Diodes 推出两款高频闸极驱动 IC

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Diodes 推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 IC,专门设计用于驱动半桥组态 下的两部外接 N 沟道 MOSFET。 50V 的额定值可满足各种马达驱动需求,特别是无 刷直流(BLDC)马达,这类马达越来越常用在电池供电的应用上,像是无人机、风 扇、***,以及包括电钻、手持吸尘器和搅拌器等无线电动工具。

两款高频闸极驱动 IC 驱动器采用逻辑准位输入(2.5V 起),可直接由 3.3V MCU 控 制,输出步进*高到 VCC供电(8V 至 14V),确保 MOSFET 获得完整强化,降低传导 损耗。 这些驱动器具备 1.8A 源极电流和 2.5A 汲极电流,可将拥有极低导通电阻 RDS(ON)的 MOSFET(包括 Diodes 的 DMT4002LPS)切换时间缩到*短,提升整体系统效 率。

两款闸极驱动器整合自举式二极管,可减少使用组件数量,并采用小巧的 3mm× 3mm DFN3030 封装,极适合空间与重量均受限的应用。 DGD0506 半桥仅需单一输 入,可将 MCU GPIO 脚位数减到*少,并可设定盲时为 70ns 至 420ns,提供设计上 的弹性。

如需更短的盲时,DGD0507 具备独立的高侧与低侧输入,可用于更高的切换频 率,传输延迟*大 35ns,能在 5ns 内完成匹配。 再加上其具备的防跨导电路逻辑, 确保高侧与低侧输出不会同时导通,藉此保护 MOSFET。 欠压锁定(UVLO)电路也 能保护 MOSFET,避免发生供电中断。

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