对于电源设计人员而言，*重要的电源指标是单位体积功率(W/mm3)。为了尽量提高功率密度，许多设计人员为其调变设计方案选择更快的开关频率。电源系统使用高功率半导体开关，例如基于矽晶的MOSFET和基于新型氮化镓(GaN)和碳化矽(SiC)的MOSFET，需要高电流隔离的驱动器以控制开关。快速开关提升了系统效率，但也产生了更高的瞬态杂讯，可能引起讯号丢失或者由于闭锁(latch-up)而产生的**性损害。Si827x闸极驱动器对高速开关引起的瞬态杂讯提供了优异的抗杂讯能力，可有效保护电源系统。
Si827x闸极驱动器提供领导业界的抗杂讯性能(200kV/μs)和闭锁抑制能力(400kV/μs)，这是目前其他闸极驱动器抗杂讯性能等级的两倍。藉由其业界**的高性能抗杂讯能力，Si827x系列产品消除了由于采用更快开关速率而带来的风险、防止了调变丢失和闭锁，而这些是*主要的**问题。Si827x系列产品极高的闭锁规格使得该闸极驱动器相当可靠，可有效预防**性闭锁损害。
Si827x系列产品为电源转换器应用提供了单或双隔离闸极驱动器，可透过两个独立输入控制或一个输入控制。该闸极驱动器可采用2.5-5.5V的宽广VDD电压范围供电，*大驱动30V电源电压。更低的2.5V VDDI电压使得开发人员能够采用低电压电源来进行系统设计，进而减少能量消耗、增加系统效率，并且相容低电压供电的微控制器(MCU)，例如Silicon Labs的EFM32 Gecko MCU。
Si827x闸极驱动器具备一个EN(高电位启动)接脚而非典型的DIS(低电位启动)接脚，同时还具备欠压锁定(UVLO)故障保护、用于过滤杂讯输入的消除突波功能、高精准的可程式控制死区时间(DT接脚)。使用DT特性让开发人员能够在两个开关驱动器之间**的控制“死区时间”，进一步*佳化电源系统效率和**性。
藉由Silicon Labs**的电容耦合隔离技术，Si827x闸极驱动器能够提供极低的电磁干扰(EMI)辐射、较长的使用寿命、快速精准的时序规格，以及-40℃至+125℃的宽广温度范围。
Si827x隔离闸极驱动器系列产品特性
·*高的抗杂讯性能(200kV/μs)和闭锁抑制能力(400kV/μs)，支援超快速开关
·可操作在低至2.5V VDD电源电压下的闸极驱动器，减少功耗
·**的时序规格(典型值30ns延迟)，与其他的闸极驱动器相比，传播延迟短10倍、偏斜(skew)低20倍
·使用EN接脚代替DIS接脚，确保**预设状态
·精准时序(包括死区时间控制)*大化系统效率和**
·在长使用寿命中稳定运行的耐用可靠解决方案，此处的使用寿命长达60年，或是比光耦解决方案使用寿命长10倍
Si827x隔离闸极驱动器现已量产，并可提供样品，采用窄体SOIC和精小的5mm×5mm LGA封装。为简化应用开发，Silicon Labs并提供支援Si827x系列产品的Si8273ISO-KIT、Si8274ISO-KIT和Si8275ISO-KIT评估套件。
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