东芝2016年9月26日推出了两款导通电阻小的负荷开关用n通道MOSFET产品，分别是+30V耐压的“SSM6K513NU”和+40V耐压的“SSM6K514NU”。+30V耐压产品的导通电阻仅为6.5mΩ，+40V产品为8.9mΩ（均为栅极-源极间电压为+10V时的标称值）。该公司表示，“实现了业界*高水平的低导通电阻”。与该公司原产品（SSM6K504NU）相比，可使导通损耗引起的发热量降低约40％。适合支持USB Type-C及USB PD（Power Delivery）等的小型移动产品的10W左右电力的开关用途。可用于智能手机及平板电脑等。
新产品利用东芝*新的沟道型MOSFET工艺技术“U-MOS IX-H”制造。+30V耐压产品的*大漏电流为15A（连续时），栅极-源极间电压为+4.5V时的导通电阻为8mΩ（标称值），栅极电荷量为7.5nC（标称值），输入电容为1130pF（标称值），反馈电容为52pF（标称值），输出电容为350pF（标称值）。+40V耐压产品的*大漏电流为12A（连续时），栅极-源极间电压为+4.5V时的导通电阻为11.2mΩ（标称值），栅极电荷量为7.5nC（标称值），输入电容为1110pF（标称值），反馈电容为26pF（标称值），输出电容为245pF（标称值）。
符合车载用分立半导体的品质标准“AEC-Q101”。封装为SOT-1220。*大工作通道温度为+150℃。价格未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）
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