两款高频闸极驱动 IC 驱动器采用逻辑准位输入(2.5V 起),可直接由 3.3V MCU 控 制,输出步进*高到 VCC供电(8V 至 14V),确保 MOSFET 获得完整强化,降低传导 损耗。 这些驱动器具备 1.8A 源极电流和 2.5A 汲极电流,可将拥有极低导通电阻 RDS(ON)的 MOSFET(包括 Diodes 的 DMT4002LPS)切换时间缩到*短,提升整体系统效 率。
两款闸极驱动器整合自举式二极管,可减少使用组件数量,并采用小巧的 3mm× 3mm DFN3030 封装,极适合空间与重量均受限的应用。 DGD0506 半桥仅需单一输 入,可将 MCU GPIO 脚位数减到*少,并可设定盲时为 70ns 至 420ns,提供设计上 的弹性。
如需更短的盲时,DGD0507 具备独立的高侧与低侧输入,可用于更高的切换频 率,传输延迟*大 35ns,能在 5ns 内完成匹配。 再加上其具备的防跨导电路逻辑, 确保高侧与低侧输出不会同时导通,藉此保护 MOSFET。 欠压锁定(UVLO)电路也 能保护 MOSFET,避免发生供电中断。