快捷半导体宣布推出新款中电压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)，采用 Dual Cool 8mm×8mm封装。尺寸较小的新产品针对体积大的D2-PAK封装提供较佳的替代品，且功率密度提高，并透过封装上下方的气流实现更佳的冷却效果。
Fairchild产品行销总监Mike Speed表示，新款MOSFET提供较佳的效能、功率密度和效率，其封装尺寸为D2-PAK装置的一半，可确保制造商开发更高效的产品，同时降低成本和提高可靠性。
制造商可透过新款MOSFET提高直流(DC)马达的效率，同时降低成本，同时具有较小尺寸、外形更薄、重量减轻93%，适用于重量敏感型应用，如无人机和航空模型等。该产品封装的切换速度加快、EMI减少、功率密度提高、寄生损失降低；并使用源极夹片而非焊线，可降低寄生损失，确保大脉冲电流的源极电感比D2-PAK装置降低63%。
此外，由于湿气在储存过程中常常导致元件分层剥落(Delamination)，新推出的MOSFET耐湿性高，因此也更易储存、装运和搬运；并拥有较佳的MSL(湿度敏感)，无需使用D2-PAK装置的保护封装即可防潮。
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