瑞萨(Renesas)宣布开发90奈米(nm)单电晶体MONOS(1T-MONOS)快闪记忆体技术，可结合各种制程如CMOS与双极CMOS DMOS(BiCDMOS)，并提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重写耗电量。该公司预期此全新快闪记忆体电路技术，将能使快闪记忆体加入至汽车类比装置，并具备更高的效能与可靠性。
近年来，市场除了要求汽车提升燃油效率之外，也希望汽车能提供更宽敞的车内空间与舒适感，因此每部汽车所使用的电子控制单元(ECU)亦随之增加。随着汽车控制系统愈趋精密且控制功能愈趋复杂，让ECU更轻、更具能源效率及尺寸更小已成为重要的议题。尤其散热器、水帮浦、汽车空调系统等装置使用许多小型马达，因此产生了整合ECU及机电元件一体化的需求。
此全新开发的快闪记忆体技术可抑制额外的制程成本，同时以简单的方式将快闪记忆体加入汽车类比与电力元件中。这表示用于连接感测器与马达的类比电路，将可采用混合微控制器(MCU)逻辑与以此新技术为基础的快闪记忆体。如此将可大幅减少马达控制系统所使用的晶片数量，同时有助于缩小尺寸、减轻重量并提升电源效率。此技术将协助促进ECU整合及机电元件一体化，并有助于实现高燃油效率的汽车，不仅燃油效率更高，车内空间也更宽敞舒适。
瑞萨网址：www.tw.renesas.com
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