飞兆半导体于2016年3月15日发布了+1200V耐压的SiC（碳化硅）肖特基二极管“FFSH40120ADN”。主要用于同时要求高电力密度和高转换效率的新一代光伏逆变器、工业用马达控制设备及焊接机等。
新产品有三大特点。**，开关特性优异。该公司介绍称，“可实现极高速的开关动作，而且不会出现反向恢复电流。因此，与使用硅制二极管时相比，可大大削减开关损失，能够大幅改善转换效率”。另外，由于可以提高开关频率，所以还能削减外置无源元件的尺寸。能够降低元件（BOM）成本。**，可靠性高。第三，电磁辐射噪声（EMI）低。
单脉冲的雪崩耐量（EAS）高达200mJ。正向电流的*大值在连续时为40A。正向电压为+1.75V（20A，+25℃时的*大值）。逆电流为200μA（1200V，+25℃时的*大值）。电容电荷（QC）为120nC（标称值）。全电容为88pF（800V时的标称值）。封装采用3端子TO-247。工作结温范围比较大，为-55～+175℃。价格未公布。
新产品预定在2016年3月20日～24日于美国加利福尼亚州长滩举行的电源技术国际会议暨展会“APEC（The Applied Power Electronics Conference and Exposition 2016）”上展出。（特约撰稿人：山下胜己）
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