Bulk Si技术近极限,功率半导体大厂加速投入GaN、SiC开发

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DIGITIMES Research观察,传统以块体矽(Bulk Si)材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现,业界逐渐改以新材料寻求突破,其中氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)材料技术*受瞩目,氮化镓具有 更高的切换频率,碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压,而原有的矽材仍有成本优势,预计未来功率半导体市场将三分天下。

更高的耐受温度、电压,或更高的切换频率、运作频率,分别适用在不同的应用,对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压,对于新一代的行动通讯基地台,或资料中心机房设备而言,则需要更高的切换频率。

氮化镓、碳化矽技术表现虽佳,但现阶段发展上有其挑战,包含过高的成本、技术表现可靠度不足、可供货业者有限,以及缺乏配套的封装整合技术等,不过业界正逐一寻求突破。

业界为了加速发展新材料功率半导体已进行多项商业布局,包含投资新创业者、发动购并、事业体分拆、技术合作等。期许让功率半导体获得新应用话题、新成长动能。

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