加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 13 日 – 亚德诺半导体 （Analog Devices， Inc.，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003，该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵**增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 MOSFET，因此非常适合高频开关和静态开关应用。
LTC7003 在 3.5V 至 60V （65V ***大值） 输入电源范围内运行，具 3.5V 至 15V 驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况，这个电阻器与外部 MOSFET 开关的漏极串联。当 LTC7003 检测到开关电流已经超过预设值时，就确定一个故障标记，开关则关断一段时间，关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后，LTC7003 自动重试。
LTC7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号，并快速地驱动一个高压侧 N 沟道功率 MOSFET，该 MOSFET 的漏极可比地高 60V。当驱动一个 1000pF 负载时，快速 13ns 上升和下降时间*大限度降低了开关损耗。LTC7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。
LTC7003 采用 MSOP-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本，扩展和工业温度级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C，高温汽车级版本的温度范围为 –40°C 至 150°C，而**温度级版本的温度范围则为 –55°C 至 150°C。千片批购价为每片 2.30 美元。如需更多信息，请登录 。
照片说明：
60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
性能概要： LTC7003
· 宽 VIN 工作范围：3.5V 至 60V （65V ***大值）
· 内部充电泵提供 100% 占空比能力
· 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉实现快速接通和关断时间
· 快速 35ns 传播延迟
· 短路保护
· 自动重启定时器
· 开漏故障标记
· 可调接通和关断转换速率
· 栅极驱动器电源范围为 3.5V 至 15V
· 可调电流限制
· 电流监视器输出
· 可调输入欠压和过压闭锁
· 低停机电流：1µA
· CMOS 兼容型输入
本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。
3月10日，ADI完成对**的高性能模拟集成电路公司凌力尔特之收购。收购凌力尔特之后，ADI 进一步增强了技术实力。有关此次收购的详情，请登录http://lt.linear.com/07c。
ADI 公司简介
Analog Devices （纳斯达克股票代码：ADI） 是全球**的高性能模拟技术公司，致力于解决*棘手的工程设计难题。我们使客户能够利用****的技术进行检测、测量、供电、连接和解读，智能地在现实和数字领域之间架起桥梁，从而了解我们周围的世界。详情请浏览 www.analog.com/cn。
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