意法半导体(ST)发布两款40V车用等级MOSFET。新产品采用该公司*新的STripFET F7制造技术，开关性能优异、效能出色、杂讯辐射极低，且抗干扰能力强。新产品*大输出电流达120A，主要应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和**系统，同时优异的开关特性使其适用于马达驱动装置，例如，电动助力转向系统(Electric Power Steering, EPS)。
该公司的STripFET系列，采用DeepGATE技术，达到降低晶片单位面积导通电阻和RDS(on)×栅电荷(Qg)值，在采用相同的功率元件封装条件提供更高的效能。高雪崩耐受度特点是此新产品另一大亮点。
透过降低体效应二极体的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)，STripFET F7增强切换性能和大幅提升产品效能，另外软性反向恢复可大幅降低静电干扰 (electromagnetic interference, EMI)，从而放宽对滤波元件的要求。
此外，优化此装置的容值，使元件抗干扰性获得改善，缓解对缓冲电路的需求，栅极磁滞电压校调，使元件具有良好的抗干扰功能，而无需专用栅极驱动器。在马达驱动等电桥拓朴中，二极体软性恢复特性，有助于防止直通电流现象发生，从而提升驱动电路的可靠性。
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