奥地利微电子计划于2014年为模拟晶圆代工客户提供多项目晶圆制造服务

奥地利微电子公司晶圆代工业务部今日宣布将于2014年向用户推出快速、低成本的IC原型设计服务，该项目被称为多项目晶圆（MPW）。多项目原型设计将不同客户的多种设计需求融入单片晶圆设计中，由于晶圆的制造费用由众多客户均摊，因此该项服务将帮助晶圆代工客户有效降低生产成本。奥地利微电子****的MPW服务提供0.18µm和0.35µm专业晶圆生产制程。为了提供给客户**的模拟半导体工艺技术以及生产服务，奥地利微电子提供四种0.18um CMOS (C18)多项目晶圆制程，同时提供四种**的0.18um高压CMOS (H18) 多项目晶圆制程。H18工艺技术基于IBM业界公认的0.18μm CMOS工艺CMOS7RF，是业界**可实现射频（RF）集成和高密度片上系统芯片的制程，非常适合应用于汽车、工业及医疗领域的智能传感器、传感器接口设备、智能仪表、工业和建筑控制器以及LED光控装置。奥地利微电子预计2014年将提供14批次与台积电的0.35µm CMOS生产制程兼容的多项目晶圆制造服务，包括20V CMOS制程，非常适合电源管理产品以及显示驱动器类应用；针对汽车和工业应用优化的50V CMO

联发科技ISSCC论文入选再**高董事长蔡明介将受邀发表专题演讲

2013年 11月08日， 全球无线通讯及数字多媒体IC设计领导厂商联发科技股份有限公司 (MediaTek Inc.) 今天宣布, 今年共有八篇论文获「IEEE国际固态电路研讨会」 (IEEE International Solid-State Circuit Conference，简称ISSCC) 入选殊荣，此纪录不仅为台湾**，更创半导体产业新高，再次证明联发科技在前瞻技术研发方面的**地位。为此，董事长蔡明介先生将受邀于2014年ISSCC年度论坛发表专题演讲。联发科技董事长蔡明介将于ISSCC论坛上就「云端 2.0：移动终端和通信之趋势与挑战」专题展开演讲，内容将专注于未来云端2.0时代半导体及物联网技术的发展。蔡明介先生表示： 「IEEE国际固态电路研讨会是全球IC设计领域论文发表的*高指标，很荣幸能受邀发表专题演说。联发科技积极投入**技术研发，并持续将台湾的研发成果推上世界技术**殿堂，此次多篇论文获选，表示联发科技推动半导体技术突破获得肯定。」联发科技过去十年来已超过30余篇论文获ISSCC入选，显示联发科技对于ISSCC和半导体产业的贡献。而ISSCC委员会在过去一

东芝推出800万像素1.12微米CMOS图像传感器

 -东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出“T4K35”，这是一款1.12微米800万像素BSI[1] CMOS图像传感器，具有彩色降噪功能(CNR)。11月15日将启动批量生产出货。该产品集成一个CNR电路，同东芝采用1.4微米像素工艺制造的等效产品一样，实现了信噪比功能。这款“T4K35”产品还具备高动态范围成像(HDR)功能，在高对比图像中真实再现明暗区域。该产品在全分辨率下具有30帧/秒的高频帧，可减少成像延迟，从而缩短快门时滞，并实现连续拍摄。注释：[1] BSI：背照式。应用手机、智能手机和平板电脑用摄像头主要功能1.1.12微米像素。2.使用色彩降噪，同东芝采用1.4微米像素工艺制造的等效产品一样，可实现信噪比功能。3.高动态范围成像。4.高帧率：全分辨率时达到30帧/秒(800万像素)。主要规格产品型号 T4K35分辨率800万像素光学格式1/4英寸屏幕高宽比4:3像素大小1.12微米BSI帧率(全分辨率)30帧/秒

佳能摄影摄像器材IXUS255HS配置一竞价公告

相关公告 佳能摄影摄像器材IXUS 255HS配置一竞价公告 2013-11-11 一、项目名称：佳能摄影摄像器材IXUS 255HS配置一二、审批编号：[2013]NCCJ334/6三、招标方式：协议供货采购四、公布时间：2013年11月11日15时42分06秒五、截标时间：2013年11月12日15时42分06秒六、交货时间要求：发中标通知书后3个工作日内七、送货地点：五象大道东段广西体育中心C区3楼八、详细物品清单项目名称数量主要技术参数交货时间要求质量保证要求用户信息佳能摄影摄像器材IXUS 255HS配置一1产品类型:数码相机,传感器类型:背照式CMOS,传感器尺寸:1/2.3英寸,有效像素:1210万,数字变焦:无,*大光圈:F3.0-F6.9,液晶屏像素:46.1万,存储容量:视存储卡容量而定,电池类型:锂电池NB-4L,标配外的增加配件:32G高速存储卡，佳能原装相机包,质保时间:1年,保修政策:**联保，享受三包服务,USB接口:USB2.0,存储介质:SD/SDHC/SDXC卡,液晶屏尺寸:3英寸,实际焦距:24-240mm,光学变焦:10倍,*大像素:1210万发

佳能摄影摄像器材PowerShotS120配置一竞价公告

相关公告 佳能摄影摄像器材PowerShot S120配置一竞价公告 2013-11-05 一、项目名称：佳能摄影摄像器材PowerShot S120配置一二、审批编号：[2013]NCCS163/1三、招标方式：协议供货采购四、公布时间：2013年11月12日16时50分22秒五、截标时间：2013年11月13日16时50分22秒六、交货时间要求：发中标通知书后3个工作日内七、送货地点：厢竹大道55号八、详细物品清单项目名称数量主要技术参数交货时间要求质量保证要求用户信息佳能摄影摄像器材PowerShot S120配置一1产品类型:消费，广角，专业,传感器类型:背照式CMOS,传感器尺寸:1/1.7,有效像素:1210万,数字变焦:无,等效35mm焦距:24-120mm,液晶屏尺寸:3英寸,存储介质:SD/SDHC/SDXC卡,USB接口:USB2.0,标配外的增加配件:原装 NB-6LH电池一块,质保时间:1年,保修政策:**联保，享受三包服务,电池类型:锂电池（NB-6LH）,存储容量:视存储卡容量而定,液晶屏像素:92.2万像素液晶屏,*大光圈:F1.8-F5.7,实际焦距:5

大联大控股诠鼎集团推出TOSHIBA**监控完整解决方案

合成生物学加速半导体技术发展

透过结合生物学与电子学的两种不同电子流，可望为更精巧高效的处理器带来突破性进展。为了实现这项创造混合「生物-半导体」系统从而推动先进资通讯技术进展的目标，美国半导体研究机构SemiconductorResearchCorp.(SRC)日前于北卡罗莱纳州三角研究园(ResearchTrianglePark)发布一项名为「半导体合成生物学」(SemiconductorSyntheticBiology；SemiSynBio或SSB)的计划。这项计划将由SRC旗下三大研究计划之一的GlobalResearchCollaboration(GRC)赞助，在*初的阶段将为美国多所大学的研究人员们提供三年225万美元的研究基金。参与该计划的几所大学包括麻省理工学院(MIT)、耶鲁大学(YaleUniversity)、乔治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)、杨百翰大学(BrighamYoungUniversity)、麻州大学(UniversityofMassachusetts)以及华盛顿大学(UniversityofWashington)。「SemiSynBio计划将

济宁市教育局多媒体

济宁市教育局多媒体 项目询价表 项目名称： 济宁市教育局多媒体 项目编号： JNGP/2013/X0289(S) 报价单位名称： （公章） 单位：元 序号产品名称规格要求品牌型号数量单价总价1.多媒体讲台（含高清数字展台）尺寸:外形尺寸： 1200mm * 670mm * 1050mm （长*宽*高）；ABS注塑一次成型讲桌(含高清数字视频展台功能）； 材质:上体台面、键盘托、中控盖板和玻璃框选用一次注塑成型（拒绝吹塑或中空需提供产品断截面）（壁厚大于 4mm ）的ABS工程塑料材质，颜色灰白色，采用三包围结构，整个台面（包含显示器、中控）不能出现金属板材（有效防止触电可能）；下体采用钢塑结合，左右两侧开门（两侧材质包含侧门均采用ABS材质，有效防止触电和碰伤）。钢制部位材料厚度 1.2mm ；钢制部分表面静电喷塑处理，塑粉要求采用细沙纹，喷后均匀，颜色选用灰白色； 高清展台功能:型号：DT8300型1/3吋cmos镜头，变焦：数码变焦。300万图像有效像素(2048X1536)，信噪比≦50dB，色彩：24位色；幅面：A4;图片格式：bmpjpgpng;录像格式：aviflv。图像控

Vishay发布采用新工艺的高性能CMOS模拟开关

 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要低50%，电荷注入*多低80%。这些器件的开关时间为100ns，性能更好，非常适合数据采集、工业控制和自动化、通信、A/V系统，以及医疗设备和自动测试设备中的信号切换和替代继电器。DG1411、DG1412和DG1413采用了新的CMOS工艺平台，确保在整个模拟信号范围内，保持低开关电阻且曲线平直，提供优异的线性度，因此非常适合低畸变应用，例如采样和保持电路、可编程增益控制电路及A/V信号路由。低导通电阻使这些模拟开关可以替代机械式继电器，成为自动测试设备和需要采用电流开关的应用的**方案。DG1411、DG1412和DG1413均具有4路独立的可选通的SPST开关。D

中国智能手机CMOS传感器竞争硝烟弥漫

在中国智能手机市场，CMOS(互补金属氧化物半导体)传感器领域的竞争正硝烟弥漫。现在的中国，低价手机也至少配备了800万像素的传感器，对CMOS的需求持续上涨。可以注意到的是，主要生产企业都纷纷加大当地生产能力，并专门制定对中国市场的战略。今年中国智能手机出货量比去年增长了56%，预计会达到约3亿2000万台，占世界总量的30%。除去中国一线城市，其他城市的主流手机仍然是从1000到2000元左右的低价手机。产品价格低，那么上面搭载的原件价格也低。据此，CMOS传感器预计中国需要的其实大多都是500万像素以下的传感器。但，现在中国1000元的低价手机都至少搭载500万像素传感器的事实却让业界始料未及，中国高像素传感器的需要十分强劲。业界普遍认为之前对中国市场的认识与预测并不准确。这也与中国人的生活习惯不可分，中国智能手机的摄像功能逐渐强大，而数码相机的需要比较低。在中国，人们拍照的机会也远比日韩多。因此，市场需要搭载着与**手机相同传感器的摄像功能。据预测，中国智能手机市场在2013年搭载800万像素的手机百分比会从24%增长到2014年的29%。同时，500万像素以上的智能手机会达到

基于TVS器件特性参数及应用的探究

基于防爆型无线传感器网络信息采集节点的设计

中芯国际成立视觉、传感器以及3DIC中心

中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)宣布成立视觉、传感器和3DIC中心(简称CVS3D)。中芯国际CVS3D整合、强化了中芯国际在硅传感器、通过硅通孔(TSV)技术和其他中端晶圆制程技术(MEWP)的上的研发和生产制造能力。而MEWP技术带动了在CMOS图像传感器、MEMS传感器、三维堆叠设备，和基于TSV2.5D和3D的高性能系统级封装(SiP)方面的显著进步。半导体行业正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技术，使系统芯片进一步小型化，同时降低功耗、提高设备和系统性能。根据2013年YoleDéveloppement公司发布的市场研究预测，全球TSV约当12寸晶圆出货量2013年将达到约135万片，未来5年的复合增长率将超过63%，到2017年将扩大到958万片。截止到2017年底，其中近63%的晶圆需求为逻辑3DSiP/SOC、MEMS传感器、射频/混合信号以及CIS相关集成电路等，成为当今智能手机和移动计算必不可少的应用。CVS3D的成立是中芯国际为全球客户群提供增值技术差异化策略的一个里程碑。其中一位客户已使用CVS3D技术开始生产，并有多个客户产品正在认证中。"手机、

Cadence推出硅验证的全新高性能数据转换器IP产品系

亮点：· 该IP系列比市场上同类IP解决方案的转换速度快10倍· 高性能IP核助力实现下一代应用，如WiGig (802.11ad)· IP产品系列多样化，可适应消费、移动、基础设施及行业市场的需求Cadence设计系统公司今天宣布推出一套超快速、低功耗的模拟知识产权(IP)产品，设计用以实现下一代高速有线和无线通信应用。对于进行新出现的高速协议开发的设计师来说，这些新产品能****地满足他们的需要。这些高速协议包括WiGig (802.11ad)(运行于60 GHz频段，数据吞吐率可高达7Gbps)、LTE及LTE Advanced等。数据转换器产品家族易于集成、可验证性强，包括：· 7位3GSPS双模数转换器和数模转换器· 11位1.5GSPS双模数转换器· 12位2GSPS双数模转换器数据转换器IP可以很容易对数据转换器IP核进行组合，形成一套完整的模拟前端(AFE)IP解决方案。Cadence IP系列可满足有线/无线通信、基础设施、图像处理、软件无线电等领域关键应用的需求。“由于能够将Cadence 数据转换器 IP很容易地集成到先进的制程节点，避免了‘芯片外’工作，并让设计

Cadence推出硅验证的全新高性能数据转换器IP产品系列

Cadence设计系统公司今天宣布推出一套超快速、低功耗的模拟知识产权（IP）产品，设计用以实现下一代高速有线和无线通信应用。对于进行新出现的高速协议开发的设计师来说，这些新产品能****地满足他们的需要。这些高速协议包括WiGig (802.11ad)（运行于60 GHz频段，数据吞吐率可高达7Gbps）、LTE及LTE Advanced等。数据转换器产品家族易于集成、可验证性强，包括：·         7位3GSPS双模数转换器和数模转换器·         11位1.5GSPS双模数转换器·         12位2GSPS双数模转换器数据转换器IP可以很容易对数据转换器IP核进行组合，形成一套完整的模拟前端（AFE）IP解决方案。Cadence IP系列可满足有线/无线通信、基础设施、图像处理、软件无线电等领域关键应用的需求。“由于能够将Cadence 数据转换器 IP很容易地集成到先进的制程节点，避免了‘芯片外’工作，并让设计师能充分利用将数字和模拟内容同时纳入同一复杂的片上系统所带来的系统优势。”Cadence IP集团**副总裁Martin Lund表示。“这可以转化为

低成本、16位、250kSPS、8通道、隔离数据采集系统

朝着三维迈进的半导体技术

三星公布CMOS图像传感器的新型**像素技术：ISOCELL

半导体领域3D技术日益重要

*近，“三维”一词在半导体领域出现得十分频繁。比如，英特尔采用22nm工艺制造的采用立体通道结构的“三维晶体管”、8月份三星电子宣布量产的“三维NAND闪存”，以及利用TSV（硅通孔）来层叠并连接半导体芯片的“三维LSI”等。 在半导体领域，原来的二维微细化（定标，Scaling）已逐步接近极限，各种三维技术变得十分必要。三维晶体管已广泛应用于微处理器，三维NAND闪存也有望在2014年以后、以服务器用SSD等为中心不断普及。但是，除了部分CMOS图像传感器及FPGA之外，却很少听到基于TSV的三维LSI的量产消息。 关于三维LSI，*初业界曾传出某项技术将被智能手机应用处理器（SoC）和DRAM大量采用的消息。那就是通过层叠SoC和DRAM、通过高密度TSV进行三维连接来实现大带宽的“Wide I/O”技术。业界曾期待高通等SoC厂商采用该技术，在2013～2014年开始量产。但实际情况是，Wide I/O的采用被搁置了。 原因在于该技术的成本太高。野村证券的成本分析结果显示，由SoC和DRAM构成的三维LSI的制造成本是原来的PoP（package on package）产品的约2

乌兰浩特市气象局网上封闭询价公告

乌兰浩特市气象局网上封闭询价公告 乌兰浩特市政府采购中心受市气象局的委托，对所需电脑等设备进行网上封闭询价。现邀请合格的投标人前来投标。采购项目名称、内容：1名称：台式电脑型号及参数：品牌商用办公电脑，主板芯片组：因特尔H61，处理器：因特尔酷睿I5-3470四核八线程，主频3.2GHZ，LGA1155接口，三级缓存6M，内存; DDR3代4GB，硬盘：SATA500GB，电源：ATX180W，光驱：DVD-ROM16X以上，显示卡：AMD HD 7450 1GB独立显卡，显示器： 20英寸或以上，垂直可视角度160度，响应时间5MS，分辨率1600*1900，鼠标键盘：浮岛式键盘，光电鼠标数量：4台2名称：笔记本电脑型号及参数：品牌商用本，处理器：英特尔 酷睿i5 3代系列i5 2310M，主频2.1GHZ，内存：2G DDR3 硬盘：SATA500G，DVD刻录机，显示卡：独立显卡 1024MB，显示屏：14英寸高亮，原装鼠标、电脑包数量：2台3名称：A4彩色激光打印机型号及参数：接口类型：USB2.0，幅面：A4，黑白打印速度：18ppm彩色打印速度：18ppm，*高分辨率：60

中国的Fab为何总是人们的眼中钉

中国Fab厂的故事总能引发各种心态者入胜，论及中国Fab现状，若以CMOS技术路线图为评判依据，眼下似乎是恨铁不成钢者居多，不可否认，这是大陆半导体圈的主流民意。面对现状，有人漠然，有人呐喊，有人讥讽，但也有人在偷着乐。我们都知道画饼充不了饥，放到半导体上也是同样的道理。所以，你可以有非常美好的规划蓝图（Fabless公司的layout），但就是不让你有能与国际同行叫板的制造能力，layout变成不了chip，还不是瞎掰吗？按照国际大佬们制订的游戏规则，中国IC工艺节点就必须落后人家至少两个世代，事实上自打中国开展现代半导体产业以来，就算使上吃奶的力气也从未突破这一红线。引进、消化、吸收、**，这是如今所有先进半导体高地的标准发展流程，可唯独在中国大陆这**程要加以＂优化＂，即使出高价也不得随意引进。有钱都不卖给你，这是市场无形之手缺失之地。所以，游戏规则也好，摩尔定律也罢，中国发展半导体产业的着力点，只有放到**这**程环节上才有出路，否则一味跟在别人后面还没到弯道就被人家玩死、整死、拖死。再说了，整天想着弯道超车的人们，请牢记交通规则，珍爱生命切忌浮燥！现在��们一提及IC进口*后总

FinFET点燃晶圆代工厂战火主流厂商加速导入

半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。过去数10年来，互补式金属氧化物半导体(CMOS)平面电晶体一直是电子产品的主要建构材料，电晶体几何结构则一代比一代小，因此能开发出高效能且更便宜的半导体晶片。然而，电晶体在空间上的线性微缩已达极限，电晶体缩小到20奈米(nm)以下，会降低通道闸极控制效果，造成汲极(Drain)到源极(Source)的漏电流增加，并引发不必要的短通道效应(ShortChannelEffect)，而电晶体也会进入不当关闭状态，进而增加电子装置待机耗电量。所幸立体式的鳍式电晶体(FinFET)技术出现后发挥作用，在FinFET结构中，由于通道被三层闸极包覆，可更有效压制关闭状态漏电流。三层闸极还能让装置在「开机状态」下增强电流，又称为驱动电流(DriveCurrent)。这些优点能转换为更低的耗电与更高的装置效能。3DFinFET装置预料将比传统使用2D平面电晶体的产品更为精实，如此一来晶粒

促进信息消费稳增长调结构系列述评：信息消费触发IC业整合

“激水之疾，至于漂石者，势也”。现如今，“信息消费”的“势”已然到来。智能手机、平板电脑、智能电视、移动互联网以及相关的应用服务等新型信息消费高速发展，今年1至5月，中国信息消费规模已达1.38万亿元，预计到2015年总体规模将突破3.2万亿元，年均增长20%以上，带动相关行业新增产出超过1.2万亿元。信息消费领域成长的潜力正待无限释放。 正所谓信息消费、终端先行，而终端先行的先决条件离不开IC及传感器等的“鼎力支持”。随着国务院《关于促进信息消费扩大内需的若干意见》的出台，大数据、云计算将成为未来信息消费的核心，而智能手机将成为信息消费的重要入口，并在智能手表、智能眼镜、智能电视、智能汽车上延伸。更快的速度和更方便的互联(如蓝牙4.0和4G等)、更多信息的传递、更智能化、更长的待机是对移动终端的要求，由此也将催生和带动关键芯片和元器件的需求增长，诸如应用处理器、MODEM、电源管理IC、传感器、无线芯片等都将从承载信息消费的使命中获益，迎来新一轮增长，而连接器、FPC等元器件类也将大受裨益。 随着家庭宽带接入、网络视频、手机支付、手机视频等业务成为信息消费的主要增长点，通信芯片、光接

铜柱凸点或微焊点将成为倒装芯片封装的主流

铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说，是因为除了移动产品用处理器和内存外，其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽，并采取更好的散热措施。目前全球倒装芯片市场规模为200亿美元，以年增长率为9%计算，到2018年将达到350米亿美元。在加工完成的倒装芯片和晶圆中，铜柱凸点式封装的年增长率将达到19%。到2014年，已形成凸点的晶圆中将有50%使用铜柱凸点，从数量上来说，铜柱凸点式封装将占到倒装芯片封装市场的2/3。这意味着铜柱凸点或微焊点将席卷倒装芯片市场，300mm倒装芯片和晶圆的数量在今后6年内将增加2600万，达到现在的3倍——4000万(按300mm晶圆换算)。无铅焊锡也将取代Sn-Pb焊锡实现顺利增长，不过需求到2015年或2016年将见顶。金球凸点和镀金凸点方面的投资和推广将少有进展。2012年，电脑和笔记本电脑的逻辑芯片占了倒装芯片封装市场的一半以上，其次是手机和高性能计算机芯片。但是，这种情况将发生改变。因为采用28nm工艺的器件需要比焊锡凸点密度更高的连接方法，尤其是面向移动应用的应用处理器，对铜柱凸点的

FinFET技术对移动设备的作用日益重要

FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项**设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，将原来的单侧控制电路接通与断开变革为两侧。FinFET这样**设计的意义，在于改善了电路控制并减少漏电流，缩短了晶体管的闸长，对于制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法等产生重要影响与变革。FinFET技术升温，使得半导体业战火重燃，尤其是以FinFET生产应用处理器的技术，成为了业内厂商大力竞争的新着力点。电晶体结构发展趋势是越来越小，保证高效便宜的半导体晶片被研发。但是随着电晶体在空间上的线性微缩逐渐达到极限，各种问题和挑战也就显现出来，尤其是通道闸极控制效果降低、漏电流增加、短通道效应出现等问题。这些问题会带来严重的后果，如电晶体不当关闭、电子装置待机耗电量增加等。这对于目前的半导体产业和电子产业来说，无疑是无法满足需求的。而鳍式电晶体（FinFET）技术正是在这样的状况下应运而生，能够通过三层闸极来有效压制关闭状态漏电流，解决上述问题

MEMS麦克风概述

电压基准芯片参数以及应用技巧分析

电压基准芯片是一类高性带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT(热电势)相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V);而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。应用时，串联型电压基准与三端稳压电在-40?C到125?C温度范围内，温度漂移系数小于10ppm/C。电压基准芯片的输出电压会随着使用时间增加而变化，通常是朝一个方向按指数特性变化，使用时间越长，变化越小，因此以公式1为单位表示电压基准芯片的长期稳定性，以反映输出电压变化量随使用时间指数衰减。长期稳定性是在几个月甚至几年的使用过程中体现出来的，很难通过出厂时的测试来保证。有些芯片会在出厂前经过一段时间的老化测试以保证较好的长期稳定性。定期对系统进行校准，可以避免长期稳定性带来的误

移动通信可扩展的开放式应用平台OMAP4430

摘要：OMAP4430是TI公司推出的开放式多媒体可扩展应用平台，对于移动通信开发应用具有一定的价值。本文主要从硬件结构、软件架构两个方面进行阐述，突出OMAP4430的低能耗、高性能、高集成度以及在现代通信与多媒体技术中的相关应用。关键词：OMAP4430；开放式应用平台；主体结构；软件架构引言现今随着多媒体技术以及通信技术的迅速发展，信息通信正悄无声息地改变着人们生活的点点滴滴。TI公司与时俱进地提出了一种解决方案：开放式多媒体应用平台——OMAP。OMAP4430基于OMAP体系，不仅与其他OMAP处理器一样，采用开放式、易于开发的软件设施，支持多种操作系统，而且具有更高的处理能力和更低的功耗。OMAP4430开放式平台主要应用于移动智能手机以及移动互联网设备(MID)，它以强大的性能以及可编程性有效地支持了未来移动互联网应用的发展，并且使得下一代移动智能手机和MID被快速推向市场。由此，OMAP4430必将在通信，特别是移动通信中发挥关键的作用，也必将越来越广泛地应用于通信领域中。1 OMAP4430主体结构OMAP4430高性能应用平台基于OMAP体系，并且采用45 nm技术

博通集成提供BK5822不停车收费射频收发IC

      BK5822是博通集成电路（上海）有限公司（以下简称博通集成电路）推出的5.8-GHz不停车收费射频收发IC。作为国内**的IC设计公司，博通集成电路坚持“无线让生活更美好”的理念，采用业内**的RF CMOS技术，结合先进的数字信号处理和系统集成技术，为消费类电子市场提供基于900-MHz、2.4-GHz和5.8-GHz等多个载波频段的无线通信集成电路和相关系统产品。 中国电子不停车收费（ETC）国家标准的颁布和实施，对我国高速公路信息化建设具有重大意义，同时将带来巨大的经济效益。作为国内5.8-GHz射频芯片研发***的博通集成电路此次推出的BK5822是世界上集成度*高，国内**的一款适用于我国ETC国标的集成电路芯片，并在实际路测中表现出**的性能，顺利通过了国家智能交通中心的严格测试。BK5822的面市，为推行我国拥有自主知识产权的ETC国标提供了强有力的技术支持和保证。目前，凭借BK5822的出色表现，博通集成电路在国标ETC芯片市场牢牢占据**地位。BK5822秉承了博通集成电路产品一贯的高集成度，低功耗和低成本的特点。BK5822高度集成了射频收发和调制解调

凌华科技发表100MHz的新款PCIExpress®接口高速数字I/O模块

第四届时代民芯杯电子设计大赛演绎模数新理念

8月29日，以“模数中国”为主题的第四届“时代民芯杯”电子设计大赛在京启动。中国科学院院士、北斗卫星导航工程总设计师孙家栋出席了会议。 参赛者包括大学生和企业的电子设计工程师，作品将基于时代民芯开发的5款MXT2000系列高速高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)系列产品，开发音频设备、通信、定位、仪器仪表、高分辨率图像系统等领域的**性应用。赛程自2013年8月~2014年8月。 MXT2000系列ADC/DAC，包括采样精度8位，采样率3GHz的单通道ADC MXT2003； 8位、1GHz的双通道ADC MXT2001；8位、100MHz的ADC MXT2088；16位、400MHz的DAC MXT2101；及14位DAC MXT2144。均采用CMOS工艺制造。 时代民芯总经理赵元富博士特别指出：“其中的８位3GHz、8位1GHz超高速ADC，是中国**、全球第三家推出的GHz级ADC。一直以来，GHz级以上的ADC受到国外政府对中国的管制，很难进口。当然，仅有芯片还不够，更需要提高ADC和DAC应用的设计，212号作品“出租车自动调度系统”和3号作品“行波定位系统设

韩国SK海力士进军中国CMOS图像传感器市场

据韩联社消息，韩国SK海力士近日表示，将在中国加强对数码相机核心部件——CMOS图像传感器(CIS)的推广工作。SK海力士20日在深圳邀请了当地主要客户公司与合作企业，举办了推介CIS技术与产品的“CIS SHOWCASE 2013”活动。华为、中兴等100余家公司的200余名人员参加了活动。SK海力士在活动上推出了背面照射(BSI)方式的800万像素的CIS新产品与1300万像素的样品。SK海力士表示，将根据顾客要求，去除不必要的特殊功能，推出具有价格竞争力的产品，加强对中国消费市场的攻势，积极进军全球*大的CIS生产国和消费市场。SK海力士从2007年开始投身CIS业务，在短期内缩短了与**企业的技术差距，具备了各种产品的生产线。CIS是一种典型的固体成像传感器，在数码相机中发挥胶卷的作用。

浅谈集成电路对EMI设计的影响

电磁兼容设计通常要运用各项控制技术，一般来说，越接近EMI工艺技术(例如CMoS、ECI、刀1)等都对电磁干扰有很大的影响。下面将着重探讨IC对EMI控制的影响。集成电路EMl来数字集成电路从逻辑高到逻辑低之间转换或者从逻辑低到逻辑高之间转换过程中，输出端产生的方波信号频率导致的EMl信号电压和信号电流电场和磁场芯片自身的电容和电感等。集成电路芯片输出端产生的方波中包含频率范围宽广的正弦谐波分量，这些正弦谐波分量构成工程师所关心的EMI频率成分。*高EMI频率也称为EMI发射带宽，它是信号上升时间(而不是信号频率)的函数。计算EMI发射带宽的公式为： f=0.35/Tr式中，厂是频率，单位是GHz;7r是信号上升时间或者下降时间，单位为ns。从、L：述么：式中可以看出，如果电路的开关频率为50MHz，而采用的集成电路芯片的上升时间是1ns，那么该电路的*高EMI发射频率将达到350MHz，远远大于该电路的开关频率。而如果汇的—上升时间为5肋Fs，那么该电路的*高EMI发射频率将高达700MHz。电路中的每一个电压值都对应一定的电流，同样每一个电流都存在对应的电压。当IC的输出在逻辑高到

小微的中芯国际如何与大象们竞争？

在上海这个持续高温的夏天，中芯国际CEO邱慈云终于松了一口气。两年前的夏天，邱慈云重回中芯国际上海总部履对内要稳定团队，对外要在芯片代工业不景气的背景下稳定客户和订单。今年6月，中芯国际发布2013财年Q2财报显示：当季营收为5.413亿美元，同比增长28.3%。净利润为7540万美元，而上年同期仅为710万美元。这是其连续六季度实现盈利，经历人事斗争风波后的中芯国际正在驶入上升轨道。“小微”路线尽管进入上升期，但对比其他强劲竞争对手，中芯国际的差距仍然相当明显。市场研究机构IC Insights公布的2012年全球晶圆代工厂排名显示，台积电稳坐龙头宝座，营收规模约是第2名格罗方德的4倍。三星受益苹果处理器代工业务，排名居第3，过去一直位居第2名的联电则落至第4。台积电的市占率高达44%，营收几乎是第5名中芯国际的10倍。根据代工龙头台积电2013Q2财报显示，截至6月30日，台积电收入1558.9亿我们相对还比较弱小，难以学习代工巨头们动辄上百亿美元的投入方式。他提出差异化的发展模式，希望寻找盈利点与技术路线相结合。“过去十年，我们一直服务于中国IC设计业，几乎是与他们从小一起成长，

智能手机成像传感器成索尼全新拳头产品？

彭博社周三刊登题为《索尼**“移动产品的成像传感器销量大幅增加。”平井一夫2012年4月出任索尼CEO时曾经表示，计划通过集中发展移动设备、游戏和数字成像业务夺回用户。在2004年转向名为CMOS的技术后，该公司的成像传感器部门获得了竞争优势。尽管该技术当时的成像质量不及其他芯片，但索尼却坚信可以改善这项技术。索尼发言人Masahito Takeda表示，时任索尼成像部门的Tomoyuki Suzuki推动了体积更小、速度更快的传感器开发进度，并实现了更加锐利的拍摄效果，而当时的智能手机需求尚未大幅飙升。Tomoyuki Suzuki目前担任索尼软件设计集团总裁。Xperia Z智能手机中使用的*新版索尼CMOS芯片体积比前几代产品更小，可以在低光照或强背光的环境中拍照。智能手机需求放缓索尼根据用户需求为其定制芯片。三井住友证券的研究显示，该公司的芯片已经被用在iPhone 5、iPhone 4S和Galaxy S4中。自2010年以来，三星已经斥资2200亿日元提升了两家位于日本九州岛的两座工厂的产量。该公司还在泰国设有另外一座成像传感器工厂。根据Techno Systems Res

基于PROTEUS的汽车尾灯控制系统的设计

摘要：利用Proteus软件设计了一种汽车尾灯控制系统。采用555定时器产生时钟信号，用JK触发器进行计数，译码器74HC138进行译码，利用发光二极管显示尾灯的状态。完成了整体电路的设计。并在Proteus软件中对电路进行仿真，汽车尾灯在正常行驶、左拐弯、右拐弯和临时刹车等状态时汽车尾灯；Proteus；触发器；译码器；555定时器随着社会的不断发展进步，汽车使用越来越多，然而随着汽车数量的急剧增加，道路**就愈发引起人们的关注。而汽车尾灯控制系统对于汽车的**行驶起着至关重要的作用。在夜晚或因天气原因在开关控制电路输出和三进制计数器状态的作用下，通过3—8译码器74HC138控制4种状态：汽车正常行驶，汽车右转弯行驶，汽车左转弯行驶，汽车临时刹车。汽车正常行驶状态状态下，SW1、SW2、SW3均没有按下，控制状态为111。汽车正常行驶状态时显示部分左右两侧的指示灯处于熄灭状态：主要通过74HC138的使能端就可以实现。当E1使能端为低电平、E2E3为低电平时输出全高，此时输出不随输入变化而变化。汽车左转弯行驶状态下，SW1键按下、SW2、SW3均没有按下。控制状态为011。汽车左转

国内外模拟IC设计业冰火两重天

IFA2013影像前瞻

EOS中端历史*大幅升级佳能70D真机初探

采用全新CMOS传感器佳能70D正式上市

佳能70D终于抛弃了老旧的1800万像素CMOS，使用的*新2020万像素CMOS传感器让我们耳目一新，同时70D使用了性能优良的DIGIC 5 图像处理器，在该机7张/秒的高速连拍下，处理速度一点也不含糊。该机采用了和7D相同的19点自动对焦系统，可以更精准的捕捉到精彩瞬间。另外，700D的电容式旋转触屏也应用在了70D上，让使用者在拍摄时可以更加轻松地进行多角度创作。该机同样内置了WiFi无线传输模块，既可以在拍摄过程中通过手机进行无线遥控操作，也能在回放照片时进行即时分享，直接传到手机中，大大增加了70D的实用性与娱乐性。而70D还有一个重要的升级，那便是大幅提高了在LV模式下的对焦速度，就算是习惯微单和DC液晶屏取景的朋友，使用70D也不会感觉生疏。

浅谈低电压低静态电流LDO的电路设计

摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压因其具有低功耗、高的电增益级、缓冲级和2个PTAT电流输出电压为带隙基准电压不可调；需要使用NPN晶体管，而标准CMOS工艺中并不存在NPN晶体管。由于如今的SoC趋向工作在低电压环境，因此这种结构式中：IS 是三极管饱和电流；β2 是晶体管Q2的电流增益；n 是晶体管Q2和Q1射级面积比。通过式（1）可以得到PTAT电流：因此通过晶体管Q3的基射级电压和R2电压叠加即可得到输出电压值：调整电阻比值，使VT 系数 值为17.2，即可得到温度系数为零的带隙基准电压。 1.2 LDO频率分析精简结构LDO中包含三个低频极点，分别处在增益级的输出，缓冲级的输出和LDO的输出节点，分别如下：式中：ro1 和C1 分别是增益级输出电阻和负载电容；ro2是缓冲级输出电阻；Cpar 是功率管寄身电容；rop 是LDO输出级的等效电阻；CL 为输出负载补偿电容。为了保证LDO有个良好的输出暂态特性，CL 取值一般很大，因此极点p3 为LDO环路的主极点。晶体管Q3集电极电流偏置为PTAT电流，因此增益级的输出阻抗随输出

联电与IBM携手合作积极争取14/10奈米FinFET制程主导权

联电近期与IBM签订合作计划，全力冲刺14和10奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程量产。不过，联电也不忘记取当初发展0.13微米时，授权IBM方案却面临量产窒碍难行，反遭台积电大幅超前进度的教训;此次在14/10奈米的合作仅将采用IBM基础技术平台与材料科技，并将主导大部分制程研发，以结合先进科技和具成本效益的量产技术，避免重蹈覆辙。联电执行长颜博文表示，随着IC设计业者对于更新、更先进技术的需求日益增高，联电日前已宣布加入IBM10奈米FinFET互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术联盟，将与IBM协同努力，克服现阶段的研发障碍。事实上，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)在14奈米FinFET制程发展方面，亦与IBM有相当密切的合作往来，因而引发业界对联电难以突显制程差异性的疑虑。此外，法人也忧心联电和IBM共同推动0.13微米制程的失败情形重演，更对IBM的前瞻制程科技抱持“中看不重用”的怀疑，担心联电无法在2015年的1x奈米FinFET市场争取有利位置。对此，颜博文回应，过去联电在0.13微米落后对手肇因于未与IBM明确分工，因此，未来

压力传感器在汽车中的常见应用

不再夸张的数字电源

要点•数字电“余量可以让我们验证当输出电压超出设定的极限时，系统的电气性“没有理由说数字控制回路有更高的效率。用模拟方式可以做stage-shedding。穿通控制也不是问题了，我们一些较“如果我带一个静态电流大于100 µA的芯片去见一个客户，我肯定会受到嘲笑的。”无论怎样，如果你有了DSP，就可以增加一个软件模块，建立一个电“总归是技术-经济的问题。”他指出，在精细CMOS上置入大输出或大驱动晶体管几乎不一种有性价比的方案。一般来说，在廉价CMOS工艺下用较粗的线更有好处(参考文献5)。另外，很多电“我们有一个传统电“模拟芯片只有一个基准、一个比较器、一个开关、一个单极滤波器和一些输出电路，这种健壮性和简单性很难被超越。”注意，扰动回路做实时补偿的办法并非数字电源域所专有。凌特技术公司刚发布了LT4180，它就是一个能够检测电源输出阻抗的新颖模拟器件，还能调节供电，补偿AC和DC电压降。模拟芯片也可以做余量调节，这种系统功能并不依赖于数字PWM回路。例如，Maxim公司的MAX16064监控与控制芯片可监视四个模拟开关电源转换器(参考文献6)，而凌特技术公司的LTC2978监控与控

电动汽车用永磁同步电机驱动控制器设计

14纳米：六仙过海各显神通

移动变革下我国IC业面临的三大挑战

相关资料显示，2010年～2012年全球半导体市场的增长呈现着持续下降趋势，即从2010年的31.8%，下降到2011年的0.4%和2012年的-2.7%，年复合增长率为-2%。但是其间全球移动互联网芯片市场却明显增长，2012年全球通信芯片市场规模已达900亿美元，占同期全球半导体市场2916亿美元的30.6%。???预计全球通信芯片市场2013年将突破1000亿美元，2014年将达到1144亿美元规模，从而超越电脑芯片总产值。这意味着全球半导体产业的驱动力从PC转为移动互联，这种变化趋势在未来7年内将表现得尤为强烈，全球半导体产业正面临重大转型。???全球IC巨头积极应对移动变革???近年来英特尔一直极力谋求移动互联时代的话语权，通过在移动装置上的一系列布局，增长速度明显。???在全球IC巨头中，英特尔是全球处理器龙头，中国台湾地区的台积电是全球晶圆代工的龙头。它们在各自领域一向走在全球半导体产业的前面。下面便就这两大巨头在全球半导体产业重大转型时期的发展战略，观察一下全球IC巨头们的应对策略。???由于英特尔的x86架构本质是针对电脑，而ARM架构是针对无线移动终端，故此英特尔从

力旺电子NeoEE技术成功打入BCD工艺平台

???????力旺电子日前宣布，多次可程序(MultipleTimesProgrammable,MTP)嵌入式非挥发性内存NeoEE技术已打入BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺平台，并积极与台系及美系重量级专业液晶显屏电源管理芯片设计公司进行合作，已成功将NeoEE硅智财应用于P-Gamma芯片(可编程伽玛校正缓冲电路芯片)解决方案，且藉由BCD工艺平台，加速促成液晶显示器电源管理芯片之系统集成，嘉惠应用端客户在提供客制化服务时，得以保有高度的使用弹性。????????为支持客户各种不同的设计需求，并强化BCD工艺技术与设计服务能力，力旺电子与晶圆代工伙伴合作，将NeoEE技术导入BCD工艺平台，推出适用于P-Gamma芯片与电源管理芯片之BCD特殊工艺。P-Gamma芯片使用在液晶显屏面板上，可控制对比与平衡面板色彩的准确度，提高影像画素，进而调整出符合客制化规格的色彩及分辨率。近年来，随着消费者对高分辨率面板的规格要求，凸显了P-Gamma芯片的重要性，应用范围不仅涵盖中大尺寸电视，亦扩展至行动装置如平板计算机及笔记本电脑上，市场与发展潜力不容忽视。以平板计算机为例，

RFaxis为智能手机用Wi-Fi射频前端性价比设定新规则

无晶圆半导体公司RFaxis.Inc日前宣布，该公司已开始批量生产RFX8422S。这是业内**款也是***款单芯片/单硅片Wi-Fi/Bluetooth组合纯CMOS射频前端集成电路(RFeIC)。此外，RFaxis已开始进行RFX8422采样，后者是RFX8422S的简易替代元件，用于要求*大封装厚度不超过0.4mm的应用。RFaxis董事长兼**执行官MikeNeshat表示：“我们很高兴地宣布，RFaxis即将以****的价格发布全新的Wi-Fi/Bluetooth射频前端解决方案。”RFX8422S和RFX8422为智能手机或其他移动设备内的双模Wi-Fi/Bluetooth运行集成了关键的射频功能。这些功能包括全部集于一个单硅片内的高效线性功率放大器(PA)、低噪音放大器(LNA)和单刀三掷(SP3T)天线开关，并采用了超紧凑的2.5x2.5mm16引脚四侧无引脚扁平(QFN)封装。组成完整的“三合一”RFeIC的RFX8422S和RFX8422系列采用业内*具成本效益优势的BulkCMOS工艺研发和生产，提供了*先进的射频性能，并可与当今市场上竞争对手的类似产品实现针脚兼

14纳米是大坎看半导体业六仙各显神通

???????8月14日消息，摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，但是硅基半导体之后采用什么材料仍值得人们期待。?英特尔：继续执行“Tick-Tock”发展策略???????英特尔预计2014年导入14nm制程量产，2015年导入10nm制程，并计划于2017年达到7nm。???????据英特尔已经公布的工艺路线图显示，在2013年时将实现14nm，之后在刚刚落幕的比利时微电子研究机构IMEC2013科技论坛演讲中确认，英特尔已确定10nm可于2015年量产。根据它的*近期在中国台湾举行的Computex贸易展会上接受采访时表示，英特尔与ARM在芯片耗电量和性芯片，2014年时还将扩展到14nm工艺中去。?IBM：FD-SOI是22nm强势候选技术尽管SOI技术有优势，但继续往14nm及以下节点走时可中常见的浮体效应。???????尽管SOI技术有优势，可以继续沿用现有的平面制造工艺，但是由于SOI硅片的