净水行业回归理性 美的破界求变已占先机

随着品质消费及人民生活水平的提高，人们越来越关注健康与养生，对水质的要求也越来越高，净水机成为了很多家庭不可或缺的家电产品，因此净水设备市场需求也随之增加。奥维云网数据显示，2014年净水行业市场规模达97亿元，并在2015年—2016年持续走高，日益成熟。不过，随着供给侧改革和消费升级的不断深入，2017年中国净水行业虽仍旧保持了增长，但市场已逐渐趋于理性，未来行业整体增速或将放缓。中怡康预计，2018年中国净水设备市场规模将为386亿元，对比2017年329亿元的市场规模、18.29%的同比增速，净水行业将迎来小幅增速下滑，未来净水机市场竞争也将随之加剧，如何在市场规模逐渐收窄的过程中抢占先机，这是留给各大净水企业的一项新课题。拒绝“低价低能” 细分市场催生多元化对于未来中国净水市场，北京中怡康时代市场研究有限公司品牌中心总经理左延鹊认为：“中国净水市场将呈现三分天下的格局，分为家用净水单品市场、商用市场和全屋净水市场。目前消费者已经不仅仅满足于净水设备基本的净化功能，净水企业应深挖用户痛点，加速产品升级，同时，机场、校园、工厂、银行等公共场所的饮水需求旺盛也值得关注。更为重要的是

涨价效应发酵，将带动MOS/DRAM芯片厂商业绩走高

集微网消息，2017年全球半导体产业上游的涨价风潮，从硅晶圆一路吹到MOSFET芯片、利基型DRAM芯片、LCD驱动IC及MCU，芯片供应商为反应成本上扬而陆续调涨芯片价格，然因晶圆代工交期有8~12周的时间落差，必须等到新的晶圆量产出厂，才能反应到公司营收、毛利率及获利表现。 2018年第1季虽适逢传统淡季，但台系MOSFET、利基型DRAM芯片业者自结1月营收纷逆势走扬，主要就是芯片价格调涨效应，面对2017年下半相关芯片价格陆续上调，不少业内人士乐观看待2018年上半营运表现。MOSFET芯片价格持续上扬据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域，杭州士兰微董事长陈向东在接受集微网采访时表示，MOSFET芯片缺货的原因主要是由于应用端市场起来了，但产能放量还没跟上，目前缺货主要还是受智能终端的应用影响，短时间内缺货行情难以缓解。据台系MOSFET芯片供应商指出，由于外商仍主导MOSFET芯片价格走势，台系IC设计公司宁可先抢市占率，不敢轻易跟涨芯片报价

OptiMOS线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大**工作区

英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大**工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMOS线性场效应晶体管可在增强模式MOSFET的饱和区工作。OptiMOS线性场效应晶体管*适合电信和电池管理系统(BMS)中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。耐用的线性模式操作和更高的脉冲电流都有助于实现较低传导损耗、更快启动和更短的停机时间。通过限制较高的励磁涌流，OptiMOS线性场效应晶体管可在发生短路的情况下防止负载损坏。供货OptiMOS线性场效应晶体管现可供货，有三个电压等级：100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。

英飞凌推出SOT-223封装CoolMOS P7符合成本效益的封装解决方案

英飞凌科技股份有限公司扩充新CoolMOS P7 技术系列，推出 SOT-223 封装产品。新产品与 DPAK 基底面完全相容，可直接进行替代。结合新 CoolMOS P7 平台与 SOT-223 封装，非常适合智慧型手机充电器、笔记型电脑充电器、电视电源供应器和照明等应用。全新 CoolMOS P7 针对低功率 SMPS 市场需求所设计，拥有**的效能且易于使用，让设计人员能充分利用精简外型尺寸的优势。新产品採用具价格竞争力的超接面技术，能为客户端降低整体物料清单 (BOM)。SOT-223 封装是 DPAK 的成本效益替代选择，在价格敏感的市场区块广受好评。此封装版本 CoolMOS P7 的散热特性已于多项应用中进行评估。SOT-223 置于 DPAK 基底面时，温度*多比标準型 DPAK 增加 2 至 3°C，当铜面积达到 20 mm2 以上，散热效能等同于 DPAK。

英飞凌发布CoolMOS P7封装版本

英飞凌科技(Infineon)扩充新CoolMOS P7技术系列，推出SOT-223封装产品。 新产品与DPAK基底面完全兼容，可直接进行替代。 结合新CoolMOS P7平台与SOT-223封装，非常适合智能型手机充电器、笔记本电脑充电器、电视电源供应器和照明等应用。 全新CoolMOS P7针对低功率SMPS市场需求所设计，拥有**的效能且易于使用，让设计人员能充分利用精简外型尺寸的优势。 新产品采用具价格竞争力的超接面技术，能为客户端降低整体物料列表(BOM)。SOT-223封装是DPAK的成本效益替代选择，在价格敏感的市场区块广受好评。 此封装版本CoolMOS P7的散热特性已于多项应用中进行评估。 该产品置于DPAK基底面时，温度*多比标准型DPAK增加2至3°C，当铜面积达到20mm2以上，散热效能等同于DPAK。

MOS芯片缺货潮后年有望缓解  国内8寸产线将持续受益

集微网(文/邓文标)以MLCC为代表的被动元件在进入第三季度后，受产能供需吃紧影响，价格大涨，部分物料涨幅甚至超过10倍。而与被动元件市场相似的MOSFET芯片也出现缺货潮，导致价格上涨，即便是在溢价20%的基础上新增订单，供应商仍难交出货来。更严重的是，MOSFET芯片市场缺货潮短期内将难以缓解，保守估计到2019年局面才能改观。 据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域，杭州士兰微董事长陈向东在接受集微网采访时表示，MOSFET芯片缺货的原因主要是由于应用端市场起来，比如手机快充、无线充电芯片，以及锂电池管理芯片等，基本上就是说各个应用面提升，加重了缺货的行情，目前缺货主要还是受智能终端的应用影响，低压的MOSFET芯片缺货比较严重。应用层面提升加速MOS芯片缺货潮进入三季度后，移动终端市场开始加速放量，尤其是在iPhone8系列的带动下，包括新增的无线充电正成为国内手机和配件厂商导入的新应用，加之应用层面快速提升和工厂产能限制，对上游MOS原厂带来不

ccd与cmos的区别及六大硬件技术指标

CCD由许多感光单位组成，通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时，每个感光单位会将电荷反映在组件上，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。CCD的比较显著特点是：1.技术成熟2.成像质量高3.灵敏度高，噪声低，动态范围大;4.响应速度快，有自扫描功能，图像畸变小，无残像;5.应用超大规模集成电路工艺技术生产，像素集成度高，尺寸**。评价一个CCD传感器好坏的指标有很多，例如像素数、CCD尺寸、信噪比等等。其中像素数以及CCD的尺寸是*重要的指标。像素数是指CCD上感光元件的数量。我们可以把我们所拍摄到的画面理解为由很多个小的点组成，每个点就是一个像素。显然，像素数越多，画面就会越清晰，如果CCD没有足够的像素的话，拍摄出来的画面的清晰度就会大受影响。因此，CCD的像素数量应该越多越好。但是为了得到更好的画质而增加了CCD的像素数后又必定会导致一个问题，那就是CCD制造成本的增加以及成品率下降。所以针对成本等一系列的问题，一种成本更低、功耗更低以及高整合度的CMOS传感器横空出世了。CMOS本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导*基本的资料。CMO

MOSFET **工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在

引言即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 （图 1）。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在**水平。图1：可插入电路板的热插拔控制器CONNECTORS：连接器BACKPLANE：背板HOT SWAP CONTROLLER：热插拔控制器当热插拔电路出现故障时，薄弱环节一般在 MOSFET 开关上，因而可能会损害或破坏热插拔控制器。MOSFET 出现故障常见的原因是在选件时没有重视其**工作区 （SOA）。相反，选择 MOSFET 时主要考虑了电阻 （RDS（on）） 上漏-源极以及*大漏极电流 （ID（max））。或者，新设计基于负载电容较小的老款设计，同样的 MOSFET 能够很好的工作。大部分功率 MOSFET 针对低 RDS（on） 和快速开关进行了优化，很多电源系统

Vishay推出*新第4代600V E系列功率MOSFET

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内*低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。“我们承诺为客户提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术，涵盖需要高压输入到低压输出的各种*新的电子系统”，Vishay市场发展部**总监David Grey说到，“有了SiHP065N60E和即将发布的第四代600V E系列产品，我们就可以在设计电源系统架构的初期就实现提高效率和功率密度的目标，包括功率因数校正和随后的高压DC/DC转换器砖式电源。”SiHP065N60E采用Vishay*新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的*大导通电阻为0.

英飞凌新款CoolMOS适用于反驰式拓朴

英飞凌(Infineon)针对现今及未来的准谐振反驰式拓朴趋势，推出全新700V CoolMOS P7系列。 相较于目前所用的超接面技术，全新MOSFET的效能更为出色，适用于软切换拓墣应用，包括智能型手机、平板计算机充电器，还有笔记本电脑电源供应器。 此外，新款CoolMOS也支持电视电源供应器、照明、音频与辅助电源的快速切换，及高功率密度设计要求。 新产品系列优化了外型尺寸，可达成极轻薄设计的目标。在切换损耗(Eoss)的表现方面，相较于市面上其他品牌产品，新款700 V CoolMOS P7技术，可将切换损耗减改善幅度，由27%提升至50%。 应用于返驰式充电器时，这项技术可提升全机效率多达3.9%，此外，装置温度*多可降低16K。 与先前的650V C6技术相比，平均效率提升2.4%，装置温度下降12K。新款产品整合稽纳二极管，确保其具备更高的ESD耐受性，*高达到HBM Class 2 等级。 如此一来，可改善组装产能，进而减少生产相关故障并省下制造成本，*终提升客户获利能力。 此外，700V CoolMOS P7的RDS(on)*Qg 与 RDS(on)*EOSS极低，因此

采用ST F7 LV MOSFET技术的单片肖特基二极管:提高应用性能

摘要 –当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。I.前言在同步整流和电桥结构中，RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的**要求，实际上，本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降（VF，diode）影响开关管在续流期间（开关管处于关断状态，电流从源极经本征二极管流至漏极）的功率损耗 ; 反向恢复电荷 （Qrr） 不仅影响开关管在反向恢复过程的损耗，还影响开关性能。MOSFET 管的尖峰电压随着Qrr升高而升高。因此，VFD 和Qrr较低的二极管，例如，肖特基二极管，有助于提高开关管的总体性能，在电桥拓扑或用作同步整流管应用中，当开关频率很高且二极管长时间导通时，提升性能的效果特别明显。本文将在开关电源和电机控制环境中评估内置肖特基二极管的新60 V ST MOSFET管的性能，并对比标准器件，重点论述新产品的优势。II.MOSFET本征体

这款40W电源效率对比普通平面MOS提升2%-3%

比利时微电子研究中心开发出 3D 相容的锗 nMOS 匣极堆叠

球**的奈米电子及数位技术研发与**中心比利时微电子研究中心，在本週的 IEEE IEDM 研讨会上首度展示钝化硅锗 nMOS匣极堆叠，介面缺陷密度(DIT)大幅降低至与硅匣极堆叠相同的等级，并且具有极高的电子迁移率与较低的正向偏压温度不稳定性(PBTI)。这些具前瞻性的成果，为锗基鳍式电晶体与匣极全环绕元件奠定良好的基础，为 5nm 级以上的逻辑元件提供许多可能性。现今的成果是藉由应用能带工程所取得，在高 k 值/二氧化硅介面上採用介面电偶极，并且採取氢高压煺火(HPA)作为製程的结尾。藉由进行塬子层沉淀(ALD)这项 3D 相容製程来沉淀硅酸镧层，二氧化硅层上便会形成介面电偶极。虽然高 DIT 向来是钝化硅锗 nFET 的一项主要疑虑，但这个问题已藉由插入硅酸镧与採用氢高压煺火技术来大幅降低 DIT，并首度在中间能隙附近从 2x1012 cm-2eV-1 降至 5x1010 cm-2eV-1。採用以上技术后，电子迁移率便因此得以提升(在峰值处约为百分之 50);而由于能带工程中引入介面电偶极，PBTI 的可靠度因此而获得提升。在 IEEE IEDM 上，比利时微电子研究中心也展示了

英飞凌同步整流IC提升SMPS效率

英飞凌(Infineon)推出IR1161L和IR11688S次级侧同步整流(SSR)控制器IC系列，让英飞凌的SMPS应用产品方案更加完善。 IR1161L和IR11688S SSR IC，皆符合美国能源部2016年新标准以及欧盟“资料中心能源效率行为准则”，其要求产品的能源效率需比以往需求提升1%至3%。若取其平均值2%而言，单就美国笔记型电脑使用者的部分，每年便能省下525 GWh的电力，相当于纽约40天的用电量。结合英飞凌OptiMOS与StrongIRFET MOSFET系列，SSR IC系列能针对SMPS提供提升整体效能的精简解决方案。IR1161L专为充电器和电源配接器的返驰式电源架构所设计，IR11688S则是针对电视、桌上型电脑之电源供应器与微型伺服器应用的LLC电源架构所设计。该两款SSR IC系列，都具备200V直接侦测能力，无须使用外部电压分压电路。也提供可编程*小导通时间(MOT)，确保从无负载到完全负载的运作都稳定可靠，且低静态电流能力符合2016年新版业界能源效率标准的待机要求。

前台积电**运营官蒋尚义获任中芯国际独立非执行董事

中芯国际集成电路制造有限公司今日(12月21日)宣布蒋尚义博士(简称蒋博士)获委任为该公司第三类独立非执行董事，自2016年12月20日起生效。作为中芯国际独立非执行董事，按照服务合约，蒋博士获得 40,000 美元的年度现金酬金及 187,500 可供认购普通股和 187,500 受限制股份。蒋博士的薪酬方案由董事会根据本公司董事及**管理人员薪酬政策及参考董事会的薪酬委员会的建议厘定。蒋博士现年70岁，在半导体工业界的40年中，曾参与CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs激光、LED、电子束光刻、硅基太阳能电池等项目，在台积电牵头了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等关键节点的研发，是将台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术**者的灵魂人物。蒋博士致力于推进半导体技术和半导体工业的发展，是推进信息技术大众化的先驱。1968年，蒋博士在国立台湾大学获电子工程学学士学位，1970年在普林斯顿大学获电子工程学硕士学位，1974年在斯坦福大学获电子工程学博士学位。毕

Microchip MOST技术登陆帕加尼Huayra BC**超跑

100V 无光耦合反激式稳压器 在 TSOT-23 封装中提供高达 5W 功率

集微网消息– 2016 年 9 月 15 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出采用 TSOT-23 封装的单片反激式稳压器 LT8303，该器件可显著地简化隔离式 DC/DC 转换器的设计。通过从主端反激波形直接对隔离的输出电压采样，该器件无需光耦合器、LT1431 或第三个绕组就可实现稳压。LT8303 在 5.5V 至 100V 输入电压范围内工作，集成了一个 0.45A/150V DMOS 电源开关，提供高达 5W 输出功率，非常适合多种电信、数据通信、汽车、工业、医疗和**应用。 输出电压仅用一个外部电阻器和变压器匝数比就可设定。数据表中列出的几种现成有售变压器可用于众多的应用。LT8303 以边界模式运行，这是一种可变频率电流模式控制开关方案，一般在整个电压、负载和温度范围内可产生 ±5% 的输出电压稳定。与同等的连续导通模式设计相比，边界模式允许使用较小的变压器。该器件具备高集成度并以低纹波突发模式 (Burst Mode®) 运行，所以可为隔离式供电提供一个简便易用、组件数很少和高效率的应用解决方案。其他特点包括输出短

Imagination与MOSIS合作 协助高校将采用先进CPU的芯片纳入研究计划

2016 年9月14日─ ─ Imagination Technologies 宣布，已与专为 IC 设计者提供生产解决方案的供应商 MOSIS 合作，让学生与研究人员得以利用先进的嵌入式处理器内核开发出**、**的 SoC 设计，并进行少量的设计生产。通过这项伙伴关系，学生能完整地学习并了解如何在芯片中建制 CPU 内核，而研究人员可借此从事**的研究计划。通过这项*新的 Imagination 大学计划（IUP）活动，美洲与亚太地区的学术机构能够取得*新一代、具备完整支持的MIPS Warrior M 级 M51xx CPU。该系列 CPU 内核支持硬件虚拟化技术，可作为多域（multi-domain）**解决方案的基础 ─ 这是包括物联网（IoT）在内的许多研究计划的重要考量。MIPS M 级 CPU 现已内置于应用在各种市场的数亿颗芯片中，包括工业控制器、IoT、可穿戴设备、无线通信、汽车和存储。MIPS CPU 采用简洁的 RISC 设计，一直是电脑架构教学用的** CPU 方案。目前广为全球高校使用的两本教科书，便是以MIPS架构为基础：David A. Patterson

这款采用外置MOS管方案的倒装光引擎高耐压+低热阻+光衰小

突破物理极限，成功创造1nm晶体管

OptiMOS 5 150 V大幅降低导通电阻和反向恢复电荷

5G基站射频市场：LDMOS开始下滑，GaN快速增长

通用汽车全球紧凑型汽车平台采用Microchip MOST50

集微网消息，全球**的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存**解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）日前宣布知名汽车厂商通用汽车（GM）公司选用Microchip的MOST®（Media Oriented Systems Transport，即面向媒体的系统传输）智能网络接口控制器（INIC），在其全球紧凑型汽车平台上管理汽车信息娱乐系统网络功能，涵盖车型包括雪佛兰科鲁兹（Chevy Cruze）、雪佛兰沃蓝达（Chevy Volt）、欧宝雅特（Opel Astra）、别克凯越（Buick Excelle）和别克威朗（Buick Verano）等。除了上述这些GM紧凑车型，这项同步、灵活且**成本效益的MOST网络技术已广泛应用于GM旗下所有汽车品牌的中型车、大型车、性能车、跨界车和SUV、卡车以及豪华车型平台。 作为网络系统的实质标准，MOST技术被全球30家汽车制造品牌和超过204款车型所采用。包括北美、亚洲和欧洲在内的世界各地市场都已开始生产基于MOST技术的车型。由于MOST网络能同时支持多种数据类型，这使得汽车制造商可以为当

同步整流IC提升SMPS应用的简易性与效率

英飞凌科技(Infineon Technologies)推出IR1161L和IR11688S次级侧同步整流(SSR)控制器IC系列，让英飞凌的SMPS应用产品方案更加完善。IR1161L和IR11688S SSR IC皆符合美国能源部2016年新标准以及欧盟“资料中心能源效率行为准则”，其要求产品的能源效率需比以往需求提升1%至3%。若取其平均值2%而言，单就美国笔记型电脑使用者的部分，每年便能省下525GWh的电力，相当于纽约40天的用电量。结合英飞凌OptiMOS与StrongIRFET MOSFET系列，SSR IC系列和英飞凌能针对SMPS应用提供提升整体效能的精简解决方案。IR1161L专为充电器和电源配接器的返驰式电源架构所设计，IR11688S则是针对电视、桌上型电脑之电源供应器与微型伺服器应用的LLC电源架构所设计。IR1161L和IR11688S都具备200V直接侦测能力，无需使用外部电压分压电路。本系列也提供可编程*小导通时间(MOT)，确保从无负载到完全负载的运作都稳定可靠。且低静态电流能力符合2016年新版业界能源效率标准的待机要求。IR1161L和IR1168

是德科技晶圆级解决方案平台**集成低频噪声测量

集微网消息，2016 年 7 月 25 日，北京——是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布推出*新款的高性能先进低频噪声分析仪（A-LFNA），旨在实施快速、准确、可重复的低频噪声测量。该版本配备全新用户界面，并与是德科技的 WaferPro Express 软件紧密集成——这是一款对半导体器件执行自动化晶圆级测量的平台。作为这一大框架的组成部分，该平台能让工程师更好地理解器件和电路中的噪声。相比之下，独立系统要达到同样目标，需要进行大量复杂测量。 当今的半导体器件表征工程师通常希望采用灵活、可扩展的噪声测量系统。他们尤其需要一个功能强大的综合性平台，以便将先进的低频器件噪声测量和分析与晶圆级测量集于一身，从而能够管理完整的晶圆级表征。是德科技的 A-LFNA 与 WaferPro Express 软件**集成，能够提供这样的功能。该综合解决方案有助于工程师对晶圆级以及封装的各类元件、单独器件和集成电路进行噪声测量。与以前一样，使用 WaferPro Express 的工程师可以通过编程执行快速直流、电容和射频S参数测量，并可排列测量顺序，同时自动化控制探针台。现在，随着噪声测量模块的

Imagination 与 MOSIS 合作

原标题：Imagination 与 MOSIS 合作，协助高校将采用先进 CPU 的芯片纳入研究计划 学生与研究人员可开发出**、**的 SoC 设计，并实际生产器件集微网消息，2016 年 9 月 14 日─ ─ Imagination Technologies 宣布，已与专为 IC 设计者提供生产解决方案的供应商 MOSIS 合作，让学生与研究人员得以利用先进的嵌入式处理器内核开发出**、**的 SoC 设计，并进行少量的设计生产。通过这项伙伴关系，学生能完整地学习并了解如何在芯片中建制 CPU 内核，而研究人员可借此从事**的研究计划。通过这项*新的 Imagination 大学计划(IUP)活动，美洲与亚太地区的学术机构能够取得*新一代、具备完整支持的MIPS Warrior M 级 M51xx CPU。该系列 CPU 内核支持硬件虚拟化技术，可作为多域(multi-domain)**解决方案的基础 ─ 这是包括物联网(IoT)在内的许多研究计划的重要考量。MIPS M 级 CPU 现已内置于应用在各种市场的数亿颗芯片中，包括工业控制器、IoT、可穿戴设备、无线通信、汽车和存储

2016年全球营运中12寸晶圆厂可望达100座

市场研究机构IC Insights近日公布了*新的2016~2020年全球晶圆产能报告，显示全球营运中的12寸(300mm)晶圆厂数量持续成长，预期在2016年可达到100座。 IC Insights报告中其他关于12寸晶圆厂重点还包括：·有几座预定2013年开幕的晶圆厂延迟到了2014年；而随着台湾业者茂德(ProMOS)的两座大型12寸厂在2013年关闭，导致营运中的12寸晶圆厂数量在2013首度减少。·截至2015年底，全球有95座量产级的IC厂采用12寸晶圆(有大量研发晶片厂以及少数生产非IC产品，例如CMOS影像感测器的量产晶圆厂，但不包括在统计中)。·目前全球有8座12寸晶圆厂预计2017年开幕，有可能使该年度成为自2014年有9座晶圆厂开始营运以来，**个有*多数量晶圆厂开始营运的年份。·到2020年底，预期全球将有再22座的12寸晶圆厂营运，让全球应用于IC生产的12寸晶圆厂总数达到117座。而如果18寸(450mm)晶圆迈入量产，12寸晶圆厂的高峰数量可达达到125座左右；而营运中8寸(200mm)量产晶圆厂的*高数量则是210座(在2015年12月为148座)。12

中国存储器产业“大跃进”

⊙记者 李兴彩 ○编辑 全泽源 近期5座12寸晶圆厂竞相上马，引发投资者对存储器产业的高度关注。业内**人士接受上证报采访时表示，首先这对中国半导体产业**是好事情，在新的需求和技术下，“大干快上”的投资将极大地促进中国存储器产业发展；但鉴于存储器重投资、盈利周期长等特点，国家对该产业的顶层设计规划就显得尤为重要，“政绩工程”匆忙上马不仅造成投资浪费，还可能贻误产业发展机遇。扎堆上马项目3月的*后一周似乎可以写入中国存储器产业历史，4座12寸晶圆厂投资计划接踵出炉：江苏淮安的德科玛12寸CMOS影像传感器项目、武汉新芯二期12寸存储器项目、台积电与南京市政府正式签约12寸厂、美国万代半导体（AOS）12寸MOSFET功率半导体项目；此外，紫光集团预计将在深圳建12寸晶圆厂。存储器“大干快上”是好是坏？有业内**人士接受采访时表示，5大项目同时上马看似“大跃进”，但对中国存储产业来说**是好事情。“有投资、有人做、才有可能成就产业，而存储新技术的发展给了中国追赶的机会，这5家公司不可能都成功，但一定会有1-2家比较靠谱。”该人士如此说，随着技术的发展，各种新型存储技术进入“百花齐放”阶段

专家联名呼吁早日建设12米口径光学红外望远镜

国内*大的通用型光学天文望远镜直径仅2.4米，全球14架8—10米级光学望远镜均与中国无缘。 科研人员想要获得清晰的天体图像，只能去“蹭”国外的望远镜，一晚租金高达几万美元，甚至还预约不到。北京大学的一项研究有望率先突破，因为没有大口径望远镜开展后随观测，一年后被国外同行率先摘得。“LAMOST望远镜发现的很多侯选体，因为缺乏8—10米级望远镜的后随观测，导致很多研究工作无法进行；从国外引进的很多**人才，也是因为缺少大口径光学望远镜的支持，无法做出**的科研成果；国内大口径光学望远镜的缺失已经严重影响了中国天文学的发展。”中科院院士崔向群说。“我们强烈呼吁抓住当前国际天文学与物理学重大科学机遇，在‘十三五’期间尽快立项建设中国12米光学红外望远镜。”5月24日—25日，在南京举办的香山会议上，来自国内天文界六十多位专家围绕大口径光学红外望远镜的科学需求、总体方案、关键技术和台址等中心议题进行了深入讨论。他们联名向国家发起倡议，早日建设12米光学红外望远镜。光学望远镜是*早观测宇宙起源的天文设备，而大口径光学望远镜获取的宇宙信息更为丰富，分辨率更高。“目前，我国口径较大的观测设备只有兴

华为发布面向4.5G的IP移动承载解决方案

本报讯 华为近日发布面向4.5G的*佳体验IP移动承载解决方案，旨在构筑*佳体验的移动视频承载网。方案提出“xGbps到站”、“U-vMOS 4.0视频体验”、“敏捷运维”三大建网新标准。移动视频已经逐渐成为运营商的基础业务，为应对视频业务带来的数字洪流，无线厂家纷纷推出4.5G基站，引入载波聚合等技术，单基站容量超过1Gbps。*佳体验IP移动承载方案采用全新ATN路由器系列，支持10GE接入4.5G基站；同时，基站间载波聚合要求1.5us时间同步精度，华为**ATOM GPS时间同步方案，不受基站站址安装环境限制，为任意基站提供1.5us高精度时间同步。移动视频时代，U-vMOS 4.0是良好体验的*低标准，要求网络丢包率不高于10-5，双向时延不高于4ms。华为**IP+微波协同方案在接入路由器与微波间建立通告机制，避免因天气因素导致的微波链路丢包。*佳体验IP移动承载方案的“敏捷运维”提出分钟级业务自动部署、分钟级体验故障定位的运维新标准。该方案将SDN技术引入承载网，实现4.5G时代海量基站业务分钟级自动部署。

使用二维材料二硫化铪的MOS晶体管

东京工业大学、日本理化学研究所（理研）以及冈山大学于2016年4月25日宣布，开发出了使用新型二维材料——二硫化铪（HfS2）的MOS晶体管。并以确认这种晶体管具备良好的饱和特性和电流控制特性，开关比达到104，是良好的电子元器件材料。 MOS晶体管作为LSI的基础元件，缩小元件尺寸对于提高性能来说非常重要，近年来，MOS晶体管的尺寸已经缩小到了通道长度不到10nm的程度。过去的半导体材料表面存在原子大小的凹凸，在制成极薄的薄膜后，电流传输能力骤降，不可避免地会导致驱动能力降低。而二维材料具有原子级的平整度和厚度（不到1nm），在极薄的薄膜状态下也有望实现高迁移率。HfS2属于过渡金属二硫属化物的二维晶群，通过理论计算预测，其单原子层（厚度约为0.6nm）的电子迁移率为1800cm2/Vs，带隙为1.2eV。这些数值超过了代表性半导体材料——硅的物理性质。*有名的二维材料石墨烯的迁移率极高，预计可达10万cm2/Vs，但因为没有带隙，作为LSI元件使用时面临削减耗电量的课题。在实验中，研究人员将通过机械剥离法制成的厚度为几个原子层的HfS2薄片转印到了基板上。使用原子力显微镜观测到的薄

美芯晟*新发布兼容可控硅调光MT7887 峰值效率93% PF>0.8

宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线 通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。2G、3G、4G技术的相继推出，使移动业务由单一形态逐渐过渡到可同时支持语音、数据和视频等多种业务并举的盛况。目前，随着4G市场的蓬勃发展，中国移动、电信、联通都已经获得了4G的牌照，获得的频段如下表：表1：各运营商4G牌照频段分布从上表可以看出，4G的频率范围大约覆盖了从1700～2700MHz的频率，约1GHz的频率跨度。这对采用传统方案的宏基站/小基站生产厂商，特别是研 发人员，提出了严峻的挑战，主要是在研发的难度、周期、器件的可移植性，产品的尺寸、可维修性，材料备货、库存等等各方面。针对这类问题，国际**半导体厂商Infineon科技重磅推出新一代LDMOS功率放大器产品：PTFC270101。其具有的宽频特性，可覆盖 900-2700MHz的频率范围，以及良好的电特性，可以很好的解决此问题，是宏基站功放模块的***放大器以及小基站功放模块的末级放大器的不二选择，特别是具有三载波要求的小基站产品。目前世强已经代理了该款产品。LDMOS功率放大器PTFC2701

英飞凌新型SOT-223封装满足低成本需求

英飞凌科技(Infineon Technologies)扩展采用SOT-223封装的CoolMOS CE产品组***用此封装的英飞凌CoolMOS，可在DPAK之外提供另一项具成本效益的选择，也能在部份设计中节省空间，并降低功耗。SOT-223封装不含中间针脚，完全相容于一般DPAK封装，可直接取代 DPAK。此全新封装专为LED照明及行动充电器应用所设计。 新型SOT-223封装能够满足成本缩减的需求，是价格敏感应用的理想选择。封装尺寸缩小后，不仅降低了成本，同时维持与既有 DPAK 封装的相容性。采用SOT-223封装的高压 CoolMOS可在大部份的设计中直接取代针脚相容的 DPAK产品。用SOT-223取代DPAK时，几乎没有热的限制。采用新封装的CoolMOS散热特性已于多项应用获得验证。SOT-223置于DPAK位置时，温度*多比DPAK增加2-3°C。此外，SOT-223封装可节省设计空间，适用于需求*佳功率密度，对散热需求较不敏感的设计使用。英飞凌率先提供SOT-223封装完整高压MOSFET产品组合，以降低整体物料清单(BOM)。SOT-223封装CoolMOS提供5

盛群推出新款工具调速器Flash MCU

盛群宣布推出新款工具调速器Flash MCU--HT45F3630，针对马达调速产品，如电钻、电动起子、割草机等相关应用。 该产品具备一组PWM高压及大电流输出脚位，能直接驱动与减少Power MOS开关损耗。其内建过电流保护(OCP)及侦测，能将讯号放大51倍，降低检测电阻值，提升整体效率延长工作时间，当过电流发生时，硬体可将PWM关闭，达到立即保护。此外，相较于传统方案，新产品可省去外接MOS驱动电路，减少外部零件及成本，同时OCP提供硬体快速保护功能，提高产品稳定性，提供16-pin SSOP封装，符合工业规格(-40°C～85°C)与高抗杂讯特性，适合工具调速器相关应用。盛群网址：www.holtek.com.tw

MOS管为什么会被静电击穿？

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。静电放电形成的是短时大电流，放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此，当静电放电���流通过面积很小的pn结或肖特基结时，将产生很大的瞬间功率密度，形成局部过热，有可能使局部结温达到甚至超过材料的本征温度（如硅的熔点1415℃），使结区局部或多处熔化导致pn结短路，器件彻底失效。这种失效的发生与否，主要取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，说明器件越不易受到损伤。反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效，在反偏条件下使结损坏所需要的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是因为反偏时，大部分功率消耗

详解开关电源的三大基础拓扑

华为演示业界*长距离实时4K跨国直播

在2016年世界移动大会(MWC)，华为面向全球演示了业界*长距离实时4K跨国直播，并**提出打造U-vMOS值(视频体验衡量体系评价标准)4分网络的4K Video Network解决方案。U-vMOS值达到4分以上的网络将带给运营商差异化的商业竞争力。展会期间华为跨越德国、法国及西班牙，长达1600公里的距离，用40Mbps 的码流，实现4K超高清直播，这是目前业界*长距离的实时4K跨国直播。华为通过在承载网中引入高通量路由器(HTR)，快速大幅提升网络通量，提升4K视频体验。“多个因素驱动了*佳体验4K时代的到来，”华为固定网络Marketing与解决方案销售部总裁彭威表示，“*佳体验4K网络将具备三大显著特征：超宽带(每用户100Mbps)、零等待(RTT超宽带，通过多种接入介质技术的持续**，支撑每用户*高1Gbps接入，为*佳4K体验打下坚实基础;零等待，推动网络重构实现架构优化、效率提升，4K视频极速(RTT华为作为业界**的固定宽带领域解决方案提供商，在4K网络上积极投入，与业界**运营商联合**，构筑面向*佳体验的4K承载解决方案，全方位支撑运营商4K视频业务成功，提

5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象

莫大康半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界尚无关于它的投资估计。但是根据16/14纳米的经验，以每1000硅片需要1.5亿至1.6亿美元计，推测未来的5纳米制程，因为可能要用到EUV光刻，每台设备需约1亿美元，因此它的投资肯定会大大超过之前。所以未来建设一条芯片生产线需要100亿美元是完全有可能的。生产线的量产是个系统工程，需要材料、设备、晶体管结构、EDA工具等与之配套，对于半导体业是个更大的挑战。新的晶体管型式，加上掩膜、图形、材料、工艺控制及互连等一系列问题，将导致未来半导体业将面临许多的困难。在近期的会议上，Intel发布的

第87届中国电子展展商巡礼：深圳市金城微零件有限公司

元器件交易网讯 2016年中国(深圳)电子展将于4月8日-10日在深圳会展中心举行。展会以“新技术、新产品打造一站式选型采购平台”为主题。届时，深圳市金城微零件有限公司将携*新场效应管（MOS管）产品参加本届展会，展位号：9B12。企业介绍：该公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会副会长单位。主销Infineon、FAIRCHILD、ST、IR、SANYO、TOSHIBA、FUJI等品牌，专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于**显卡/电脑主板、HID灯/逆变器、适配器/开关电源、太阳能/LED照明电源、UPS电源/控制器、工业电焊机、电池保护板、数字通信网络、航模系列、精密仪器、机顶盒、安防等。经过十几年的发展，公司拥有丰富的行业经验、成熟的营销网络，大量的库存现货和庞大的资料数据库,能为不同的客户提供各种配套服务。产品介绍：本次展出的场效应管（MOS管），其特点是超大量原装现货，封装齐全，价格优势。应用领域包括各种电源设备、电子照明、航模系列、汽车制造、精密仪器、家电、新能源产业、通讯网络以及工业控制等

以经济合算的方式采用SOT-223封装的CoolMOS™ CE直接替换DPAK器件

凌力尔特四组输出多相降压DC/DC控制器可配DrMOS/电源模块

凌力尔特(Linear Technology)日前发表四组输出多相同步降压DC/DC控制器--LTC7851/-1，该元件具备相位间的精准电流分享及差动输出电压感测，并该可与外部动力系统(Power Train) 装置搭配，例如DrMOS及电源模块，以及分立式N通道MOSFET及相关的闸极驱动器，因此可达到弹性的设计配置。两个IC达八个相位可并联且可反相锁住，以将输入及输出滤波降至*低，而能因应高达260A的电流需求。 当并联时，新产品的内部电流分享回路会均衡相位之间的电流，可达到横跨多个IC之相位间精准的电流共享，无论是在稳态和瞬变事件过程中；其可操作于3V～5.5V的VCC供应电压，专为从3V～27V的输入电压进行降压转换而设计，并可产生一至四个独立的输出电压，范围为0.6V～5V。该元件的电压模式控制架构允许从250kHz 的可选固定操作频率，或可于同一范围被同步外部时脉；其输出电流可透过监视横跨输出电感(DCR)的压降来感测以达到*高效率，或可透过一低值感测电阻感测。同时，该产品晶片上的差动放大器可针对VOUT及接地端的所有输出提供真正远端输出电压感测，以进行高精准度的调节。凌

5纳米生产线的挑战

半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用了两次图形曝光技术(DP)，再进一步至16/14纳米时大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP，SAQP等，所以未来10纳米，甚至7纳米时基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，就是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，如果EUV不能准备好，逼迫要采用五次图形曝光技术(FP)，因此己引起全球业界的关注。下文讨论的是5纳米生产线，范围更宽广，至今业界尚无它的投资估计。但是据16/14纳米的经验，每1，000硅片需要1，5至1，6亿美元计，推测未来的5纳米制程，因为可能要用到EUV光刻，每台设备需约1亿美元，因此它的投资肯定会大大超过之前。所以未来建设一条芯片生产线需要100亿美元是完全可能。显然生产线的量产是个系统工程，需要材料，设备，晶体管结构，EDA工具等配套，对于半导体业是个更大的挑战。新的晶体管型式加上掩膜,图形,材料,工艺控制及互连等问题,加总起来导致未来半导体业将面临许多的困难。在近期的会议上intel提出一份报告引起业界关注，并进

Vishay 推出的新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案

Vishay 推出的新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案，大幅提升了功率密度和效率 这些器件节省空间，连续电流为30A和40A，采用4.5mm x 3.5mm和5mm x 5mm PowerPAK®封装，适用于移动计算平台宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL稳压器。Vishay Siliconix 的这五款器件在热增强的4.5mm x 3.5mm PowerPAK® MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装内，组合了功率MOSFET、先进的MOSFET栅极驱动IC和自举肖特基二极管，占位面积比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常适合使用Intel®的Sky

凌力尔特DC/DC控制器可搭配DrMOS

凌力尔特(Linear Technology)发表四组输出多相同步降压DC/DC控制器LTC7851/-1，元件具备相位间的精准电流分享及差动输出电压感测。 该控制器可与外部动力系统(power train)装置搭配，例如DrMOS及电源模组，以及分立式N通道MOSFET及相关的闸极驱动器，因此可达到弹性的设计配置。两个IC达8个相位可并联并可反相锁住，以将输入及输出滤波降至*低，而能因应达260A之非常高的电流需求。应用包括电源分配及工业系统、FPGA、DSP、处理器及ASIC电源。.当并联时，LTC7851/-1的内部电流分享回路会均衡相位之间的电流，可达到横跨多个IC之相位间精准的电流共享，无论是在稳态和瞬变事件过程中。其可操作于3~5.5V的VCC供应电压，专为从3~27V的输入电压进行降压转换而设计，并可产生一至四个独立的输出电压，范围为0.6~5V。该元件的电压模式控制架构允许从250kHz的可选固定操作频率，或可于同一范围被同步外部时脉。输出电流可透过监视横跨输出电感(DCR)的压降来感测以达到*高效率，或可透过一低值感测电阻感测。晶片上的差动放大器可针对VOUT及接地端

**移动视频体验，持续提升品牌竞争力

在4G时代，移动视频业务逐渐成为客户的基础业务，尤其随着智能手机渗透率的提升及视频内容不断丰富和多样化，移动视频出现不均衡的快速增长趋势，部分热点视频源突发及业务并发导致网络传输局部拥塞，视频传输从内容服务器到终端用户经历端到端的过程，传输丢包，时延以及无线网络的复杂性导致视频业务质量问题的分析和定位异常复杂和低效，如何准确判断移动视频热点的分布及变化？如何进行**规划和资源效率提升，保障视频流畅体验？如何进行视频质量问题快速定位和优化是运营商面临的关键挑战。华为基于全球经验和持续的新技术研发开发出4G移动视频体验提升解决方案，从**移动视频热点评估与动态预测，视频体验**规划以及视频质量端到端优化方面进行4G移动视频的全方位体验提升，识别价值热点区域及持续网络体验提升，快速问题处理与闭环，从而提升视频业务口碑与品牌竞争力，增强价值用户粘性。移动视频热点评估与动态预测移动视频流量的发展与复杂的移动用户行为密切相关，通过网络数据关联、地理化分析及vMOS评估等关键能力应用可准确分析网络现阶段的热点业务模型及vMOS差距，同时可实现基于视频分辨率、视频源、4G视频用户以及智能终端的分层可视

如何实现单片开关电源的设计

东芝推出DMOS FET晶体管阵列

东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出新一代高效晶体管阵列“TBD62064A系列”和“TBD62308A系列”，新一代产品搭载DMOS FET[1]型漏型输出(sink- output)[2]驱动器。这些新系列产品是已广泛应用于电机、继电器和LED驱动器等各种应用的双极晶体管阵列TD62064A系列和 TD62308A系列的后继系列，而且是业界首款[3]搭载1.5A漏型输出驱动器的DMOS FET晶体管阵列。TBD62064A系列产品的批量生产计划于2016年2月启动。TBD62308A系列产品样品发货即日启动，批量生产计划于2016年3月开始。这些新产品配置4个50V/1.5A额定输出通道，适合驱动恒压单极步进马达。东芝在其新产品中采用了DMOS FET型输出驱动器，以实现客户降低功率损耗所需的高效率——DMOS FET无需基极电流，其保持低导通电阻，因而在器件单位面积上可接受高电流密度。

45V 500mA LDO 具 25µVRMS 低噪声、1MHz 时的 60dB PSRR、并可主动给输出放电以保护负载

加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） – 2016 年 1 月 12 日 – 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高压、低噪声、低压差电压线性稳压器 LT3066，该器件提供精准的可编程电流限制、主动放电和电源良好标记功能，并改进了电源抑制比 （PSRR） 能力。LT3066 在满负载时提供高达 500mA 的输出电流，压差电压为 300mV。该器件包含一个内部下拉 NMOS，如果 SHDN 引脚为低电平或输入电压关断，该下拉 NMOS 就给输出电压放电。在诸如**成像传感器等启动和停机时需要电源调理的应用中，这种快速主动的输出放电有助于保护负载。LT3066 具有 1.8V 至 45V 的宽输入电压范围，输出电压在 0.6V 至 19V 之间可调。单个 REF/BYP 引脚电容器允许在 10Hz 至 100kHz 带宽内以仅为 25µVRMS 的低噪声工作，还提供了基准软启动功能，从而防止在接通时输出电压过冲。输出电压容限非常准确，在整个电压、负载和温度变化范围内的准确度为 ±2%。一个额外的 INFILT 引脚电容器在

Ampleon现在提供使用高成本效益功率晶体管

荷兰奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出**广泛的模压塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。BLP05H6xxxXR系列功率晶体管面向广播和ISM发射器或发电机制造商，瞄准FM/VHF无线电和电视广播，以及工业、科学和医疗RF功率发生器。该系列晶体管功率范围从35W直至700W CW （连续波），所有这些“同级*佳”极稳固RF功率晶体管使用相同的SOT1223封装外形，并且可以用于從高頻 （HF） 至600MHz频率范围的任何RF功率应用。这些功率晶体管能够耐受极端负载失配情况，并具有高效率，因而可以降低能源消耗和运作成本。由于需要较少的冷却，使得系统要求变得更简单，这有益于降低总体材料清单成本（BOM）。终端设备应用的具体实例包括CO2等离子激光器、MRI医疗扫描仪、粒子加速仪、等离子照明、FM无线电以及VHF数字TV。作為BLP05H6xxxXR系列晶体管性能的示例之一Ampleon使用了多个BLF188XR晶体管制作了BLP05H635XR演示电路，作为磁共振成像 （magne

优酷土豆携手华为抢滩4K视频市场：成立联合实验室

C114讯 1月21日消息（李明）国内互联网视频大佬优酷土豆今日携手通信设备巨头华为，以及索尼、电信运营商、电视厂商等合作伙伴，共聚北京召开主题为“越清晰 越开心”的4K新闻发布会及技术研讨会，针对4K的现阶段布局、生态建设及技术研讨等话题进行了深入交流。其中，优酷土豆与华为共同推出的“4K联合实验室”成为本次发布会上*大亮点，同时国内*大的4K内容服务平台——4K花园宣布成立。在业内人士看来，“4K花园”品牌和“4K联合实验室”的发布，不仅标志着国内*大的4K内容服务平台的成立，也意味行业大佬们正合力构建起一个4K视频新生态。鉴于华为在视频技术标准与商用实践方面的强大实力，“4K联合实验室“将致力于视频体验标准（U-vMOS）的研究、验证、优化以及4K视频相关的H.265、H.266编解码技术应用，共同为广大消费者带来沉浸式的更优4K视觉体验，真正开启“全民4K”的新时代。内容为王：4K花园打造国内*大4K内容服务平台对于消费者而言，4K全新的视频播放概念即将为我们带来全新的观影体验。但是，当前4K行业发展却遭遇了内容极度匮乏的行业瓶颈，广大消费者若想享受真正的4K超高清体验还很遥远