3D NAND采用了浮闸（floating gate）技术，以垂直方式堆叠32层的储存单元，号称是全球密度*高的快闪记忆体，容量可达到其他NAND记忆体的3倍，并具有快速读写效能，带来更便宜每GB成本及省电特性。
根据外电报导，半导体业者美光（Micron）于上周举行的分析师会议中透露，今年下半年出货的固态硬碟（Solid State Drive，SSD）中，大部份都将是基于3D NAND技术的产品。
3D NAND采用了浮闸（floating gate）技术，以垂直方式堆叠32层的储存单元，实现256Gb的多阶储存单元（multilevel cell，MLC）与384Gb的3阶储存单元（triple-level cell，TLC），号称是全球密度*高的快闪记忆体，高密度的特性让它的容量可达到其他NAND记忆体的3倍，标榜只要AA电池大小的SSD就能具备3.5TB的储存容量，2.5寸的SSD则能有10TB的储存容量。
↓3D NAND类似建筑一栋大楼，以垂直堆叠方式增加记忆体的容量，提高储存单位的密度。
其实美光与英特尔（Intel）在去年3月就共同发表了3D NAND快闪记忆体，当时亦已开始送样，该类记忆体的优点除了高密度之外，还包括快速的读写效能、更便宜的每GB成本，以及可用来省电的新睡眠模式等。
现阶段3D NAND的每GB成本仍高于平面NAND，但随着3D NAND单一晶圆可装载的储存量愈来愈大，美光估计两者的成本将在明年交会，之后3D NAND即会取得成本优势。
根据美光的规画，3D NAND将率先于今年6月出现在消费者端的固态硬碟产品上，继之推出资料中心专用的SSD，直到相关成本低于平面NAND之后即会扩展至各种嵌入式记忆体市场。
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