几款不错的场效应管功放电路图

几款不错的场效应管功放电路图场效应管多管并联输出，500W。场管跟普功率*大不同就是场管是用电压驱动，在驱动级上有些不一样，没弄过场管功放，音质怎要看你设计和工艺！IRFB33N15D是一颗非常好的MOS管，其导通内阻低达56mΩ，*大电流为33A，耐压却有150V，常用于DC/DC的变换器中，当然，在数字功放中，也经常应用。其也有不足的地方，其输入电容为2020pF，和常见的MOS管一样，在驱动它时，就要采用特殊电路来驱动，如同你的电路中的R29和D3并联电路，也是业界惯用手法，其作用是：当没有R29时，Q7的栅极直接接前面的IC引脚，其内部都是图腾柱电路，由于是容性负载，都会有振荡产生，从而使驱动波形出现振铃现象，产生的后时是，MOS管开启不够，内阻大，效率低。 串入R29可以消除这种振荡，其和后续的MOS管输入电容（Ciss）的时间常数要远小于MOS管的开启时间13ns，而4.7Ω的2020pF的时间常数为9.5nS，满足要求。IRFB33N15D用标准电路（相当于R29为3.6Ω）驱动时，其恢复时间长达130nS，这也是MOS管的通病，为了加快关断（争取这9.5nS的时间），在

飞兆半导体推出1200V耐压的SiC肖特基二极管

飞兆半导体于2016年3月15日发布了+1200V耐压的SiC（碳化硅）肖特基二极管“FFSH40120ADN”。主要用于同时要求高电力密度和高转换效率的新一代光伏逆变器、工业用马达控制设备及焊接机等。 新产品有三大特点。**，开关特性优异。该公司介绍称，“可实现极高速的开关动作，而且不会出现反向恢复电流。因此，与使用硅制二极管时相比，可大大削减开关损失，能够大幅改善转换效率”。另外，由于可以提高开关频率，所以还能削减外置无源元件的尺寸。能够降低元件（BOM）成本。**，可靠性高。第三，电磁辐射噪声（EMI）低。单脉冲的雪崩耐量（EAS）高达200mJ。正向电流的*大值在连续时为40A。正向电压为+1.75V（20A，+25℃时的*大值）。逆电流为200μA（1200V，+25℃时的*大值）。电容电荷（QC）为120nC（标称值）。全电容为88pF（800V时的标称值）。封装采用3端子TO-247。工作结温范围比较大，为-55～+175℃。价格未公布。新产品预定在2016年3月20日～24日于美国加利福尼亚州长滩举行的电源技术国际会议暨展会“APEC（The Applied Power

Littelfuse将展示“保护，控制，传感”市场应用解决方案

原标题：Littelfuse将在2016年PCIM Europe展会上展示“保护，控制，传感”市场应用解决方案 中国，北京，2016年5月12日讯 - Littelfuse公司作为全球电路保护领域的**企业，将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域*新发展的****盛会之一。 本次展会上，公司将在7-140展台（7厅）展示两个全新的电源半导体系列：碳化硅（SiC）肖特基二极管和硅IGBT技术。“今年，能够展示电源半导体策略，Littelfuse深感振奋。 我们将继续投资和发展产品组合，为市场带来出色的功能。”Littelfuse**副总裁、半导体产品总经理兼**技术官Ian Highly表示。 “Littelfuse能够将电力电子系统的典型要素——保护、控制、传感，集成到一个系统中。 没有其他任何技术供应商能够以同等的水平协调并集成电力系统的关键要素。”他补充道。展台演示展台内将使用5kW降压转换器（如结构图中所示，额定输入电压为675V，额定输出电压为350V）， 演示Monolith SiC MOSFET技术的功

碳化硅电力电子器件的发展现状分析

1 SiC二极管实现产业化SiC电力电子器件中，SiC二极管*先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管（SBD）和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。SiC肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件，它的工作过程中没有电荷储存，因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成，其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是，和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少，因此提高电路的开关频率。另外，它几乎没有正向恢复电压，因而能够立即导通，不存在双极型器件的开通延时现象。在常温下，其正态导通压降和Si超快恢复器件基本相同，但是由于SiC 肖特基二极管的导通电阻具有正温度系数，这将有利于将多个SiC肖特基二极管并联。在二极管单芯片面积和电流受限的情况下，这可以大幅度提高SiC肖特基二极管的容量，使它在较大容

三类高速峰值检波器电路解析—电路精选（40）

Power Integrations推出的新款Qspeed 150 V二极管

Power Integrations推出新的Qspeed™ 150 V二极管产品系列。作为世界上*快的硅二极管，Qspeed LQA150系列器件还具备实现低EMI的出色软度。新款二极管基于该公司的Qspeed合并PIN技术设计而成，具有市场上*低的结电容(CJ)和*低的反向恢复电荷(QRR) – 分别比肖特基二极管低60%和40%。这种独特的特性平衡组合能够实现高频率工作，因而可以使用尺寸更小、成本更低的磁芯元件，同时保持*高效率。新器件具有出色的EMI性能，意味着还可以减少甚至省去对缓冲电容的需要，这有助于进一步提高效率和降低成本。Power Integrations产品营销总监Klaus Pietrczak表示：“我们的测试表明，这些器件是市场上速度*快且开关损耗*低的开关硅二极管。相较于*好的沟道型肖特基二极管，其性能至少高出两倍，它们特别适合高开关频率应用。”这些新型150 V二极管均采用共阴极配置，规格从10 A到40 A不等，非常适合DC/DC转换器以及硬开关或软开关的输出整流管。LQA150二极管现在可随时提供DPAK、D2PAK和TO-220封装，以10000个的订货

MOSFET选择策略详解

在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT则不一定。MOSFET是多数载流子器件，因而是高频应用的理想选择。将直流电转换为交流电的逆变器，可以在超声频率下工作以避免音频噪声。相比IGBT，MOSFET还具有高抗雪崩能力。在选择MOSFET时，工作频率是一个重要因素。相比同等MOSFET，IGBT具有较低的箝位能力。在IGBT和MOSFET之间选择时，必须考虑逆变器输入的直流总线电压、功率定额、功率拓扑和工作频率。IGBT通常用于200V及以上的应用，而MOSFET可以用于从20V到1000V的应用。虽然飞兆半导体公司拥有300V的IGBT，但MOSFET的开关频率却比IGBT高出许多。较新型的MOSFET具有更低的传导损耗和开关损耗，在直到600V的中等电压应用中正在取代IGBT.设计替代性能源电力系统、UPS、开关电源(SMPS)和其他工业系统的工程师正不断设法改进这些系统的轻载和满载效率、功率密度

2014年度中国半导体行业编辑选择奖

LTE芯片*佳表现奖Marvell ARMADA PXA1920Marvell ARMADA PXA1920是行业**的多模多频LTE单芯片系统芯片平台，也是全球首款适用于千元4G智能手机的解决方案平台，可**满足消费者对高性能、低功耗移动计算，以及对全球性连接的爆发式需求。PXA1920采用了具备**图形处理器和视频处理功能的高性能四核应用处理器，并集成了Marvell公司成熟且业经验证的多模调制解调器技术，支持TD-LTE、LTE FDD、HSPA+、TD-HSPA+和GSM/EDGE标准。*近，PXA1920平台已在美国经过认证，将继续推动高质量、高性能、价格经济的智能手机和平板电脑解决方案在全球大众市场的采用率。IC领域**工程设计企业世源科技工程有限公司5月9日，三星电子位于西安的12英寸3D NAND闪存芯片项目正式投产。作为本土设计单位，世源科技工程有限公司参与了该项目立项、工程设计、项目验收的全过程。西安12英寸闪存芯片项目是三星电子继韩国华城工厂Line 16之后在全球范围内**座用于生产3D NAND闪存芯片的生产线。相对于生产通用逻辑电路的芯片代工厂，闪存芯片生产

采用 3mm x 5mm QFN 封装的双通道、低噪声偏置发生器

怎样才能做出一块好的PCB板？

大家都知道做PCB板就是把设计好的原理图变成一块实实在在的PCB电路板，请别小看这一过程，有很多原理上行得通的东西在工程中却难以实现，或是别人能实现的东西另一些人却实现不了，因此说做一块PCB板不难，但要做好一块PCB板却不是一件容易的事情微电子领域的两大难点在于高频信号和微弱信号的处理，在这方面PCB制作水平就显得尤其重要，同样的原理设计，同样的元器件，不同的人制作出来的PCB就具有不同的结果，那么如何才能做出一块好的PCB 板呢？ 根据我们以往的经验，想就以下几方面谈谈自己的看法：一、要明确设计目标接受到一个设计任务，首先要明确其设计目标，是普通的PCB板高频PCB板小信号处理PCB板还是既有高频率又有小信号处理的PCB板如果是普通的PCB 板，只要做到布局布线合理整齐，机械尺寸准确无误即可，如有中负载线和长线，就要采用一定的手段进行处理，减轻负载，长线要加强驱动，重点是防止长线反射当板上有超过40MHz的信号线时就要对这些信号线进行特殊的考虑比如线间串扰等问题如果频率更高一些对布线的长度就有更严格的限制。根据分布参数的网络理论高速电路与其连线间的相互作用是决定性因素在系统设计时不