加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和马萨诸塞州诺伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 6 日 – 亚德诺半导体 （Analog Devices， Inc.，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵**增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。
LTC7001 用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V （***大值为 150V） 之间的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动一个 1000pF 负载时，快速 13ns 上升和下降时间*大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。
LTC7001 采用 MSOP-10 封装，其引线配置为提供高压间隔。该器件有 3 种工作结温级版本，扩展和工业级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C，高温汽车级版本则为 –40°C 至 150°C，**级版本为 –55°C 至 150°C。千片批购价为每片 2.40 美元。如需更多信息，请登录 。
照片说明：快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器
性能概要： LTC7001
· 宽 VIN 工作范围：0V 至 135V （150V ***大值）
· 内部充电泵以实现 100% 占空比能力
· 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉以实现快速接通和断开时间
· 快速 35ns 传播延迟
· 可调接通转换率
· 3.5V 至 15V 栅极驱动器电源
· 可调驱动器电源 VCC 欠压闭锁
· 可调 VIN 过压闭锁
· CMOS 兼容输入
本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。
3月10日，ADI完成对**的高性能模拟集成电路公司凌力尔特之收购。收购凌力尔特之后，ADI 进一步增强了技术实力。有关此次收购的详情，请登录http://lt.linear.com/07c。
ADI 公司简介
Analog Devices （纳斯达克股票代码：ADI） 是全球**的高性能模拟技术公司，致力于解决*棘手的工程设计难题。我们使客户能够利用****的技术进行检测、测量、供电、连接和解读，智能地在现实和数字领域之间架起桥梁，从而了解我们周围的世界。详情请浏览 www.analog.com/cn。
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