安森美半导体(ON Semiconductor)宣布与Hexius半导体合作，在ONC18 0.18μm CMOS制程中使用Hexius半导体的类比智慧财产权(IP)。这使安森美半导体能为客户提供更好的服务，提供验证过的类比IP，可*终减少设计周期和产品面市时间。
由该合作产生的八个初始设计包括各种不同的类比-数位转换器、数位-类比转换器、参考电压和参考电流。视乎需要，这些设计可按规定订制，以满足特定的应用需求。进一步的资料转换器和锁相回路(PLL)设计目前正在开发中，将于今年稍晚推出。
安森美半导体的ONC18制程奠基于一个0.18微米(μm)的CMOS结构，由于其高电压能力，特别适用于汽车、工业、**和医疗等应用。客户获得权限使用支援该工艺的宽广阵容的合格IP，将受益于已为其特定要求而高度优化的特殊应用积体电路(ASIC)实施，且不需分配过多本身的工程资源在设计项目上。因此，可实现更快的设计周期、降低重新设计的风险和减少相关成本。
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