国务院参事、中国电子商会会长曲维枝在SEMI中国区总裁居龙的陪同下巡馆，首站来到华虹宏力，在参观指导的同时，还与华虹宏力执行副总裁徐伟和执行副总裁范恒进行交流，并饶有兴致地听取了关于各种新技术业务的介绍。
华虹宏力副总裁李琦博士和华虹宏力集成一部总监杨继业先生，应邀分别主持3月15日下午的“智能制造论坛”及3月16日下午的“功率及化合物半导体论坛”。
2017年适逢公司20周年，华虹宏力精心设计制作的展台大气醒目。别具一格的“20年大事记”展示墙，罗列了公司的发展历程与里程碑式的技术革新，令人耳目一新。除了琳琅满目的展品夺人眼球，同时呈现的多种特色化先进工艺技术及应用解决方案也引得新老客户纷纷驻足，与公司团队人员沟通、讨论。而华虹宏力又给远道而来的嘉宾准备了哪三大亮点呢？一起来逛逛吧。
全球**的嵌入式非易失性存储器（eNVM）工艺作为全球**的智能卡IC代工厂商，华虹宏力提供包括基于SONOS Flash、SuperFlash和NORD Flash的嵌入式存储器技术，同时支持eFlash+射频（RF）的设计，技术节点涵盖0.18微米到90纳米。目前，华虹宏力90纳米eNVM工艺已成功量产。并且，采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品在2016年成功获得了国际权威认证机构颁布的CC EAL5+、EMVCo**证书，以及万事达CQM认证。
在微控制器（MCU）市场迅猛的发展趋势下，华虹宏力推出了0.11 微米超低漏电（ULL）嵌入式闪存及eEEPROM技术平台，实现了超低功耗数字模拟混合信号技术、嵌入式闪存技术与低成本射频CMOS技术的**结合。该平台提供**、灵活及具成本效益的解决方案，广泛应用于物联网、可穿戴设备、智能电网、嵌入式智能连接设备、医疗电子设备以及智能照明、工业及汽车电子设备等诸多节能智能产品。此外，其0.18微米数模混合及嵌入式OTP/MTP工艺平台，拥有业内*具竞争力的光罩层数、面积较小的IP模块且读写速度更快、功耗更低，为客户提供更多样且具成本效益的MCU解决方案。
更具竞争力的高压功率芯片代工方案华虹宏力是全球**、*大的功率分立器件200mm代工厂，在功率器件产品稳定量产上拥有15年的经验。公司提供独特的、富有竞争力的超级结MOSFET（Super Junction，SJNFET）和场截止型（Field Stop，FS）IGBT工艺。其中先进的**代SJNFET和新一代的600V~1200V FS IGBT已实现量产，器件性能达到业界**水准。目前,华虹宏力*新研发的第三代SJNFET技术平台正在推广商用。公司仍将持续提升工艺性能，为满足客户需求而不断努力。
先进的汽车电子工艺平台经过十几年的积淀，华虹宏力在汽车电子领域进行了**布局，其嵌入式闪存工艺、电源与模拟工艺以及功率器件工艺等特色工艺技术在汽车电子方面有着广泛的应用前景。目前，华虹宏力拥有国内**的汽车级嵌入式闪存工艺平台，符合汽车电子AEC-Q100标准的高可靠性嵌入式闪存技术。华虹宏力的平面型、场截止型等多种IGBT工艺，SJNFET工艺，以及平面型、沟槽型功率MOSFET工艺等多种功率器件平台技术在汽车电子方面已有较多的应用和出货。
华虹宏力于W5馆5601展台恭候业界朋友的光临。
华虹宏力精彩亮相SEMICON China 2017
国务院参事、中国电子商会会长曲维枝和SEMI中国区总裁居龙等领导莅临华虹宏力展台参观指导
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