英飞凌(Infineon)针对现今及未来的准谐振反驰式拓朴趋势，推出全新700V CoolMOS P7系列。 相较于目前所用的超接面技术，全新MOSFET的效能更为出色，适用于软切换拓墣应用，包括智能型手机、平板计算机充电器，还有笔记本电脑电源供应器。
此外，新款CoolMOS也支持电视电源供应器、照明、音频与辅助电源的快速切换，及高功率密度设计要求。 新产品系列优化了外型尺寸，可达成极轻薄设计的目标。
在切换损耗(Eoss)的表现方面，相较于市面上其他品牌产品，新款700 V CoolMOS P7技术，可将切换损耗减改善幅度，由27%提升至50%。 应用于返驰式充电器时，这项技术可提升全机效率多达3.9%，此外，装置温度*多可降低16K。 与先前的650V C6技术相比，平均效率提升2.4%，装置温度下降12K。
新款产品整合稽纳二极管，确保其具备更高的ESD耐受性，*高达到HBM Class 2 等级。 如此一来，可改善组装产能，进而减少生产相关故障并省下制造成本，*终提升客户获利能力。 此外，700V CoolMOS P7的RDS(on)*Qg 与 RDS(on)*EOSS极低，因此耗损相对较低。 相较于C6技术和其他竞争对手的产品，*新系列还具备额外50V的阻断电压。
考虑到使用便利性，该项技术在设计上采用3V的VGSth，误差仅±0.5V，因此能轻易将全新P7系列整合到设计中，并可采用更低的闸极源极电压，进而更容易驱动且能减少闲置损耗。
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