安森美半导体扩展CMOS 图像传感器PYTHON系列，推出紧凑的SVGA器件

2016 年 11 月2日 — 推动高能效**的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），将PYTHON CMOS图像传感器系列的先进全局快门成像性能提供给具性价比、小占位的设计。新的PYTHON 480 图像传感器与现有的PYTHON 500使用相同的像素设计和SVGA（800 x 600像素）分辨率，但优化了尺寸（封装比现有器件小85%）和功耗。大的4.8 µm全局快门像素及两个微透镜偏移角度的选择，提供高的光灵敏度，用于从检测系统（短的曝光时间内能捕获运动物体而不产生动态模糊）到条码扫描（需要大的景深和小的扫描引擎）的终端应用。新器件保留了CMOS图像传感器PYTHON系列的成像性能，通过一个单通道LVDS或并行输出支持每秒达120帧（fps）的读取速度。安森美半导体图像传感器部工业方案分部副总裁兼总经理Herb Erhardt说：“CMOS图像传感器PYTHON系列已迅速成为具性价比的、高性能工业成像的行业标准。增加了PYTHON 480，该系列的能力现可用于一系列新的成像应用，不再受尺寸、功耗和成本的限制，为这些应用提供所需的先进的成像性能

CMOSIS推出业内首款全局快门48M像素CMOS图像传感器

RDA：射频老兵的新征程

集微网消息，文/刘洋 国**频功放（RF PA）市场曾经的领跑者RDA，过去2年经历了紫光集团的私有化以及与展讯通信的整合，其在产品布局和市场策略上有哪些突破和传承，业界非常关注。集微网记者带着一系列问题采访了锐迪科微电子（后称“RDA”）新任的**总监焦建堂先生。焦建堂，半导体行业的**前辈，从华为走出来的销售强兵，更是多家芯片设计公司的创始人之一，业内亲切的称他为“焦叔”。2016年春节后在RDA的走马上任，也能看出RDA对射频前端市场的格外重视和坚定决心。改变与突破在产品布局方面，RDA已经实现GaAs（砷化镓）和CMOS（硅基）两种不同工艺在2G、3G、4G射频前端产品的**覆盖。据焦叔介绍，RDA基于CMOS工艺的2G功率放大器（PA）已经开始小批量试产，春节前实现规模量产出货。2G CMOS PA的补齐，使RDA成为了**实现产品线全覆盖的本土射频芯片公司。我们知道，CMOS工艺的优点在于高集成度、低成本，但受限于工艺本身，在高频、高线性度的应用场合中表现并不够出色，但在GSM模式下CMOS PA已经能够达到与GaAs PA相当的性能，并且成本更低。焦叔对集微网解释道，不止

赶上双11 小米无人机终将开卖！

4800万像素CMOS传感器问世 拥有8K视频拍摄能力

为Leica M开发图像传感器的CMOSIS公司已经宣布其*新产品 - 具有全局快门的4800万像素CMOS传感器。CMOSIS表示，这款型号为CMV50000的新产品也可以进行8K分辨率30fps视频拍摄，并拥有先进的降噪功能。 CMV50000具有4800万像素分辨率（7920 x 6004有效像素）与全局快门，这允许扑捉快速移动对象的详细图像而没有失真。失真问题经常困扰使用传统滚动快门的CMOS传感器。全局快门传感器同时捕获整个帧上的信息，而不是进行扫描捕捉。该传感器尺寸为36.43x27.62mm，略大于在35mm全画面照相机中使用的那些传感器尺寸，支持快速输出，并使用22个12位子LVDS数据输出。这导致它能够以全分辨率提供30 fps帧速率，这对于8K视频是足够的。CMV50000还支持输4K分辨率60fps视频拍摄。CMV50000传感器的其他特征包括HDR（高动态范围）模式（由奇/偶行双曝光操作支持），黑色电平钳位功能，它结合HDR，可以帮助CMV50000提供先进的降噪功能。CMOSIS表示，CMV50000传感器适用于电视广播和摄像机，以及高速机器视觉系统，如消费品

京元电 接单旺到明年

感测需求强 软硬件要搭配

在VR装置中，传感器用于侦测各项信息，如定位、测距与使用者的移动摆手等，是一种重要的组件。1.定位感测与动作感测是VR重点。大体而言，VR装置内所需感测的行动大体可以分为两类，分别是定位感测和动作感测。定位感测的传感器多以光传感器为主，代表装置即为Microsoft Xbox 360的Kinect；在动作感测方面，*常使用的组件为动作传感器，动作传感器主要指为人熟知的加速度计、陀螺仪与磁力计等，加速度计可用以判别较大的动作，陀螺仪可判断较细微的动作，而磁力计则用以判别方向。在定位方面，Oculus Rift VR以头戴式显示器内的数十颗红外光LED配合一红外光CMOS摄影机来达成定位功能，利用CMOS摄影机侦测红外光点的变化，进而计算头部相对位置。HTC则是以Lighthouse定位技术，利用高密度红外光激光的发射和接收，侦测出使用者的部分动作变化和位置；其中，2个直立式基站以60次/秒的频率发射红外光光线，低于画面的刷新率。动作传感器用以侦测用户动态行为，在灵敏度上较光传感器更高。对游戏VR来说，由于后端计算机需从把手（或手套）上取得更多用户动作信息进行算法计算和分析。一般而言，在把

芯科发布CMOS技术客制化SSR解决方案

芯科(Silicon Labs)近日发布基于CMOS技术的突破性隔离型场效电晶体(FET)驱动器系列产品，使开发人员能够自行选择特定应用和高容量之FET，来替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR)。新型Si875×系列产品，是首款隔离型FET驱动器，所运用的整合式CMOS隔离闸极传输电源，消除了一般所需的隔离次级侧开关电源，因而可减少系统成本和复杂性。当与分离式FET搭配时，Si875×驱动器提供**的EMR/SSR代替解决方案，应用範围包括电机和阀门控制器、HVAC继电器、电池监控、AC主线路与通讯交换器、HEV/EV汽车充电系统和其他工业和汽车等。在开关应用中，传统上开发人员使用EMR和基于光耦合器的SSR，但这两种技术都有其限制。基于CMOS的Si875×隔离型FET驱动器提供了更佳选择，其能降低SSR或EMR应用的系统成本和功耗，增强系统性能。由于Si875×驱动器，不使用LED或光学元件，因此于整个使用寿命和温度範围，具有**稳定性。极小封装的Si875x元件更提供完全无声的开关特性，因此是笨重EMR的理想代替解决方案，这些EMR通常受限于电子开关杂

基于CMOS隔离技术的客制化固态继电器方案

芯科科技(Silicon Labs)近日推出基于CMOS技术的突破性隔离型场效电晶体(FET)驱动器系列产品，使开发人员能够自行选择特定应用和高容量之FET来替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR)。新型Si875x系列产品是首款隔离型FET驱动器，所运用的整合式CMOS隔离闸极传输电源消除了一般所需的隔离次级侧开关电源，因而可减少系统成本和复杂性。当与分离式FET搭配时，Si875x驱动器提供**的EMR/SSR代替解决方案，应用范围包括电机和阀门控制器、HVAC继电器、电池监控、AC主线路与通讯交换器、HEV/EV汽车充电系统和其他工业和汽车等。在开关应用中，传统上开发人员使用EMR和基于光耦合器的SSR，但这两种技术都有其限制。EMR昂贵、速度慢、笨重并会产生杂讯，而EMR的这些缺点使得SSR的使用达到两位数的成长率，但即使如此，其仍面临诸多挑战。基于光耦合器的SSR的局限性诸如LED老化而缩短使用寿命、较高温时性能和可靠性的降低、以及较差的杂讯抗干扰性。另外，其只能选择受限的整合式FET，不利于性能、成本和功耗。Silicon Labs基于CMOS的S

华灿光电拟16.5亿元收购和谐光电

华灿光电公告，公司拟购买和谐光电100%股权，从而实现收购目标公司MEMSIC的目的。经交易各方协商，本次交易的交易金额为16.5亿元，上市公司向交易对方共计发行股份2.37亿股。同时华灿光电拟向和谐芯光、公司董事长周福云以锁价方式募集配套资金不超过2亿元，发行股份购买资产及募集配套资金的发行股份价格均为6.95元/股。募集配套资金成功与否并不影响发行股份购买资产的实施。MEMSIC是能够采用标准CMOS工艺实现MEMS大规模量产的公司。MEMSIC采用标准CMOS集成电路工艺单芯片集成MEMS和ASIC电路，在晶圆级结合MEMS结构和CMOS的标准化工艺，可使用现成的设备与可兼容于CMOS制程的制造流程，制备出体积小、重量轻、低成本、可批量生产的传感器，应用领域涉及电子消费、汽车电子、工业控制等。本次交易的交易对方承诺：标的公司于2017年度、2018年度、2019年度净利润依次不低于1378万美元 本次交易完成后，上市公司将得以快速进入前景广阔的MEMS传感器领域。MEMS传感器领域作为半导体产业链中的一个细分行业，在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、**以及人们日常生活中常用

7个常用的电路接口要点及说明

我们知道，在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”，例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差（如CPU与外设）或者各自的信号类型不一致（如传感器检测光信号）等，这时我们应该考虑通过相应的接口方式来很好地处理这个问题。下面就电路设计中7个常用的接口类型的关键点进行说明一下：（1）TTL电平接口：这个接口类型基本是老生常谈的吧，从上大学学习模拟电路、数字电路开始，对于一般的电路设计，TTL电平接口基本就脱不了“干系”！它的速度一般限制在30MHz以内，这是由于BJT的输入端存在几个pF的输入电容的缘故（构成一个LPF），输入信号超过一定频率的话，信号就将“丢失”。它的驱动能力一般*大为几十个毫安。正常工作的信号电压一般较高，要是把它和信号电压较低的ECL电路接近时会产生比较明显的串扰问题。（2）CMOS电平接口：我们对它也不陌生，也是经常和它打交道了，一些关于CMOS的半导体特性在这里就不必啰嗦了。许多人都知道的是，正常情况下CMOS的功耗和抗干扰能力远优于TTL。但是！鲜为人知的是，在高转换频率时，CMOS系列实际上却比TTL消耗更多的功率，

Sony智能手机销量惨摔6成、**低；PS4大增近2成

Sony 29日于日股盘后公布上季(2016年4-6月)各主要产品销售量数据：智慧手机销售量较去年同期骤减近6成(下滑57%)至310万支，低于前一季(2016年1-3月)的340万支、创2012年Q2(4-6月)开始公布季度别销售量数据以来新低纪录；数位相机销售量大减53%至80万台；液晶电视销售量成长4%至270万台；PS 4销售量大增17%至350万台。 Sony将今年度(2016年4月-2017年3月)智慧手机销售量目标自原先预估的2,000万支下修至1,900万支，将较上年度的2,490万支大减24%。Sony将今年度PS4销售量目标维持于2,000万台不变、将年增13%；液晶电视销售量目标也维持于1,200万台不变、将年减2%。另外，Sony上季影像感测器销售额较去年同期大减27%至916亿日圆，Sony并将今年度影像感测器销售额目标自原先预估的5,100亿日圆下修至4,800亿日圆、仅将年增0.5%。Sony Mobile是台湾手机ODM代工厂华冠 (8101)的客户。尚立 (3360)是Sony CMOS感测器产品的台湾**代理商，而SONY CMOS感测器产品占尚立营

联电0.18微米新制程方案通过认证 加速进入汽车电子市场

晶圆代工厂联电1 日宣布，其0.18 微米双极-互补-扩散金氧半导体Bipolar CMOS DMOS (BCD) 制程技术平台，已通过业界*严格的AEC-Q100 Grade-0 车用电子矽芯片验证。未来，对于联电加紧脚步介入汽车电自市场领域，将有重大的影响。 根据联电发出的新闻稿指出，0.18 微米双极-互补-扩散金氧半导体Bipolar CMOS DMOS (BCD) 制程技术平台，包含符合车用标准的FDK 及矽智财解决方案，可用于车用电子之应用芯片如电源管理芯片进行量产。成功通过车规验证之制程方案后，联华电子所制造的车用电子芯片即可满足用于高温环境下高可靠性车辆应用*严格的需求。这是继成功量产AEC-Q100 Grade-1 规格标准之产品后，再创另一技术发展的新里程碑。联电企业行销**副总简山杰表示，车用电子的矽芯片含量，随着包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、资讯娱乐系统及导航系统等电子元件持续演进而急遽攀升。大众近来对于排放减量与能源效率有更高的期待，进而推升更先进的电源电子科技与元件的需求。因此，此类科技与元件需要更严格的AEC-Q100 Grade-0 制造标准，才能符

图像传感器在高清质图民营领域发展趋势，CMOS谁与争锋？

CMOS图像传感器在各个市场领域，随着应用需求的变化其技术也在不断改进和演变，已经超出了满足细分市场具体要求的目标。其优势主要体现在可制造性、低功耗、易于集成、低成本，以及*近出现的高品质图像质量。在每一个市场领域，这些CMOS技术进步已达到或超过了该领域的市场要求，CMOS的优势已使OEM能够改进成型的相机产品。但是在数据的传输过程中CMOS传感器是每个像素都有放大器，其放大效果保持均衡很困难，因而*后整合会产生噪声。而且在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都逊色于CCD。针对CMOS传感器性能的不足之处，业界正在通过不断的技术革新加以改善，其中*主要的技术突破点在于，低照度条件下的成像性能提升和降低图像中的噪声信号。以提升低照度性能而言，业界提出了微透镜（MicroLens）阵列技术，让更多的光能导入到CMOS传感器的每个像素（光电二极管）上，从而增加感应的亮度，不过微透镜技术已属微机电系统（MEMS）的层次，而非原有的单纯半导体电路层次，所以挑战难度的增加自是不难想像。对于降低图像中的噪声信号，一种做法是对原有半导体制程进行改进，在CMOS电路的硅表面上掺入杂质，以此形成一个针扎层（

索尼筹集36亿美元 保证堆栈式传感器生产和研发

凭借更**的表现，如今堆栈式传感器逐渐成为手机摄像头的主流CMOS，通过将原来普通传感器里的信号处理电路放到原来的支持基板上，腾出空间放置更多的像素，在小尺寸传感器上集更多的像素，从而对像素点部分进行高性能优化，提升画质。由于逐渐成为主流，目前堆栈式传感器已经成为索尼*主要的利润来源之一，不过早前的日本熊本地震对索尼堆栈式传感器产线造成了重大影响，而目前，索尼集团决定通过发行国际股票和债券的方式筹集36亿美元资金，用于保障索尼堆栈式CMOS的研发和生产工作。目前包括苹果、三星、华为、小米、魅族等智能手机厂商在内，很多都在使用索尼CMOS图像传感器，而如果核心配件缺货，对索尼自家相机、手机等业务也会造成严重影响，在智能手机业务已经基本无法挽回的情况下，索尼将重点放在图像传感器等元件业务上，取得了不错的效果。而现在，索尼通过通过发行国际股票和债券的方式筹集36亿美元资金，保障索尼堆栈式CMOS的研发和生产工作，也体现了传感器业务对索尼的重要性。

大联大诠鼎集团推出高集成度心率传感器和鱼眼摄像机

2016年7月12日，致力于亚太地区市场的**半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出Pixart（原相科技）心率传感器系列和OTUS（欧特斯）的鱼眼摄像机。一.大联大诠鼎推出代理的Pixart（原相科技）心率传感器系列大联大诠鼎推出代理的Pixart（原相科技）心率传感器系列具有精准，低功耗，小尺寸，高集成度等特点。此次推出的是其PAH8001，PAH8002，AH8003心率传感器，以上各型号皆整合光传感器，集成电路与发光二极管：PAH8001：比单灯动态心率量测传感器；PAH8002：更加优化了传感器讯噪比，低功耗表现，有助于客户机构简易化设计，仅须低成本单片透明塑料或玻璃设计即可达动态心率监测，内建双绿灯及一红外灯，亦使得动态心率性能更加**；PAH8003：优化了户外操作情境下的心率监测表现，内建抗环境光干扰滤镜搭配耳机应用专用心率算法，可支持耳机应用动态心率量测。Pixart（原相科技）心率传感器使用了PPG光容积技术，藉由渗透到皮肤下的绿光来感应因为血管收缩所导致的光变化，*后再由小型CMOS Sensor加以量测。此输出的讯号就是PPG光容积（Photop

推动协同攻关做强做大半导体产业

中芯国际集成电路制造有限公司执行副总裁 李智***以来，习**总书记发表了一系列重要讲话，清晰地阐述了信息产业对整个国民经济的重要意义以及所面临的挑战和机遇，对产业的发展有着重大的指导意义。集成电路是基础性、先导性、战略性核心技术，是互联网信息产业的“命门”之一。发展壮大集成电路产业对网信产业的发展事关重大，对国民经济具有很强的带动作用。中芯国际作为国内集成电路制造龙头企业，深感任重道远，时不我待。集中力量发展集成电路制造业总书记阐述网信企业如何在核心技术上突破，其中关键的一点就是“在科研投入上集中力量办大事”。集成电路制造业具有高投入、高渗透性和高增值性的特点，每1元集成电路产值能带动10元左右电子信息产业产值，进而带动100元左右的GDP增长。此外，IC制造业体能大，位于产业链中游，带动效应明显，只有制造环节发展积累到一定程度后才能*终形成设计、制造、材料等环节的协同发展。而集成电路制造产业属于重资产行业，投资巨大，实现盈利时间长，募集社会和金融资本难度大和成本高。一条28/20纳米技术的规模化量产的12英寸芯片生产线需投资50亿美元；14纳米技术研发费用需要10亿美元以上；一条1

一文探讨摩尔定律的前世今生

摩尔定律的前世今生1965年，Intel公司创始人戈登.摩尔（Gordon Moore）着文指出，芯片中晶体管的数量每年会翻番，半导体的性能与容量将以指数式增长，这就是摩尔定律的雏形。1975年，摩尔修正了该定律为：每隔24个月晶体管的数量将翻番。晶体管数量翻倍带来的好处就是：更快、更小、更便宜。这就引出了摩尔定律的经济学效益，因为对芯片来说，集成度越高，晶体管的价格就越便宜。在20世纪60年代初，一个晶体管要10美元左右，随着晶体管越来越小，小到一根头发丝上可以放1000个晶体管时，每个晶体管的价格只有千分之一美分。在摩尔发表这篇文章的年代，芯片的集成度只有几十个晶体管，在以后的26年时间里，芯片集成的晶体管数量增加了3200多倍，从1971年推出的**款Intel 4004处理器的2300个增加到奔腾II处理器的750万个，英特尔*新的Itanium芯片已集成有17亿个硅晶体管。摩尔定律问世至今已近50年了，人们有理由怀疑，摩尔定律是否快走到头了？半导体工艺制造技术水平在以令人目眩的速度提高，晶体管的几何尺寸不可能无限制的缩小下去，总有**会达到极限。业界已有专家预计，摩尔定律可能

强强联合、协同攻关 做强做大集成电路产业

***以来，习**总书记发表了一系列重要讲话，清晰地阐述了信息产业对整个国民经济的重要意义以及所面临的挑战和机遇，对产业的发展有着重大的指导意义。集成电路是基础性、先导性、战略性核心技术，是互联网信息产业的“命门”之一。发展壮大集成电路产业对网信产业的发展事关重大，对国民经济具有很强的带动作用。中芯国际作为国内集成电路制造龙头企业，深感任重道远，时不我待。集中力量发展集成电路制造业总书记阐述网信企业如何在核心技术上突破，其中关键的一点就是“在科研投入上集中力量办大事”。集成电路制造业具有高投入、高渗透性和高增值性的特点，每1元集成电路产值能带动10元左右电子信息产业产值，进而带动100元左右的GDP增长。此外，IC制造业体能大，位于产业链中游，带动效应明显，只有制造环节发展积累到一定程度后才能*终形成设计、制造、材料等环节的协同发展。而集成电路制造产业属于重资产行业，投资巨大，实现盈利时间长，募集社会和金融资本难度大和成本高。一条28/20纳米技术的规模化量产的12英寸芯片生产线需投资50亿美元;14纳米技术研发费用需要10亿美元以上;一条12英寸集成电路生产线自启动后，通常要7年左右

工程师在PIC单片机选型时需要了解的特性

单片机的种类很多，PIC单片机（Peripheral Interface Controller）是一种用来开发和控制外围设备的集成电路（IC）。一种具有分散作用（多任务）功能的CPU。与人类相比，大脑就是CPU，PIC 共享的部分相当于人的神经系统。PIC单片机有计算功能和记忆内存像CPU并由软件控制运行。然而，处理能力—般，存储器容量也很有限，这取决于PIC的类型。但是它们的*高操作频率大约都在20MHz左右，存储器容量用做写程序的大约1K—4K字节。时钟频率与扫描程序的时间和执行程序指令的时间有关系。但不能仅以时钟频率来判断程序处理能力，它还随处理装置的体系结构改变。如果是同样的体系结构，时钟频率较高的处理能力会较强。PIC*大的特点是不搞单纯的功能堆积，而是从实际出发，重视产品的性能与价格比，靠发展多种型号来满足不同层次的应用要求。PIC单片机的特点特点1）PIC*大的特点是不搞单纯的功能堆积，而是从实际出发，重视产品的性能与价格比，靠发展多种型号来满足不同层次的应用要求。就实际而言，不同的应用对单片机功能和资源的需求也是不同的。比如，一个摩托车的点火器需要一个I/O较少、RAM

约十五分之一的新车驾驶辅助系统采用英飞凌的雷达芯片

2016年7月7日，德国慕尼黑讯—到2016年底，全世界所有新车装备的77-GHz雷达系统会有半数以上配备来自英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）的芯片。从统计数字上看，这意味着大约十五分之一的新车将配备采用英飞凌77-GHz雷达芯片的驾驶辅助系统。根据市场调研公司IHS Technology的数据，英飞凌在快速增长的驾驶辅助系统雷达芯片市场上已占据市场领导地位，过去几年来，英飞凌雷达芯片的总销量达到了2000万颗，公司计划快速推进，明年一年就交付3000万颗驾驶辅助系统芯片。这样，英飞凌将连续五年每年实现雷达芯片销量翻番。英飞凌科技股份公司副总裁兼传感与控制业务总经理Ralf Bornefeld表示：“全球*大的五家雷达系统制造商已有四家采用来自英飞凌的77-GHz雷达芯片。我们令**驾驶成为中小型车辆的标配。英飞凌传感器芯片有助于保障行车**，这对于实现自动驾驶必不可少。”面向未来汽车的传感器：兼顾**和舒适根据车辆的类别及配置，车辆将配备一至三套雷达系统。很快车辆就将装备多达五套雷达系统，它们能共同确保“无死角可视化”，实现路口行驶辅助和停车辅助等

后摩尔定律时代 半导体技术将走向何方?

“继续向下推进新的制程节点正变得越来越困难，我不知道它(摩尔定律)还能持续多久。”在与IMEC**执行官LucvandenHove的访谈中，戈登·摩尔如是说。作为****的独立纳米技术研究中心，5月24日~25日，在比利时布鲁塞尔举办的2016ITF(IMEC全球科技论坛)上，IMEC再一次将对摩尔定律的讨论定为一个重要主题。不能否认的是，摩尔定律正在逐渐走向极限。业界对于未来技术如何发展，早已有了“MoreMoore”(继续推进摩尔定律)和“MorethanMoore”(超越摩尔定律)的讨论。随着两条路的同时推进，听一听IMEC上各位大咖的论述，也许能让拨开未来迷雾变得更简单一些。摩尔定律终将停止?“如果在未来十年中，scaling(尺寸缩小)走到了尽头，我也不会觉得意外。”戈登·摩尔表示。摩尔定律在近50年来被奉为半导体业界的“金科玉律”。它是基于现实推测而出的一种法则，指的是在成本不变的情况下，集成电路上可容纳的晶体管数目按照一定时间呈指数级增长。其中，几乎所有成本的降低，都来自于对晶体管尺寸的缩小和对晶圆直径的增加。不过，近年来，随着硅的工艺发展趋近于其物理瓶颈，越来越多的人指

“后摩尔时代”怎么办？

“继续向下推进新的制程节点正变得越来越困难，我不知道它（摩尔定律）还能持续多久。” 在与IMEC**执行官Luc van den Hove的访谈中，戈登·摩尔如是说。作为****的独立纳米技术研究中心，5月24~25日，在比利时布鲁塞尔举办的2016ITF（IMEC全球科技论坛）上，IMEC再一次把对摩尔定律的讨论定为一个重要主题。不能否认的是，摩尔定律正在逐渐走向极限。业界对于未来技术如何发展，早已有了“More Moore”（继续推进摩尔定律）和“More than Moore”（超越摩尔定律）的讨论。随着两条路的同时推进，听一听IMEC上各位大咖的论述，也许能让拨开未来迷雾变得更简单一些。摩尔定律终将停止？“如果在未来10年中，scaling（尺寸缩小）走到了尽头，我也不会觉得意外。”戈登·摩尔表示。摩尔定律在近50年来被奉为半导体业界的“金科玉律”。它是基于现实推测而出的一种法则，指的是在成本不变的情况下，集成电路上可容纳的晶体管数目按照一定时间呈指数级增长。其中，几乎所有成本的降低，都来自于对晶体管尺寸的缩小和对晶圆直径的增加。不过，近年来，随着硅的工艺发展趋近于其物理瓶颈，

南京再建一座30亿美元半导体产业园

近日，总投资达30亿美元的德科码半导体产业园项目正式在南京经济技术开发区奠基，将建设8寸晶圆厂2座、12寸晶圆厂1座，以及封装测试厂、设备再制造厂、科研设计中心和配套生活区等。此前的3月28日，总投资同为30亿美元的台积电南京项目签约落户江北新区。两大“30亿美元级”的****企业先后投资南京，在带给中国大陆*先进生产工艺的同时，也将填补南京市集成电路产业发展中的关键短板，使南京一举进入**集成电路重点城市**方阵。 科教人才优势让南京脱颖而出 台积电南京项目为台湾集成电路制造公司独资。该公司是全球*大的集成电路晶圆代工制造企业、全球第三大集成电路企业，仅次于英特尔和三星。目前，苹果手机处理器主要由台积电和三星代工。 德科码南京项目则由香港德科码科技有限公司和以色列塔尔半导体公司共同投资。香港德科码成立于2003年，专注于人工智能软件、光学CMOS人工智能辨识装置仪器（指纹识别）的研究开发。塔尔半导体则是全球*大的模拟电路晶圆代工厂，为全球300多家消费电子、汽车、医疗、工业、航天和国防等领域客户提供先进的射频、高性能模拟、集成电源管理、CMOS图像传感器、微电子机械系统等芯片的代工。

京大和罗姆试制出全球首款双向SiC MOSFET

日本京都大学和罗姆的研发小组试制出了耐压3kV、导通电阻20mΩcm2的双向SiC MOSFET，已在“ISPSD 2016”上发布。据称，这是全球**实现这种MOSFET。 该双向SiC MOSFET主要由两个区域构成，分别是主动区和终接区。主动区作为SiC MOSFET工作。该区域的SiC外延层的厚度为42μm。在n+型SiC基板上使外延层生长，然后利用机械研磨方法去除该基板，在该层直接安装漏电极。研发人员使试制品在1kV、3A（电流密度为70A/cm2）下工作，与在相同条件下工作的相同耐压、相同导通电阻的SiC MOSFET比较了损耗。双向SiC MOSFET打开时的损耗和关闭时的损耗都与普通的SiC MOSFET相同，但导通损耗减小了35％。（记者：根津 祯）

汽车、监控商机爆发，CMOS产值有望连五年**高

研调机构IC Insights*新报告指出，汽车、医疗与**监控未来将取代智慧型手机与数位相机，成为CMOS主要成长动能。 拜嵌入式数位摄影技术终端应用范围开枝散叶之赐，CMOS未来五年营收有望年年破纪录，IC Insights预测2020年CMOS市场规模将从2015年的99亿美元成长至152亿美元，换算年复合成长率达9%。IC Insights*看好CMOS在汽车领域的发展，预估未来五年将以55%的年复合成长率成长至22亿美元，占整体CMOS产值的14%。**被看好的是**监控领域，2020年预估产值将来到9.12亿美元，年复合成长率为36%。紧接其后依序为医疗/科学34%、电玩32%，以及工业系统18%。如以市场规模来说，相机目前仍是CMOS*大应用领域，2015年产值达73亿美元，不过未来五年相机用CMOS预估成长率仅1%，营收占比将萎缩至48%。

Sony影像感测元件停工 Samsung抢市占

日本九州熊本县于4月14日与16日发生两起6级以上的强震，强震的影响下使得多个九州厂房停工，包含生产感测元件的Sony、半导体积体电路的瑞萨、液晶模组的三菱电机、蓝光LED的丰田、半导体设备的东京威力科创等。 PIDA表示，感测元件大厂Sony的停工恐怕影响到后续的出货时程，2014年产业调查机构TSR数据显示，CMOS影像感测占有率以销售金额统计下，市占**的就是Sony，高达40.3％，相当于35亿美元，Sony影像感测元件市场影响力非同小可。强震的影响下恐怕严重影响接下来的出货量，Sony的其中两个感测元件生产工厂位于本次震央，分别为熊本菊池郡与长崎2厂，熊本晶圆厂主要生产 CCD与CMOS 影像感测器，月产能 2.4 万片，长崎2厂月产量约3.2万片，另外大分大分市生产12寸晶圆，月产2.5万片，目前则已经复工。就以iPhone的相关供应链而言，Sony的感测元件出货给大立光与镜头结合，再送到鸿海、和硕进行组装，供货情况吃紧下可能间接影响到后段的台湾厂商。手机影像感测器主要供应商包含市占**的Sony、Omnivision、Samsung、Sk Hynix等（市占分布如图2所示

九州强震冲击Sony影像传感器出货时程

日本九州熊本县于2016年4月14日与16日发生两起芮氏规模6级以上的强震，强震的影响下使得多个九州厂房停工，包含生产感测元件的Sony、半导体积体电路的瑞萨(Renesas)、液晶模组的三菱电机(Mitsubishi Electric)、蓝光LED的丰田(Toyota)、半导体设备的东京威力科创(Tokyo Electron)等。 感测元件大厂Sony的停工恐怕影响到后续的出货时程，2014年产业调查机构TSR数据显示，CMOS影像感测占有率以销售金额统计下，市占**的就是Sony，高达40.3%，相当于35亿美元，Sony影像感测元件市场影响力非同小可。强震的影响下恐怕严重影响接下来的出货量，Sony的其中两个感测元件生产工厂位于本次震央，分别为熊本菊池郡与长崎2厂，熊本晶圆厂主要生产 CCD与CMOS 影像感测器，月产能 2.4 万片，长崎2厂月产量约3.2万片，另外大分大分市生产12寸晶圆，月产2.5万片，目前则已经复工。就以iPhone的相关供应链而言，Sony的感测元件出货给大立光与镜头结合，再送到鸿海、和硕进行组装，供货情况吃紧下可能间接影响到后段的台湾厂商。手机影像感测

三美电机开发“皮肤相机”，非接触检测雀斑和皮肤水分

三美电机开发出了以非接触方式检测皮肤肌理、雀斑及水分等状态的“小型皮肤相机模块”，并在“MEDTEC Japan 2016”（4月20～22日，东京有明国际会展中心）上参考展出。该产品通过向皮肤照射各种波长的光，并用CMOS传感器捕捉亮度信息，来确定与皮肤状态有关的多个参数。 15mmm×20mm×13mm的小型模块中配备了多种波长的LED光源和VGA像素的CMOS传感器。根据照射白色光时的亮度信息检测皮肤的肌理等表面状态，利用红外光检测水分，利用可见光检测血红蛋白及引起雀斑的黑色素。三美电机介绍称，检测精度“取决于CMOS传感器的动态范围，因此很难实现非常高精度的检测，但优点是能以低成本轻松测量与皮肤相关的多种信息”。设想应用于健康领域等。（记者：大下 淳一，《日经数字健康》）

Sony智能机销量惨摔6成**低

Sony 28日于日股盘后公布上季(2016年1-3月)各主要产品销售量数据：智慧手机销售量较去年同期骤减近6成(下滑57%)至340万支，低于2015年7-9月的670万支、创2012年Q2(4-6月)开始公布季度别销售量数据以来新低纪录；数位相机销售量大减33%至100万台；液晶电视销售量下滑11%至240万台；PS4销售量小幅下滑4%至230万台。 根据Sony公布的资料显示，截至2016年3月底为止，PS4全球累计销售量已达4,000万台。作为对照，截至2016年3月底为止，PS4竞争对手任天堂(Nintendo)Wii U全球累计销售量为1,280万台。累计2015年度(2015年4月-2016年3月)期间Sony智慧手机销售量年减36%至2,490万支、数位相机销售量下滑28%至610万台、液晶电视下滑16%至1,220万台、PS4销售量大增20%至1,770万台。另外，2015年度Sony影像感测器销售额年增5%至4,776亿日圆。Sony为苹果(Apple)iPhone相机的CMOS影像感测器主要供应商。Sony未公布今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月

三星正研发1/1.7寸f/1.4超强手机CMOS 像素可达18-24MP

阅读秘书／影像感测器

影像感测器是一种利用光电技术原理制造的感测元件，主要应用于**监控、数位相机、智慧手机等影像产品。早期的感光元件采用类比讯号如摄像管；现在感光元件已采用数位讯号，主流技术包括CMOS（互补金属氧化物半导体）和CCD（感光耦合元件）两种。 CMOS常用于高解析度数位摄影机与数位相机，尤其是数位单眼相机；另外，一般数位相机及智慧手机也有采用。与CCD技术相比，由于CMOS每单位像素都设有放大器，数据传输速度很高。

日本强震！索尼宣布CMOS工厂继续停产 仅部分恢复

据路透社报道，索尼上周日表示，公司位于日本南部熊本县的图像传感器工厂依旧处于暂时停产状态。该工厂受到了强震的冲击，索尼正在评估它的受损情况。索尼称，公司位于长崎和大分的图像传感器工厂已**恢复运营，这些工厂同样位于九州岛。自上周五以来，索尼熊本图像传感器工厂就处于停产状态，长崎和大分工厂部分停产。日本九州岛在上周六早晨发生7.3级地震，导致至少32人死亡，1000多人受伤，城市大面积受损。这是九州岛上的熊本县在过去24小时内遭遇的**次强震。

熊本地震对电子产业供应链有哪些影响

4月16日00时25分在日本九州岛熊本县发生7.3级地震，震源深度10千米。截至今天上午9时，在7级连环强震中，已有24人遇难，900余人受伤。一些建筑物被毁，同时出现道路龟裂崩塌，大桥断裂。连同14日夜发生的7级强震中遇难者，这一次“熊本地震”的遇难者人数已经上升到22人，而且死亡人数还将上升。作为半导体工业重镇，许多供应全球的IC零部件的生产都在此地，此次的地震恐怕会影响后续的相关生产，对全球产业链的影响也许比我们想象的要重，不仅仅是工厂实体受到冲击，而是震后带来的基础设施破坏影响产业的持续生产，人员的稳定。Sony Image Sensor或受影响严重，2座工厂位于震心索尼半导体九州岛公司有3个工厂，制造CMOS传感器等。而且有2座工厂都处于地震中心附近，应该会受到较大的牵连。由于全球中**手机普遍采用Sony及三星的ImageSensor，据了解往年有缺货的实际，国内品牌**手机都经历过“无芯下机”的惨痛经历，目前Sony Image Sensor的库存仅能维持到6月，预计此次地震对SonyCMOS的直接影响期限为2-3月，所以索尼CMOS传感器可能又要缺货了，恐影响下半年**

工业成像的CCD及CMOS技术之对比

在工业应用中成像系统的广泛采用持续扩展，不仅由新的影像感测器技术和产品的开发所推动，还由支援平台的进步所推动，如电脑功率和高速数据介面。今天，成像系统的使用在各种领域很常见，如配线检查、交通监测/执法、监控和医疗及科学成像，由于影像感测器技术的进步，使成像性能、读取速度和解析度提高。随着影像感测器现在采用电荷耦合元件（CCD）和互补式金属氧化物半导体（CMOS）技术设计，审视这两大平台对于选择*适合特定应用的影像感测器很有帮助。 电子成像技术的发展始于上世纪60年代，诺贝尔奖得主Boyle和Smith开发出**个CCD。这些元件是利用掺杂矽的固有能力将光子转换成电子，并用得到的画素等级电荷来测量光强度而运作。在架构上，这个设计的*大优势是简单，整个画素区域可用来检测光子和存储电荷，提供*大讯号级别，支援高动态范围。相同的画素区域用于将电荷传送到有限的输出端，其中电荷被转换为电压。随时间推移，这架构已细化到包括Interline Transfer CCD设计，其中包含画素等级的一个电子快门，无需相机设计中的机械快门。今天，CCD是采用订制的半导体制程，高度优化于成像应用，并需要外部电路将

索尼停工 全球CIS供应拉警报

TowerJazz发布用于Tbps有线通信的**SiGe工艺

以色列的半导体代工商Tower Semiconductor（品牌名称：TowerJazz）发布了新的SiGe BiCMOS工艺“S4”。这是该公司SiGe BiCMOS工艺群“TowerJazz SiGe Terabit Platform”的**工艺，适合用来生产1Tbps级别的有线通信IC。 据介绍，谷歌的相关通信量*近7年一直以每年75％的幅度增长，现在已膨胀至原来的50倍。有线通信数据量也随之大幅增加，支撑庞大数据量的高速IC的需求日益高涨。于是，TowerJazz面向有线通信IC开发出了SiGe BiCMOS工艺群“TowerJazz SiGe Terabit Platform”。用于跨阻放大器（TIA，Trans Impedance Amplifier）及激光驱动器等的生产。以前提供的是名为HX、H2、H3的工艺，此次则增加了H4和S4。HX与H2可用于制造支持10～20Gbps通信速度的晶体管，H3可用于制造支持100Gbps通信速度的晶体管。而且，H3晶体管的*大振荡频率为280GHz。H4及S4晶体管的*大振荡频率超过300GHz。除了速度快之外，还具有功耗低的特点，功

日本大地震！索尼惨了 手机厂商悲剧

据中国地震台湾测定，4月14日20时26分在日本九州岛（北纬32.80度，东经130.62度）发生6.2级地震，震源深度20千米。据中国地震台网测定， 随后，晚23点03分，日本九州岛发生（北纬32.70度，东经130.84度）6.0级地震，震源深度为20千米。这次地震对所有使用索尼CMOS的厂商来说不是什么好事儿，因为索尼CMOS将面临新一轮的缺货。按照业内人士@手机晶片达人的说法，索尼的CMOS传感器工厂有两座都在地震中心附近，应该会受到较大的牵连，所以索尼CMOS传感器可能又要缺货了。印象去年索尼摄像头传感器就缺货过一次，不少厂商都被迫采用其它厂商的摄像头产品。这次，索尼摄像头缺货的问题该如何解决呢？

地震导致Sony影像传感器熊本厂厂停产

日本九州强震，市场忧心，专攻高阶智慧手机的索尼（Sony）CMOS影像��测器（CIS）熊本厂停工，智慧手机供应链恐发生断链危机。 相关供应链指出，Sony在日本共有山形、长琦、熊本三处CMOS影像感测器工厂，即使熊本厂受到影响，其他两厂亦可替代，加上近期高阶智慧手机市况趋缓，预期不会有大太影响。分析师预估，新一代iPhone下半年推出，仍有缓冲时间，若因停工产生供货缺口，近期非苹新机首当其冲。虽然Sony影像感测器供应暂时不会有断链危机，但客户端仍有危机意识，已开始询问替代料源，包括三星、ONSEMI旗下Aptina均有CIS感测器，成为替代来源。法人预期，代理Aptina产品的大联大可望受惠。代理Sony影像感测器的尚立表示，目前看来并无影响，且因大陆客户新机销售情况佳，将于下月积极拉货。

熊本强震／Sony瑞萨扩大停工,损失上看200亿美元

日本九州熊本在短短28小时内发生两次强震，九州的制造业重镇二度受创，Sony、本田汽车在内日本企业16日扩大停工。Kinetic估计，**次熊本地震所造成的经济损失上看200亿美元。 Sony位于熊本的影像感测晶片厂14日已因**次强震而停工，16日清晨再度遭遇芮氏规模7.3的强震后，如今继续关厂。Sony表示，另一座在长崎的影像感测晶片厂也将部分停工，以便检视灾情，目前尚未排定复产的日程。Sony在互补金属氧化半导体（CMOS）影像感测元件的市占率高达四成，是苹果iPhone的主要供应商。这两座CMOS工厂平日是全天候运转，Sony一位发言人表示，目前仍在检视厂内可能的损害情形，“尚无法确定关厂对苹果在内的客户会有多少影响”。瑞萨电子也被迫关闭当地的汽车用微控制器厂，以停产检修，三菱电机在当地的液晶显示器模组等零件的两座工厂也关闭。九州近20年来发展为制造业重镇，其中半导体产值占日本约25%。

锐成芯微携手CMT共建完整的IoT与信息**平台

台积电技术布局持续多元化　去年特殊制程营收成长达21%

台积电日前于美国加州圣荷西(San Jose)举行第22届年度“技术研讨会”(Technology Symposium)，会中揭露台积电当前及未来的半导体制程、封装技术等发展蓝图，并揭露台积电8项关于制程与技术升级、产能布局以及新兴投入产业领域相关布局的概况，以及当前业务升级现况，借由这些布局，或有助台积电持续锁定新世代芯片终端市况，掌握新一代科技产业技术变迁下的芯片制造需求。 根据SemiWiki网站报导，台积电在本届会中提到，将在大陆南京投建拥有16纳米制程技术的全新先进晶圆产线。按照目前的时程规划，南京厂预计在2016年7月动土建设，至2018年下半将进入量产阶段，占地将近9平方公里，初期产能预估为每月2万片16纳米制程晶圆。有鉴于当前大陆政府正积极发展自有半导体产业供应链，业界分析，台积电此投建计划，标志着台湾与大陆方面****的合作契机，此投建计划也可望成为大陆欲发展更具自产自足电子产业的一大关键基础，包含从移动装置到高效能运算应用等产业领域。此外，台积电也于会中表示，该公司2015年的“特殊制程”达成21%的营收成长，并指出台积电将进行20%的晶圆产能投资。其中所谓的特殊制

锐成芯微宣布与**IP供应商商CMT战略合并共建IoT平台

原文标题：锐成芯微宣布与**IP供应商商CMT战略合并共建IoT与信息**平台平台 集微网美国圣何塞讯，2016年4月3日消息，中国成都本土IP供应商，成都锐成芯微科技有限责任公司([锐成芯微])今天宣布，与位于加州硅谷的全球**的Flash/MTP/OTP IP供应商Chip Memory Technology([CMT]) 两家将实现战略合并，将未来共建完整的IoT与信息**平台。根据双方共同协商，锐成芯微将与CMT在业务上合并，并成为CMT的*大股东。锐成芯微本身在IOT平台和信息**平台上开发了全套小面积小功耗的模拟IP解决方案，CMT在NVM储存器上拥有多项**，并开发了与CMOS工艺完全兼容的40nm/55nm/90nm/0.11um/0.18um上的OTP/MTP/Flash解决方案。锐成芯微携手CMT，不仅完善了IP平台，同时也将打破储存技术长期被国外企业垄断的局面，成为国内**拥有该项技术的公司。产品线将覆盖IoT、信息**、工艺控制、汽车电子以及消费电子多个领域应用的IP的平台以及完整的MCU一站式解决方案。关于锐成芯微成都锐成芯微成立于2011年，是国内专注于智能

MOS管为什么会被静电击穿？

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。静电放电形成的是短时大电流，放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此，当静电放电电流通过面积很小的pn结或肖特基结时，将产生很大的瞬间功率密度，形成局部过热，有可能使局部结温达到甚至超过材料的本征温度（如硅的熔点1415℃），使结区局部或多处熔化导致pn结短路，器件彻底失效。这种失效的发生与否，主要取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，说明器件越不易受到损伤。反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效，在反偏条件下使结损坏所需要的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是因为反偏时，大部分功率消耗

夏普全球首款4K屏手机曝光：5.2吋2160p

夏普在液晶显示技术上的造诣早就令人有所耳闻，近日。夏普Fs 366SH的出现，手机面板画质的比拼的再次推向了新高度。 据悉，之前夏普公司已经在DoCoMo发布2014-2015春冬新机时。就已经发布了同样搭载了“EMOPA”智能语音功能的手机AQUOS ZETA SH-01G（将于11月中旬正式发售）。然而，现在又有传闻爆出夏普将会推出SoftBank版的AQUOS ZETA，SHARP AQUOS FS 366 SH。该款手机除了拥有特殊的语音功能外，还带有超高素质的显示面板。夏普在液晶显示技术上的造诣早就令人有所耳闻，近日。夏普Fs 366SH的出现，手机面板画质的比拼的再次推向了新高度。“モスアイパネル”即“莫斯蓼蓝面板”技术，来源于夏普在日发布的旗舰4K电视UD20，通过改变液晶面板表面玻璃的纹理，把面板反射降低到了原来的1.3%以内，大大得提高了画面的暗部表现力和对比度（至少4000：1），并重新合理安排画面像素排列，使液晶的相应时间达到了平均值5.5ms（AVG.）的水平（非GTG.）：“リッチカラーテクノロジー”即“奢华彩色技术”也是来源于夏普在日发布的旗舰4K电视UD2

我国将重点培育集成电路等五大战略性新兴产业;

索尼推出在夜间和暗处也可以彩色摄影的4K网络摄像机

索尼于2016年3月3日发布了4K网络摄像机“SNC-VB770”。在夜间及暗处等肉眼几乎看不清物体的低照度环境下，也可以清晰地拍摄流畅的30fps彩色视频。价格为开放式，设想实售价格为85万日元左右。 SNC-VB770采用有效1220万像素的35mm全画幅Exmor CMOS图像传感器。另外，配备了该公司自主的图像处理引擎，采用低照度下也保持分辨率并降低噪声的“区域分割降噪”技术及以高清晰度再现自然的立体感的“细节再现”技术等。另外，SNC-VB770在该公司的网络摄像机中**支持数码单反摄像机α系列的E卡口。E卡口镜头已优化为35mm全画幅CMOS图像传感器，从镜头中心部分到周边保持分辨率。由此实现了*低照度0.004勒克斯以下。此外，SNC-VB770配备了可从4K画面中指定特别希望关注的区域和运动物体，并以VGA尺寸*多裁剪4个部位的“智能裁剪功能(Intelligent Cropping)”以及根据摄影环境自动切换快门速度及增益等各种参数的“智能场景捕捉（Intelligent Scene Capture）”等功能。影像压缩格式为H.264/JPEG。音频压缩方式为G.71

欧盟为5G打造III-V族CMOS技术

欧盟(E.U.)*近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合III-V族纳米半导体”(INSIGHT)研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS)上整合III-V族电晶体通道。其*终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。 除了IBM (瑞士)，该计划将由德国弗劳恩霍夫应用固态物理研究所Fraunhofer IAF、法国LETI、瑞典隆德大学(Lund University)、英国格拉斯哥大学(University of Glasgow)以及爱尔兰丁铎尔国家研究所(Tyndall National Institute)等组织联手进行。 以IBM与隆德大学为主导的这项计划可分为两个阶段，IBM专注于传统平面电晶体原型与III-V族通道，而隆德大学则将深入研究垂直III-V族电晶体通道的可用性。 “首先，合作夥伴们将先共同确定水平或垂直电晶体原型是否*具有远景，”IBM的科学家Lukas Czornomaz介绍，“接着，我们将联手在三年计划届满以前推出一款射频(RF)测试电路，例如功率放

瑞萨开发MONOS快闪记忆体技术提升汽车控制系统智慧

瑞萨(Renesas)宣布开发90奈米(nm)单电晶体MONOS(1T-MONOS)快闪记忆体技术，可结合各种制程如CMOS与双极CMOS DMOS(BiCDMOS)，并提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重写耗电量。该公司预期此全新快闪记忆体电路技术，将能使快闪记忆体加入至汽车类比装置，并具备更高的效能与可靠性。 近年来，市场除了要求汽车提升燃油效率之外，也希望汽车能提供更宽敞的车内空间与舒适感，因此每部汽车所使用的电子控制单元(ECU)亦随之增加。随着汽车控制系统愈趋精密且控制功能愈趋复杂，让ECU更轻、更具能源效率及尺寸更小已成为重要的议题。尤其散热器、水帮浦、汽车空调系统等装置使用许多小型马达，因此产生了整合ECU及机电元件一体化的需求。此全新开发的快闪记忆体技术可抑制额外的制程成本，同时以简单的方式将快闪记忆体加入汽车类比与电力元件中。这表示用于连接感测器与马达的类比电路，将可采用混合微控制器(MCU)逻辑与以此新技术为基础的快闪记忆体。如此将可大幅减少马达控制系统所使用的晶片数量，同时有助于缩小尺寸、减轻重量并提升电源效率。此技术将协助促进ECU整合及机电元件一体化，并有助

超清视角怎奈还有星光低照相伴