于2016国际电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM)中，比利时微电子研究中心，首度展示由矽奈米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的CMOS积体电路。
关键的技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等。同时，比利时微电子研究中心，也研究了新的结构对于原来的静电放电(ESD)表现的影响，且发表了一个静电放电防护二极体。这个突破性的结果，增进了GAA奈米MOSFETs的发展，并且看到了鳍式场效电晶体(FinFETs)，在未来制程上成功的希望。
环绕式闸极奈米线电晶体(GAA NWFET)，是*有可能成功突破7奈米以下，鳍式电晶体制程的候选人。其拥有**的静电掌控能力，从而实现极限的互补式金属氧化物半导体(CMOS)装置微缩。
在水平配置中，它们是当今主流FinFET技术的自然延伸。在该配置中，可以通过垂直堆叠多条水平奈米线来*大化每个覆盖区的驱动电流。就在今年，比利时微电子研究中心的科学家展示了垂直堆叠、由直径8奈米的矽奈米线，所制成的环绕式闸极场效电晶体(GAA FET)。这些电晶体展现优异的静电控制，由n-FETs和p-FETs制作而成。
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