英飞凌(Infineon)旗下IR HiRel推出**款采用专属N通道R9技术平台的抗辐射MOSFET。相较于先前的技术，在尺寸、重量、功率上都更加精良。这对于如高传输量卫星系统的应用而言非常重要，可大幅降低其每位元价格比(Cost-per-bit-ratio)。这款100V、35A的MOSFET，非常适用于年限高达15年以上的应用，包括太空等级直流对直流转换器、中间汇流排转换器、马达控制器及其他高速切换设计等。
由英飞凌IR HiRel事业体开发的IRHNJ9A7130和IRHNJ9A3130具备完全抗TID (总游离剂量)的功能，抗辐射性分别为100 kRad及300 kRad，25 mΩ的RDS(on)(典型)比前一代装置低33%，结合了强化的汲极电流能力(从22A提升到35A)，使MOSFET在切换应用上能够增加功率密度，降低功率损失。
这款MOSFET已提升抗单粒子事件效应(SEE)能力，并具备高达90MeV/(mg/cm2)的直线能量转移(LET)实用效能，比前一代高出10%以上。两款新装置均采用密封、轻量、表面黏着陶瓷封装(SMD-0.5)技术，尺寸仅10.28mm×7.64mm×3.12mm，也提供裸晶类型。
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