AOS公司介绍称,“目前,便携终端用充电器都要求提高输出功率。业界通过提高输出电压和增加输出电流的方法应对”。此次的MOSFET面向后者——以低电压大电流充电的方法进行了优化。也就是说,削减了栅极驱动电压较低时的导通电阻。新产品各型号的导通电阻(栅-源间电压为+4.5V时)只有6.3m~13.5mΩ(*大值)。封装有8端子SOP、DFN5×6、DFN3×3三种。
8款产品的特性如下:“AO4268”为8端子SOP封装品,导通电阻为6.5mΩ(栅-源间电压为+4.5V时的*大值,下同),输入电容为2500pF,输出电容为670pF,反馈电容为65pF;“AO6262E”为8端子SOP封装品,导通电阻为8.5mΩ,输入电容为1650pF,输出电容为520pF,反馈电容为52pF;“AO6264E”为8端子SOP封装品,导通电阻为13.5mΩ,输入电容为1100pF,输出电容为300pF,反馈电容为28pF;“AO6268”为DFN5×6封装品,导通电阻为6.3mΩ,输入电容为2520pF,输出电容为670pF,反馈电容为65pF;“AO6262E”为DFN5×6封装品,导通电阻为8.5mΩ,输入电容为1650pF,输出电容为520pF,反馈电容为52pF;“AO6264E”为DFN5×6封装品,导通电阻为13.3mΩ,输入电容为1100pF,输出电容为300pF,反馈电容为28pF;“AO7262E”为DFN3×3封装品,导通电阻为8.5mΩ,输入电容为1652pF,输出电容为520pF,反馈电容为52pF;“AO7264E”为DFN3×3封装品,导通电阻为13.3mΩ,输入电容为1100pF,输出电容为300pF,反馈电容为28pF。
8款产品均已开始量产。批量购买1000个时的美国参考单价为0.48~0.79美元。(特约撰稿人:山下胜己)