意法半导体于2015年10月20日发布了采用超结（Super-Junction，简称SJ）构造的+1500V耐压的功率MOSFET“MDmesh K5系列”（英文发布资料）。该公司称，“这是+1500V耐压的超结功率MOSFET**实现实用化”。新产品的特点是，单位面积的导通电阻和总栅极电荷均为业界*低。因此，导通电阻与栅极电荷的乘积，也就是FOM（品质因数）为业界*高。
新产品主要用于服务器、焊接机、工厂自动化设备等配备的开关电源（AC-DC转换器）等。据称支持多种电源电路拓扑，例如准谐振转换器、采用有源钳位电路的反激式转换器、LLC共振型半桥接转换器等。支持的输出电力范围约为75～230W。转换效率*大为96％。
意法半导体首先推出了该系列的2款产品，分别是*大漏电流为7A的“STW12N150K5”和*大漏电流为14A的“STW21N150K5”，均为n沟道产品。STW12N150K5的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为1.9Ω（*大值），总栅极电荷为47nC（标称值），输入电容为1360pF（标称值），输出电容为80pF（标称值），反馈电容为0.7pF（标称值），栅极电阻为3Ω（标称值）。STW21N150K5的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为0.9Ω（*大值），总栅极电荷为89nC（标称值），输入电容为3145pF（标称值），输出电容为172pF（标称值），反馈电容为1pF（标称值），栅极电阻为2.4Ω（标称值）。两款产品的封装均采用TO-247。工作结温范围为-55～+150℃。批量购买1000个时的美国参考单价均为14美元。（特约撰稿人：山下胜己
公安机关备案号：
