全球*大的功率半导体厂商英飞凌科技终于要开始量产碳化硅（SiC） MOSFET了（英文发布资料）。该公司将从2016年下半年开始面向特定用途供应样品，从2017年开始量产。英飞凌早在2001年就先于竞争对手推出了SiC二极管产品。SiC晶体管方面，现在竞争对手都在生产SiC MOSFET，而该公司目前只推出了SiC JFET。虽然英飞凌研发SiC MOSFET已有很长时间，但此次是**次公布产品化时间。
英飞凌即将推出的SiC MOSFET是可以更大幅降低损耗的“沟道型”。导通电阻只有现在SiC MOSFET产品通常采用的“平面型”的几分之一。因此，这种元件被视作能激发SiC材料潜能的“真命元件”。
目前已推出沟道型SiC MOSFET的厂商只有罗姆等少数厂商（参阅本站报道）。
在SiC MOSFET方面，英飞凌将首先推出耐压1200V的产品。其导通电阻为45mΩ，可以像普通的Si IGBT一样，在栅极电压-5V、栅极电压+15V的条件下驱动。阈值电压为+4V。将封装在3端子或4端子的TO-247封装中销售，适用于光伏发电系统的逆变器、UPS及蓄电池系统等。还将推出模块产品，具体就是该公司的半桥型模块“Easy1B”系列。
新产品将在2016年5月10～12日（当地时间）于德国纽伦堡举行的功率元件及功率电子产品领域的世界*大规模展会“PCIM Europe 2016”上展出。（记者：根津 祯）
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