东芝半导体与储存产品公司今宣布推出**业界之全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET 40V与45V系列产品,其具备低导通电阻和高速之优良表现, U-MOS9系列MOSFET产品阵容提供更多样化产品选择,以满足製造商各式需求。回应市场期待与需求,系列产品即日起开始出货。
此MOSFET新品利用东芝低电压*新世代沟槽结构之U-MOS九代製程以达到**业界[1]的低导通电阻及高速表现,其全新结构有效降低“RDS
RDS
·低输出电荷
·高速表现
·低切换杂讯
·提供4.5V逻辑準位驱动