Fairchild推出其SuperFET III 650V N通道MOSFET系列。新一代MOSFET能够满足*新的电信、伺服器、电动汽车(EV)充电器及光伏产品对于更高功率密度、系统效率及出色的可靠性方面的要求。
SuperFET III MOSFET系列兼具同类*佳的可靠性、低EMI、出色的效率以及**的热效能，使其成为高效能应用的理想选择。除了出色的效能特性，其广泛的封装选择更是锦上添花，赋予产品设计者更大的灵活性，对于尺寸受限的设计尤其如此。
在任何驱动简易的超接面MOSFET中，SuperFET III技术均可实现*低Rdson，同时提供同类*佳效率。该产品能够实现这一优势是因为它采用了先进的电荷平衡技术，相较其SuperFET II前代产品，在封装尺寸相同的情况下，Rdson可降低44%。
SuperFET III系列具有**的耐用性及可靠性，其中的关键因素在于其同类*佳的体二极体以及优于其*相近竞争产品三倍的单脉冲崩溃能量(EAS)效能。
650V SuperFET III系列在关断期间具有较低的峰值汲源极电压，在低温运行时可增强系统可靠性，因为相较于室温，在接面温度为-25℃的条件下，崩溃电压自然而然地降低5%，且峰值汲源极电压在低温下会增加。
这些可靠性优势对于诸如光伏逆变器、不间断电源(UPS)及EV充电器等应用尤其重要，此类应用必须能够耐受更高或更低地外部环境温度。SuperFET III MOSFET系列今日上市，提供多种封装及参数选择。
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