美光顺利迎娶华亚科　下一关DRAM结盟紫光

集微网消息，据海外媒体报道，美光(Micron)吃下华亚科100%股权后，市场传出将会加速美光和紫光集团洽谈DRAM技术的合作模式，大陆的存储器版图布局已然成形。美光在2015年底宣布要以每股新台币30元价格收购华亚科100%股权，然而拖了将近一年，日前才宣布此案在年底前定局，美光成功收编完台湾的DRAM厂，前有力晶与尔必达(Elpida)合资的瑞晶，后有美光与南亚科合资的华亚科，都一一成为美光集团成员后，下一步要加速布局大陆的存储器领域。过去多个地方势力争夺大陆中央存储器生产基地的大本营，*后不负众望是落脚在武汉新芯，因为武汉新芯原本就是NOR Flash存储器芯片的代工厂，前身是由中芯国际代管，后来由湖北政府接手，90%产能都是代工NOR Flash芯片，少部分代工逻辑芯片。日前大陆的大基金与湖北国芯产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资成立长江存储，由紫光集团董事长赵伟国出任长江存储的董事长，国家集成电路产业投资基金的总经理丁文武出任副董事长，武汉新芯的执行长杨士宁担任长江存储的总经理，武汉新芯变成长江存储旗下持股100%的子公司。随着美光和华亚科的收购案中终于告一段落，市场认

TrendForce：第四季NAND Flash缺货状况更明显，价格续扬

Oct. 11, 2016 ---- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)*新调查显示，在智能手机及各种固态硬盘的强劲需求下，第四季NAND Flash缺货的情况较第三季更明显，NAND Flash wafer与卡片价格将持续上涨至年底的趋势确立，eMMC/eMCP与固态硬盘的价格也呈现上涨，预期第四季NAND Flash业者营收及利润将较第三季更为出色。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，下半年NAND Flash市况逐渐转强的主要因素来自于智能手机需求的成长。虽然iPhone 7的销售没有iPhone 6s系列来的火热，但表现稳定，且由于iPhone 7首度将存储容量一口气翻倍，使NAND Flash消耗量呈倍数成长。同时，中国智能手机领导厂商如华为、OPPO与vivo等中**手机强劲的订单追加动能持续，使高容量eMMC/eMCP的需求强劲，因此在手机出货量与存储容量双双成长的态势下，NAND Flash供货持续吃紧。固态硬盘方面，在固态硬盘与传统硬盘的价差缩小的趋势下，各大PC业者为提升笔电效能刺激买气，固态硬盘搭载率增加

三星Note7终止销售 四大手机品牌可望受惠

受全球多起爆炸事件影响，三星电子今日终于正式宣布停售Note 7，消息一出随即震撼产业界。全球市场研究机构TrendFroce指出，Note 7的停售将使手机品牌出货出现消长状况，原需求估将流向大尺寸智慧型手机品牌，包含苹果、华为、vivo与OPPO等皆可望受惠。另外，在DRAM、NAND与AMOLED等关键零组件价格方面，预估Note 7事件后都将维持价格涨势。Note7在全球发生多起爆炸事件，三星对此正面临一项重大难题。根据TrendForce合理预估，原来三星Note 7今年的生产数应为1,000万至1,200万台，从Note 7发售至今来看，已生产约400万台。TrendForce指出，目前400万台已生产的Note 7能拿来重工(rework)的机率很小，估计*有可能是以报废方式处理。从产业影响性来看，TrendForce指出，Note 7停售将使得智慧型手机品牌的大尺寸手机出现消长态势。预估消费者的需求将流向中国三大智慧型手机品牌华为、vivo、OPPO，以及上个月刚开卖的iPhone 7 Plus手机上。关键零组件维持涨势 缺货状况可能更为严峻此外，TrendForce亦

半导体产业的突变：中国半导体行业的未来之一

据日经新闻报道，由日本尔必达的元社长坂本幸雄所设立的半导体设计公司兆基科技(Sino King Technology)和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，兆基科技将主导合肥市政府总额高达8000亿日元(460亿人民币(6.7180, 0.0130, 0.19%))的大规模半导体工厂兴建企划。新工厂将生产由兆基科技所设计研发、具备低耗电力的计算机内存(DRAM)，计划在2018年下半年开始量产，以12吋晶圆换算的月产能达10万片的国内*大的内存芯片工厂。其实兆基科技现在只有10名日藉员工，从理论上讲应该是一个半导体设计公司，他们也准备从中国、日本和台湾三国招募1000名半导体技术人员。合肥的计划当然是政府振新半导体行业的一部分，但是合肥市政府如此巨额的投资，为什么要和一个刚建立不久且员工只有10名的无名小辈合作呢?社长坂本幸雄个人的魅力是一个很重要的一点，但*重要的原因应该和武汉新芯和飞索联合作获取3D NAND Flash生产技术一样，是为了获取DRAM的生产技术。日本尔必达倒产以后，生产DRAM的只有三星、美光和SK Hynix三巨头，紫光在美光收购和SK Hynix入股的接连失

西数超车三星电子或点燃NAND价格战

全球硬盘机大厂Western Digital(WD)和日厂东芝(Toshiba)合作，打算超车三星电子，抢先生产64层3D NAND Flash。不过外资警告，要是WD和东芝真的追上三星，三星可能会扩产淹没市场，重创NAND价格。巴伦(Barronˋs)11日报道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和东芝计划抢在三星之前，生产64层3D NAND flash，此举可能导致三星扩产还击。报告称，当前三星在业界握有主导权，将密切关注WD/闪迪(WD去年收购了闪迪)在第四季末的生产情况，决定64层3D NAND的增产速度。要是三星认为WD技术赶上，可能会快速增加3D NAND产能。报告指出，反讽的是，近期内东芝/闪迪64层技术发展缓慢，对业界较为有利。倘若WD迅速增产64层3D NAND，三星也会扩产迎击，这么一来，WD可能会流失企业固态硬盘(SSD)市占，SSD是NAND利润*高的市场，而且业界的价格压力也会大增。如今WD进退不得，不能放慢速度，以免对手追上，但是发展太快，又可能导致三星强力反击。三星是**家开发出3D NAND Flash业者，技术遥遥**

中国IC产业四大聚落成形

NAND冒冷汗？传三星拟扩产、平泽厂将提前投产

记忆体供货吃紧，价格节节高升，先前外资警告，盛况能持续多久，取决于三星是否扩产。如今消息传出，三星受不了诱惑，平泽厂(Pyeongtaek)将提前三个月投产，意味NAND价格可能会盛极而衰。 韩媒etnews 4日报导，业界消息称，NAND Flash价格一路向上，三星眼看机不可失，决定平泽厂将提前三个月投产。目前平泽厂的建筑工事进入尾声，正修筑工厂外墙，预料12月完工，紧接着要开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。多名设备业人士表示，三星若想在2017年初装设仪器，现在就得下单，据称三星不久后就会开始发出订单。外界预料，平泽厂将名为18代线，明年**季季初或季中开始营运，负责生产第四代64层3D NAND Flash。**阶段每月产量为4~5万片12寸晶圆，约为18代线总产量的1/4(总产量为20万片)。估计**阶段投资金额为27.2~31.7亿美元(3兆~3.5兆韩圜)。Mirae Asset Securities研究员Do Hyeon-woo说，近来NAND Flash供需相符，但是三星平泽厂启动后，会打破平衡。另外，三星新厂也会拉大该公司与竞争者的差距。外资曾发出警告，

TrendForce：九月DRAM合约均价续涨逾7%

原标题： TrendForce：九月DRAM合约均价续涨逾7%，第四季将攀登两年新高 Oct. 3, 2016 ---- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）表示，随着DRAM原厂持续调整产出比重，标准型内存在供货持续吃紧下，九月合约价维持强劲上涨走势，均价已来到14.5美元，月涨幅达7.4%，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，预估第四季的合约价季涨幅将直逼三成，创下两年来的新高点。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈，如DDR3／4 4Gb价格分别来到2.1／2.0美元，较上月同期已各上涨19%与15%，显见市场供不应求的态势持续扩大。从供需状况来看，第三季智能手机、笔电正处备货高峰，再加上行动式内存产出扩大至整体产出的四成以上，使得标准型内存产出遭到排挤，至目前仅剩不到二成。此外，适逢传统销售旺季即将来临，笔电配置8GB内存的新款机种数量也在迅速攀升中，尤以商务机种*为明显。吴雅婷指出，第三季PC-OEM客户已开始对标准型内存追价与追量，带动第四季还有一波更高的涨幅。不仅如此，第四季标准型内

三星Q3芯片销售强劲 将缓解Note 7的影响

路透首尔10月5日 - 分析师称，尽管全球召回旗舰智能手机带来不利影响，但三星电子(005930.KS)周五公布第三季营收预估时或将预计该季获利小幅增长，因记忆体芯片和显示器销售良好缓解了上述不利情况。 一些分析师此前称，三星电子召回至少250万部盖乐世Note 7手机，相关的销售和费用损失今年可能得花费近50亿美元。这或将使三星电子手机业务渐露端倪的复苏失去动力；该公司的手机业务近几年表现逊色。但几位企业观察家称，受到智能手机生产商苹果(AAPL.O)的芯片需求带动，记忆体芯片市场的走强将支撑三星电子获利。汤森路透SmartEstimate对20位分析师的调查显示，预计7-9月三星电子总体业务利润将较上年同期小涨0.7%，至7.4万亿韩元(66.5亿美元)。三星电子将于周五公布第三季营收及营业利润预估值。“只要营业利润数字超过7万亿韩元，市场看到后就会认为围绕Note7召回事件的一些杂音已经消除，”HDC资产管理公司基金经理Park Jung-hoon说道。三星在9月2日开始全球召回该款手机以来，分析师已经调低了对其移动业务表现的预期。一些分析师将其对三星移动业务的获利预估调降了1万

7纳米、3D NAND、Patterning、大陆四大推手 应材营运跳跃式成长

美商半导体大厂应用材料(Applied Materials)集团副总裁暨台湾区总裁余定陆指出，受惠10/7纳米等先进制程技术不断投资扩产，应用材料在全球晶圆代工逻辑产业市占率2012年19.7%，跃升至2016年23.7%，且预计Patterning市场在2019年规模可上看30亿美元规模，应材可抢到30%市占率，年营收贡献约10亿美元。 余定陆指出，未来3年营运成长的机会分别在10/7纳米、3D NAND技术、Patterning技术、OLED和大陆市场，应用材料在晶圆代工逻辑市场的市占率在2012年约19.7%，预计2016年可跃升至23.7%，主要是因为先进制程投资大幅增加。大陆政府一直在补助半导体产业，应材估计，大陆本地半导体厂规模目前约1,670亿美元规模，预计2025年可到3,270亿美元，估计未来5年大陆会有13个半导体工厂，半导体设备投资金额上看200亿~300亿美元，预计到2025年大陆本地半导体厂的芯片自制率约18%，对半导体设备厂而言是巨大商机。余定陆也指出，材料会是半导体产业的重要革新，未来半导体产业的重大转折已从以微影为主的微缩制程技术，转向以材料为驱动的微缩

中国手机出货强劲 推动东芝营业利润预期上调一倍

凤凰科技讯 北京时间9月28日消息，据外媒报道，东芝今天将截至9月份的上半财年营业利润预期上调一倍以上至700亿日元(约合6.95亿美元)，此前预期为300亿日元。 受此消息推动，东芝股价在周三快速上涨，创下自去年10月以来的*高点。这是东芝**次上调营业利润预期，该公司在今年5月份*初预计上半财年将营业亏损200亿日元。智能机存储芯片的强劲需求推动东芝上调营业利润预期。另外，比东芝保守预期更为疲软的日元汇率也发挥了推动作用。芯片需求的增长源于中国智能机出货量的强劲表现。尽管全球智能机市场表现乏力，但是中国智能机出货量依旧强势。中国研究公司万得资讯的数据显示，今年前8个月，中国智能机出货量增长了13%。瑞士信贷称，中国智能机强劲需求很可能源于外出打工者更换他们的旧款手机。过去12个月中国智能机出货量持续增长 另一方面，iPhone 7在本月初开启**后接到大量订单，该手机已经将各个价位机型的存储容量提升了一倍。这一需求推高了NAND闪存芯片的价格，后者是一种用于智能机中的存储芯片。东芝正好生产NAND闪存芯片。集邦科技预计，NAND闪存芯片供货吃紧局面至少会维持到未来几个月，这有助于该

TrendForce：《十三五规划》元年 中国半导体四大产业聚落成形

Sep. 26, 2016 ---- 2016年为中国《十三五规划》启动元年，目标在2020年实现集成电路产业与国际水平差距缩小，且达整体产业营收年增速超过20%。根据TrendForce集邦科技旗下研究品牌拓墣产业研究所*新研究报告指出，中国政府自2000年加大推动集成电路产业力度，搭配自贸区的设置，带动中国长三角、珠三角、京津环渤海与中西部四大主要产业聚落逐渐成形。长三角地区以上海为核心，其2015年产值约为人民币1792.4亿元，是四大产业聚落中产值*高地区。拓墣产业研究所指出，长三角地区发展偏重IC产业链中下游，是中国IC制造和封测技术*先进产能集中之地区。珠三角地区则以深圳为核心，其2015年总产值为人民币687.8亿元，以IC设计产值占比*高，主要企业为海思，为IC设计与系统和应用端整合的重要中心。京津环渤海地区以北京的中关村为核心，其IC产业2015年总产值为人民币624.8亿元，侧重于设计、制造与应用的发展，主要指标企业为中芯国际(北京)与清华紫光集团。中西部地区2015年总产值为人民币505.1亿元。其中西安有三星设立的3D NAND Flash产线，以及武汉新芯的N

NAND Flash整并赛再起　金士顿旗下点序正式入股银灿

NAND Flash产业整并风潮持续，存储器模组大厂金士顿(Kingston)旗下NAND Flash控制芯片公司点序正式入股银灿70%，经营阶层也**由点序接手，市场预期未来将在USB 3.0产品上进行整合，这一波台湾产业的NAND Flash控制芯片整顿潮应该告一段落，下一阶段是看大陆市场的发展！ 过去在从快闪记忆卡、随身应用的世代，是台系NAND Flash控制芯片*风光时代，处于百家争鸣阶段。但到了智能型手机eMMC应用，因为需要与系统品牌大厂紧密配合研发，因此主导权落在半导体大厂身上，多数的IC设计公司纷纷退出，只剩下群联、慧荣、点序等。点序这几年在富爸爸金士顿的扶持下，SD记忆卡经营成绩优异，日前也正式入股银灿，接手银灿旗下40多名员工，对银灿的持股比重约70%，而银灿董事长一职由刘坤旺接下，总经理由颜文鸿接任，研发副总由陈孟豪出任。银灿在USB 3.0相关控制芯片，*知名的事迹，是多年前将eMMC控制芯片设计团队出售给南韩存储器大厂海力士(SK Hynix)；不过，银灿这几年经营成效不佳，合计成立8年来烧光新台币7亿元，日前减资至2,000万股本，点序再投资6,000万元

华力微12寸新厂年底启动　与台积电、联电拼战大陆版图

大陆12寸晶圆厂华力微电子受惠于联发科、华邦、北京兆易**(GigaDevice)等大客户订单，包括通讯、NOR Flash晶片产能供不应求，不仅旗下12寸厂生产线满载，规划多时的**座12寸厂可望于年底前宣布启动兴建，预计新厂将直接切入28奈米制程，2018年正式投产，届时将与台积电南京厂、联电厦门厂等竞逐大陆庞大的28奈米制程市场商机。 大陆半导体产业布局规画陆续就定位，中芯国际负责逻辑晶片制造，武汉新芯挑起NAND Flash自主研发生产重任，华力微是上海市政府钦点的12寸厂生产基地，华虹宏力8寸厂则是专司特殊型晶片角色，至于IC设计领域有海思、展讯负责处理器产品，华为、华澜、忆恒创源等负责NAND Flash/SSD晶片设计。由于全球半导体大厂纷看好大陆内需市场，陆续前往大陆设立12寸厂，包括台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔(Intel)大连厂、三星电子(Samsung Electronics)西安厂、力晶合肥厂等，分别布局高阶逻辑、NAND Flash、DRAM及LCD驱动IC等产品领域。 在大陆政府提升晶片自制率政策下，近年来大陆主要晶圆厂一直处于产能满载状况，并陆续发动扩

为2020冲实绩 中国半导体四大聚落成形

2016 年为中国《十三五规划》启动元年，目标在 2020 年让集成电路产业与国际水准差距缩小，且达整体产业营收年增速超过 20%。根据*新研究报告指出，中国政府自 2000 年加大推动集成电路产业力度，搭配自贸区的设置，带动中国长三角、珠三角、京津环渤海与中西部四大主要产业聚落逐渐成形。长三角地区以上海为核心，其 2015 年产值约为人民币 1，792.4 亿元，是四大产业聚落中产值*高地区。拓墣产业研究所指出，长三角地区发展偏重 IC 中下游，是中国 IC 制造和封测技术*先进产能集中之地区。珠三角地区则以深圳为核心，其 2015 年总产值为人民币 687.8 亿元，以 IC 设计产值占比*高，指标企业为海思，为 IC 设计与系统和应用端整合的重要中心。京津环渤海地区以北京的中关村为核心，其 IC 产业 2015 年总产值为人民币 624.8 亿元，侧重于设计、制造与应用的发展，主要指标企业为中芯国际（北京）与清华紫光集团。中西部地区 2015 年总产值为人民币 505.1 亿元。西安有三星设立的 3D NAND Flash 产线，以及武汉新芯的 NAND Flash 扩产，加上紫

华力微12吋新厂年底启动兴建　与台积电、联电拼战大陆版图

大陆12吋晶圆厂华力微电子受惠于联发科、华邦、北京兆易**(GigaDevice)等大客户订单，包括通讯、NOR Flash晶片产能供不应求，不仅旗下12吋厂生产线满载，规划多时的**座12吋厂可望于年底前宣布启动兴建，预计新厂将直接切入28奈米製程，2018年正式投产，届时将与台积电南京厂、联电厦门厂等竞逐大陆庞大的28奈米製程市场商机。 大陆半导体产业布局规画陆续就定位，中芯国际负责逻辑晶片製造，武汉新芯挑起NAND Flash自主研发生产重任，华力微是上海市政府钦点的12吋厂生产基地，华虹宏力8吋厂则是专司特殊型晶片角色，至于IC设计领域有海思、展讯负责处理器产品，华为、华澜、忆恒创源等负责NAND Flash/SSD晶片设计。由于全球半导体大厂纷看好大陆内需市场，陆续前往大陆设立12吋厂，包括台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔(Intel)大连厂、三星电子(Samsung Electronics)西安厂、力晶合肥厂等，分别布局高阶逻辑、NAND Flash、DRAM及LCD驱动IC等产品领域。在大陆政府提升晶片自製率政策下，近年来大陆主要晶圆厂一直处于产能满载状况，并陆续发动扩产

IHS：2016年**季全球芯片市场出货排名出炉

IHS发布2016年**季全球芯片市场出货排名报告称，三星正在缩小与英特尔的差距。根据市场调研机构IHS发布的报告显示，三星芯片业务与英特尔的差距正在缩小。三星电子在今年**季度整合元件制造商排名中位列**，三星芯片销售额达到94.5亿美元，占全球市场的11.3%，英特尔约为122.7亿美元，全球份额14.7%。2012年，三星与英特尔的差距约为5.3个百分点，2013年缩小到4.2个百分点，2015年进一步缩小到3.2个百分点。虽然，今年**季度差距拉大到4个百分点以上，但**季度再次缩小差距，恢复强劲追赶势头。IHS在报告中强调，二季度之所以差距缩小，主要是因为三星NAND闪存产品销售猛增，这些闪存被智能手机和笔记本广泛采用。**季度，三星NAND闪存销售环比增加5.4%，而英特尔却下降1.2%。另外，美国高通占据全球市场的4.6%，博通(Broadcom)份额为4.3%，SK海力士排名第五位份额为4%。

2016年**季全球芯片市场出货排名出炉

IHS发布2016年**季全球芯片市场出货排名报告称，三星正在缩小与英特尔的差距。根据市场调研机构IHS发布的报告显示，三星芯片业务与英特尔的差距正在缩小。三星电子在今年**季度整合元件制造商排名中位列**，三星芯片销售额达到94.5亿美元，占全球市场的11.3%，英特尔约为122.7亿美元，全球份额14.7%。2012年，三星与英特尔的差距约为5.3个百分点，2013年缩小到4.2个百分点，2015年进一步缩小到3.2个百分点。虽然，今年**季度差距拉大到4个百分点以上，但**季度再次缩小差距，恢复强劲追赶势头。IHS在报告中强调，二季度之所以差距缩小，主要是因为三星NAND闪存产品销售猛增，这些闪存被智能手机和笔记本广泛采用。**季度，三星NAND闪存销售环比增加5.4%，而英特尔却下降1.2%。另外，美国高通占据全球市场的4.6%，博通（Broadcom）份额为4.3%，SK海力士排名第五位份额为4%。

NAND Flash市场缺货 创见威刚货源充足

苹果等智能型新手机厂商纷纷扩增存储器容量，加上固态硬盘(SSD)逐渐普及，带动存储型快闪存储器(NAND Flash)产能供不应求，价格上扬，存储器模组大厂预估，NAND Flash吃紧市况将延续到明年第1季底才能纾解，一线大厂创见、威刚因货源较充足，营运因此受惠，部分二线厂拿不到货或进货成本高，恐影响后续营收与获利。苹果新推出iPhone 7、华为、vivo、OPPO等智能手机厂新推产品，因存储容量提高，对NAND Flash产能需求非常大，企业级、笔电对固态硬盘需求的搭载率也快速提升，但包括三星、东芝、闪迪、美光等生产NAND Flash供应商，正跨进3D的较高生产门槛，供货量给模组厂骤降，产能无法即时满足市场需求，以致第3季NAND Flash产能持续出现缺口，带动价格也上涨。存储器模组大厂表示，第4季到明年1、2月，智能手机与固态硬盘(SSD)对NAND Flash需求增加仍持续，但NAND Flash供应商推进到3D技术的速度恐不会太快，预期NAND Flash仍吃紧，价格可望维持上扬的走势。威刚董事长陈立白指出，目前市况是一线厂对NAND Flash需求有吃紧或用量不够的问

DRAM超夯！外资：小心三星扩产、重演2015年惨况

存储器供货吃紧，价格喷发，先前韩媒预估，厂商製程转换将使产能减少，明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告，DRAM荣景能否持续，取决于记忆体龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。 巴伦(Barronˋs)23日报导，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两週就飙升9%；NAND Flash也供不应求，价格挺升，记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股价都因此一飞衝天。记忆体市场还能热多久？Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等閒置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，又有閒置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。与

**季NAND Flash品牌营收排行

兆易**：募投扩张期待未来前景 增持评级

投资要点： NOR闪存市场国内龙头企业，A股稀缺标的：兆易**(153.890, 13.99, 10.00%)在国内NORFlash行业是龙头厂商，也是中国大陆集成电路存储器芯片的核心供应商之一，在国内A股市场存储器芯片国产化方面的稀缺标的，我们认为在国家整体产业政策持续推动的行业背景下，公司未来发展空间值得期待。收入快速成长，盈利保持稳健：公司公布的2016年半年度业绩报告显示，上半年公司销售收入同比提升34.09%达到6.55亿元，毛利率小幅降低0.89个百分点为27.39%，作为智力密集型企业，公司在研发投入持续大幅度增加的情况下，上半年三项费用率同比仅小幅增加0.8个百分点，归属母公司股东净利润同比上升44.16%达到8，991万元，盈利能力保持了稳健。募投项目拓展NAND闪存和MCU产品：公司在本次募集资金的拟投资项目方面，除在其现有的NOR闪存方面继续增加投资以外，公司还将切入NAND闪存市场提升国内企业在相关领域的竞争实力。募投项目还将继续投资32位通用性MCU芯片，以应对智能家居、可穿戴设备等行业的迅速发展带来的产品需求扩张。投资建议：我们公司预测2016年至2018年

各显神通的中国半导体产业四大集团军

中国的产业转型有低谷，有波峰。低谷是钢铁煤炭等产能过剩的行业，波峰是大飞机半导体等产能不足的行业。是的，产能不足，以至于需要大规模的从海外进口，这就给本土投资者提供了一桌饕餮盛宴。市场有多大呢?先普及一个概念，半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。其中规模*大的是集成电路，占半导体市场的81%，占了**主导地位。所以很多人将集成电路和半导体混为一谈。2015年，中国进口集成电路所花掉的钱高达2307亿美金，是**大宗的进口商品。而据国家制造强国建设战略咨询委员会的估算，2015年中国集成电路市场占全球的三分之一，增速是全球平均的3倍，在10年之后，将进一步达到全球的45%。这么庞大与重要的市场，目前95%以上的产品供给都来自外资，这是中国政府不能容忍的，为了能夺回这个战略命脉行业的控制权，一场由国家主导的投资浪潮就此掀开帷幕。这场浪潮的起点，是2014年6月发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》。紧接着是一年后发布的《中国制造2025》，新一代信息技术产业被放在了**的位置。有了军令状，就得有雷霆动作，我国政府一旦重视起来，魄力之大通常超乎你的想象。具体

中国半导体行业投资翻倍 供需恐恶化

中国正在大力发展半导体产业已经不是新闻了，国家要求提高芯片自给率，2020年要有40%的芯片国产，2025年将提高到70%，这意味着中国未来几年需要大量半导体工厂。从半导体行业协会SEMI的数据来看，未来两年全球新增的19座晶圆厂中有10座都在中国，新增产能将占全球一半。日经新闻认为中国在2015-2020年的半导体投资将翻倍到5万亿日元，这将导致全球供需失衡，因为市场需求并没有同步扩大。在半导体工厂方面，中国公司确实加大了投资，我们听得*多的就是紫光集团了，这两年不仅巨资收购了瑞迪科、展讯等公司，还接连入股全球前四的台湾半导体封测公司。*近他们还把武汉新芯科技公司拿下了，后者已经在武汉开建***存储芯片基地，预计投资240亿美元，一期工厂主要生产3D NAND，未来还会生产DRAM内存，并进军代工业。紫光和武汉之外，大陆其他地方政府也在拼力建设存储芯片厂，包括华南的深圳、安徽合肥、福建晋江等等，一旦落实，每个地方的晶圆厂建设也要花费上百亿美元投资。海外公司也在加大中国市场投资，三星70亿美元在西安建设了3D NAND闪存厂，目前已经投产，Intel还在投资升级大连的晶圆厂，原本是芯片

三星主导调涨报价策略 DRAM厂商有望重掌号令

三星主导调涨DRAM报价策略奏效，全球市场研究机构TrendForce集邦科技*新DRAM现货报价连四天缓步上扬，主流DDR4 4Gb DRAM有机会向2美元叩关，也是近2个月来涨势*明确的半导体重要元件。DRAM厂商包括南亚科、华邦、威刚及宇瞻等，可望重掌多头反攻号令。存储器渠道商表示，三星和SK海力士近期主导价格涨势态度积极，除8月调涨DRAM报价，第4季合约价也再涨一成，连同第3季合约价调涨15%，等于下半年涨幅约25%。2大韩系DRAM大厂的市占逾八成，主导DRAM涨价策略奏效，已激励现货报价连四天上扬，集邦*新DRAM报价，主导DDR4 4Gb DRAM单日*高价已达每颗2.2美元，虽然均价在1.86美元，但业者预期随买盘升温，很快会站稳2美元之上。至于应用于其他工控和网通及消费产品的DDR3 2Gb及4Gb DRAM，涨势虽未DDR4强势，但也呈现缓涨态势。渠道商分析，两大韩系业者涨价，三星希望能稳住获利，弥补Note 7回收的损失，各品牌手机为因应高解析影响处理和储存需求，新机搭载DRAM和NAND容量都大幅提升，也是“涨价有理”的关键。例如苹果iPhone 7的DRAM

紫光赵伟国：2020年长江科技将进入世界存储器**梯队

中国NAND闪存市场占全球1/3 国产化加速

相对于旧式HDD硬盘的式微，NAND闪存及SSD固态硬盘的发展就成了存储市场的当红炸子鸡。不论是在移动设备、个人电脑、或是资料中心等市场上都在快速成长。而目前因为中国已经成为NAND闪存的*大市场，而SSD固态硬盘也是成长*快的市场。因此，也吸引了各家中国本土厂商的竞相投入。在NAND闪存的市场部分，根据TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)的*新研究报告显示，中国市场消耗的NAND闪存越来越多，2017年将占到全球市占率的30%，而到了2020年更将达到40%，发展潜力巨大。就因为如此的快速发展，吸引了全球NAND闪存公司的注意。包括韩国三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产，主要产品就是3D NAND闪存。而英特尔(Intel)也把大连的封测工厂改造成NAND工厂，预计2016年底开始小量生产，主力产品很有可能就是3D XPoint闪存。目前NAND闪存正在从2D NAND向3D NAND闪存发展，而NAND市场还在不断向前发展下，在NAND闪存也成为中国发展半导体市场的重要关键。因此，号称为国家大基金的中国国家集成电路产业基金，近

2016 DRAM市场回温优于预期 美光赢得外资青睐

继上周日系外资提高存储器厂美光(Micron)自每股16元的目标价到每股20元之后，30日另一家美系外资的*新研究报告也指出，在当前DRAM市场价格逐步回稳的情况下，加上美光逐步降低成本、提高每股获利的转变，也将美光的目标价由原本的每股18美元，提高至每股20美元的价位。 该外资报告一开始便提及，看好2016年以来DRAM市场的回温与产品价格的回稳，而且实际上的表现还比当时预估的要好一些。不过，在当前许多供应商的产能不足的情况下，2017年DRAM的供应依旧是吃紧的。尤其，是在3D NAND闪存进入需求旺季的情况下，即便是2017年DRAM的产能有机会提高20%，对市场来说依旧是供不应求的情况。这样的市场状况，对于美光来说，虽然过去的18个月表现不如竞争同业，不过整体的表现已经大幅提升。加上整合了过去尔必达与美光本身晶圆厂的制造技术，将其DRAM制造技术往前推进至20纳米的制程上，如此降低生产成本，加以提高每股获利的情况下，短期间虽然不期待美光能赶上韩系竞争同业的利润水准，但是在未来几季内有机会将差距拉近。在报告中进一步指出，美光在本季的DRAM业务已经逐渐好转，而且在逐步提高毛利率的

3D NAND需求旺＋台积电加持！日半导体设备商订单冲9年新高

日经新闻27日报道，日本半导体(芯片)设备商订单明显恢复，2016年度上半年期间(2016年4-9月)东京威力科创等日本7大设备商合计订单额达约7,300亿日元、较2015年度下半年(2015年10月-2016年3月)增加约4%、且订单额创下9年半来(2006年度下半年以来)新高纪录。设备订单一般反映在3-6个月后的营收表现上，被视为是业绩的**指标。日本7大半导体设备商包含东京威力、DISCO、Hitachi High-Technologies、Advantest、Screen Holdings、东京精密和日立国际电气。报道指出，日本设备商订单走扬有两大助因，一为使用于伺服器的3D NAND Flash等次世代芯片制造设备需求旺盛;一为台积电、英特尔(Intel)对运算处理用芯片的细微化投资。报道同时指出，2016年度下半年(2016年10月-2017年3月)的隐忧在于智能手机相关需求。往年秋冬时期，为了预备苹果(Apple)等主要智能手机厂商的零组件订单，芯片厂、电子零件商都会在这时期进行设备投资，不过随着智能手机市场成长减速，故若相关投资被抑制的话，恐对设备商吹起逆风。根据Yah

外资看好记忆体市场需求 调高美光建议价格至每股20美元

继上周日系外资提高存储器厂美光(Micron)自每股16元的目标价到每股20元之后，30日另一家美系外资的*新研究报告也指出，在当前DRAM市场价格逐步回稳的情况下，加上美光逐步降低成本、提高每股获利的转变，也将美光的目标价由原本的每股18美元，提高至每股20美元的价位。该外资报告一开始便提及，看好2016年以来DRAM市场的回温与产品价格的回稳，而且实际上的表现还比当时预估的要好一些。不过，在当前许多供应商的产能不足的情况下，2017年DRAM的供应依旧是吃紧的。尤其，是在3D NAND闪存进入需求旺季的情况下，即便是2017年DRAM的产能有机会提高20%，对市场来说依旧是供不应求的情况。这样的市场状况，对于美光来说，虽然过去的18个月表现不如竞争同业，不过整体的表现已经大幅提升。加上整合了过去尔必达与美光本身晶圆厂的制造技术，将其DRAM制造技术往前推进至20纳米的制程上，如此降低生产成本，加以提高每股获利的情况下，短期间虽然不期待美光能赶上韩系竞争同业的利润水准，但是在未来几季内有机会将差距拉近。在报告中进一步指出，美光在本季的DRAM业务已经逐渐好转，而且在逐步提高毛利率的情

高启全任长江存储COO,,台湾DRAM业恐现逾百人才出走潮

台湾 DRAM 战将、前华亚科董事长高启全在去年跳槽中国紫光集团震撼业界，而今赴中国未满一年，高启全名字渐渐消失在产业新闻版面，就连先前紫光与武汉新芯合体设立长江存储，也未闻高启全消息，不过，根据科技新报取得的资讯，高启全不只任长江存储营运长，更谋划大挖台湾人才，在几位干部跳槽过去后，会不会连带出现台湾 DRAM 人才出走潮同令业界担忧。 紫光集团与武汉新芯在日前宣布合体，整合资源共同组成“长江存储科技有限责任公司”，以求在记忆体产业有所突破，长江存储董事长由紫光集团董事长赵伟国兼任、大基金总经理丁文武担任副董事长，而原先武汉新芯执行长杨士宁则任长江存储总经理，在曝光的名单中似未见高启全，但根据消息人士透露，高启全实则担任长江存储营运长，与杨士宁分别筹画 DRAM 与 NAND Flash 产能的布建。以 DRAM 而言，长江存储与原先的紫光虽未取得大进展，但高启全已用自身原本人脉挖角几位南亚科、华亚科主管，据消息，目前已知确定跳槽的干部就有近十位，其中不乏退休副总级高层，重要的是后续这些“将”会带多少“兵”过去，引发集体跳槽效应，消息人士估计，这几次挖角台湾至少会有百位 DRAM 人

叶甜春:中国IC整个产业链布局已基本完善

“解决中国芯，支撑中国未来30年的发展。”在国家大力支持和国家重大专项等**下，中国集成电路产业整个产业链布局已基本完善，进入一个由追赶到原创的新阶段，新形势下应更注重**，特别是原始**和集成** ⊙记者 李兴彩 ○编辑 邱江“解决中国芯，支撑中国未来30年的发展。”在25日于江苏镇江举行的“集成电路产业**（镇江）**对话会”上，中科院微电子所所长、02专项专家组组长叶甜春表示，在国家重大专项等的持续推动下，中国初步完成了集成电路产业链的构建，一批企业开始脱颖而出。接下来，国家的持续投入对集成电路产业发展至关重要，技术上则要走向重视原始**和集成**的新路径。中芯国际技术研究发展顾问吴汉明等则详细阐述了产业面临的机遇和挑战，揭示中国在成熟制程领域的后发优势和先进制程领域弯道超车的机会。产业需要持续投入在叶甜春看来，必须解决“中国芯”问题，才能支撑中国未来30年的发展。集成电路技术是国家实力的战略制高点，这个融合了40多种科学技术及工程领域多种交叉学科和**制造技术的领域，对制造装备、精密机械、精密仪器、自动化、精细化工和新材料业有直接的带动。值得关注的是，据叶甜春介绍，武汉新芯与中

后摩尔时代 中国集成电路产业有望弯道超车

“解决中国芯，支撑中国未来30年的发展。”在25日于江苏镇江举行的“集成电路产业**（镇江）**对话会”上，中科院微电子所所长、02专项专家组组长叶甜春表示，在国家重大专项等的持续推动下，中国初步完成了集成电路产业链的构建，一批企业开始脱颖而出。接下来，国家的持续投入对集成电路产业发展至关重要，技术上则要走向重视原始**和集成**的新路径。中芯国际技术研究发展顾问吴汉明等则详细阐述了产业面临的机遇和挑战，揭示中国在成熟制程领域的后发优势和先进制程领域弯道超车的机会。产业需要持续投入在叶甜春看来，必须解决“中国芯”问题，才能支撑中国未来30年的发展。集成电路技术是国家实力的战略制高点，这个融合了40多种科学技术及工程领域多种交叉学科和**制造技术的领域，对制造装备、精密机械、精密仪器、自动化、精细化工和新材料业有直接的带动。值得关注的是，据叶甜春介绍，武汉新芯与中科院微电子所联合完成了39层3D-NAND工艺流程搭建和原型结构开发，各项结构参数达到要求，开始产品试制。近期紫光集团收购武汉新芯多数股权后，成立长江存储科技有限责任公司，由赵伟国出任董事长。紫光旗下紫光国芯为其存储器整合平台，

英特尔发动价格战　3D NAND SSD 69美元起跳

英特尔(Intel)近期一口气发布多款新固态硬碟(SSD)产品，将其3D NAND晶片进一步推向消费型与企业级固态硬碟市场。值得注意的是，这些新款SSD一律采用PCIe Gen3介面并支援NVMe协定，读写效能远优于采用SATA介面的现有产品，同时也打破了NVMe以往仅见于企业或高阶消费市场产品的局面。 英特尔表示，这些新款SSD采用3D TLC NAND记忆体，针对消费型市场的600p系列*低价格从69美元起跳(128GB版本)，1TB储存容量的版本则为359美元。至于锁定企业市场的Pro 6000p系列价格则从79美元起跳(128GB版本)，*高阶产品定价则为364美元。除了以价格攻势吸引用户外，英特尔这两个系列的SSD硬碟**采用PCIe Gen3介面并支援NVMe协定，因此其读写性能虽距离**产品仍有一段差距，但跟采用SATA介面的SSD相比，仍有高达3倍的优势。其连续读取性能为1,800MB/s、写入性能为560MB/s；随机读取性能为15.5万IOPS、随机写入则为12.8万IOPS。据了解，600p系列所采用的控制器由慧荣提供，3D TLC NAND颗粒则由美光(Micr

中国IC整个产业链布局已基本完善

“解决中国芯，支撑中国未来30年的发展。”在25日于江苏镇江举行的“集成电路产业**（镇江）**对话会”上，中科院微电子所所长、02专项专家组组长叶甜春表示，在国家重大专项等的持续推动下，中国初步完成了集成电路产业链的构建，一批企业开始脱颖而出。接下来，国家的持续投入对集成电路产业发展至关重要，技术上则要走向重视原始**和集成**的新路径。中芯国际技术研究发展顾问吴汉明等则详细阐述了产业面临的机遇和挑战，揭示中国在成熟制程领域的后发优势和先进制程领域弯道超车的机会。产业需要持续投入在叶甜春看来，必须解决“中国芯”问题，才能支撑中国未来30年的发展。集成电路技术是国家实力的战略制高点，这个融合了40多种科学技术及工程领域多种交叉学科和**制造技术的领域，对制造装备、精密机械、精密仪器、自动化、精细化工和新材料业有直接的带动。值得关注的是，据叶甜春介绍，武汉新芯与中科院微电子所联合完成了39层3D-NAND工艺流程搭建和原型结构开发，各项结构参数达到要求，开始产品试制。近期紫光集团收购武汉新芯多数股权后，成立长江存储科技有限责任公司，由赵伟国出任董事长。紫光旗下紫光国芯（37.630， -

3D NAND风暴来袭，中国存储器厂商如何接招?

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。在此之际，有必要了解3D NADN的产业竞争形势。 全球3D NAND竞争形势加剧想要了解3D NAND，首先应当了解其关键制造工艺。3D NAND的制造工艺十分复杂，主要包括高深宽比的沟开挖(High aspect ratio trenches)、在源与漏中不掺杂(No doping on source or drain)、完全平行的侧壁(Perfectly parallel walls)、众多级的台阶(Tens of stairsteps)、在整个硅片面上均匀的淀积层(Uniform layer across wafer)、一步光刻楼梯成形(Single-Lithostairstep)、硬掩模刻蚀(H

3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进

集微网消息，据海外媒体报道，2016年下半除东芝(Toshiba)就64层3D NAND Flash展开送样出货外，三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者亦将陆续量产，将促使3D NAND Flash垂直堆叠*高层数自64层朝2017年的80层迈进。DIGITIMES Research观察，由于干蚀刻使用在64层以上更高堆叠层数的3D NAND Flash，其蚀刻速度与正确性可望优于湿蚀刻，将使三星于64层以上3D NAND Flash转向干蚀刻发展的可能性提升。 垂直通道(Vertical Channel)构造3D NAND Flash系指字元线(Word Line；WL)与位元线(Bit Line；BL)相互垂直，堆叠层数往BL方向增加。相较于WL与BL皆处同一平面、往上层层堆叠的简单堆叠(Simple Stack)构造，垂直通道具备成本优势，成为存储器业者发展3D NAND Flash所采主流构造。随3D NAND Flash持续朝64层以上更高垂直堆叠层数迈进，制程中需贯通至底部的蚀刻厚度将较以往增加

三星推出高速Z-SSD方案 矛头直指XPoint

闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC(即三层单元)设计。64层 V-NAND64层TLC V-NAND*初公布于今年8月底，其能够提供超越当前256 Gbit 48层技术的存储容量。目前512 Gbit(64 GB)芯片已经完成，意味着其能够将SSD存储容量翻倍。三星方面指出，这套方案的IO速度为每秒800 Mbit。西部数据/东芝也拥有自己的64层3D NAND技术，名为BiCS，目前正处于实验性阶段，芯片容量为256 Gbit。三星方面可能会利用其64层V-NAND芯片打造一款8 TB且尺寸大于M.2的SSD产品。其物理尺寸为22毫米x 110毫米。在利用此款产品的情况下，企业级服务器能够在1U空间内实现256 TB NAND存储容量。标准的M.2尺寸则可能用于构建搭载同款芯片的三星4 TB产品。首款采用64层V-NAND芯片的产品预计将在2016年第四季度推出，据猜测其可能是一款采用BGA尺寸设计的平

存储的战争 NAND Flash仅是开始

在进展缓慢的储存技术世界里，NANDFlash的普及速度算是极快，几乎每种储存产品都有其足迹，*主要原因就是速度。据报导，NANDFlash刚推出时是市场上*昂贵的储存装置，后来供应商发现只要加入相对小量的快闪存储器，便可以大幅提升效能以快闪存储器技术为基础的储存装置也开始大受欢迎。由美光(Micro)和英特尔(Intel)合作开发的3DXPoint技术，以及IBM根据相变化存储器(PhaseChangeMemory)修正后开发的新型态储存装置，在速度、耐用性和重复读写的次数的表现都比目前使用的NANDFlash更佳。3DXPoint开发人员表示，新储存装置的速度和耐用度可达到NANDFlash的1，000倍，IBM则表示其开发的PCM在读取和写入速度方面比NANDFlash快上数百倍，预计可进行1，000万次读取循环。虽然NANDFlash开创了固态硬碟(SSD)的时代，但在新技术不断出现的情况下，或许这只是挑战传统存储器和储存装置概念的开端而已。不论从哪一个角度来看，这些新技术都让NANDFlash看起来像是老旧技术。对于还在摸索NAND效能的使用者来说，很难想像这些数据代表的真正

存储器：3D NAND风暴来袭

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。在此之际，有必要了解3D NADN的产业竞争形势。全球3D NAND竞争形势加剧想要了解3D NAND，首先应当了解其关键制造工艺。3D NAND的制造工艺十分复杂，主要包括高深宽比的沟开挖（High aspect ratio trenches）、在源与漏中不掺杂（No doping on source or drain）、完全平行的侧壁（Perfectly parallel walls）、众多级的台阶（Tens of stairsteps）、在整个硅片面上均匀的淀积层（Uniform layer across wafer）、一步光刻楼梯成形（Single-Lithostairstep）、硬掩模刻蚀（Ha

三星海力士加强投资3D NAND 巩固霸主地位

据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面的竞争力，两者合并将为大陆记忆体产业发展开启新的局面，同时也会对全球记忆体市场带来莫大影响。先前武汉新芯与美国材料半导体业者Spansion共同研发3D NAND Flash技术，拥有量产32层堆叠晶片的技术能力，目前武汉新芯则计划投资240亿美元兴建晶圆厂。面对大陆的积极追赶，三星电子(Samsung Electronics)持续进行西安工厂的相关投资，同时也加紧兴建位于南韩的平泽工厂，欲将其打造为全球*大规模的单一产线，用于投入3D NAND Flash量产。三星在平泽厂区的投资金额上看15.6兆韩元

紫光武汉新芯联手 长江存储未来将面临哪些挑战？

紫光集团与武汉新芯携手的传闻终于落地。根据近日双方发布的消息，由紫光集团和武汉新芯联手组建的长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于7月26日注册成立。这意味着中国*大的存储产业基地初见雏形。对此事件业界反响普遍持正面态度。清华大学微电子学研究所所长魏少军认为，从目前的股权安排来看，可以说既照顾了武汉新芯的现有状况，也兼顾了未来发展需要，既有利于发挥“国家集成电路产业投资基金”的政策主导性作用，也可以充分发挥紫光集团的市场化作用。 然而，长江存储未来将要面临的挑战仍然严峻，包括国际竞争环境，国内的市场接受度等，特别是在存储器产品的开发生产、**技术的获得以及市场竞争等关乎企业未来成败的几个方面，新公司将会如何应对呢？3D NAND +DRAM，产业链整合值得观察“长江存储”成立的消息近来已在业内持续发酵，业界关注的重点首先仍在存储产品的开发与生产上。毕竟这是一家企业生存发展的基础。对此，研究机构DRAMeXchanGE研究协理杨文得指出，中国厂商近一年来通过布局闪存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑，武汉新芯原为NOR 闪存生产厂，在生产经验、厂房与产能建置等基础建

兆易**：打造世界**芯片供应商

——北京兆易**科技股份有限公司**公开发行A股网上投资者交流会精彩回放 出席嘉宾兆易**董事长、总经理 朱一明先生兆易**副总经理、董事会秘书、财务负责人 李 红女士兆易**助理财务总监 孙桂静女士申万宏源证券承销保荐有限责任公司执行总经理、保荐代表人 康翰震先生申万宏源(6.210, 0.02, 0.32%)证券承销保荐有限责任公司投资银行执行总经理、保荐代表人 陈 靖先生北京兆易**科技股份有限公司董事长、总经理朱一明先生致辞尊敬的各位嘉宾、各位投资者和网友朋友们：大家好！欢迎参与北京兆易**科技股份有限公司**公开发行A股网上投资者交流会。在此，对长期以来关心、支持和帮助我们的广大投资者和社会各界朋友表示诚挚的谢意！兆易**致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计研发，公司产品为NOR Flash、NAND Flash及MCU，广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等各个领域。凭借出众的市场成绩，公司产品在2010、2011及2012连续三年被工信部授予“‘中国芯’*佳市场表现奖”。与此同时，公司与多家

IC国家队：**芯片联盟的参与企业有哪些？

7月31日，经国家主席习**提议，在国家集成电路产业发展领导小组办公室的指导下，“中国**芯片联盟”在成都正式成立。*新消息，中国**芯片联盟由国家集成电路产业投资基金总经理丁文武任理事长，紫光集团董事长赵伟国任副理事长，清华大学微电子所所长魏少军任秘书长。该联盟的27家具体发起单位名单如下(排名不分先后)：以紫光集团、浪潮电子、曙光信息、中国电子信息产业、国网信息通信、华为、联想、中兴、龙芯中科、上海兆芯、天津飞腾、上海华虹、长江存储、中芯国际、澜起科技、中国软件、中标软件和国家集成电路产业投资基金在国内**芯片、基础软件、整机应用等产业链的重点骨干企业。以清华大学、北京大学、中国科学院软件研究所、中国科学院微电子研究所、中国电子信息产业发展研究院、工业和信息化部电信研究院、中国电子技术标准化研究院、中国电子工业标准化技术协会、工业和信息化部电子第五研究所的**院校和研究所���中国**芯片联盟的宗旨是围绕**芯片领域，以建立产业生态为目标，以重点骨干企业为主体，整合各方资源，建立产、学、研、用深度融合的联盟，推动协同**攻关，促进核心技术和产品应用推广，探索体制机制**，打造“架构-芯

解读实现中国存储器梦的三条路径

构建中国存储器的梦一步步在向前推进，继今年4月武汉“新芯”宣布动工，公布了宏伟的规划兰图。如今紫光入围，成立长江存储科技有限责任公司，并推选赵伟国当董事长，丁文武当副董事长，表明项目再次取得实质性的进展。国内外对于项目上马的看法差异很大，就目前非常有限的资料来判断，一定取得胜算的把握可能尚不好预测。中国存储器业的发展刚刚启步，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一是政府主导的武汉新芯，它们与Spansion及中科院微电子所等合作，据说己经有9层3DNAND样品;二是紫光，它的策略是先通过兼并，达到一定高度之后再自行研发;三是两个地方政府，福建与合肥，它们试图寻找技术伙伴，或者挖技术团队后再前进。兼并紫光把希望寄于通过兼并，让中国的存储器业的起点抬高，再进行自主研发。这样的思维听起来是务实的，然而由于中国处在特定环境下，许多正常的兼并贸易都被美国CFIUS否决。综合起来近时期紫光的实践，欲联手美光等，希望能得到技术支持的想法恐怕难以实现。更有传闻欲学习台湾地区的“华亚科”模式，由中方出资，美光技术主导，*终成为美光在全球布局的一部分。如果是这样的结局恐怕有违于中国开初建设存储器芯片事业的

大陆IC设计厂加快导入14/16nm纳米先进制程

导读：目前，国家全力扶植半导体生产链发展，在大基金补助下，国内IC设计厂商建厂迅速，纷纷投入先进14/16nm制程生产。据悉上游半导体生产链厂商中芯、武汉新芯、厦门联电、南京台积电、大连英特尔多家芯片商已经建成新厂房并已投产使用。海思方面也与台积电商议合作，打算明年推出10纳米，早在去年就已经在大陆建立新制程实验室闳康成为*大的受惠者。大陆红色供应链全力冲刺，包括中芯扩建北京12寸厂、武汉新芯12寸NAND Flash厂、联电厦门12寸厂、台积电南京12寸厂、英特尔大连NAND Flash厂、格罗方德重庆12寸厂等，由于大陆半导体生产链缺乏完整的检测分析能力，去年就在大陆建立实验室进行卡位的闳康成为*大受惠者。大陆IC设计厂大量采用14/16nm纳米先进制程投片，海思就已大量导入16纳米，而且已开始与台积电合作，明年上半年就要采用10纳米，闳康与海思已有多年合作经验，如今传出将在10/7纳米继续合作，对闳康将有明显加分，加上又争取到大陆当地晶圆厂的检测分析订单，闳康今年全年营收可望创下新高。中国大陆全力扶植半导体生产链，今年有10座12寸厂开始兴建，而且在大基金的补助下，大陆IC设计厂

新一代工规储存装置具高效能特性

宜鼎国际推出两款新一代工规储存装置搭载宜鼎国际**L3架构韧体技术，采用*新Marvell NAND控制晶片。 宜鼎国际(Innodisk)推出两款新一代工规储存装置搭载宜鼎国际**L3架构韧体技术，采用*新Marvell NAND控制晶片。此系列SSD具备**效能及可靠性且延长了使用寿命。宜鼎国际SATA 3ME4及PCIe 3ME是专为工业电脑设计的储存装置。宜鼎国际L3架构韧体技术是基于L2架构韧体技术并搭配*新的LDPC(Low Density Parity Check)错误修正技术。L2架构是一种**演算法可有效降低写入放大值，并搭载自行开发的动态平均抹写技术来提高效能及延长使用寿命。LDPC是相较于BCH更先进的错误矫正(ECC)技术，也是业界首款将LDPC技术用于MLC IC的系列产品, 能大幅提高可靠度及耐用性。此外，维持宜鼎国际一贯的工业导向韧体架构并提供了弹性的客制化服务，满足不同层面的应用。随着PCIe逐渐成为主流介面，越来越多工业电脑厂商采用PCIe作为储存装置的介面。宜鼎国际因应此趋势推出PCIe 介面的M.2 SSD。PCIe 3ME系列采用PCIe Gen

紫光与武汉新芯携手 长江存储科技正式成立

据武汉新芯集成电路制造有限公司*新发布的消息，长江存储科技有限责任公司(以下简称长江存储)于7月26日正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称武汉新芯)的基础上建立长江存储。紫光集团董事长赵伟国任长江存储董事长，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武任副董事长，武汉新芯集成电路制造有限公司CEO杨士宁任总经理。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。紫光+新芯，有利于整合产业资源目前，我国许多地方和企业发展存储器产业的热情很高。半导体专家莫大康曾归纳指出，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一个是政府主导的武汉新芯，它们与中科院微电子所等合作，据说己经有9层3DNAND样品。另一个是紫光，它的策略是先通过兼并，站在一定高度之后再

我国存储产业呈现整合式发展

据武汉新芯集成电路制造有限公司*新发布的消息，长江存储科技有限责任公司(以下简称长江存储)于7月26日正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称武汉新芯)的基础上建立长江存储。紫光集团董事长赵伟国任长江存储董事长，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武任副董事长，武汉新芯集成电路制造有限公司CEO杨士宁任总经理。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。紫光+新芯，有利于整合产业资源我国许多地方和企业发展存储器产业的热情很高。半导体专家莫大康曾归纳指出，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一是政府主导的武汉新芯，它们与中科院微电子所等合作，据说己经有9层3DNAND样品;二是紫光，它的策略是先通过兼并，达到一定高度之后再自行研发;三

紫光与武汉新芯整合 未来要过几道坎？

本报记者 陈炳欣紫光集团与武汉新芯携手的传闻终于落地。根据近日双方发布的消息，由紫光集团和武汉新芯联手组建的长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于7月26日注册成立。这意味着中国*大的存储产业基地初见雏形。对此事件业界反响普遍持正面态度。清华大学微电子学研究所所长魏少军认为，从目前的股权安排来看，可以说既照顾了武汉新芯的现有状况，也兼顾了未来发展需要，既有利于发挥“国家集成电路产业投资基金”的政策主导性作用，也可以充分发挥紫光集团的市场化作用。然而，长江存储未来将要面临的挑战仍然严峻，包括国际竞争环境，国内的市场接受度等，特别是在存储器产品的开发生产、**技术的获得以及市场竞争等关乎企业未来成败的几个方面，新公司将会如何应对呢？3D NAND +DRAM，产业链整合值得观察“长江存储”成立的消息近来已在业内持续发酵，业界关注的重点首先仍在存储产品的开发与生产上。毕竟这是一家企业生存发展的基础。对此，研究机构DRAMeXchanGE研究协理杨文得指出，中国厂商近一年来通过布局闪存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑，武汉新芯原为NOR 闪存生产厂，在生产经验、厂房与产