东芝推出降低了导通电阻的＋40V/＋45V耐压的n通道型功率MOSFET。该产品属于该公司低耐压n通道型功率MOSFET产品群“U-MOS IX-H系列”，此次推出了＋40V耐压的9款产品和＋45V耐压的5款产品。通过利用该公司*新的工艺技术“U-MOS IX-H”制造，降低了导通电阻与栅极电荷量之积——性能指数（FOM：Figure of Merit）。据该公司介绍，“低导通电阻和高速开关实现了业内*高性能”。另外，采用了抑制开关工作时产生的电脉冲及振铃（Ringing）的单元结构，因此可以降低开关噪声，可以减小电磁辐射噪声（EMI）。该产品适用于工业设备及消费类产品所配备的DC-DC转换器、AC-DC转换器（开关电源）及马达驱动电路等。
＋40V耐压产品中导通电阻*低的是“TPWR8004PL”。封装为DSOP Advance，连续时的*大漏电流为150A。栅极-源极间电压为＋10V时，导通电阻为0.8mΩ（*大值），栅极-源极间电压为＋4.5V时，导通电阻为1.35mΩ（*大值）。栅极电荷量（Qg）为103nC（标称值）。栅极开关电荷量（Qsw）为23nC（标称值）。输出电荷量（QOSS）为85.4nC（标称值）。输入容量为7370pF（标称值）。
＋45V耐压产品中，导通电阻*低的是“TPW1R005PL”。封装为DSOP Advance，连续时的*大漏电流为150A。栅极-源极间电压为＋10V时，导通电阻为0.99mΩ（*大值），栅极-源极间电压为＋4.5V时，导通电阻为1.65mΩ（*大值）。栅极电荷量（Qg）为122nC（标称值）。栅极开关电荷量（Qsw）为34nC（标称值）。输出电荷量（QOSS）为98nC（标称值）。输入容量为7700pF（标称值）。
14款产品均已开始量产供货。价格未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）
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