东芝将向NAND投资8600亿日元，预计2016财年销售不到5万亿日元

武汉新芯新厂 重点主打3D-NAND Flash

大陆半导体厂武汉新芯将在月底前进行新内存晶圆厂动土，市场传出武汉新芯将兴建新DRAM厂，对国内DRAM厂南亚科、华邦电等将造成冲击。不过，市调机构集邦科技昨日指出，武汉新芯主攻NAND Flash市场，新厂在2018年量产后，将以生产3D-NAND Flash为主。集邦表示，武汉新芯新建内存晶圆厂将从3月底开始进行建厂工程，目标*快在2018年年初开始生内存芯片，初期规划将以目前*先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展内存产业的态势下，将开始进入新的里程碑。集邦科技旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。不同于国际NAND Flash大厂均自行建厂及生产，没有对外授权，武汉新芯选择与飞索半导体（Spansion）共同合作开发3D-NAND Flash技术，并在去年完成初期芯片电气测试后，持续往更高的堆栈数迈进，目标2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的产品，来切入高成长性的NAND Flash存

武汉新芯动土 陆半导体启新页

IC工艺制程竞赛升级 下一个爆发点值得期待

莫大康全球半导体业己进入逻辑工艺16/14纳米制程及NAND闪存的1z纳米的量产，其中英特尔、三星、台积电及东芝、美光等多家正同台亮相，未来在“定律”的驱使下进入10纳米制程，争夺非常激烈，各家都认为可以**对手。先进制程争夺激烈据报道，台积电在2015 Q3宣布16纳米量产后，它首先声称2016年内量产10纳米。而当三星声称可在2016 Q4量产时，台积电马上又称进程可能提前。相比之下英特尔总显得步伐似乎慢了一点，它声称10纳米要到2017年才能量产。实际上其中含有各家的舆论宣传技巧，因为至此产业界对于特征尺寸的定义并非有统一标准，也即三家说的所谓10纳米，未必是同样的东西。近期权威机构Chipworks作了客观比较，它认为英特尔14纳米的栅极间距为70纳米，内部互联*小间距为52纳米，这两项指标分别比22纳米时缩小了22％、35％。相比之下，台积电16纳米、三星/GF 14纳米的栅极间距分别是90纳米、78纳米，前者只相当于英特尔22纳米的水平，后者也略弱一些，而内部互联*小间距则都是64纳米，相比于英特尔大了23％。所以全球半导体工艺制程尺寸的历程，英特尔肯定是走在前列，至今对于

武汉新芯工厂将破土3D NAND技术三星64层新芯8层？

1.武汉新芯工厂将破土 中国芯片产业能否后来居上？;2.力成、美光西安合建封装厂昨天正式量产;3.日月光另辟蹊径 拚抢董监事席次;4.日月光再砸90亿买矽品，持股已达30.44%;5.中芯国际CEO邱慈云再次当选GSA董事;6.支配计算领域44年后 摩尔定律下一步该往哪走？ 老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow 1.武汉新芯工厂将破土 中国芯片产业能否后来居上？;中国正打造一个***的半导体产业，生产广泛用于电子设备的记忆芯片。中国正斥资240亿美元打造一个***的半导体产业，将与一家美国公司合作生产广泛用于电子设备的记忆芯片。武汉新芯集成电路制造有限公司 架构更新 优化 英特尔 CEO Brian Krzanich 表示，“我们的更新周期已经从 2 年延长到了 2 年半。”这意味着对于英特尔而言，摩尔定律已经失效。摩尔定律的失效，并不出乎人们的意料。微软研究院的副总裁 Peter Lee 曾经开玩笑说：“预测摩尔定律将会失效的人数，每 2 年都会翻上一番。”而在英特尔官方宣布放弃追求摩尔定律曲线的时候，这**也就到来了。摩尔定律对

武汉新芯新厂动土邀请函曝光！240 亿美元资金到位

中国发展记忆体产业再有新进展！中国武汉新芯将建新记忆体厂，新厂动土仪式就落在本月 28 日，根据科技新报取得的消息，武汉新芯将建的为 NAND Flash 厂，而非市场谣传的 DRAM 厂，据悉，国家集成电路产业发展基金（大基金）与湖北省政府已到位，武汉新芯已磨刀霍霍进军 Flash 市场。 中国拟自建半导体供应链，在国安、**考量下，记忆体一直是中国亟欲自足发展的领域，并属意选定一个省市为重点发展区域，先前在六大地方政府竞逐下，*终由武汉新芯出线，获得大基金挹注，统筹整体记忆体产业发展。据悉大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位，武汉新芯将于本月 28 日举行动土仪式，并已发出邀请函，从邀请函内容显示，新的厂区将落户于武汉东潮新技术开发区，投资总金额高达 240 亿美元，外传武汉新芯将先兴建 12 寸 DRAM 厂，然根据科技新报取得的消息，武汉新芯将先行建造 Flash 厂，同样生产 NOR 型 Flash，并逐步移转至 NAND Flash 产品，甚至 3D NAND Flash，*终目标产能 30 万片。从 3D NAND Flash 弯道超车的野心从武汉新芯近期的布局或可看出

传苹果iPhone 7将推大容量规格256GB NAND Flash由闪迪供货

近期外界诸多针对苹果(Apple)新一代iPhone 7相关规格的讨论，*新有大陆外媒报导传言，新iPhone 7较大尺寸版本可能将推出一款内建256GB超大储存容量的机型，而根据义大利科技部落格HDblog公布的外流照片显示，供应5.5吋新iPhone 7 Plus内建256GB NAND Flah存储器的厂商可能为闪迪(SanDisk)。根据科技网站MacRumors及大陆外媒报导，苹果先前多款iPhone均曾采用闪迪的Flash存储器芯片产品，包括iPhone 5、iPhone 6及iPhone 6 Plus等机种，其他iPhone机种则是采用韩厂三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)以及日厂东芝(Toshiba)的NAND Flash芯片。据传闪迪方面一直在设法将256GB NAND Flash存储器芯片的体积，设计到比64GB的NAND Flash芯片体积还小，主因即外传新iPhone 7产品线可能机身厚度*高只有1mm薄，加上可能会配有更大容量的3,100mAh电池，基于如此小的机身容量及大容量电池已占新iPhone 7不少内部空

西部数据股东投票同意收购闪迪案 估2Q完成购并

美国硬碟制造大厂西部数据(WD)收购NAND Flash大厂闪迪(SanDisk)一案，近日经西部数据召开特别股东大会，由超过9成西部数据股东投票赞成以190亿美元收购闪迪一案；此前闪迪股东也有高达98%投票赞成这项收购案。预期西部数据收购闪迪一案将于2016年第2季完成。科技网站Computerworld报导指出，西部数据超过9成股东投票同意先前宣布收购闪迪相关的西部数据普通股发行一案。目前西部数据已经取得来自美国、欧盟(EU)、新加坡、日本、台湾、韩国、南非及土耳其等国及地区的监管机构批准，但尽管如此，与闪迪的合并案仍有待大陆监管当局的批准同意。西部数据首度于2015年10月宣布欲收购闪迪的意愿，表示将以现金及股票收购，虽然西部数据也有生产NAND Flash，不过该公司更是生产硬碟及管理软体等产品的主要制造商。市调机构IDC研究副总裁Jeff Janukowicz表示，借由收购闪迪，将主要有助西部数据在全球NAND Flash存储器芯片市场上立即取得立足基础。闪迪主要以生产固态硬碟(SSD)及SD卡这类NAND Flash存储器产品为主。这项收购案正值当前全球IT产业快速演进及变

武汉新芯12寸DRAM厂 28日动工

大陆记忆体业新秀武汉新芯廿八日将举行旗下首座十二寸DRAM厂建厂动工仪式。武汉新芯挟官方资金与国家集成电路产业发展基金（大基金）支持，向全球宣示大陆建立自主记忆体技术与制造的决心。 这是继紫光集团进军记忆体领域、酝酿收购多家国际大厂之后，大陆于记忆体领域又一次大动作布局。武汉新芯此十二寸DRAM厂建厂，是大陆首度凭藉自有资金的记忆体晶片建厂案，牵动全球记忆体板块移动，业界高度关注 。业界人士指出，先前大陆业者进军LED、面板、触控等产业，挟官方资源撑腰下，大举扩产，使得这些产业都陷入杀价竞争、供过于求的窘境。武汉新芯进军DRAM产业，大举建厂，加上紫光和合肥市政府后续也都有意在大陆盖DRAM厂，反映大陆力攻记忆体的旺盛企图心，是否会让DRAM产业重蹈LED、面板、触控的覆辙， 使市场陷入红海，乃至威胁南亚科、华邦等台湾厂商，都不容小觑。据悉，武汉新芯稍早也曾争取与三星、ＳＫ海力士及美光等大厂技术合作，但未获三大厂同意，武汉新芯因而改采自主研发与盖厂方式进行。DRAM专业研调机构集邦科技表示，武汉新芯成立于二○○六年，是湖北省与武汉市的重大战略投资项目，先前曾与大陆晶圆代工龙头中芯国际一

三星发布T3移动SSD 自带type-c接口

2016年前段晶圆厂设备支出估计增加3.7%

东芝HK4系列SATA SSD瞄准企业和资料中心应用

东芝电子(Toshiba)推出针对读取密集和价值耐久(value-endurance)工作负载设计的HK4系列6Gbit/s SATA固态硬碟(SSD)。此款HK4系列是TOSHIBA**采用15nm MLC NAND快闪记忆体、且特别针对企业和资料中心应用设计的企业级SSD，提供支援高服务品质(QoS)的低延迟设计。 读取密集型HK4R系列容量高达1.92TB，耗电量低，适合网页伺服器、档案伺服器、媒体串流、随选视讯、搜索引擎和半线上储存(warm data storage)等企业应用。价值耐久型HK4E系列硬碟的每日写入量(DWPD3)为3，容量高达1.6TB，非常适合资料中心与混合工作负载应用。HK4系列也是TOSHIBA首批可选择支援可信赖运算组织(TCG)企业加密的SATA SSD，同时内建东芝QSBCR(Quadruple Swing-By Code)错误修正技术。东芝**的QSBCR错误修正技术是一种高效率的错误修正码(ECC)，可防止NAND快闪记忆体媒体损耗导致客户资料毁损，进而改善东芝SSD的可靠度并延长其寿命。HK4系列提供五年有条件保固，从即日起上市。可自行加密

新金宝前进巴西　NAND Flash封装厂4月进入量产

为了协助各地客户就地生产需求，新金宝集团先前就展开了产线全球分散的布局规划，目前除了已经是在泰国与菲律宾投资规模*大的台资制造业者之外，也针对南美地区的市场需求，前往巴西当地设厂。 新金宝表示，与群联在巴西合资的NAND Flash封装厂即将于2016年3月底完工，预期5月之后可以逐步进入试产阶段。对此，新金宝指出，由于巴西当地法令规定，在市场上销售的产品须有一定程度在当地制造，例如固态硬碟(SSD)目前的在地制造的比重约为40%，而到2017年时，此一比重可望达到80%。巴西厂的设立，将可以满足相关需求。据了解，新金宝在巴西地区设厂已经有5年左右，先前巴西厂主要生产机上盒、硬碟、数据机、主机板等产品，不过由于智能型手机市场近年快速成长，为供应手持端产品的需求，因此与群联等伙伴合作于巴西马瑙斯免税区投资设立半导体封装厂，提供NAND Flash及eMMC(嵌入式快闪记忆卡)等产品封装，下半年进入量产后，将可协助客户进一步符合当地法令规范。新金宝指出，虽然巴西当地市场具有相当的成长潜力，不过由于关税与在地生产比重等法规的限制，让不少电子制造业者都选择前往巴西当地设厂，以符合在地生产比重限

西部数据为收购SanDisk拟举债180亿美元

威腾(Western Digital)计划于下周发债180亿美元，筹募收购新帝(SanDisk)所需资金。 根据彭博商业(Bloomberg Business)报导，知情人士透露，提供该交易融资的银行团将于3月15日举行投资者会议，寻求60亿美元定期贷款B (TLB)的投资者。TLB通常是由共同基金、对冲基金和担保贷款凭证(Collateralized Loan Obligations；CLO)发行机构投资。据监管机构备案，威腾的融资包括90亿美元的定期贷款、81亿美元的过渡性贷款(bridge loan)，以及10亿美元的循环信用额度(revolving credit line)。新帝为NAND Flash芯片*大制造商之一。NAND Flash芯片更省电、读写速度更快，而更适合云端运算资料中心使用，因此吸引以传统硬碟为主的威腾出手收购新帝。摩根大通(JPMorgan)、美国银行(BofA)、瑞士信贷(Credit Suisse)和加拿大**银行(Royal Bank of Canada)已承诺提供资金，并将安排债务销售相关事宜。

三星稳坐存储器市场龙头 觊觎系统半导体

三星电子（Samsung Electronics）稳坐存储器市场龙头地位，更进一步觊觎系统半导体的全球王座。2015年移动应用处理器（AP）市场排名已超越大陆业者展讯通信上升到第四位，在数据芯片市场排名也提高。 根据韩国经济报导，依市调机构Strategy Analytics（SA）的资料显示，三星2015年AP市场排名超越展讯，上升到第四位。三星AP营收在2014年为8.6亿美元，到2015年成长为2倍达17.3亿美元。排名依序为**名高通（Qualcomm）、**名苹果（Apple） 、第三名联发科、第五名展讯通信。 三星自家AP品牌Exynos，搭载于Galaxy S6、Galaxy Note 5、Galaxy S7等系列。2015年1月首度以14纳米制程量产Exynos 7 Octa，技术实力因而受到肯定。2016年又再接再厉以升级的**代14纳米制程量产Exynos 8 Octa。 此外，三星也宣布以14纳米制程生产中低阶移动AP Exynos 7870。外界评论三星挟14纳米制程的实力，让系统LSI事业部2015年移动AP出货量成长2倍，甚至威胁市场霸主高通。 值此同时，三

2015年第四季NAND品牌商营收/利润衰退

2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash製程转进已遇到瓶颈，三星(Samsung)以外其他业者的3D-NAND Flash开发与生产过程均遇到良率不佳的问题。 因此製程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。2015年第四季不仅NAND Flash品牌商营收出现衰退，各家NAND Flash业者的营业利益率(Operating Margin)也较第三季明显下滑。2015年第四季NAND厂商营收排行 以各家厂商表现来看，三星电子为2015年第四季少数营收持续成长的厂商之一。受惠于3D-NAND Flash的进度**其他业者，在高容量的eMMC/eMCP与SSD也颇有斩获，三星

下一代存储器技术现状及发展建议

存储器是半导体产业的基石之一。以海量数据存储为主要载体的物联网对存储器提出了低成本、低功耗、高容量、高速度、高可靠性的要求。为了抢占这一邻域的技术优势，全球各大公司、高校和研究机构一直在这一领域投入大量的人力和资源,持续开展前沿技术研发。以非挥发性存储器为例，除原先的电荷存储为主的闪存技术浮栅存储器(FG)和电荷俘获存储器(CTM)外，磁变存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)和相变存储器(PCM)等存储技术蓬勃发展，形成了存储器发展历史上的一次“百花齐放”的时代。在中国存储器产业急需寻求突破的重要历史阶段，对以上几种技术进行**比较，寻找一种*具有竞争力和发展潜力的非挥发性存储器，紧迫且意义重大。 新型存储技术现状  磁变存储器*有潜力的代表是自旋转移力矩磁变存储器(STT MRAM)。既有动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)的高性能，又能兼顾闪存的低功耗优势。存储单元主体为磁性隧道结(MTJ)，有上下两层磁性材料(如：钴铁合金)和中间的绝缘夹层(如：氧化镁)所组成。其中一层为固定磁性层，另一层为自由磁性层。工作原理是由磁场调制上下两层磁性层的磁化方向成为平行或

运用材料工程解决半导体行业技术拐点的挑战

今年，半导体行业将迎来几大重要的技术拐点。存储器制造商正逐步转向3D NAND技术，从而以更低的单位成本打造性能更出众、密度更高的存储设备。我们预计2016年所有主要存储器制造商都将实现3D NAND器件的批量生产。 由平面结构向3D NAND器件的过渡将带来一系列生产工艺上的新要求，促进了由材料所推动的芯片尺寸缩微，推升了对新材料、新工艺技术的需求。在这个背景下，对厚度和一致性能够进行**的、原子级层到层控制的新型沉积和蚀刻设备，对于制造多层堆叠存储单元来说至关重要。此外，随着越来越多支持图案化和保形沉积的材料被用于构建复杂结构，材料的可选择性正成为一个必不可少的能力。2016年下半年，我们预计逻辑芯片和晶圆代工厂的10nm 3D FinFET工艺将逐步实现量产。10nm平台是晶体管制造中的重要技术，能维持晶体管性能的提升，遵照摩尔定律不断增加存储密度，从而使下一代芯片设计成为现实。然而，由于极紫外(EUV)光刻工具尚未普及，目前实现这一技术拐点仍需依赖多重曝光技术才能克服当前光学光刻分辨率的瓶颈。在DRAM工艺由20纳米级向十几纳米过渡的过程中，多重曝光技术同样重要，因其能实现存储

SK海力士将砸15.5兆韩元建存储器新工厂

日经新闻报导,SK海力士周一宣布，将砸15.5兆韩元（125亿美元），再盖一座新存储器工厂。 新厂选址在南韩忠清南道省北部，与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导，海力士已取得25万平方公尺的土地面积，并与清州市政府签订合作备忘录（MOU），新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。 新厂确切的产品目前还不清楚，不过海力士某官员暗示应该为NAND存储器，若新厂全部投入生产NAND存储器，海力士现有NAND存储器产能将扩增超过两倍。 此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3D NAND芯片，将于4月初开始出货。其同业三星电子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本东芝公司则计划在本月开始出货此类芯片。 海力士目前是全球DRAM**大厂，但若论NAND芯片，海力士只排第五，落后三星、东芝、SanDisk与美光。由于英特尔现正积极重返存储器市场，且目标也是锁定NAND芯片，预料未来竞争将更为激烈。

主流NAND Flash制程转进遇瓶颈 闪迪/美光/Intel怎么样了？

2015年第四季整体NAND Flash市况持续供过于求，除渠道颗粒合约价下滑9-10%外，智能手机、平板计算机与笔记本电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10-11%。 TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange*新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收环比衰退2.3%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash制程转进已遇到瓶颈，三星以外其他业者的3D-NAND Flash开发与生产过程均遇到良率不佳的问题，因此制程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。2015年第四季不仅NAND Flash品牌商营收出现衰退，各家NAND Flash业者的营业利益率也较第三季明显下滑。三星电子三星电子为2015年第四季少数营收持续增长的厂商之一。受惠于3D-NAND Flash的进度**其他业者，在高容量的eMMC/eMCP与SSD也颇有斩获，三星电子第四季位元出货量环比增长约15%，平均销售单价下滑约10-15%，因此NAND Flash季

紫光撤回WD投资案，后续NAND Flash发展值得关注

收到美国外资投资委员会（CFIUS）书面通知入股 WD 的投资案需经过 CFIUS 的审查程序后，清华股份下属香港全资子公司联合信息系统有限公司（紫光联合）在 23 日发出公告，基于审慎性考虑，该公司董事会决定终止交易，但与 WD 共同出资成立的紫光西部数据有限公司，其设立与经营则不会受到影响。 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 指出，根据 WD 与晟碟（SanDisk）的合并协议，若紫光入股 WD 投资案未能实现，原先购并的条件将有所变动。在新的方式下，WD 将以每股 US$67.50 元现金，以及每股晟碟普通股换 0.2387 股 WD 的普通股股份，而以 2 月 22 日 WD 的收盘价来看，新的交易中晟碟估计价格为每股 US$78.5 元，此方案还需经 3 月 15 日举行的 3 月份 WD 股东会通过才能执行。过去清华紫光集团以强烈的企图心，藉中国资本市场高本益比所带来的充沛资金，及中国政府大力扶持半导体业发展的两项利多，积极投资 NAND Flash 上中下游产业链内的公司。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，紫光集团原计划透过

不入股WD 紫光布局生变

美光积极推动TLC 次20纳米DRAM/XPoint或成未来前进路线

NAND Flash竞合赛，陆国产主控芯片业看俏

2015年中国半导体业者在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，由于主控晶片在整体NAND Flash产业占有战略地位，也成为下一波中国半导体业的焦点。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，中国国产主控晶片业者除直接销售晶片外，多半推出完整的固态硬碟解决方案直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级储存、政府机关与国防**规等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略夥伴为主。产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe（特别是NVMe）。中国强力发展半导体与储存产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将受到关注，杨文得进一步指出，未来中国国产主控晶片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级储存产品，向下延伸至消费性产品。就中国主要的主控晶片业者发展状况来看，已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在中国资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接晶片厂商晶量半导体（Initio），补齐相关SATA、USB接口、SAS等相关产品布局，凭藉着自有开发的固态硬碟控制晶片和完整的

大陆NAND Flash冲 本土公司发光

2015年中国大陆半导体业者在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，由于主控晶片在整体NAND Flash产业占有极大的战略地位，也成为下一波大陆半导体业值得关注的焦点。 集邦科技旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，大陆国产主控晶片业者除直接销售晶片外，多半推出完整的固态硬碟（SSD）解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级储存、政府机关、国防**规等原先合作关系密切或是有投资关系的战略夥伴为主，产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe规格产品。今后大陆强力发展半导体与储存产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将成为关注焦点。杨文得指出，未来几年大陆国产主控晶片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级储存产品，向下延伸至消费性产品。目前大陆较受瞩目的NAND Flash主控晶片业者，包括杭州华澜微电子、山东华芯、湖南国科微电子、海思半导体等。已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在大陆资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接晶片厂商晶量半导体（Initio），补齐

导入NVMe SSD可将总成本削减6成以上

中国NAND Flash主控芯片厂商发展现状

2015年中国半导体厂商在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，主控芯片得益于在整体NAND Flash产业极大的战略地位，也将成为下一波中国半导体业值得关注的焦点。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在营运上中国国产主控芯片厂商除直接销售芯片外，多半推出完整的固态硬盘解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级存储、政府机关与国防**等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略伙伴为主。产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe（特别是NVMe）。今后中国强力发展半导体与存储产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将成为关注焦点，杨文得进一步指出，未来中国国产主控芯片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级存储产品，向下延伸至消费性产品。中国主要主控芯片厂商发展状况：已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在中国资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接芯片厂商晶量半导体，补齐相关SATA、USB接口、SAS等相关产品布局，凭借着自有开发的固态硬盘控制芯片和完整的

中国NAND Flash主控芯片厂商发展现状

2015年中国半导体厂商在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，主控芯片得益于在整体NAND Flash产业极大的战略地位，也将成为下一波中国半导体业值得关注的焦点。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在营运上中国国产主控芯片厂商除直接销售芯片外，多半推出完整的固态硬盘解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级存储、政府机关与国防**等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略伙伴为主。产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe（特别是NVMe）。今后中国强力发展半导体与存储产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将成为关注焦点，杨文得进一步指出，未来中国国产主控芯片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级存储产品，向下延伸至消费性产品。中国主要主控芯片厂商发展状况：已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在中国资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接芯片厂商晶量半导体，补齐相关SATA、USB接口、SAS等相关产品布局，凭借着自有开发的固态硬盘控制芯片和完整的

国内NAND Flash产业开始崛起 主控芯片厂商*有希望拔得头筹

2015年中国半导体厂商在NAND Flash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，主控芯片得益于在整体NAND Flash产业极大的战略地位，也将成为下一波中国半导体业值得关注的焦点。 TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在营运上中国国产主控芯片厂商除直接销售芯片外，多半推出完整的固态硬盘解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级存储、政府机关与国防**等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略伙伴为主。产品开发则倾力下个世代即将成为主流的PCIe（特别是NVMe）。 今后中国强力发展半导体与存储产业的方针已然确立的情况下，在资金、市场与产品面将成为关注焦点，杨文得进一步指出，未来中国国产主控芯片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级存储产品，向下延伸至消费性产品。 中国主要主控芯片厂商发展状况： 已公开发行的杭州华澜微电子自去年起在中国资本市场的关注度开始提高。今年初成功收购桥接芯片厂商晶量半导体，补齐相关SATA、USB接口、SAS等相关产品布局，凭借着自有开发的固态硬盘控制芯片

清华紫光集团撤回西数投资案，后续相关NAND Flash值得关注

Feb. 24, 2016 ---- 收到美国外资投资委员会（CFIUS）书面通知入股西数（Western Digital）的投资案需经过CFIUS的审查程序后，清华股份下属香港全资子公司联合信息系统有限公司（紫光联合）在昨日（2/23）发出公告，基于审慎性考虑，该公司董事会决定终止交易，但与西数共同出资成立的紫光西部数据有限公司，其设立与经营则不会受到影响。 TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange指出，根据西数与闪迪的合并协议，若紫光入股西数投资案未能实现，原先并购的条件将有所变动。在新的方式下，西数将以每股US$67.50现金，以及每股闪迪普通股换0.2387股西数的普通股股份，而以2月22日西数的收盘价来看，新的交易中闪迪估计价格为每股US$78.5，此方案还需经3月15日举行的三月份西数股东会通过才能执行。过去清华紫光集团以强烈的企图心，藉中国资本市场高本益比所带来的充沛资金，及中国政府大力扶持半导体业发展的两项利多，积极投资NAND Flash上中下游产业链内的公司。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，紫光集团原计划透过入股西数带动后续闪迪的并购案

应材：2016年宏观经济环境与2015年类似 还有成长空间

以精密材料工程解决方案见长的应用材料公司，2015会计年度全年整体营收达96.6亿美元，年增6%。半导体设备的订单与营收达到自2007年以来的新高，其中蚀刻(Etch)、化学气相沉积(CVD)、化学机械研磨(CMP)等产品所贡献的营收都创下近年来的新高点。显示器设备的营收已连续三年成长，2015年达27%。全球服务事业群的营收也大幅成长15%。 应材台湾区总裁余定陆预估，2016年晶圆厂设备支出仍有些潜在的上升空间。应材台湾区总裁余定陆预估，2016年晶圆厂设备支出相对于2015年是持平的，但仍有些潜在的上升空间。其中一个亮点是NAND，拜主要记忆体供应商对3D NAND技术量产之赐，NAND将比前一年有较佳的需求与投资。在晶圆代工方面，预期 2016年投资水位会略高，大部分会发生在今年下半年。应材认为，这种支出的50％以上将集中于10奈米技术。在逻辑方面，预期投资水位比上一年相对稳定。至于宏观经济方面，预期，2016年宏观经济环境年与2015年类似，还是有成长空间。虽然智慧型手机出货量的成长放缓，**手机竞争激烈，这意味着供应商面临巨大的压力，供应商必须运用我们的设备来制造先进的晶片

一片不景气声中　SK海力士仍决定大规模投资

SK海力士(SK Hynix)继2015年之后，再度决定进行史上*大规模投资。市场不景气与大陆业者强势跨足产业等种种不利因素下，SK海力士认为只有持续投资，强化技术竞争力，才能克服眼前危机。 据韩媒亚洲经济报导，SK集团(SK Group)会长崔泰源在2011年购并亏损中的海力士，将设备投资比例大幅提高到10%以上。相对于其他业者因为市况差而不敢投资，SK海力士却因果断的投资，让过去3年业绩连**高。2016年展望并不乐观，PC市场成长已停滞好几年，2015年连智能型手机市场也出现成长趋缓的迹象，DRAM跟NAND Flash的价格也因此持续下跌。根据市调机构DRAM eXchange资料，DDR4 4Gb模组2015年6月的价格为3.7美元，之后开始下滑，12月时已跌到2美元。平均销售单价下跌，当然很快营收、营业利益也会跟着下跌。连市场观察家也看衰半导体企业的2016年业绩。雪上加霜的是，大陆政府砸大钱扶植半导体产业，2015年大陆国营企业清华紫光集团还以威腾(WD)*大股东的身分，透过威腾间接购并全球第三大NAND Flash业者新帝(SanDisk)。SK海力士认为若想克服眼前危

三星与对手反其道而行　缩减存储器资本支出

存储器龙头三星电子(Samsung Electronics)为了对应市场消沉的状况，预计将大幅缩减2016年的投资。比起大量生产，将以高附加价值产品为中心，只进行保守性的投资，是要确保收益的策略。反之，东芝(Toshiba)等公司计划增加投资，缩减与三星差距。 半导体业界人士表示，比起已用V-NAND技术独占3D NAND市场的三星来说，其他从2016年才要开始量产的业者们，得要投资更多才可能缩小与三星的技术差距。虽然新的一年市场条件不好，但在后方追击业者们却来势汹汹。据韩媒Money Today引用市调业者IHS资料显示，2016年三星NAND Flash投资展望是20亿美元，比起2015年的33亿美元大幅缩减。DRAM投资展望也是只有53亿美元，预计比起2015年将减少10亿美元。NAND和DRAM加总起来，存储器全部投资展望是73亿美元，比起2015年减少约23亿美元。三星相关人士表示，投资状况会跟着市况有很大的变动，目前无法确定金额。缩减投资的理由是因为全球经济萎缩，对IT产品的需求整体下降，产品价格也走弱。以DDR4 4Gb为基准，DRAM价格在2015年6月是3.7美元，到

东芝为继续获利 组织机构重整

东芝(Toshiba)考虑出售系统整合晶片(System LSI)等部分不赚钱的半导体(晶片)事业，之后会将公司资源倾注在NAND型快闪记忆体(Flash Memory)以及核能等发电设备两大事业上。报导指出，东芝此次计划出售的对象为NAND Flash以外的大部分晶片事业，具体来说，包含类比晶片、LSI、微控制器(MCU)以及电源控制晶片等，预估出售对象的年销售额合计约2,000亿日圆、出售金额也预估将达2,000亿日圆。东芝于2015年10月底宣布退出白光LED市场，当时消息一出，即有数间金融机构表示兴趣。东芝当时的新闻稿中表示，将退出CMOS影像感测器以及白光LED市场。公司的白光LED归属于离散元件事业，计划于2015年度末，亦即2016年3月底正式退出白光LED市场。业内人士认为，东芝退出市场的动机在于LED竞争白热化，在获利有限的情况下退出，并将资源技术聚焦在获利的事业上。据报导，为出售上述晶片事业，东芝已着手进行竞标手续，而和Seiko Holdings(8050.JP)设有半导体事业合资公司的日本政策投资银行以及多个基金都可能参与竞标，且东芝计划于3月底前敲定买主，不过

东芝 LED芯片事业遭多家基金“哄抢”

日经新闻近日报导，东芝(Toshiba)考虑出售系统整合晶片(System LSI)等部分不赚钱的半导体(晶片)事业，之后会将公司资源倾注在NAND型快闪记忆体(Flash Memory)以及核能等发电设备两大事业上。报导指出，东芝此次计划出售的对象为NAND Flash以外的大部分晶片事业，具体来说，包含类比晶片、LSI、微控制器(MCU)以及电源控制晶片等，预估出售对象的年销售额合计约2,000亿日圆、出售金额也预估将达2,000亿日圆。 东芝于2015年10月底宣布退出白光LED市场，当时消息一出，即有数间金融机构表示兴趣。东芝当时的新闻稿中表示，将退出CMOS影像感测器以及白光LED市场。公司的白光LED归属于离散元件事业，计划于2015年度末，亦即2016 年3月底正式退出白光LED市场。业内人士认为，东芝退出市场的动机在于LED竞争白热化，在获利有限的情况下退出，并将资源技术聚焦在获利的事业上。据报导，为出售上述晶片事业，东芝已着手进行竞标手续，而和Seiko Holdings(8050.JP)设有半导体事业合资公司的日本政策投资银行以及多个基金都可能参与竞标，且东芝计划于

东芝将在三重半导体工厂新建厂房 投资额超5000亿日元

据《朝日新闻》报道，东芝近日宣布将在位于三重县四日市市的半导体工厂新建厂房，并与美国半导体**品牌闪迪（SanDisk）开展合作，投资金额超过5000亿日元。新厂房预计将于2017年开始投入使用，主要生产用于智能手机的*新型NAND型闪存。受去年财务丑闻曝光影响，东芝业绩不断恶化，大幅缩小了电视、电脑的生产业务，并开始进行大规模裁员。同时，东芝还将继续向其主要财源半导体业务进行2000亿日元规模的设备投资，与韩国三星电子等对手进行抗衡。新厂房将建在现有工厂旁，目前已开始与土地拥有者和地方自治体进行协商。新厂房将生产将记忆单元重叠的立体构造存储器。即使电池耗尽，这种NAND型闪存中的数据也不会消失，是智能手机及USB存储器中不可或缺的元件。与过去存储单元无法重叠的旧型存储器相比，新型存储器能够存储更多数据，高性能智能手机及企业数据中心对这种存储器的需求量将不断增长。同时，这种新型闪存还可降低特定记忆容量的生产成本。东芝目前受财务丑闻的影响，其股票被东京证券交易所指定为“特设注意市场股”，公司很难再通过公募增发及发行公司债券等来融资。因此，此次建设新厂房的费用将从金融机构借入。同时，由于今

台媒：韩厂进入14纳米平面NAND时代 三星、SK海力士2016年相继投产

韩国两大存储器厂前进14纳米平面NAND Flash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产，而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业，并导入量产体制。韩媒ET News报导，三星14纳米平面NAND Flash研发已完成，将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上，公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士，也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉，SK海力士计划将于2016年上半结束研发，并于年内展开量产。另一方面，日本、美国存储器厂则没有技术升级的计划。东芝(Toshiba)曾表示，15纳米已是极限，无法再研发出低于15纳米的平面产品。美光(Micron)则是打算集中在与英特尔(Intel)一同研发的3D XPoint技术。三星14纳米NAND Flash与16纳米产品相较时， 14纳米NAND Flash浮动闸极(Floating Gate)约缩减12.5%，晶粒面积缩小，对降低NAND Flash生产成本将带来贡献。NAND Flash以在浮动闸极中

全球半导体业瞬息万变 先进制程加快中国已崛起

2015年匆匆将过，在这一年中全球半导体业发生了许多故事，哪些值得我们去回顾： 预测大修正年初时众多市场分析公司预测今年半导体业增长在3%-7%，然而时至年底纷纷都调低至持平，或稍有下降。业界有兴趣探个究竟为什么？三句话：终端弱，美元强以及中国缓。Fabless下降市场研究机构IC Insights的*新预测，2015年全球芯片供货商排行榜上，将出现25年以来**次芯片制造商IDM表现胜过无晶圆厂fabless的情形。根据IC Insight于12月的数据，今年全球Top 10 fabless的总营收预料将下滑5%至589.19亿美元，大部分都是受到高通的fabless营收下降20%的影响，它由2014年的200亿美元至今年的160亿美元。需要说明高通的营收有两部分组成，除了fabless之外，还有占其营收1/3强的授权费用所得。IC Insights指出，高通营收骤降，表面上看是因为三星决定改采用自家的Exynos系列处理器、不再向高通下订单，实际上反映一个趋势，那些系统制造商如苹果，三星，华为等为了增强产品的差异化，纷纷都自行研发处理器芯片。另外，fabless排名第三的联发科今年

数据中心涌动绿色升级潮

本报记者 徐恒近日，工业和信息化部办公厅、国家机关事务管理局办公室、国家能源局综合司三部门联合发文正式对外发布了国家绿色数据中心试点单位名单，这份共有84个试点单位的名单涉及制造领域8家、金融领域3家、能源领域1家、公共机构16家、电信领域27家、互联网领域29家。数据中心的节能正从传统的ICT领域扩展到数据中心其他应用领域，一股数据中心节能大潮正在向各行各业蔓延。节能之路还很长数据中心作为信息的重要载体，其建设也进入快速发展期。研究显示，我国数据中心总量已超过40万个，能耗较高，年耗电量超过全社会用电量的1.5%，大多数数据中心的电能使用效率（PUE）仍大于2.2，与******相比有较大差距。目前，美国数据中心平均电能使用效率（PUE）已达1.9，先进数据中心PUE已达到1.2以下。根据2015年3月发布的《国家绿色数据中心试点工作方案》，组织重点省（区、市）围绕生产制造、能源、电信、互联网、公共机构、金融等重点应用领域选择一批代表性强、工作基础好、管理水平高的数据中心，开展绿色数据中心试点创建工作，提升试点数据中心节能环保水平。《方案》提出了具体目标：到2017年，围绕重点领域创

慧荣3D NAND SATA SSD控制晶片搭载韧体支援

慧荣科技(Silicon Motion Technology)日宣布推出首款支援多家巿场主流供应商所生产的3D NAND产品完整解决方案的SATA SSD控制晶片。此款性能增强的控制晶片完整方案，将有助于加快推进*具竞争力的高性能SSD产品在市场上的应用。 现今SSD市场的竞争日益激烈，采用3D NAND并结合完整控制晶片解决方案，将有助于SSD OEM制造商采用性价比*佳的3D NAND技术，将高性能SSD产品快速推向市场。由于慧荣科技致力于开发及扩展控制晶片的功能，此款先进的SM2246EN完整控制器解决方案，可支援多个供应商的3D MLC NAND。不仅如此，SM2246EN增加了先进的3D Power Loss Protection技术，因应3D NAND架构的不同，防止因电源突发状况所造成的资料流失所设计。同时升级版SM2246EN可支援高达2TB的容量。这款支援3D NAND的升级版SM2246EN产品现已开始供货，未来公司还将在2016年将陆续推出支持3D MLC 和 3D TLC NAND技术的SATA 6Gb/s和PCIe 的SSD完整控制晶片解决方案，以性价比更高的

台媒：紫光入台卡卡 陆厂笑领大基金红包

大陆紫光参股矽品、力成、南茂等台湾3家封测厂案，已被立院挡下，但大陆扶植半导体生产链的动作并未停止，尤其对当地封测厂的注资动作已转趋积极。大陆官方成立的国家集成电路产业投资基金（简称大基金）宣布对大陆封测厂华天西安注资5亿元人民币（约新台币25亿元），协助打造该厂成为大陆*大指纹辨识感测器封测厂。中国大陆已跃居全球*大半导体市场，为了扶植半导体产业，大陆民间及官方都动起来争取国家补贴，同时也打算建立自己的生态系统。业界人士指出，以大陆投资近况来看，目前可分为两大势力，一是以大基金为主体并收购或投资的“***”，二是以紫光集团为主体并参股国际大厂的“北京帮”，两股势力现在正积极扩大自身影响力，争取大陆半导体产业的发言权。紫光虽然成功参股美国硬碟大厂威腾（WD），并由WD出面收购NAND Flash大厂SanDisk，但紫光决定参股台湾矽品、南茂、力成等3家封测厂的案子，目前却是踢到铁板。因为目前台湾正在选举期间，立法院已决议主管机关在未向国会报告前，不得通过紫光对封测厂的参股案。而矽品则因为与日月光仍在协商****收购，已宣布暂缓1月底召开的股东临时会，紫光参股矽品案也被迫延后。至于上海

研调：英特尔明年推3D-Xpoint SSD，料冲击高阶市场

英特尔(Intel)采用搭载3D -Xpoint存储器的SSD产品-Optane，做为进一步提升系统产品效能与拉开与后进者差距的杀手级应用产品，预计将于明(2016)年第三季搭配新一代Kaby Lake CPU平台开始出货。 TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange表示，英特尔于今年下半年闪电发表的新非挥发性存储器技术「3D-Xpoint」，明年恐将在高阶SSD市场掀起一阵波澜，带给存储器龙头三星等竞争者一大威胁；由于Optane每GB订价可能落于DRAM与NAND Flash之间，未来将先冲击高阶Flash SSD市场。DRAMeXchange指出，三星为了对抗英特尔的攻势，现在正紧锣密鼓的开发新存储器产品，打算融合自身DRAM与NAND Flash的技术优势，赶在明年年中推出，而三星的积极因应也显示出SSD市场未来将有重大改变，高阶SSD市场尤其值得关注。DRAMeXchange指出，英特尔3D-Xpoint SSD效能与耐用性令人惊艳—IOPS效能较传统主流SSD快超过7倍，延迟(Latency)效能超过8倍，耐用性则足以挑战SLC-SSD水准；3D-Xp

韩厂进入14纳米平面NAND时代 三星、SK海力士2016年相继投产

韩国两大存储器厂前进14纳米平面NAND Flash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产，而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业，并导入量产体制。 韩媒ET News报导，三星14纳米平面NAND Flash研发已完成，将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上，公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士，也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉，SK海力士计划将于2016年上半结束研发，并于年内展开量产。另一方面，日本、美国存储器厂则没有技术升级的计划。东芝(Toshiba)曾表示，15纳米已是极限，无法再研发出低于15纳米的平面产品。美光(Micron)则是打算集中在与英特尔(Intel)一同研发的3D XPoint技术。三星14纳米NAND Flash与16纳米产品相较时， 14纳米NAND Flash浮动闸极(Floating Gate)约缩减12.5%，晶粒面积缩小，对降低NAND Flash生产成本将带来贡献。NAND Flash以在浮动闸极

紫光入台卡卡 陆厂笑领大基金红包

大陆紫光参股矽品、力成、南茂等台湾3家封测厂案，已被立院挡下，但大陆扶植半导体生产链的动作并未停止，尤其对当地封测厂的注资动作已转趋积极。大陆官方成立的国家集成电路产业投资基金（简称大基金）宣布对大陆封测厂华天西安注资5亿元人民币（约新台币25亿元），协助打造该厂成为大陆*大指纹辨识感测器封测厂。 中国大陆已跃居全球*大半导体市场，为了扶植半导体产业，大陆民间及官方都动起来争取国家补贴，同时也打算建立自己的生态系统。业界人士指出，以大陆投资近况来看，目前可分为两大势力，一是以大基金为主体并收购或投资的“***”，二是以紫光集团为主体并参股国际大厂的“北京帮”，两股势力现在正积极扩大自身影响力，争取大陆半导体产业的发言权。紫光虽然成功参股美国硬碟大厂威腾（WD），并由WD出面收购NAND Flash大厂SanDisk，但紫光决定参股台湾矽品、南茂、力成等3家封测厂的案子，目前却是踢到铁板。因为目前台湾正在选举期间，立法院已决议主管机关在未向国会报告前，不得通过紫光对封测厂的参股案。而矽品则因为与日月光仍在协商****收购，已宣布暂缓1月底召开的股东临时会，紫光参股矽品案也被迫延后。至于上

三星2016年将以量产10纳米级守住**优势

三星电子(Samsung Electronics)半导体事业2016年将正式进入10纳米(nm)时代。借着量产18纳米DRAM与10纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程芯片，以扩大技术差距的策略守住半导体**优势。 据首尔经济报导，三星半导体事业暨装置解决方案事业部(Device Solution；DS)在副会长权五铉主持下，在韩国京畿道器兴营业处召开全球战略会议。据传半导体总监金奇南、存储器事业部长全永铉等经营团队核心人物与海外分公司主管总动员，共商2016年新品量产与各地区的行销策略。与会者分享半导体研究所提出的中期技术发展蓝图，并针对尚未商用化的下一代RAM等未来潜力产品，讨论有效率的研发量产方案。三星有关人士表示，这次战略会议的讨论重点，是如何发展存储器与系统半导体两大主轴，以维持2016年市场地位。据业界消息，三星*快2016年上半就会量产18纳米DRAM，宣告DRAM就此进入10纳米级时代。*早开始生产20纳米DRAM的三星电子也以成为**量产10纳米级DRAM的业者为目标，并力图与国内外竞争对手维持1~2年的技术差距，以守住存储器市场**的地位。此外，三星也正在开发14

美光本季转亏 台厂锉着等

美国记忆体晶片大厂美光美东时间22日示警，本季恐出现亏损，是该公司两年多来首度转亏。美光本季展望不妙、甚至陷入亏损，透露记忆体市况比预期差，法人忧心，华亚科、南亚科、华邦等台湾DRAM厂后市也将转弱。 分析师对美光本季将转亏大为意外，Wedbush证券公司分析师Betsy Van Hees认为：“这代表将出现**风暴，包括疲弱的季报、低于预期的市场需求，以及不利的价格因素”。美光在美东时间22日公布上季财报与展望之后，盘后股价重挫近6%，昨日早盘再跌近7%。法人分析，DRAM业近两年原已摆脱“惨业”的称号，业者普遍获利丰厚，但随着全球景气走弱，加上PC、手机等终端应用销售疲软，造成记忆体业者获利也随之逐步滑落，美光开**枪透露本季将由盈转亏，“对业界是个警讯”。台湾厂商也受市况转弱冲击，以南亚科为例，今年前三季每股纯益为6.3元，换算每个月每股纯益平均约0.7元，但11月单月每股纯益仅0.32元，不仅先前几个月平均值腰斩，更比去年同期衰退逾七成。美光公布截至今年12月3日截止的第1季度财报，营收为33.5亿美元，年减27%、季减约7%，虽然达到原预估的33.5亿至36亿美元区间，但单季

美光科技Q4营收下滑27%至35.5亿美元

2016年整体DRAM需求预估成长23%

2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响，DRAM价格呈现显着衰退，尤其以标准型记忆体*为明显。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，在寡占市场型态下，虽然小幅供过于求且价格持续下滑，各供应商生产仍保持纪律，未有明显新增产能，因此延续2013年与2014年态势，今年DRAM各厂仍维持**获利。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2016年虽然受惠于来自智慧型手机及伺服器的需求影响，单机搭载容量会有显着提升，各项终端产品仍难有爆发性的发展。DRAMeXchange预估2016年整体DRAM需求成长率约为23%，供给位元成长约为25%。市场仍维持小幅供过于求，DRAM单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所造成的成本下降以及产品组合的调配。2016年DRAM产业趋势分析如下：年度位元产出来自20奈米制程转进，晶圆投片量大约持平吴雅婷表示，DRAM属寡占市场型态，各供应商在产能的扩张上皆有所节制，相较仍处于完全竞争的市场型态的NAND Flash健康许多。2016年的位元产出主要是来自于SK海力士(Hynix)与美光半导体(Micro

东芝与SanDisk意见相左　因而转投西数怀抱

大陆紫光集团持续并购海外企业，引起全球半导体产业高度关注。以2015年并购成果来看，陆续成为威腾(Western Digital)*大股东，取得15%股权。而威腾日前也宣布收购SanDisk，让紫光间接取得NAND Flash Memory技术，以此态势发展可能让半导体业界重新**。 让人感到疑惑的是，SanDisk为何会出售NAND Flash这个未来商机无限的产品？SanDisk及东芝(Toshiba)历经15年共同研究开发至今的技术，随着物联网(IoT)前景看涨，伺服器及数据中心的硬碟(HDD)设备需求大增，将让NAND Flash有机会取代HDD。SanDisk及东芝两企业的NAND Flash Memory总营收占比，在2014年不仅强压市场龙头三星电子(Samsung Electronics)；除2001年IT泡沫化及2008年的金融海啸让SanDisk获利不佳外，几乎每年都能确保20%以上的获利率。为何SanDisk会心甘情愿出脱手中的金鸡母？据悉，是SanDisk与东芝为针对post-NAND Flash Memory技术的发展意见相左所致。东芝原先积极发展名为“BiC

中国下个并购标的：NAND Flash控制芯片

尔必达前社长坂本幸雄：“社长3年更换制”搞垮日本企业

以荷兰恩智浦半导体（NXP Semiconductors）收购美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）为开端，安华高科技（Avago Technologies）收购博通（Broadcom）、英特尔（Intel）收购阿尔特拉（Altera）、西部数据（Western Digital）收购闪迪（SanDisk）——在2015年，半导体行业接连不断地出现收购金额超过1万亿日元的大型企业收购项目。 随着中国的政府背景投资公司紫光集团注资西部数据、收购美国美光科技（Micron Technology）的消息传出，2015年成为了“中国半导体”存在感快速提升的一年。将目光转向日本，作为日本国内的半导体翘楚，东芝正因为会计造假问题而动荡。瑞萨电子当前的业绩虽然有好转趋势，但中长期的前景并不明朗。对于半导体行业今后的势力平衡、日本制造业的未来等问题，曾经叱咤风云的经营者作何看待？记者采访了尔必达存储器前代表董事社长、现咨询公司“WIN Consulting”代表董事的坂本幸雄。（采访人：大下淳一）——坂本先生怎么看半导体行业现在的动向？我从很早以前就一直在说“挤不进世界前三

紫光表示将斥巨资购并 向世界前三进军

日本经济新闻21日刊登大陆半导体大厂紫光集团董事长赵伟国日前接受该报的专访。针对大陆半导体产业发展、与其他业者合资或购并想法，以及未来发展发表个人见解。赵伟国表示，半导体产业是个需要投入大量资金、研发才能支撑其发展的展业，他预计5年内将斥资人民币3,000亿元，如此一来不致于错失研发、购并，誓言夺下全球半导体业界第三大厂地位。赵伟国表示有3个理由，促使他从2009年起参与紫光集团的经营：其一，出自个人兴趣。赵伟国在清华大学学习无线通讯技术，在业界也有长年担任工程师的经验，对于资讯技术有相当程度的认识与了解。其二，大陆半导体产业的发展仍不成熟，对紫光而言正是发展的*佳时机。第三，相较于欧美日投资者，大陆投资者对于半导体产业十分热衷。毕竟任何一个产业要发展，都需要充沛的资金。大陆半导体产业目前是投资关注热点。大陆半导体产业尚弱购并、合资可快速取得成功对于技术方面的研发，赵伟国指出，以运算系统芯片业界而言，已完成收购的两家业者应可因应。现正朝数位电视半导体方向研究，将来以存储器技术为主，特别是NANDFlashMemory。选择入股美国HDD大厂WesternDigital，也是考量因应物联

东芝或将裁员数千名 分拆NAND存储器事业部

被东芝（Toshiba）视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND型快闪存储器（Flash Memory）”事业分拆出来，并考虑让其上市、筹措研发所需的巨额资金；另外，大分、岩手两县的工厂将藉由替其他厂商代工、来强化收益能力。报导指出，东芝将在12 月21日公布以电视、PC 以及家电等事业为中心的合理化措施，可能将裁撤数千名员工，而半导体事业和核能、医疗用机器部门皆被东芝定位为核心事业，故东芝正急于回复半导体事业业绩。根据 DRAMeXchange 公布的资料显示，2015 年第三季三星电子 NAND 存储��市占率为 31.5%，较去年同期下滑 1.1 个百分点；东芝上升 1.4 个百分点至 20.5%；Sandisk 成长 2 个百分点至 15.4%。东芝在爆发会计丑闻之后，于9月正式上路的新经营团队就大刀阔斧展开精简措施，继 10 月宣布将退出 CMOS 影像感测器以及白色 LED 市场之后，日前又传出东芝 PC 事业可能将和富士通、VAIO合 并，且东芝家电/电视事业可能*高将裁员 7，000 人。

美光科技业务状况有望在2016年好转

美光科技在经历2015年的沉重打击后，2016年有望出现好转。 个人电脑(PC)需求放缓严重打击了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超过60%的收入来自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC组件。在过去一年里，美光科技股价跌去了60%。利润和收入大幅下滑。利润率受到挤压。该公司定于周二公布的**财季业绩料将凸显出艰难的经营环境。不过从历史角度看，美光科技股价一直波动较大，周期性驱动的电脑芯片业务推动其股价起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)称，过去一年里，美光科技的客户一直在消化内存库存，预计这一趋势不会在2016年重演。分析师们为美光科技截至11月底的**财季业绩设置的门槛低得令人难以置信。DRAM芯片市场的任何企稳迹象都可能成为美光科技股价反弹的动力。接受FactSet调查的分析师预计美光科技**财季每股收益22美分，远低于上年同期的97美分。而今年2月份时，分析师们给出的预期为每股收益1.01美元。此外，美光科技的NAND闪存芯片从迅速增长的移动市场中受益。NAND闪存芯片用于智能手机等移动设备的数据储存。在上一个财季中

美媒：美光科技业务状况有望在2016年好转

据美国《华尔街日报》12月23日报道，个人电脑需求放缓严重打击了美光科技公司(Micron Technology)。美光科技超过60%的收入来自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC组件。在过去一年里，美光科技股价跌去了60%。利润和收入大幅下滑。利润率受到挤压。该公司定于周二公布的**财季业绩料将凸显出艰难的经营环境。不过从历史角度看，美光科技股价一直波动较大，周期性驱动的电脑芯片业务推动其股价起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)称，过去一年里，美光科技的客户一直在消化内存库存，预计这一趋势不会在2016年重演。分析师们为美光科技截至11月底的**财季业绩设置的门槛低得令人难以置信。DRAM芯片市场的任何企稳迹象都可能成为美光科技股价反弹的动力。接受FactSet调查的分析师预计美光科技**财季每股收益22美分，远低于上年同期的97美分。而今年2月份时，分析师们给出的预期为每股收益1.01美元。此外，美光科技的NAND闪存芯片从迅速增长的移动市场中受益。NAND闪存芯片用于智能手机等移动设备的数据储存。在上一个财季中，移动芯片业务收入占到美光科技总收入的27%，占比较