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1.硅谷创业公司希望用新技术帮助中国突破DRAM；

众所周知，中国是智能电子设备的制造大国和消费大国。在美国、欧洲、非洲各地都能看到有中国特色的手机和电脑卖的红红火火；每年在拉斯维加斯举办的全球消费电子展CES上也都挤满了各个领域的中国厂商。然而，手机、电脑产的多卖的好并不代表中国在基础的半导体行业上就赶上了**国家，而恰恰我们的大部分产品都还在用别人家的芯片和存储器。

而近几年，中国政府对于半导体行业的支持力度相当大。国务院曾在2014年6月颁发了《国家集成电路产业发展推进纲要》，要实现集成电路行业销售收入从2015年3500亿人民币以每年20%的增速达到2020年约8700亿人民币的目标。

那么，纵观全球总产值3500亿美元的半导体市场，哪一领域可能是中国快速提升的突破口呢？

记者采访了位于圣何塞的半导体技术公司Kilopass的CEO Charlie Cheng，通过他对业界的认知以及其公司的新技术来探讨一种中国半导体企业发展的可能性。

（Charlie Cheng）

DRAM市场有多重要

采访过程中Charlie首先谈到，3500亿美元的半导体市场中储存类产品占据将近1000亿美元的份额，而其中DRAM（动态随机存取存储器）更是占据约500亿美元的份额。如此大的市场，对于中国企业来说无疑有着巨大的开拓潜力。

然而，目前DRAM超过90%的市场份额被三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家海外大企业霸占。更重要的是传统DRAM的*关键技术是电容存储单元，它不仅在制造上面临挑战，更重要的是被大量**保护。为了进入DRAM市场，后发的中国厂商必须利用**的替代方案，以推动竞争升级，争取实现差异化。

Kilopass的VLT技术将改变DRAM产业格局

2016年10月，Kilopass正式推出垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor， VLT）技术。该技术对于DRAM产业可谓是颠覆性的。

（拥有**的VLT存储器技术）

DRAM技术自2010年以来就放缓了前进的步伐，原因是当前基于1个晶体管+1个电容器（1T1C）的存储单元结构不是一个合理的解决方案。摩尔定律不适用于电容！

而通过VLT技术，DRAM制造成本将比目前**的20纳米DRAM工艺降低45%。由于采用了垂直方式实现晶闸管架构，VLT使得存储单元变得更加紧凑。另外，VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM的待机功耗可以降低10倍。*为关键的是，VLT无需任何电容，避开了传统DRAM制造中*大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的**冲突。

无需电容，更低成本，更低功耗，不受**限制，VLT给DRAM产业带来的革新将是意义非凡的，这也或许是中国存储厂商弯道超车的一个**机会。

中国厂商与Kilopass是很好的双向选择

Charlie提到，半导体行业现在有这么一个趋势，就是：大公司合并小公司，越做越大，没有合并下来的就被淘汰。所以，对于DRAM市场的突破，有种说法是可以去合并市场**中相对较弱的Micron。然而，这样的事情恐怕美国政府是不会答应的。

因此，选择Kilopass的新技术应该是中国厂商的不二选择。Charlie表示，运用VLT技术，被授权商将能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品。而目前，VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成，一块完整的内存测试芯片已于去年5月份成功流片，早期芯片测试也正在进行当中。

在突破性技术得到验证后，Kilopass开始着眼于市场战略。Charlie认为，整个产业如果只有三家左右的巨头公司的话，价格将会比较良性。这样，能让市场有够选择同时又不会让市场价格都打坏了。

（VLT技术为DRAM业务开启新路径）

基于这点，Kilopass将会把其VLT技术选择性地授权给部分厂商，这其中将包括中国的半导体企业。他们希望帮助中国企业能在DRAM市场与三星这样的龙头抗衡，同时有中国政府和企业的支持也能帮助Kilopass自己做到**的保护。

具体操作上，Kilopass在授权之后，将会帮助中国客户把技术做完，达到生产标准，因而中国IC人才的相对缺乏将不会有太大阻碍，这一点就像ARM在把CPU技术授权给中国客户的时候客户并不需要自有CPU设计人才一样。

VLT技术进入市场的策略

对于不同应用的DRAM市场发展趋势，Charlie也给记者做了一些分析。根据数据显示，由于PC市场的萎缩，手机市场的饱和并逐渐衰退，同时云计算大量被普及的背景，DRAM的应用领域中服务器应用将会有更快速的增长。因而，利用VLT技术首先进入服务器市场或许是DRAM制造商的一个好策略，华为、联想等大公司的数据中心都需要大量的DRAM。

（数据中心，图片来自stratacore）

而事实上，VLT技术也恰恰非常适合服务器市场。云计算的基础是大型的数据中心，大量的电子设备在这里发热，而且地方偏远导致电能传输损耗。这些原因使得耗电量成为了考量产品是否适合进入数据中心的*关键指标。运用VLT技术的DRAM耗电量将是现有产品的1/10，因而是很好的替代方案。

可以说，中国如果要大力发展云计算产业，扶持DRAM的企业也非常重要。硅谷密探

2.上海谱瑞5大产线出货均优于去年；

受惠于苹果新一代iPad及Macbook拉货旺季到，加上英特尔Kaby Lake及超微Ryzen新平台出货，带动谱瑞-KY（4966）eDP T-Con晶片出货放量，继去年第四季合并营收24.46亿元创下历史新高，**季可望续**猷。

同时，谱瑞-KY今年在eDP T-Con、高速传输介面IC、SIPI驱动IC、触控IC、整合触控功能面板驱动IC（TDDI）等5大产品线出货均优于去年，法人看好谱瑞-KY今年全年营收将突破100亿元，并可望赚逾2个股本。

　苹果去年第四季扩大采购eDP T-Con晶片，加上与日本面板厂JDI搭配的触控IC出货放量，推升谱瑞-KY去年第四季合并营收冲上24.46亿元，季增17.1％并创历史新高，较前年同期成长10.8％。谱瑞-KY去年全年合并营收亦达91.00亿元，年增率26.4％并创历史新高。法人看好谱瑞-KY去年第四季每股净利将赚逾5元，去年全年每股净利将逾18元。

　今年**季除了苹果持续扩大下单外，英特尔Kaby Lake、超微Ryzen等新平台推出，因新平台支援高速eDP介面，不仅带动谱瑞-KY的eDP T-Con晶片出货续强，包括讯号中继器（repeater IC）、去除讯号抖动晶片（Jitter Cleaning IC）、Type-C转换器（switch IC）等高速传输介面IC出货，法人看好谱瑞-KY**季营收有机会续**高。

　谱瑞-KY今年营运看旺，除了eDP T-Con及高速传输介面IC持续受惠于搭载FullHD面板笔电及平板的渗透率拉升而出货转强，并同步带动SIPI驱动IC出货成长外，并购自赛普拉斯（Cypress）的触控IC出货量，也因为与JDI的Hybrid In-Cell手机面板搭配出货而维持**。另外，谱瑞-KY针对低温多晶矽（LTPS）高画质面板打造的TDDI晶片，去年第四季已对客户送样，今年下半年可望开始挹注营收。

业界十分关注谱瑞-KY的OLED面板T-Con晶片及驱动IC能否打进苹果供应链。据了解，由于三星OLED面板产能受限，今年要顺利达成出货目标的机率不高，但因谱瑞-KY与苹果等系统厂的合作关系密切，若下半年顺利完成认证及出货，将可为今、明两年带来明显的新成长动能。

法人表示，在未计算OLED面板相关方案情况下，谱瑞-KY今年5大产品线出货优于去年，全年营收应可顺利突破100亿元大关。谱瑞-KY的策略上是维持毛利率，不介入杀价激烈的红海市场，法人也普遍预估今年有机会赚逾2个股本。(新闻来源：工商时报─涂志豪／台北报导)

3.北京大学:碳纳米管电子产品有望2022年取代硅基CMOS

在科学界，让碳纳米管代替现有硅基晶体管的呼声越来越高，碳纳米管晶体管的主要技术挑战过去几年已被陆续得到解决。近日，来自北京大学的一项研究表明相同尺寸的两种晶体管相比，碳纳米管材料更省电高效。

目前硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管已经很难再继续缩小下去，碳纳米管是替代硅的候选纳米材料之一。北京大学的科学家开发出栅长5纳米的碳纳米管场效应晶体管，声称其性能超过相同尺寸的硅晶体管。碳纳米管晶体管的栅电容更小，即使硅基设备缩小到碳纳米管设备相同尺寸，后者的开关速度仍然更快。10纳米碳纳米管CMOS栅电容导致的延迟大约为70飞秒，仅为Intel 14纳米硅基CMOS的三分之一。

北大的研究报告发表在近日出版的《科学》期刊上。研究人员称，碳纳米管晶体管比硅基晶体管操作速度更快，工作电压更低。论文通讯作者Lian-Mao Peng预测，碳纳米管电子产品有望在2022年取代硅基CMOS。 IT之家