz调制带宽执行先进的性能测量。核心硬件元素为M8195A任意波形发生器、E8267D PSG矢量信号发生器和DSOS804A高清示波器。

CMOS影像传感器供不应求 市场价格止跌

据日本经济新闻(Nikkei)网站报导，摄影用的CMOS影像传感器市场，由于市场需求增大，原本跌价的趋势已逐渐趋缓，智能手机用品的2016年7~9月报价甚至与10~12月报价维持相同水准，预料2017年初市场需求不减，报价甚至有上涨的可能。以1,300万画素的产品来看，2016年第1季~第2季单价下滑10%，第3季下滑仅约5%，第4季就停在与第3季相当的每个2~3美元水准。造成CMOS影像传感器价格下滑趋势减缓的理由，主要在高阶智能手机转向采用双镜头设计，让高阶手机市场的CMOS影像传感器需求几乎倍增；日本市场也有传言，大陆智能手机厂来的CMOS影像传感器订单大增，也是一个原因。另外，2016年4月中旬日本熊本地震，Sony的熊本厂受损，直到8月底才完全恢复生产，影响2016年中期的CMOS供货量，则是次要原因。

是德与UCSD共同展示5G无线通讯链路

是德科技(Keysight)日前与美国加州大学圣地亚哥分校(UCSD)，共同宣布60GHz双向相位阵列链路，已成功通过验证。在300公尺连接距离内，32元(32-element)的阵列，可在高达±45度的整个扫描角度内，实现2Gbit/s以上的资料速率。 在100公尺距离内，资料速率在多数扫描角度中可达到4Gbit/s，800公尺距离则可达到500Mbit/s。来自无线服务供应商的初始测试结果显示，该系统可同时在300公尺距离内，同时为8个家庭提供资料服务。整个相位阵列在发射(Tx)或接收(Rx)模式下，将消耗3到4瓦的直流功率。这受惠于UCSD所提供的高效能系统级晶片(SoC)设计。该设计采用TowerJazz的第三代矽锗BiCMOS标准掩埋式集电极制程(SiGe BiCMOS SBC18H3)。是德的软硬体技术，支援工程师快速设计系统原型，同时实现链路等化，以及在2GHz调变频宽下执行先进的效能测试。核心硬体元件包括Keysight M8195A任意波形产生器、E8267D PSG向量讯号产生器，以及DSOS804A高解析度示波器。UCSD使用该公司的Signal Studio软体

艾迈斯推出具有**噪声性能的A30新型高性能模拟技术

集微网消息，中国，2016年12月6日，全球**的高性能传感器和模拟IC供应商艾迈斯半导体（ams AG，瑞士股票交易所股票代码：AMS）今天宣布推出高性能模拟低噪声CMOS制程工艺（“A30”）。这种新型的A30制程工艺具有**的噪声性能，并通过光刻工艺使体积缩小至艾迈斯半导体**0.35µm高压CMOS制程工艺系列产品的0.9倍。A30技术包括性能优化的绝缘3.3V器件（NMOSI和PMOSI）、绝缘3.3V低压器件（NMOSIL和PMOSIL）、一个具有薄栅氧化层厚度的绝缘高压器件（(NMOSI20T)、垂直双极型晶体管（VERTN1和VERTPH）以及一个绝缘3.3V超级低噪声晶体管（NMOSISLN），可以提供0.46 pA/√Hz水平的闪烁噪声（@ 1kHz，ID = 1µA @ Vds = 3V，10x1.2µm²）。与H35制程工艺相比，可以降低高漏电流的闪烁噪声至少4至10倍。整个器件还包括各种电容（聚酯电容、插入式电容和MOS电容）和电阻（扩散电阻、阱电阻、聚酯电阻、高阻聚酯电阻和精密电阻）等无源器件。A30制程工艺非常适用于超低噪声传感应用和需要噪声优化输入级或高

索尼新型CMOS传感器内置偏振元件，去除玻璃反射

索尼的半导体制造和索尼半导体解决方案部门在“IEDM 2016”上发表论文演讲（演讲编号：8.7），介绍了新型背照式CMOS传感器（BSI）。该传感器的特点是配备了偏振元件（polarizar）。在普通偏振相机上，成像元件和偏振元件是各自独立的，有的把偏振元件设在位于BSI受光部（PD：Photo Ditector）上方的片上透镜（On-chip lens）与该透镜上方的外置保护玻璃之间。而此次发布的BSI则是在PD的上方设置用金属线栅制作的偏振元件，实现了单芯片化。由此可以实现比以往更小、成本更低的偏振相机。 偏振相机的代表性用途有两个。一是监控摄像头，拍摄人的肉眼看不到的场所。例如太阳光会在汽车前挡风玻璃上产生镜面反射，反射光会导致肉眼看不清驾驶席的情况，而偏振相机仍能清晰拍摄。前挡风玻璃镜面反射的光与车内人物反射的光具有不同的偏振状态，只将前挡风玻璃反射的光分离出来，就可以拍摄车内的情况。另一个用途是三维测量。通过捕捉测量对象表面反射光的偏振状态，就可以更加精细地拍摄到物体表面的凹凸。不过，用偏振相机只能分辨出位移量，并不能分辨与物体之间的距离的***。因此，要想知道距离，同时还

谁是7纳米以下FinFET接班人 IMEC看好GAA NWFET技术

比利时微电子(IMEC)在2016国际电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的CMOS集成电路，其关键技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等，且针对7纳米以下技术候选人，IMEC看好环绕式闸极纳米线电晶体(GAA NWFET)会雀屏中选。 比利时微电子研究中心与全球许多半导体大厂、系统大厂均为先进制程和**技术的合作伙伴；其中，在CMOS先进逻辑微缩技术研究的关键伙伴包括有台积电、三星电子(Samsung Electronics)、高通(Qualcomm)、GlobalFoundries、美光(Micron)、英特尔(Intel)、SK海力士(SK Hynix)、Sony、华为等。针对半导体7纳米以下制程，究竟谁可以接棒FinFET技术？比利时微电子研究中心表示，目前看起来环绕式闸极纳米线电晶体(GAA NWFET)是*有可能成功突破7纳米以下FinFET制程的候选人。比利时微电子进一步分析，因

比利时微电子展示闸极矽奈米电晶体

于2016国际电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM)中，比利时微电子研究中心，首度展示由矽奈米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的CMOS积体电路。 关键的技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等。同时，比利时微电子研究中心，也研究了新的结构对于原来的静电放电(ESD)表现的影响，且发表了一个静电放电防护二极体。这个突破性的结果，增进了GAA奈米MOSFETs的发展，并且看到了鳍式场效电晶体(FinFETs)，在未来制程上成功的希望。环绕式闸极奈米线电晶体(GAA NWFET)，是*有可能成功突破7奈米以下，鳍式电晶体制程的候选人。其拥有**的静电掌控能力，从而实现极限的互补式金属氧化物半导体(CMOS)装置微缩。在水平配置中，它们是当今主流FinFET技术的自然延伸。在该配置中，可以通过垂直堆叠多条水平奈米线来*大化每个覆盖区的驱动电流。就在今年，比利时微电子研究中心的科学家展示了垂直堆叠、由直径8奈米的矽奈米线，所制成的环绕式闸极场效电晶体(GA

16V CMOS类比比较器提升效能、速度和可靠性

新产品相容于上一代产品，并进一步扩大ST CMOS与其他厂牌多路比较器之间的性能和效能优势... 意法半导体(STMicroelectronics，ST)针对16V CMOS两路和四路类比比较器采用*新一代制程技术来进行升级，新产品每路比较器不仅功耗降低至5μA，其比较速度更快，而且ESD防静电能力也提升至4kV。新产品TSX393、TSX339、TSX3702和TSX3704可与上一代产品相容，进一步扩大意法半导体CMOS产品与其他厂牌多路比较器之间的性能和效能等优势。新款比较器采用2.7-16V宽电压单电源，适用于各种应用的标准电压，包括工业和汽车设备。新元件的额定工作温度自-40°C至125°C，ESD能力优于上一代产品，进而提升感测和控制系统在恶劣环境下运作的可靠性。TSX393和TSX339分别整合两个和四个比较器，Open-drain输出有助于简化需要ORing或电位转换功能的电路设计。两路比较器TSX3702和四路比较器TSX3704有push-pull输出，无需上拉电阻即可实现可靠的讯号输入输出。输出驱动能力高达20mA，可直连各种类比或数位负载。意法半导体*新产品还导

佳能或推出一款适用于安防监控的图像传感器

乐视体育发布首款可直播运动相机LIVEMAN系列

佳能开发出支持全局快门方式的4K CMOS传感器

佳能开发出了支持“全局快门”方式的4K CMOS传感器，将在半导体元件及工艺技术相关国际会议“IEDM 2016”（12月3〜7日、旧金山）上发表（演讲序号：8.6）。该公司2016年8月宣布开发出了支持全局快门方式的CMOS传感器，不知道与此次发布的是不是同一款。 全局快门方式是所有像素同步曝光，因此可准确拍摄高速移动的物体。普通的CMOS传感器通常采用逐行曝光的“卷帘快门方式”，但因为要读取每个像素的信号，这样就会产生时间差。因此在拍摄高速移动的物体时有时会失真。据佳能介绍，虽然全局快门方式主要用于拍摄高速移动的物体，但存在动态范围较小、噪声和暗电流较大的课题。因此，该公司此次采用了将多个像素读取的数值进行积累并保存于存储器中，然后同时进行处理的方法，扩大了动态范围，还减小了噪声和暗电流。帧率为30帧/秒，动态范围为92dB。（记者：根津祯）

“海淘”受阻，中国IC并购转向境内

本报记者 陈炳欣8月份于上海交易所IPO上市并在资本市场颇为活跃的半导体厂商兆易**，日前发布公告称，拟收购北京闪胜投资公司。北京闪胜拥有2015年以私募基金武岳峰为首所收购的美DRAM厂商ISSI（IntegratedSilicon Solution）股份。这意味着一旦交易完成，兆易**将并购这家擅长中低密度DRAM、SRAM和EEPROM 设计销售的集成电路公司。在此之前，另一家国内IC设计公司北京君正将同样来自海外的CMOS图像传感芯片厂豪威科技收入囊中。至此，2015年中国半导体海外并购中*具代表性的两家公司均通过国内并购的方式，找到了下家，预示着，中国半导体并购资本在“海淘”受阻之后，逐渐开始将目标转向了国内。海外收购弱于去年2016年，国际半导体行业并购、扩容的热度不减。到目前为止，半导体行业并购交易规模达到1302亿美元，较去年的交易额还高出16%。主要是大型交易拉动了整体交易额，包括高通470亿美元收购恩智浦半导体、软银320亿美元收购ARM、ADI 148亿美元收购Linear（凌力尔特）等。然而，2016年中国半导体企业对海外资产的收购热度却明显弱于去年。虽然中国企

意法发表新款16V CMOS类比比较器

意法半导体(ST)针对16V CMOS两路和四路类比比较器采用*新一代制程技术来进行升级，新产品每路比较器不仅功耗降低至5µA，其比较速度更快，而且ESD防静电能力也提升至4kV。 新产品TSX393、TSX339、TSX3702和TSX3704可与上一代产品相容，进一步扩大CMOS产品与其他厂牌多路比较器之间的性能和效能等优势。新款比较器采用2.7-16V宽电压单电源，适用于各种应用的标准电压，包括工业和汽车设备。新元件的额定工作温度自-40°C至125°C，ESD能力优于上一代产品，进而提升感测和控制系统在恶劣环境下运作的可靠性。TSX393和TSX339分别整合两个和四个比较器，Open-drain输出有助于简化需要ORing或电位转换功能的电路设计。两路比较器TSX3702和四路比较器TSX3704有push-pull输出，无需上拉电阻即可实现可靠的讯号输入输出。输出驱动能力高达20mA，可直连各种类比或数位负载。*新产品还导入更小的新封装，便于新产品整合至客户产品设计中，简化印刷电路板布局和走线。除现有的SO-8、Mini-SO8和TSSOP-8封装外，TSX393和TSX3