美光发布768GB NAND闪存，“层数保密”-电子网

美国美光科技于美国时间2016年2月2日在国际学会“ISSCC 2016”上，就该公司开发的单芯片支持768GB超大容量的三维NAND闪存发表了演讲（Session 7.7）。该公司介绍了将CMOS电路配置在存储单元下面的设计等，但对于很多技术人员都关注的层数，该公司表示“这是秘密”。

美光此次通过60多作者联名的大规模研究论文发布了768GB的3D NAND闪存。芯片尺寸为179.2mm2。单位面积的容量密度高达4.29GBmm2。NAND闪存的方式为浮置栅极（FG）型，是一个单元拥有3bit容量的TLC。东芝和韩国三星电子的三维NAND闪存正由二维时代的FG转向电荷捕获型。美光表示，通过三维化，FG-FG间的电容耦合降到了跟90nm工艺相当的水平，因此“暂时继续使用FG型”（美光日本法人的田中智晴）。

新产品的特点之一是多层的一层部分有CMOS电路，并且在存储器层与CMOS电路层之间有Select Gate at the Source Side（SGS）等电极层。田中介绍说“通过采用存储器层悬浮在基板上的结构，可以导入电极层等”。