易诺仪器VIEW系列光纤熔接机18黑科技

下一代存储器技术现状及发展建议

存储器是半导体产业的基石之一。以海量数据存储为主要载体的物联网对存储器提出了低成本、低功耗、高容量、高速度、高可靠性的要求。为了抢占这一邻域的技术优势，全球各大公司、高校和研究机构一直在这一领域投入大量的人力和资源,持续开展前沿技术研发。以非挥发性存储器为例，除原先的电荷存储为主的闪存技术浮栅存储器(FG)和电荷俘获存储器(CTM)外，磁变存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)和相变存储器(PCM)等存储技术蓬勃发展，形成了存储器发展历史上的一次“百花齐放”的时代。在中国存储器产业急需寻求突破的重要历史阶段，对以上几种技术进行**比较，寻找一种*具有竞争力和发展潜力的非挥发性存储器，紧迫且意义重大。 新型存储技术现状  磁变存储器*有潜力的代表是自旋转移力矩磁变存储器(STT MRAM)。既有动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)的高性能，又能兼顾闪存的低功耗优势。存储单元主体为磁性隧道结(MTJ)，有上下两层磁性材料(如：钴铁合金)和中间的绝缘夹层(如：氧化镁)所组成。其中一层为固定磁性层，另一层为自由磁性层。工作原理是由磁场调制上下两层磁性层的磁化方向成为平行或

安森美半导体推出AR0135 全局快门 CMOS 图像传感器

安森美半导体推出AR0135 全局快门 CMOS 图像传感器，展示其图像传感技术的又一重大进步。该1/3英寸格式、120万像素成像器件设计用于解决具挑战性的汽车影像和高速条码扫描，以及新兴应用如虚拟现实和三维深度传感的要求。这新的全局快门传感器令摄像机能“冻结”快速移动的场景数据，并确保与脉冲光源有效的同步。AR0135传感器结合了新的**的全局快门像素设计和较前代产品低10倍的暗电流和高4倍的快门效能。这些改进令传感器能在微光和明亮的场景和高温环境下都能产生清晰、低噪声的图像。这性能为下一代汽车车舱系统提供所需的眼睛跟踪和手势检测功能，并提高了条码扫描系统的检测速度。这1280 x 960 分辨率器件提供54帧/秒(fps)的全分辨率和60 fps的720p。AR0135包含一系列广泛的特性以改善整体系统控制，包括专用FLASH和触发引脚以简化外部LED光源的控制，和更多易于同步的多个传感器用于立体摄像机。片上温度传感器和统计引擎进一步增强摄像机系统的诊断和控制能力。AR0135还提供并行和串行(通过4通道HiSPi接口)输出的灵活性。安森美半导体汽车和扫描成像分部副总裁Ross J

Galaxy S7 Edge芯片级拆解分析：机皇疯狂堆料

7nm高通重回台积电？

1.高通将重回台积电怀抱，生产7nm芯片？2.TCL李东生：以参股方式投资芯片项目；3.联发科2月营收减37％ 1年来新低 3月有机会挑战1月高峰；4.SSD批发价大跌12％，PC厂采购价直逼传统硬盘；5.欧盟为5G打造III-V族CMOS技术；6.日月光公布日矽并民调 矽品四点质疑 批问卷对象错误 老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow 1.高通将重回台积电怀抱，生产7nm芯片？高通（Qualcomm）为了新欢三星电子，一脚踢开旧爱台积电。不过台积电正宫不是当假的，自有办法唤回变心情人。J.P. Morgan 表示，台积电的奈米制程进度超前，预料 2018 年高通会回头找上台积电，生产 7 奈米制程晶片。霸荣（Barronˋs）网站 7 日报导，高通为了 14 / 10 奈米制程舍弃台积电，转向三星下单，今年的 14 奈米、明年的 10 奈米晶片都由三星生产。高通原本是台积电大客户，2014 年占台积电 20% 以上营收，转单之后比重骤降，2016 年高通占台积电营收比重减至 9%、2017 年更只剩 4%。但是台积电的正宫魅力不可

安森美半导体推出下一代120万像素CMOS图像传感器

安森美半导体推出全新120万像素CMOS图像传感器

俄罗斯发现铜纳米光子元件可实现低成本的CMOS兼容

[据激光世界网站2016年2月24日报道] 莫斯科物理技术研究所（MIPT）的研究人员表明，铜纳米光子元件可以在光子器件成功地运行；以前人们认为只有金和银元件具有这些所需的性能。这意味着，基于光的计算机比以前更接近现实，因为铜比金银更便宜；另外，铜元件可以很容易地使用行业标准的CMOS制造工艺在集成电路中实现。 这些研究还提供了实际使用的铜纳米光子和等离子体元件，这些在不久的将来将被用来制造发光二极管、纳米激光器、高灵敏度传感器及移动设备转换器，以及具有数万个核心显卡的高性能光电处理器、个人计算机和超级计算机。为什么选择等离子体？光的衍射极限将光子元件的*小尺寸限制在约一个波长（1μm）。可以通过使用金属电介质结构克服衍射极限的基本性质，以创建真正的纳米级的光子元件。大多数金属在光学频率范围内具有负介电常数，光不能通过它们传播，穿透深度只有25纳米。但光可以转化为表面等离子体激元，波会沿金属表面传播。这使得它有可能从传统的三维光子转变为二维表面等离子体光子，或等离子体，实现光控制在100 nm数量级规模上，远远超出了衍射极限。实验制造获得成功2012年，MIPT的研究人员发现，铜作为光

凌力尔特新款SAR ADC具备独立的可配置输入范围

凌力尔特(Linear Technology)日前发表18位元、8通道1Msps多工输入逐次渐近暂存器(SAR)ADC--LTC2335-18。该元件具有独立的可配置输入范围，每个SoftSpanTM输入可在逐次转换(Conversion-by-conversion)的基础上透过软体配置，以接受±10.24V、0V～10.24V、±5.12V或0V～5.12V的真正双极输入讯号。 该产品可设定为透过一系列通道和范围顺序循环，并无需进一步的使用者干预，差动类比输入可操作于宽广的-16.5V～34V输入共模范围，使ADC可直接数位化多种讯号，进而简化讯号链设计。新产品输入讯号弹性结合96.7dB SNR和1Msps 转出产量，使其适用于高效能工业流程控制、测试和量测，以及电力线监控和仪器应用。此款产品具备20ppm/ C*高温度系数的精准内部参考，以及一个内建的参考缓冲器可准确的进行单次量测，为密集的电路板节省空间；其选配式的外部5V参考可被用来扩展类比输入范围至±12.5V。当以1Msps转换时，该元件的功耗为180mW，并具备休眠和省电模式以于较慢转出产量时降低功耗。此外，该产品具备接

Ambiq Micro/原相科技携手开发更低功耗心率监测解决方案

Ambiq Micro和原相科技宣布，两家公司已在合作开发将部署于下一代穿戴式产品中的超低功耗心率监测(HRM)解决方案。双方共同提供的解决方案可实现“Always-on”的感测功能，其连续运作整体功耗低于350微安培，并结合该公司具有浮点单元的先进Apollo ARM M4 MCU及建基于CMOS感测器的PixArt 独特心率监测产品系列。 Ambiq Micro**行销总监Keith Odland表示，Always-on的心率监测一直是备受关注的特性，但是由于功耗大，以往是难以实现的。然而，使用该公司同级较佳的硬体，再搭配较佳化的软体，该公司和原相科技实现了业界较佳的HRM功耗水准。原相科技的心率监测产品感测器采用光电血管容积(PPG)技术，这种技术可将LED光波发射进使用者的皮肤中，并且测量因脉动(Pulsating)动脉血引起的吸收而出现的反应变化。该产品将所撷取到的使用者PPG资料输出，从而让这些测量结果可以用于监测心率和压力等级。　原相科技股份有限公司董事长黄森煌表示，该公司对于健康市场的愿景和承诺，深植于该公司经过验证的HMI中之CMOS光学感测器解决方案。用于穿戴式产品

索尼发布Exmor RS积层型CMOS影像传感器新品IMX318

波音和通用实验室研发出GaN CMOS场效应晶体管

由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体（CMOS）FET技术的**展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。 在此过程中，该实验室已经确定半导体的**晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否则芯片到芯片的寄生电感导致电压不稳定。”HRL**研究工程师、**研究员楚榕明称。楚和他在HRL微电子实验室的同事们克服了这一限制，开发出GaN CMOS技术，可在同一硅片上集成增强型GaN NMOS和PMOS。楚表示，将电源开关及驱动电路集成在同一芯片上，是减少寄生电感的*终方法。目前，氮化镓晶体管被设计成雷达系统、蜂窝基站、计算机笔记本电源适配器的电源转换器。“在短期内，CMOS IC可应用于功率集成电路，能够采用更小的外形尺寸，更低的成本实现更高效的电力管理，并能在恶劣的环境下工作。”楚说。“从长远来看，CM

我国应长期布局新一代存储技术

中科院微电子所研究员 霍宗亮存储器是半导体产业的基石之一。以海量数据存储为主要载体的物联网对存储器提出了低成本、低功耗、高容量、高速度、高可靠性的要求。为了抢占这一领域的技术优势，全球各大公司、高校和研究机构一直在这一领域投入大量的人力和资源，持续开展前沿技术研发。以非挥发性存储器为例，除原先的以电荷存储为主的闪存技术浮栅存储器（FG）和电荷俘获存储器（CTM）外，磁变存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM）和相变存储器（PCM）等存储技术蓬勃发展，形成了存储器发展历史上的“百花齐放”时代。在中国存储器产业急需寻求突破的重要历史阶段，对以上几种技术进行**比较，寻找一种*具有竞争力和发展潜力的非挥发性存储器，紧迫且意义重大。新型存储技术进入“百花齐放”的时代磁变存储器*有潜力的代表是自旋转移力矩磁变存储器（STT MRAM）。既有动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）的高性能，又能兼顾闪存的低功耗优势。存储单元主体为磁性隧道结（MTJ），有上下两层磁性材料（如钴铁合金）和中间的绝缘夹层（如氧化镁）所组成。其中一层为固定磁性层，另一层为自由磁性层。工作原理是由磁场调制上

安森美推出采用SuperPD™ PDAF技术CMOS图像传感器

元器件交易网讯 2月22日消息，推动高能效**的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，进一步扩展成像方案产品阵容，推出*新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术，提供微光下300ms或更少时间的对焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通过采用其片上PDAF处理，大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力，较市场上其它方案简化校准。AR1337图像传感器提供有源像素阵列，按4208x3120像素排列。AR1337建基于公司**的先进的1.1µm像素技术的成功，能提供鲜艳逼真的图像质量，具备同类*佳的信噪比。它的量子效率达到82%，提供**行业的光敏度。该传感器的架构设计用于低噪声以确保干净、清晰的图像。**的传感器架构、先进的像素设计和SuperPD技术的结合，带来在这外形中表现**的1/3.2”传感器，平衡出色性能、小模块高度和成本，用于主流和性能智能手机和消费设备

影像传感器有助家居自动化发展

摄影机结合一些复杂的电脑视觉演算法，很快可成为智慧家居的“大脑”。 本文着眼于在为家居自动化IoT设备选择*合适的CMOS影像感测器时要考虑的一些关键功能。视野范围让我们从视野范围(FOV)开始。视野范围是场景的一部分，可通过特定位置和方向的摄影机看到。视野范围由焦距控制。这是从汇聚点到焦平面的距离，随光波长的变化而变化。例如，蓝光的焦距(450 nm)略短于红光(620 nm)。具有可变焦距的镜头称为变焦镜头。具有固定焦距的镜头称为定焦镜头。在固定焦距中，较短焦距的镜头称为广角镜(14 mm至35 mm，114° 至64°)。较长焦距的镜头被称为长焦距镜头(85mm 至>300mm, 30° 至例如，我们考虑在物联网应用领域占很大比例的家庭安防摄影机。它们通常有广角固定焦距的镜头，具有监控的能力，并能回报关心的区域的状况。如Dropcam Pro支援130° 视野范围，而Canary覆盖147°的视野范围。这种手动操作(DIY)的应用类别，在功能上希望能覆盖足够宽广的范围，并且同时可以捕捉到场景的细微关键差异。安防摄影机通常安装于墙面上，所以比较不可能有人会接近到摄影机(这需要更长的

Sony发表2250万像素CMOS传感器，内建混合自动对焦、3轴稳定器

IMX318的感光元件尺寸为1/2.6寸，提供2250万的有效画素，为首款内建高速的混合自动对焦功能及3轴电子影像稳定技术的行动影像感应器，提升手机拍照或录影时影像清晰与画面的稳定度，市场预期今年就会有采用IMX318的装置问世。 索尼（Sony）于本周二（1/16）发表了全新的 CMOS影像感应器IMX318，这是**智慧型手机使用的摄影机模组，它具备2250万画素，而且是全球首款内建高速混合自动对焦及3轴影像稳定技术的产品，预计于今年5月开始出货。IMX318采用堆积架构，拥有该产业*小的单位画素，感光元件尺寸为1/2.6寸，并带来2250万的有效画素，因而非常适合用于智慧型手机。此外，IMX318也是首款内建高速的混合自动对焦功能，以及3轴电子影像稳定技术的影像感应器，不论是拍摄静态或动态的画面都能有清晰且可靠的表现。由于索尼所生产的CMOS影像感应器被应用在苹果或三星的高阶智慧型手机上，因而使得IMX318的发表备受外界瞩目，意谓着使用者很有机会在这些受欢迎的行动装置上体验新的摄影能力。索尼指出，随着智慧型手机的发展愈来愈轻薄，影像感应器也必须跟上这股潮流，还得在更小的尺寸上展

摩尔定律仍有效，IoE将采用印刷电子技术

2月1日，共有4位嘉宾在“ISSCC 2016”（1月31日～2月4日于美国旧金山举办）上登台发表主题演讲。**位演讲嘉宾是英特尔执行副总裁、技术和制造部门总经理威廉·霍尔特（William M. Holt），题目是“Moore’s Law: A Path Forward”。内容是摩尔定律仍然有效，同时还探讨了支撑该定律的技术CMOS和“Beyond CMOS”。 霍尔特解释称，使用丰富的数据让摩尔定律持续下去是具有经济合理性的。他表示，摩尔定律被证实是从经济性观点提出的IC方案之后，业内人士对于该定律的担忧是今后能否继续发挥经济效益，然后他便以回答这一问题的形式展开了阐述。首先，霍尔特表示，不断膨胀的研发投资带来了更高的成本削减效果，14nm、10nm工艺仍会按照摩尔定律降低每个晶体管的成本。虽然晶圆工艺成本的提高导致单位面积的成本不断上涨，但从每个晶体管的成本来看，摩尔定律对于7nm工艺仍然有效。不过，霍尔特也指出，技术此前一直按照摩尔定律发展进步，*近其方向开始发生变化。此前，伴随着工艺的升级换代，微细化的同时也带来了高速化（低延迟化）和低功耗化，但这种情况需要改变，即便牺牲高速

元宵佳节怎能不拍照？热门拍照强机大推荐

索尼在CMOS传感器中内置AF和防抖功能

索尼2016年2月16日发布了可配备于智能手机、有效像素为2250万的1/2.6英寸小型积层式CMOS图像传感器Exmor RS“IMX318”。把以前通过应用处理器处理的自动对焦（AF）功能和防抖补偿功能内置到了图像传感器内部的信号处理电路中。预定5月份开始量产供货，样品价格为2000日元（不含税）。 索尼利用提高了光利用效率的制造技术和降低了会造成画质劣化的噪声的电路设计技术，开发出了高画质的1.0μm微细像素传感器。与1/2.4英寸的原产品“IMX230”（1.12μm）保持了同等水平的画质，小型图像传感器因光量少，容易出现噪声，很难进行夜间拍摄，而利用新产品在夜晚也能拍出清晰的图像。新产品内置了将像面相位差AF和对比度AF组合到一起的混合AF，以及利用外部输入的3轴陀螺仪传感器信号的电子防抖功能。可实现*快0.03秒（60fps视频时*快为0.017秒）的高速AF和抖动较少的4K（3840×2160像素）视频拍摄。另外，由于采用硬件处理，与通过应用处理器进行软件处理相比，能以低功耗运行。输出接口采用MIPI（Mobile Industry Processor Interface

小米5发表会资料外泄？传采友达面板、Sony制CMOS

中国智慧手机大厂小米(Xiaomi)次代旗舰机种“小米5(Mi5)”预计将在2月24日亮相，而有关小米5的规格早就被传到“全剧透”的局面，不过*新传出有小米5发表会内容的PPT档资料外泄，而该外泄的PPT资料所揭露的小米5规格几乎同于日前流出的内容，不过追加揭露小米5的面板供应商有3家，其中也包含台湾友达(2409)。友达是小米红米手机、小米平板的面板供应商。 日本智慧手机情报网站blog of mobile 18日报导，中国网路上流出疑似小米5发表会PPT档的资料，从该资料可知，小米5将搭载基于Android 6.0.x Marshmallow Version的MIUI；CPU为高通(Qualcomm)Snapdragon 820；主相机采用Sony制1,600万画素CMOS影像感测器、且搭载双LED闪光；前置相机为800万画素；萤幕采用向夏普(Sharp)、LG Dispaly(LGD)、友达采购的5.2寸FHD(1080x1920)面板。另外，小米5 RAM容量有3GB(搭配32GB ROM)和4GB(搭配64GB ROM)两种，且采用USB Type-C、支援Quick Cha

摩尔定律迈入“后CMOS”时代；

1.摩尔定律迈入“后CMOS”时代；2.Alphabet市值超苹果：分析称**地位难保持；3.OPPO陈明永vivo沈炜de“反互联网思维”；4.手机的另类生存:4G智能手机卖至299元；5.Google拟效法苹果，严格掌控Nexus硬件供应链；6.华为：2016年将投入30亿美元从事终端研发 老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow 1.摩尔定律迈入“后CMOS”时代；在英特尔(Intel)负责晶圆厂业务的*高长官表示，摩尔定律(Moore’s Law)有很长的寿命，但如果采用纯粹的CMOS制程技术就可能不是如此。“如果我们能专注于降低每电晶体成本，摩尔定律的经济学是合理的；”英特尔技术与制造事业群(technology and manufacturing group)总经理William Holt，在近日于美国旧金山举行的年度固态电路会议(ISSCC)上对近3,000名与会者表示：“而超越CMOS，我们将看到所有东西的改变，甚至可能是电脑的架构。”Holt婉拒分享他所说的“丰富多样化”后CMOS (post-CMOS)技术，会有哪些

CMOS传感器，3D化发表接二连三

摩尔定律迈入“后CMOS”时代

在英特尔(Intel)负责晶圆厂业务的*高长官表示，摩尔定律(Moore’s Law)有很长的寿命，但如果采用纯粹的CMOS制程技术就可能不是如此。 “如果我们能专注于降低每电晶体成本，摩尔定律的经济学是合理的；”英特尔技术与制造事业群(technology and manufacturing group)总经理William Holt，在近日于美国旧金山举行的年度固态电路会议(ISSCC)上对近3,000名与会者表示：“而超越CMOS，我们将看到所有东西的改变，甚至可能是电脑的架构。” Holt婉拒分享他所说的“丰富多样化”后CMOS (post-CMOS)技术，会有哪些获得晶片制造商采用、或是何时采用；那些新技术包括自旋穿隧场效电晶体(span tunneling FET)、铁电FET、自旋电子、新一代三五族材料…等等。但他声明这些新技术不会出现在英特尔正在制作处理器圆形的10奈米制程。 在一般情况下，工程师们会尽可能延展CMOS技术的寿命；Holt表示，长期来看，晶片制造会是不同技术与传统CMOS的混合：“我们将看到混合的操作模式…(晶圆的)某些部份采用CMOS技术，相同晶圆上的

毫米波技术，刷新纪录的发表层出不穷

日前于美国旧金山举办的“ISSCC 2016”的题为“Wireless Systems”的分会上，汇聚了雷达、毫米波大容量通信等*新无线技术。毫米波拥有60GHz附近等较宽的频带，作为新一代无线通信的候选，其收发技术成了关注的焦点。雷达在高频率下的应用也备受期待，今后将利用可改善其精度的技术，扩大应用领域。 雷达大多采用名为FMCW（调频连续波）的三角波调制，三角波的带宽和线性度会影响雷达的性能。韩国首尔大学与三星电子的半导体部门着眼于三角波上下切换部分发生的线性度劣化，通过改进数字PLL的环路，开发出了频率误差降低到1.9MHz的技术（论文13.1）。这项技术适用于X波段雷达。新加坡南洋理工大学利用65nm CMOS，实现了合成孔径雷达用收发机（论文编号13.2）。将FMCW的带宽扩大到1.48GHz，调制速率可以调节。适用于面向无人设备的Ku波段雷达。毫米波数据通信技术方面，发表了一些刷新纪录的技术。比如，东京工业大学与富士通研究所利用65nm CMOS技术，试制了数据传输速率达到56Gbps的收发器，创造了世界*高纪录（论文13.3）。该收发器使用68GHz和102GHz两个载波

美光发布768GB NAND闪存，“层数保密”

美国美光科技于美国时间2016年2月2日在国际学会“ISSCC 2016”上，就该公司开发的单芯片支持768GB超大容量的三维NAND闪存发表了演讲（Session 7.7）。该公司介绍了将CMOS电路配置在存储单元下面的设计等，但对于很多技术人员都关注的层数，该公司表示“这是秘密”。 美光此次通过60多作者联名的大规模研究论文发布了768GB的3D NAND闪存。芯片尺寸为179.2mm2。单位面积的容量密度高达4.29GBmm2。NAND闪存的方式为浮置栅极（FG）型，是一个单元拥有3bit容量的TLC。东芝和韩国三星电子的三维NAND闪存正由二维时代的FG转向电荷捕获型。美光表示，通过三维化，FG-FG间的电容耦合降到了跟90nm工艺相当的水平，因此“暂时继续使用FG型”（美光日本法人的田中智晴）。新产品的特点之一是多层的一层部分有CMOS电路，并且在存储器层与CMOS电路层之间有Select Gate at the Source Side（SGS）等电极层。田中介绍说“通过采用存储器层悬浮在基板上的结构，可以导入电极层等”。关于层数，由于韩国三星电子开发的同种TLC中256GB

LED光度测试的研究解决方案

关于硬件设计，你应该知道的几个事实！

Q：1、电阻电容的封装形式如何选择，有没有什么原则？比如，同样是 104 的电容有 0603、0805 的封装，同样是 10uF 电容有 3216、0805、3528 等封装形式，选择哪种封装形式比较合适呢？2、有时候两个芯片的引脚（如芯片A 的引脚 1，芯片B 的引脚 2）可以直接相连，有时候引脚之间（如A-1 和 B-2）之间却要加上一片电阻，如 22欧，请问这是为什么？这个电阻有什么作用？电阻阻值如何选择？3、藕合电容如何布置？有什么原则？是不是每个电源引脚布置一片 0.1μF？有时候看到 0.1μF 和 10μF 联合起来使用，为什么？4、所谓 5V TTL 器件、5V CMOS 器件是指什么含义？是不是说该器件电源接上 5V，其引脚输出或输入电平就是 5V TTL 或者 5v CMOS？A：1、电阻电容的封装与元件的规格有关，简而言之，对于电阻，封装与阻值（容值）和功率有关，功率越大，封装尺寸越大;对于电容，封装与容值和耐压有关，容值和耐压越高，封装尺寸越大。经验之谈，0603 封装的电容，容值*大为 225（2.2μF），10μF 的电容，应该没有 0805 的封装，而 3

佳美工瞄准车用CMOS传感器模组

日本佳美工(Nippon Chemi-con)2016年仍持续强化汽车电子零组件事业，不只是针对主力的铝电解电容，同时发展积层陶瓷电容(MLCC)、线圈等产品，其中*特别的是车用CMOS影像传感器模组。 佳美工汽车零组件事业营收在2015会计年度(2015/4~2016/3)占公司总营收的25%，成为*重要的事业之一，且大陆经济局势影响工具机零组件需求，相较之下车用零组件事业的稳定性与长期展望为佳。佳美工在2016会计年度的车用零组件市场重点已有些许改变，过去强调的是汽车或电动车控制系统，重点摆在可以在高电压环境下运作的高电容量产品、铝电解电容，或是工具机等其他事业可以通用的零件。但因自动驾驶技术已是大势所趋，相关的无线网路与传感器零组件后市看好，因此佳美工开始重视先前并不是很重视的车用摄影模组系统，让这类以CMOS感测元件为主的产品，从行车记录器进一步延伸到自动驾驶系统的光学传感器市场。目前佳美工研发中的车用摄影机产品，强调CMOS感测元件与镜头一体化，甚至将信号处理芯片等整合在内，尽可能减少空间，且佳美工生产线可因应少量多样客制化产品，希望吸引车厂选购。佳美工客制化的摄影机模组不只

东芝 LED芯片事业遭多家基金“哄抢”

日经新闻近日报导，东芝(Toshiba)考虑出售系统整合晶片(System LSI)等部分不赚钱的半导体(晶片)事业，之后会将公司资源倾注在NAND型快闪记忆体(Flash Memory)以及核能等发电设备两大事业上。报导指出，东芝此次计划出售的对象为NAND Flash以外的大部分晶片事业，具体来说，包含类比晶片、LSI、微控制器(MCU)以及电源控制晶片等，预估出售对象的年销售额合计约2,000亿日圆、出售金额也预估将达2,000亿日圆。 东芝于2015年10月底宣布退出白光LED市场，当时消息一出，即有数间金融机构表示兴趣。东芝当时的新闻稿中表示，将退出CMOS影像感测器以及白光LED市场。公司的白光LED归属于离散元件事业，计划于2015年度末，亦即2016 年3月底正式退出白光LED市场。业内人士认为，东芝退出市场的动机在于LED竞争白热化，在获利有限的情况下退出，并将资源技术聚焦在获利的事业上。据报导，为出售上述晶片事业，东芝已着手进行竞标手续，而和Seiko Holdings(8050.JP)设有半导体事业合资公司的日本政策投资银行以及多个基金都可能参与竞标，且东芝计划于

东芝为继续获利 组织机构重整

东芝(Toshiba)考虑出售系统整合晶片(System LSI)等部分不赚钱的半导体(晶片)事业，之后会将公司资源倾注在NAND型快闪记忆体(Flash Memory)以及核能等发电设备两大事业上。报导指出，东芝此次计划出售的对象为NAND Flash以外的大部分晶片事业，具体来说，包含类比晶片、LSI、微控制器(MCU)以及电源控制晶片等，预估出售对象的年销售额合计约2,000亿日圆、出售金额也预估将达2,000亿日圆。东芝于2015年10月底宣布退出白光LED市场，当时消息一出，即有数间金融机构表示兴趣。东芝当时的新闻稿中表示，将退出CMOS影像感测器以及白光LED市场。公司的白光LED归属于离散元件事业，计划于2015年度末，亦即2016年3月底正式退出白光LED市场。业内人士认为，东芝退出市场的动机在于LED竞争白热化，在获利有限的情况下退出，并将资源技术聚焦在获利的事业上。据报导，为出售上述晶片事业，东芝已着手进行竞标手续，而和Seiko Holdings(8050.JP)设有半导体事业合资公司的日本政策投资银行以及多个基金都可能参与竞标，且东芝计划于3月底前敲定买主，不过

海康威视iDS-2CD6412FWD/C “非主流”设计成就超主流性能

◆外观设计独特，镜头、机身分离这款iDS-2CD6412FWD/C网络摄像机结构设计新颖、独特，区别与以往摄像机的“镜身合一”，该机支持镜头和机身分离安装，之间以vin视频输入线连接，距离范围为8米，这样的设计使该机可以适应各种环境下的垂直安装，施工、布线简便；镜头和机身外壳均采用全金属材质，坚固牢靠；该机设有一路DC12V接口、一路以太网口、一排凤凰头及音频输出/入各一路，接口简洁实用。◆客流量统计精准，数据存储稳固海康威视iDS-2CD6412FWD/C网络摄像机智能分析功能强大、多样，该机采用逐行扫描CMOS，运动物体捕捉清晰，具备区域入侵侦测、音频异常侦测、虚焦侦测、移动侦测、人脸侦测、动态分析等多种报警功能。客流统计是该机*主要的功能，通过其内置的flash存储客流数据，无需外加SD卡，在默认15分钟的更新频率下，存储可达40年以上。测试员将前端镜头垂直安装进行客流统计测试，该机检测线绘制可以360°旋转，进出口方向可以自由转换，数据统计周期*大可设置60分钟，先进行单人通过检测，通过前数据显示进入284人，当测试员快速通过检测线，数据瞬间跳至285人，离开数据前后不变，检测

2015年度集成电路产业十大新闻

2015年中国集成电路产业可谓大事不断。在全球，集成电路产业已经进入深度调整与转折期，大规模的并购案不断发生，强强联合成为新常态；在中国，《中国制造2025》、“互联网+”行动指导意见以及“国家大数据战略”相继组织实施，为中国产业发展提供了****的机遇；在行业，转型升级步伐不断加快，企业研发**能力正在提升。总之，中国集成电路进入一个**爆发的阶段，有望创造更加美好的未来。在新年伊始之际，中国电子报社盘点“2015年集成电路十大新闻事件”，总结梳理，展望未来。1 大基金发力加速集成电路产业与资本结合国家集成电路产业投资基金（简称大基金）设立后，募集资金超过1300亿元，决策通过十几个投资项目，有效带动了国内资本对集成电路产业的关注与投入。长电科技并购星科金朋、通富微电收购AMD封测厂、对中芯国际的增资扩股等项目都得到了大基金的支持。在大基金的带动下，多个地方政府也设立了地方版的集成电路产业投资基金，包括北京市设立300亿元集成电路产业基金，上海市启动100亿元的上海武岳峰集成电路信息产业创业投资基金，四川省信息**和集成电路产业投资基金的首期规模约为100亿~120亿元等，总体资金量

助力医疗技术领域，盛思锐完善SFM3xxx气体流量计产品线

（2016年1月，中国）近日，****的传感器制造商盛思锐（Sensirion）相继推出了五款不同特性的医用气体流量计，型号分别为SFM3000、SFM3100、SFM3200、SFM3200-AW和SFM3300-AW。这五款高性能的气体流量计进一步完善了盛思锐SFM3xxx系列医用产品线布局，为医疗技术领域中各式气流的测量提供了**解决方案。得益于高精度和高稳健性的特点，盛思锐SFM3xxx系列传感器能适应一系列医疗应用中的气体流量需求，诸如呼吸、麻醉、雾化吸入器和送药测量。同时，精心标校和温度补偿技术让SFM3xxx系列****地发挥效能，帮助其**地测量空气和其它非侵蚀性气体的双向流速。该系列产品在低压损和高反应速度方面的表现也令人印象深刻。其中，SFM3000、SFM3100和SFM3200三款产品是盛思锐SFM3xxx系列的*新成果，在吸气端流量测量方面表现突出。SFM3000是SFM3xxx系列中的一款专为大流量应用而设计的电子气体流量计，其**的性价比，能有效降低医疗成本。SFM3100则是盛思锐推出的一款模拟版产品，可以轻松地集成到现有设备中优化测量。作为SFM3xx

贵州省政府与美国高通公司签署战略合作协议

奇景新推出CMOS影像传感芯片 主打低耗电

奇景光电（纳斯达克代号：HIMX）子公司恒景科技（Himax Imaging, Ltd.）新推出低耗电的QVGA CMOS影像感测晶片HM01B0（以下简称“HM01B0晶片”）并预计在今年**季将开始提供晶片样品给特定的客户及伙伴。 奇景光电执行长吴炳昌表示，我们所生产给笔记型电脑或手机所使用的CMOS影像感测器， 像是1/4英寸的8百万画素产品，一直是业界耗电*低的。基于这样的核心能力，奇景将开发一系列超低耗电但仍保持**影像品质及功能的的影像感测器给电脑视觉的相关应用，包括智慧型手机、平板电脑、虚拟实境与扩增实境的设备、物联网，以及其他有人工智能判断的消费性产品与医疗或工业用产品。奇景的HM01B0晶片，可持续提供情况感知及电脑视觉能力，给包括特征萃取、靠近感知、手势辨识、物体追踪与图像识别等应用。目前已经与业界**的消费电子品牌及主要平台供应商合作导入这种超低耗电的影像感测器。

Acco-Semi：CMOS PA可望开创市场新局

几年前采用互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程的功率放大器(PA)，挟低成本优势大张旗鼓的宣告进入行动应用领域，但却如一阵风吹过市场，产生微小的涟漪后，CMOS功率放大器骤然沉寂。几年时间过去，《电子工程专辑》*近藉由专访Acco-Semi总裁暨执行长Greg Caltabiano发现，CMOS功率放大器有了新进入行动市场的契机。 行动通讯支援频段激增　CMOS PA机会来了！功率放大器能增加讯号的输出功率，可放大行动通讯如2G、3G、4G甚至射频(RF)讯号，在行动通讯装置电路设计中扮演重要角色。现今，主流功率放大器是以砷化镓(GaA)制程为主，不过，随着行动装置对电子元件微小化与低成本的要求日益高涨，也让标准CMOS制程的功率放大器有机入进入2G以外的市场。Acco-Semi总裁暨执行长Greg CaltabianoCaltabiano表示，2G的时代中，每支手机支援的频谱很有限，但是进到3G甚至是4G，所需支援的频段暴增，需要的功率放大器自然会增加，成本相对也会变高。然而智慧型手机或平板装置却不可能因为支援多重频段而将售价大幅提升，也不能因为多增加了几颗功率放大器即占用更多宝贵

华虹宏力：发挥特色工艺 布局物联时代

从发展趋势来看，越来越多的人开始认同，物联网将是下一个巨大应用市场，而且这个市场与过去的手机、PC产品平台存在一个巨大的差别，即它的应用非常分散，一半以上的物联网产品在2020年以前的年出货量会低于1亿片。正因为它的分散性，其所需要的IC产品生产工艺也非常广泛，既需要*先进的芯片生产工艺，也需要成熟工艺、特色工艺。这使得晶圆制造领域特色工艺的重要性日���凸显。上海华虹宏力半导体制造有限公司（简称“华虹宏力”）是全球**的200mm纯晶圆代工厂，拥有三条200mm生产线。发挥特色工艺优势，推进业务成长，成为华虹宏力既定的市场策略。发挥特色技术平台优势“智慧、互联、节能是物联网时代的*大特点，而半导体产品则是实现这些理念的基础，包括微控制器（MCU）、CPU、Memory、SoC、传感器等。”华虹宏力执行副总裁范恒在接受《中国电子报》记者采访时指出。因此，嵌入式存储器工艺技术、功率器件技术、电源管理IC技术、射频技术等均是构成未来物联网世界的主要技术平台。根据范恒的介绍，物联网的宗旨是万物皆可联网，借以构成庞大的应用系统，并打造智慧的生活环境。MCU作为物联网的核心组件之一，无论在市场规模上

用细胞内生物能量驱动的芯片问世

科技日报北京12月8日电（记者陈丹）三磷酸腺苷（ATP）是生物细胞维持生命活动的直接能量来源，美国哥伦比亚大学的研究团队却**用这种生物能量来驱动芯片。他们将一个传统的固态互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路同一个带有ATP供电离子泵的人工脂质双层膜结合在了一起。这项发表在7日《自然通讯》网络版的*新研究为创建同时包含生物和固态组件的全新人工系统打开了大门。团队负责人、哥伦比亚大学工程与应用科学学院电气工程和生物医学工程教授肯·谢泼德指出，CMOS固态电子器件无法复制生命系统所具有的特定自然功能，比如味觉和嗅觉，也无法利用生物化学能源；生命系统则基于脂膜以及离子通道和泵，构建了自己的“生物晶体管”，用离子来运载能量和信息。研究团队为CMOS集成电路装上了一块ATP“生物电池”。有了ATP，这个新系统能够泵送离子穿过膜，从而产生可被集成电路所用的电势。他们制造了一个宏观尺度的系统原型，规模约为几毫米，来验证其是否能正常工作。谢泼德说，研究结果帮助他们确定了在何种条件下可以使ATP的利用效率*大化，接下来他们将考虑怎样才能缩小这个新系统的规模。尽管其他研究小组已经能够采集来自生命系统的

首款生物能量芯片诞生：高中生就懂了

三磷酸腺苷（ATP）是生物细胞维持生命活动的直接能量来源，美国哥伦比亚大学的研究团队却**用这种生物能量来驱动芯片。他们将一个传统的固态互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路同一个带有ATP供电离子泵的人工脂质双层膜结合在了一起。这项发表在7日《自然通讯》网络版的*新研究为创建同时包含生物和固态组件的全新人工系统打开了大门。团队负责人、哥伦比亚大学工程与应用科学学院电气工程和生物医学工程教授肯·谢泼德指出，CMOS固态电子器件无法复制生命系统所具有的特定自然功能，比如味觉和嗅觉，也无法利用生物化学能源；生命系统则基于脂膜以及离子通道和泵，构建了自己的“生物晶体管”，用离子来运载能量和信息。研究团队为CMOS集成电路装上了一块ATP“生物电池”。有了ATP，这个新系统能够泵送离子穿过膜，从而产生可被集成电路所用的电势。他们制造了一个宏观尺度的系统原型，规模约为几毫米，来验证其是否能正常工作。谢泼德说，研究结果帮助他们确定了在何种条件下可以使ATP的利用效率*大化，接下来他们将考虑怎样才能缩小这个新系统的规模。尽管其他研究小组已经能够采集来自生命系统的能量，但谢泼德团队探索的是如何在分子

CMOS工艺功率放大器有望改变移动市场

几年前采用互补式金属氧化物半导体(CMOS)工艺的功率放大器(PA)，挟低成本优势大张旗鼓的宣告进入移动应用领域，但却如一阵风吹过市场，产生微小的涟漪后，CMOS功率放大器骤然沉寂。几年时间过去，记者*近藉由专访Acco-Semi总裁暨**执行官GregCaltabiano发现，CMOS功率放大器有了新进入移动市场的契机。移动通信支持频段激增CMOSPA机会来了！功率放大器能增加信号的输出功率，可放大移动通信如2G、3G、4G甚至射频(RF)信号，在移动通信设备电路设计中扮演重要角色。现今，主流功率放大器是以砷化镓(GaA)工艺为主，不过，随着移动设备对电子组件微小化与低成本的要求日益高涨，也让标准CMOS工艺的功率放大器有机入进入2G以外的市场。Caltabiano表示，2G的时代中，每支手机支持的频谱很有限，但是进到3G甚至是4G，所需支持的频段暴增，需要的功率放大器自然会增加，成本相对也会变高。然而智能型手机或平板设备却不可能因为支持多重频段而将售价大幅提升，也不能因为多增加了几颗功率放大器即占用更多宝贵的印刷电路板(PCB)空间，因此现有的功率放大器面临了成本与组件微缩的挑战。

Cambridge CMOS Sensors推出数字气体传感器CCS811

中国1.5亿像素传感器研发成功

奥地利微电子收购扫描及微型医疗CMOS图像传感器供应商CMOSIS

奥地利微电子（ams AG）与**图像应用领域的先进领域及线性扫描CMOS图像感测器供应商CMOSIS达成协议，以现金形式100%收购其股份。 这项并购扩展奥地利微电子光学感测器产品组合及其在机器视觉、医疗、摄影与科学成像等高价值解决方案领域的市场地位CMOSIS是一家为高要求图像应用需求提供高性能标准、客制化及线性扫描CMOS图像感测器的供应商，总部位于比利时安特卫普。CMOSIS的图像解决方案通过高速晶片上类比数位转换器及数位介面提供低噪音、全域滚动快门、高动态范围及高帧率。CMOSIS的图像感测器应用于广泛的多样化**市场，包括机器视觉、医疗、广播、交通及科学与摄影成像。此外，CMOSIS为内视镜医疗应用提供NanEye微型摄影镜头模组生产线，近期它在非临床重症加护医学的应用获得了德国**大奖。CMOSIS成立于2007年，是一家无晶圆生产线的半导体供应商，其在比利时、德国、葡萄牙、美国均设有公司，目前拥有超过110名员工。拥有高于奥地利微电子集团经营盈利能力的CMOSIS预期将使奥地利微电子2015年全年营收增加约6000万欧元。根据现有资讯，CMOSIS期望在2016年实现同

小芯片 大不凡

翻开数码相机说明书的参数栏，人们总能看到“传感器类型：CMOS”字样，“全画幅CMOS图像感应器”更成为**单反相机的必备配置。那么，这个“CMOS”究竟是什么呢？在第十七届高交会中国科学院专馆，记者看到了CMOS图像传感器的“真身”——长方形或正方形的小芯片。展会现场工作人员向记者介绍，CMOS图像传感器是成像设备中的核心关键部件，相机镜头捕获光子，CMOS图像传感器能将光子转换成电信号，再通过相关设备把电信号显示在屏幕上、储存在相机里。所谓“全画幅”，指的便是图像传感器的大小尺寸与传统35毫米胶卷的尺寸相同，可以实现高精细成像。长期以来，我国的图像传感器市场份额被国外公司牢牢占据，现在我国在图像传感器领域取得重大突破。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所是我国光学精密机械学领域内的**个研究所，由长春光机所创立的长春长光辰芯光电技术有限公司研发出1.5亿像素的GMAX3005超高分辨率图像传感器。该公司技术市场专员付军告诉《经济日报》记者，该图像传感器是目前世界上分辨率*高的，可应用于高分辨率工业监测、高分辨率高速视频监控、航空摄影等领域。图像传感器在医疗、生物等领域也应用广泛。

ams收购**面扫描及微型医疗CMOS图像传感器供应商CMOSIS

并购扩展了艾迈斯半导体光学传感器产品组合及其在机器视觉、医疗、摄影与科学成像等高价值解决方案领域的市场领导地位，公司2015年营收预计达到6000万欧元艾迈斯半导体(ams AG)与**图像应用领域的先进面及线扫描CMOS图像传感器**供应商CMOSIS(新视觉公司)达成协议，以现金形式100%收购其股份。总部位于比利时安特卫普的CMOSIS(新视觉公司)是一家为高要求图像应用需求提供高性能CMOS图像传感器的**供应商，公司提供通用的或定制的面及线扫描图像传感器。CMOSIS(新视觉公司)通过高速片上模拟数字转换器及数字接口提供低噪音、卷帘和全局快门、高动态范围及高帧率的图像解决方案。 CMOSIS(新视觉公司)的图像传感器广泛应用于多样化的**市场，包括机器视觉、医疗、广播、交通及科学与摄影成像。此外，CMOSIS(新视觉公司)为内窥镜医疗应用提供NanEye微型摄像头模块，它近期刚获得非临床重症监护方面的德国**大奖。CMOSIS(新视觉公司)成立于2007年，是一家无晶圆生产线的半导体供应商。其在比利时、德国、葡萄牙、美国均设有公司，目前拥有超过110名雇员。拥有高于艾迈斯半导

安森美半导体扩展PYTHON CMOS图像传感器系列 , 提供更多的高分辨率方案选择

中国市场DRAM消耗量今年可达120亿美元；10纳米竞争2016年开打

Sony推4,240万像素相机　不排除借购并强化CIS事业

Sony于8月推出全球首款内建4K录影功能的数位相机α7R II后，将续推高阶α7R系列产品。该系列产品不采用化学低通滤镜(bandpass filter)，故影像更为锐利。画素自3,640万提高至4,240万，同时加强自动对焦(AF)与防手震功能。日本经济新闻(Nikkei)报导，该相机并有399个相位对焦点、5轴影像稳定系统与4K录影等特色，感光值(ISO)*高可达ISO 102,400，结合了高解析、高感光及高速对焦的机种，实际售价约45.1万日圆(约3,800美元) 。根据Sony社长平井一夫在年初发表的中期经营计划与日前接受日本媒体专访时，再度强调Sony主力事业CMOS影像感测器的技术水准较其他同业高出2~3年，特别是手机相机方面的订单源源不绝，也是因CMOS影像感测器之赐，Sony持续称霸数位相机业界。 Sony的感测器除用于自家相机、其他厂商之外，也用于驾驶、机器人、无人机上，以侦测与四周物体间距离。不过，影像感测器技术非Sony**，随着台积电、豪威科技(OmniVision)加入影像感测器行列，Sony的技术究竟能**多久，仍有待观察。且随着存储器与液晶显示器价格不

MEMS制造成本大幅降低　可望加速物联网发展

法国电子资讯技术实验室CEA-Leti开始生产12吋晶圆用加速计(accelerometer)，为微机电(MEMS)产业首例。据Electronics Weekly网站报导，Leti执行长Marie Semeria表示，其8吋MEMS平台已与12吋晶圆制程相容，可望大砍MEMS生产成本，有益物联网(IoT)应用市场扩大发展，也可回应移动装置对于MEMS日益增加的需求。Leti生产MEMS制程已有30年历史，目前MEMS部门有200名员工。近日Leti推出微机电与纳米机电(M&NEMS)技术，整合加速器、陀螺仪(gyroscope)、磁量计(magnetometer)、压力转换器(pressure transducer)、麦克风等感测器在同一颗芯片上面。为了简化制程，所有的感测装置都属压阻式(piezoresitive)感测，不但强度高且体积小，可打造比其他厂商体积小一半的感测器。一般厂商得将加速器、陀螺仪与磁量计分开置放于��同的矽晶圆，然而Leti可将3个加速器、3个陀螺仪、3个磁量计放在一起。M&NEMS制程有97道步骤，且每一道都已导入12吋晶圆制程。12吋晶圆制程比8吋晶圆制程便

东芝出售影像传感器业务　拟转移1,100名员工至Sony

即将出售CMOS影像传感器(CIS)部门给Sony的东芝(Toshiba)，目前正在就员工转移事宜进行协商。东芝将把位于日本九州大分县厂房1,100名员工转移至Sony，调动比率约是该厂房人力的40%。据日本经济新闻(Nikkei)报导，双方在讨论东芝出售CMOS影像传感器部门给Sony的后期阶段时，已开始讨论到这项员工转移问题。东芝近期试图开始重整业绩不振部门，首先则是从部分半导体部门开始，*后才从家电与其他产品线进行。其社长室町正志(Masashi Muromachi)也曾在2015年10月1日向记者透露可能裁员消息。不过，东芝仍会尽力避免让员工提早退休或减薪，改以集团内部调动或与资产出售一起调动的方式来撙节成本。

温湿度传感器在空气净化器中的应用

国庆手机销售掀小高潮，谁是其中*大赢家？

今年的国庆长假，因为和中秋节临近，所以休假三天就可获得连续12天假期，这让大批爱好出游的人们大呼过瘾。旅行路上，怎能没有一部神器相伴？可以说，国庆长假前夕，手机市场掀起了一轮销售小高潮，热销的对象都是能够更好满足出游用户全方位需求的机型。那么，谁是此轮小高潮中的*大赢家呢？谁又将借此在下半年激烈的手机市场赢得开门红呢？国庆销售旺季，中**手机成为*大赢家谁是国庆长假销售旺季的赢家？当然不是热门的苹果iPhone 6S，因为其在9月25日才开始上市售卖，时间较晚，大部分出游的用户已经情定其他手机了。有数据显示，三星S6 edge+在国庆前夕销售火爆。这其中固然有三星重视十一长假旺季，在全渠道进行了铺货，更重要的还是三星S6 edge+强大的性能满足了出游用户全方位的需求。国庆长假，无论是回乡探亲，还是旅游度假，拥有一部颜值超高的手机必不可少。三星S6 edge+的5.7英寸2K双侧曲面大屏设计，带来惊艳的视觉体验。而且，双曲面屏的设计还带来功能上的新革新，其在侧面集成了两列快捷菜单，一列是5个通讯录，另一列是5个常用程序入口，比如未接来电、短信等。此外，不同联系人还可以设定为不同颜色，例

50 MBd工业光纤接收器，连接距离竟达3千米！

模拟接口器件的**供应商AVAGO推出了50 MBd的820 nm 工业用、集成型光纤接收器AFBR-2419TZ。其在同一硅芯片上集成了光电二极管和数字化芯片，因此具有高电磁干扰 （EMI） 抗扰度和高电压隔离的优势。使用多模玻璃光纤时，其连接距离可达3千米，且与市场上其他10Base-FL应用解决方案相比功耗更低，为电力系统、智能电网和工业自动化应用带来了高性价比的50MBd光纤通信链路方案。AFBR-2419TZ的输出信号类型是CMOS/TTL，通过透镜光学系统就可以获得接收器的稳定耦合。在正常工作温度下，还拥有接收器动态范围广和高灵敏度的特性。其信号传输速率为100kBd至50MBd，能满足变电站自动化、智能电网等应用的速度需求，可用于实现高达 50MBd 和 10Base-FL 的专用光纤传输系统。且无需在网络上连接更多数据控制设备和更高带宽的元器件就能确保可靠度和**性。据世强市场经理李响介绍，世强代理的该光纤接收器还能与HFBR-14xxZ 和 HFBR-1712TZ 光纤发射器配套运作，并兼容行业常见的标准ST和SMA连接器。具有接收信号强度指示（RSSI）功能，根据输

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。SiC与Si性能对比简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为：击穿电压强度高（10倍于Si），更宽的能带隙（3倍于Si），热导率高（3倍于Si），这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。SiC MOSFET性能明显优于Si MOSFET1.极其低的导通电阻RDS（ON），导致了极其优越的正向压降和导通损耗，更能适应高温环境下工作。2.SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的输入特性，即相当低的栅极电荷，导致性能**的切换速率。3. 宽禁带宽度材料，具有相当低的漏电流，更能适应高电压的环境应用。SiC MOSFET与Si MOSFET在设备中应用对比世强市场经理

AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管

ams晶圆代工事业部今日宣布进一步扩展其行业**的0.35µm高压CMOS专业制程平台。基于该高压制程平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效节省空间并提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶体管器件针对20V至100V范围内的各种漏源电压进行了优化，显著降低了导通电阻，因此可节省器件空间。在电源管理应用中，用优化的30V NMOS晶体管代替固定的50V晶体管可节省近一半的空间;与标准的120V NMOS晶体管相比，优化的60V NMOS器件可节省22%的空间。开发大型驱动器及开关IC等复杂高压模拟/混合信号应用的晶圆代工客户能立即在单晶圆中包含更多裸片。这些可节省空间的器件适用于一系列应用，如可用于汽车、医疗和工业领域的MEMS驱动器、马达驱动器、开关、电源管理IC等。艾迈斯半导体晶圆代工事业部也因此成为全球**为晶圆代工客户提供电压可拓展晶体管的公司。艾迈斯半导体的解决方案完全符合汽车(ISO/TS 16949)和医疗(ISO 13485)行业的各项规范认证，可为客户提供高质量的产品和服务，满足客户的各种严格要求。艾迈斯半导体