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1.台湾**波半导体人才出走大陆潮将启动；
随着越来越多的台湾芯片业**大将投效大陆半导体产业，**波的半导体人才出走潮即将启动...
根据业界**分析师指出，由于即将上任的美国总统川普(Donald Trump)政府计划进一步紧缩大陆收购美国芯片公司的限制，预计大陆芯片制造商将砸重金延揽更多的台湾重量级半导体界菁英。
清华紫光集团(Tsinghua Unigroup)近年来频频与其他的大陆投资者联手，寻求收购国内与海外芯片制造商的机会。就在本月初，紫光集团还延揽了台湾联华电子(United Microelectronics Corp.；UMC)前执行长孙世伟(Shih-wei Sun)出任紫光集团全球执行副总裁。
这项消息是继几位台籍晶片业菁英投效大陆后的另一震撼弹。这些转战大陆、协助其发展半导体产业的台籍大将还包括台积电(TSMC)前共同营运长蒋尚义在上个月加入中芯国际(SMIC)担任独立董事。华亚科技(Inotera Memories)前董事长高启全转任紫光集团全球执行副总裁、华亚科技前**副总刘大维加入合肥长鑫。还有美光台湾分公司前任总经理陈正坤投效DRAM厂福建晋华(JHICC)。
半导体产业**观察家陆行之日前在Smartkarma.com发表评论：“大陆将会发现，要收购美国高科技公司极其困难，而且也很难利用大陆合资或全资企业取得美国的关键智慧财产权(IP)。因此，我们预计会有更多的台湾芯片业**大将投效大陆半导体产业，从而启动**波的半导体人才出走潮。”
陆行之预计，在接下来四年的川普新政府时代，美国司法部(DOJ)和美国外资投资委员会(CFIUS)将加强IP保护和国家**。
他在Smartkarma.com指出，大陆芯片制造商可能开出较台湾公司更高3倍的薪资酬劳，积极挖角台籍高阶主管投入大陆的较小竞争对手。
尽管大陆积极展开挖角行动，但台积电、三星(Samsung)和海力士(SK Hynix)仍将持续主导全球代工与存储器产业，无论是在制程技术、良率与研发(R&D)支出方面均**业界三年以上。陆行之说，中芯国际以及其他大陆芯片制造商很难在短期内迎头赶上。
然而，延揽台湾**半导体界菁英为其效命，将有助于大陆芯片公司加快其研发升级、制程技术以及改善良率的脚步。陆行之表示，这将使台湾半导体产业流失部份IP与营业机密至大陆。这样的结果将会对于台湾、全球二线代工与存储器供应商都十分不利，因为它很可能冲击市占率以及带来价格压力。
台湾约占全球芯片产量的四分之一。大陆的目标在于扶植国内半导体产业，因为大陆目前大多数的芯片仍必须仰赖进口，例如用于组装苹果(Apple) iPhone的芯片。eettaiwan
2.南茂之后,台湾封测厂力成终止紫光认股协议；
集微网消息，据台湾媒体报道，台湾封测厂力成跟进南茂脚步，昨天宣布终止与紫光集团、西藏拓展创芯的认股协议。对于未来是否有其他合作的替代方案？力成指出，不排除任何可能，但目前没有具体计划。
紫光集团在二○一五年十月三十日宣布，以每股七十五元收购力成私募股，总额为一百九十四亿元新台币，并于去年一月十五日获力成股东临时会通过，授权董事会于一年内以私募方式，就紫光集团可实质控制公司洽定应募人完成现金增资。
力成并于去年一月廿五日董事会洽定西藏拓展创芯投资为应募人，也向台湾经济部投审会提出申请。
不过，因紫光在同一时间陆续宣布入股南茂和矽品，争议过高，因此入股力成和南茂案迟迟未获台湾政府同意，南茂已率先在去年十一月底宣布终止引进紫光案。
而力成与紫光集团间的认股协议将于一月十四日到期，力成认为，这项私募案应无可能于股东会授权的期限内完成，因此选在到期日前**决议通过不继续该私募案。
针对未来双方是否还有其他合作替代方案，力成昨天保留空间指出，不排除这个可能，但目前双方没有实质计划。
在上海宏茂改变股东结构后，紫光的股权已经超越南茂，宏茂的董事长将由紫光集团推派，但原则是双方共同经营。据南茂计划，和紫光集团合作后，将先扩大LCD驱动IC封测和晶圆凸块产能，希望占南茂集团营收由目前的百分之六到百分之七，至三年后提升到百分之三十。
3.中芯国际大涨31%，2016年纯晶圆代工厂排行；
集微网消息（编译/刘洋），据IC Insights“2017年McClean报告”预测，在未来五年全球IC市场发展过程中，看好纯晶圆代工厂的市场增长趋势。McClean报告预测，2016 ～2021年晶圆代工市场将以7.6％的年复合增长率（CAGR）增长，从2016年的500亿美元增长到2021年的721亿美元。
目前IC代工厂主要有两类客户，Fabless公司例如Qualcomm、Nvidia、Xilinx、AMD等，和IDM厂商例如ON，ST，TI，Toshiba等。自1988年以来，IC代工厂的成功主要通过IDM外包的形式促进销售增长。此外，大量新增的中小型IC公司偏爱Fabless的商业模式，包括富士通，IDT，LSI公司，Avago和AMD在过去几年中成长为Fabless厂商。
2016年四大晶圆代工厂台积电、GlobalFoundries、联华电子和中芯国际占全球市场总量的85％。IC Insights表示，台积电在2016年以59％的市场份额（与去年相同）排**，销售额增长了29亿美元，是2015年14亿美元的两倍。GlobalFoundries、联华电子和中芯国际三家紧随其后，合并市场份额占26％，与2015年相同。
其中，GlobalFoundries2016年销售额增长10%达55.45亿美元，市占率维持11%。联电2016年销售额达45.8亿美元，年成长3%，市占率下滑1个百分点至9%。中芯国际去年销售额增至29.2亿美元，比2015年大增31%，市占率提升1个百分点至6%。2011年以来，中芯国际营收从12.2亿美元大幅增长至2016年的29.21亿美元，以19%的年复合增长率快速增长，表现出强大的增长趋势。
去年10月，中芯国际连续宣布新厂投资计划，在上海和深圳分别新建一条12英寸生产线，天津的8英寸生产线产能预计将从4.5万片/月扩大至15万片/月，成为全球单体*大的8英寸生产线，未来中芯国际将联合**，带动中国半导体产业链的发展稳步前进。
4.唯捷创芯募资7000万元后拟摘牌；
1月13日消息，与景域文化（835188）融完资就跑相同的是唯捷创芯（834550）也是在7000万元的融资之后拟摘牌新三板。
挖贝网了解到，2017年1月9日，唯捷创芯刚完成一笔金额为7000万元的募资，发行目的为偿还公司借款。在该次募资中，唯捷创芯以每股51.85元的价格发行股票135万股，认购对象为4名新增投资人。其中上市公司长荣股份（300195）认购1500万元；集封股权认购3000万元；天创鼎鑫认购500万元；天创保鑫认购2000万元。
从财务数据来看，唯捷创芯近两年表现良好。2014年度、2015年度、2016年1-6月营业收入为4.69亿元、4.06亿元、2.54亿元；净利润分别为5181.25万元、4725.22万元、2845.71万元。
在解释摘牌原因时唯捷创芯方面仅仅表示：“因公司经营和发展的战略调整”，并未作详细说明。
唯捷创芯于2015年12月3日新三板挂牌上市，在新三板挂牌的一年多时间并非一帆风顺。曾于2012年8月和2016年2月与威讯联合及威讯联合（北京）发生了2起侵权诉讼案件。2起诉讼涉案金额1.41亿元，唯捷创芯共支付上述公司3874万元（580万美元按6.675汇率换算）和解费。
据挖贝新三板研究院资料显示，主要从事射频及**模拟芯片的研发、生产和销售。 挖贝网
5.做强功率半导体产业成当务之急；
如果说中央处理器（CPU）是一台计算机的心脏，功率半导体就是电机的心脏，以它为核心的电力电子器件可实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程**率半导体发挥的作用不可替代。然而，与集成电路产业相似，我国的功率半导体产业的发展水平与******也存在着巨大的差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较，其实如果按比例计算，我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。针对我国当前功率半导体产业发展状况以及2016-2020年电力电子产业发展重点，中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟、中国IGBT技术**与产业联盟、中国电器工业协会电力电子分会、北京电力电子学会共同发布《电力电子器件产业发展蓝皮书》（以下简称《蓝皮书》）。《蓝皮书》指出，电力电子器件产业的核心是电力电子芯片和封装的生产，但也离不开半导体和电子材料、关键零部件、制造设备、检测设备等产业的支撑，其发展既需要上游基础的材料产业的支持，又需要下游装置产业的拉动。
电力电子影响广泛，市场容量超千亿美元
作为半导体产业的一大分支，与集成电路相仿，功率半导体的作用同样巨大。《蓝皮书》指出，电力电子器件是采用半导体材料制造、用于实现电能高效转换的开关控制电子器件，包括功率半导体分立器件、模块和组件等。它们是实现对电能高效产生、传输、转换、存储和控制，提高能源利用效率、开发可再生能源，推动国民经济可持续的基础。近年来，“节能减排”、“开发绿色新能源”已成为我国长期发展的基本国策。在我国绿色能源产业发展的推动下，功率半导体已经成为建设节约型社会、促进国民经济发展、践行**驱动发展战略的重要支撑。此外，功率半导体不仅涉及到电力电子器件、电力电子装置、系统控制及其在各个行业的应用等领域，还涉及到相关的半导体材料、电工材料、关键结构件、散热装置、生产设备、检测设备等产业，产业链长、产业带动作用巨大，在推进实施《中国制造2025》规划中具有重大意义，对深入推进制造业结构调整和企业技术改造，实施中国制造强国建设“三步走”的发展战略提供强大的支撑。
正是由于电力电子器件的巨大作用，其现在已经形成一个庞大的市场需求和产业规模。《蓝皮书》数据显示，2013年国际电力电子器件市场容量已接近1千亿美元，而且市场年平均增长速度在15%左右。“十二五”以来，我国电力电子器件市场在全球市场中所占份额就越来越大，已成为全球*大的大功率电力电子器件需求市场。我国市场的增长速度高于全球水平，年增长率近20%。
国际大厂主导产业，中国功率半导体亟须做强
《蓝皮书》同时指出，虽然功率半导体产业**重要性，且规模庞大，但是主要供应商集中在美国、日本和欧洲。美国是电力电子器件的发源地，在全球电力电子器件市场中占有重要的位置，主要器件企业有通用电气（GE）、ON Semi等。从上世纪90年代开始，日本成为国际上电力电子器件产业的发达地区，主要器件企业有东芝、富士和三菱等。欧洲也是全球电力电子器件产业的发达地区，主要企业有英飞凌、ABB、Semikron等。国际上SiC电力电子器件的主要供应商有Wolfspeed、英飞凌、罗姆、东芝、富士和三菱等公司；国际上GaN电力电子器件的主要企业有英飞凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaN System、EPC、Avogy等。
从技术角度看，在超大功率（电压3.3kV以上、容量1～45MW）领域，目前国际上6英寸8.5kV/5kA晶闸管已商品化。瑞士ABB等公司开发了非对称型、逆导型和逆阻型IGCT的产品，研发水平已达到9kV/6kA，商业化产品有4.5kV和6kV两种系列，其中6.5kV/6kA的IGCT产品已经开始供应市场。
在中大功率领域（电压1200V～6.5kV），IGBT是市场上的主流产品。IGBT器件（包括大功率模块、智能功率模块）已经涵盖了300V～6.5kV的电压和2A～3600A的电流。近年来，以德国英飞凌、瑞士ABB、日本三菱、东芝和富士等为代表的电力电子器件企业开发了先进的IGBT技术和产品，占有全球每年约50亿美元的市场，带动了高达几百亿美元的电力电子设备市场。
SiC是目前发展*成熟的宽禁带半导体材料，已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。GaN是另一种重要的宽禁带半导体材料。它具有独特的异质结结构和二维电子气，在此基础上研制的高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种平面型器件，可以实现低导通电阻、高开关速度的优良特性。以SiC和GaN材料为代表的宽禁带半导体材料和器件产业已成为高科技领域中的战略性产业，国际**企业已经开始部署市场，全球新一轮的产业升级已经开始。
在**方面，2001～2010年期间，全球电力电子器件行业**申请量处于稳步增段，每年的全球**申请量都在1500项左右，器件类型以MOSFET和IGBT为主，申请量占比达到67%。国际上电力电子器件的**集中于国际大型公司，全球**申请量居前5位的分别是东芝、NEC、日立、三菱、富士，均是日本公司，欧洲和美国的GE、英飞凌、西门子、ABB等欧美企业也在该领域申请了大量**。
综合而言，我国宽禁带电力电子器件技术和产业水平还落后于******。以IGBT为例，我国IGBT芯片的进口率居高不下，主要市场仍然被国外企业所主导，严重阻碍了我国独立自主IGBT器件产业的健康发展。
打造完整产业链，制定技术路线图
2013年，我国的电力电子器件市场总额近2000亿元，由此直接带动的电力电子装置产业的市场超过2万亿元。中国电器工业协会电力电子分会预测，随着新能源**的推动，我国电力电子器件产业将迎来10～20年的黄金发展期，将保持较高的增长态势，并在投资增量需求与节能环境需求的双重推动，以及下游电力电子装置行业需求高速发展的拉动下，我国电力电子器件市场到2020年预计将超过5000亿元。在此情况下，发展自主**可控的功率半导体产业是当务之急。
对此，《蓝皮书》指出，电力电子器件产业的核心是电力电子芯片和封装的生产，但也离不开半导体和电子材料、关键零部件、制造设备、检测设备等产业的支撑，其发展既需要上游基础的材料产业支持，又需要下游装置产业的拉动。
“十三五”期间，我国功率半导体为重点的电力电子产业应当以什么样的一幅路线图进行发展？《蓝皮书》建议，2016～2020年在以下技术和产业进行重点布局，并制定关键材料和关键器件的相关技术标准。其中，近期发展目标可制订为：在硅基电力电子器件用8英寸高阻区熔中照硅单晶圆片，IGBT封装用平板全压接多台架精密陶瓷结构件、氮化铝覆铜板、铝-碳化硅散热基板，6英寸碳化硅单晶及外延材料，6～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高温（>300℃）封装材料等关键材料方面形成生产能力。2020年发展目标为：在关键材料方面，形成硅基电力电子器件所需全部材料、碳化硅6英寸单晶和厚外延材料、6～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN电力电子器件所需高温（>300℃）封装材料等的生产能力，并建立相应标准体系和**保护机制；在关键电力电子器件方面，硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化产品，综合性能达到******，SiC二极管、晶体管及其模块产品和GaN器件产品具有国际竞争力。中国电子报
6.海尔无线宣布投资前英特尔无线充电技术团队Xair
集微网消息，2017年1月12日海尔无线正式宣布投资前英特尔无线充电技术团队——苏州越空电子（Xair），并成为其控股股东。海尔无线总经理李标、越空电子CEO张晟、越空电子CTO林森，以及海尔无线部分高层管理、媒体代表等，共同出席本次签约发布会。
据了解，越空电子（Xair）创始人张晟曾担任Intel无线充电事业部运营主管、Fluke/Hach公司运营总监，其团队囊括了从研发、设计、优化到量产的完整无线充电解决方案专家和技术人员。Xair拥有行业**的磁共振无线充电技术，尤其是高功率远距离及芯片级无线充电解决方案，并参与制定无线充电技术标准，致力于打造端到端的智能无线充电解决方案。
无线电力传输一定是支持未来互联网发展的颠覆性技术之一。早在2007年，海尔无线便一直致力于无线电力传输的研究、产业生态的培育、系列产品与解决方案的提供，规划在快速充电和远距离充电技术领域，整合全球**资源，颠覆**行业。
海尔无线总经理李标认为，越空电子（Xair）自带Intel国际化的**研发基因，拥有成熟的系统解决方案和专业技术团队，投资Xair被视为海尔无线的一项重要战略计划，相信两个团队资源的成功整合，将对打造无线充电产业生态圈，加快突破无线充电市场布局有着重要的意义。
越空电子（Xair）CEO张晟指出，2015年5月， Xair的前身——英特尔（Intel）无线充电事业部团队曾与海尔无线合作，将磁共振技术**应用于公共服务领域，先后在北京、上海、广州的小尾羊、DQ（冰雪皇后）的100多个门店铺设了手机无线充电热点，实现一对多的同步无线充电，和APP智控。共同的无线充电事业目标、曾经的默契合作、对彼此团队的高度认同，以及我们看好海尔无线在无线充电产业的**地位及强大资源优势，是成就这次美好姻缘的重要原因。
未来，越空电子（XAir）将全力作好海尔无线的研发资源方，与海尔无线共同培育无线产业，共同打造无线智慧之家、无线智慧城市以及无线产业生态圈。
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