据悉，派更半导体公司于 2017 年 3 月对其高管团队进行了重大调整，公司任命 Stefan Wolff 担任新的派更半导体**执行官，而前**执行官 Jim Cable 转任派更半导体公司主席兼**技术官，并担任派更半导体母公司村田制作所的全球研发总监。此外，任命 Dylan Kelly 担任公司新的**运营官。派更表示，这一系列大胆举措的目的均旨在增强派更的半导体业务能力。
此次在2017上海EDI CON展会期间，派更特地召开发布会，向大家展示其*新的大功率、高频、高可配置性UltraCMOS射频解决方案和公司目前的发展概况。
突破了 SOI **率处理的屏障：100 瓦 RF SOI 功率限幅器
在发布会上，派更推出的**款新品是单片100瓦功率限幅器 UltraCMOS PE45361。据派更HPA RF 市场产品经理 Jamws Lee 介绍，PE45361 建立在备受好评的50瓦 UltraCMOS 功率限幅器取得极大成功的基础之上，并添加了更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。此外，PE45361 能够为测试与测量设备及无线基础架构收发器中的敏感低噪声接收机提供可靠且可重复的功率保护。
Jamws Lee 表示，UltraCMOS 功率限幅器重新定义了功率保护的概念，并提供了一种取代砷化镓（GaAs）分立 PIN 结二极管功率限幅器的单片式方案，可保护设备不会受到过高 RF 功率、故意干扰及ESD 事件的损害。
与目前主流的 PIN 结二极管功率限幅器相比，Jamws Lee 认为 UltraCMOS 功率限幅器主要有三个方面的优势。首先， UltraCMOS 功率限幅器的响应时间和恢复时间方面加快了10倍，线性度（IIP3 ）改善了10~40 dB，静电放电（ESD）保护能力提高了20倍；其次，UltraCMOS功率限幅器占用的电路板空间通常也小于PIN结二极管功率限幅器；*后，UltraCMOS功率限幅器可通过低电流压控管脚（VCTRL）调节限幅阈值，无需配置隔直电容、射频扼流电感器及偏置电阻器等外接元件。
突破了SOI中的高频屏障：60 GHz 开关
去年 10 月初，派更在欧洲微波与射频通讯技术专业展览会（European Microwave Week）上宣布将推出 60 GHz 开关样品和评估工具，而现在，派更宣布可立即量产供应 UltraCMOS 60 GHz RF SOI 开关。据悉，派得的 60 GHz 开关是业内** 60 GHz SOI开关，突破了SOI中的高频屏障，主要成员分别是 PE42525 和 PE426525。
Jamws Lee 表示，PE42525 和 PE426525 在所有关键射频参数上均表现出杰出的性能，*高开关速度仅8纳秒。这两款产品凭借高速开关、高隔离度、低插入损耗及出色的线性度等特性，将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓（GaAs）技术主导的频段。
同时，据 Jamws Lee 介绍，PE42525 与 PE426525 均为单刀双掷（SPDT）射频开关，可支持9 kHz-60 GHz的宽广频率区间。这两款高频开关在多个市场被广泛应用，包括5G、测试与测量和防务市场等。PE42525 是 5G 系统中测试与测量（T&M）设备、微波回传解决方案及更高频率开关的理想选择；而PE426525 的扩展温度范围达到-55~+125摄氏度，成为工业市场中严苛环境应用的**。
专为新一代测试与测量设备打造：UltraCMOS SP6T、SP8T 和 SP12T 开关
此次发布会，派得也推出了全新的 SP6T、SP8T 和 SP12T 开关，分别是 PE42562、PE42582和PE42512。经过优化，派得的 PE425X2 系列开关产品旨在满足下一代测试和测量仪器的需求，宽频范围可达9kHz-8GHz，并配有一个用于**杂散的外部Vss引脚。
Jamws Lee 表示，派得全新的高掷数射频开关具有低插入损耗、高隔离度、**线性度，及快速开关时间与安定时间等特征，且拥有业内**的高掷数配置性能规格与灵活性。测试与测量工程师们可借助这些高掷数开关，使自己的设计兼具高性能、可靠性与灵活性。此外，他们也是滤波器组切换及信号发射/接收（T/R）路径切换等测试与测量应用程序的理想选择。
同时，派得也与大家一起分享了详细介绍这三款全新开关的视频：
派得半导体被村田制作所收购也已有两年多的时间，Jamws Lee 表示，村田一直将派得作为半导体领域的重要战略资源，派得的持续增长不增强了村田的竞争优势，也提升了村田的半导体能力。未来，派得将集中于无线通信、物联网、汽车电子这三大领域，并将不断丰富自己的产品线，同时也会与村田联合开发更多的产品。
公安机关备案号：
