台媒：紫光下一步 入股美光、英特尔

消息人士透露，紫光集团下一步将争取入股美光及英特尔两大握有记忆体关键技术的大厂，合作案已进入紧锣密鼓阶段。值此之际，台厂再度扮演关键角色，美光近期将整合旗下华亚科、瑞晶等厂区制造资源，以为与紫光合作预做准备。 业界解读，紫光一连串的动作，具有三大指标意义，首先是紫光集团结合美、中、台业者，建构记忆体产业垂直版图，力抗三星、SK海力士两大韩厂的布局浮现。其次，先前市场忧心美光向紫光靠拢，恐不利华亚科等台厂。但随着美光积极进行华亚科、瑞晶等厂区制造资源整合，为与紫光合作预做准备，透露美光与台厂关系仍紧密，将携手与对岸取得更有利的合作机会。第三，紫光整合美、中、台三方半导体资源，与出任紫光集团全球执行副总裁的华亚科前董事长高启全理念相近。随着相关并购案浮出台面，台湾记忆体供应链与对岸的联结似乎愈来愈紧密。紫光集团董事长赵伟国稍早接受本报专访时表示，紫光现阶段重心是建构“从芯到云”的供应链生态体系，由于布建资料中心都需要储存媒介，因此紫光决定入股威腾（WD），并透过威腾合并储存快闪记忆体（NAND Flash）大厂晟碟（SanDisk）。据了解，紫光布建记忆体，采NAND和DRAM双轨并行。紫

闪迪48层3D NAND芯片明年量产

本报讯 日前，闪迪发布了256 GB 3位元型（X3）48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。闪迪全球技术开发部副总裁陈健近日表示，目前闪迪与产业链下游合作伙伴适配进展非常顺利，预计明年量产。记者了解到，闪迪3D NAND采用的是BiCS非易失性存储器架构，可以提高存储密度、可扩展性和性能，还具备更好的写/擦耐久力、更快的写入速度和更高的能效。作为闪迪3D NAND量产专用设施，东芝和闪迪在两家公司共同运营的四日市工厂**厂房已有部分竣工，两公司已签订了共同实施设备投资的正式协议。（徐 文）

台立院通过政府不得开放陆资投资IC设计；

东芝拟分拆NAND存储器事业部 其他部门或裁员

18日消息，被东芝(Toshiba)视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND型快闪存储器(Flash Memory)”事业分拆出来，并考虑让其上市、筹措研发所需的巨额资金;另外，大分、岩手两县的工厂将藉由替其他厂商代工、来强化收益能力。报导指出，东芝将在12 月21日公布以电视、PC 以及家电等事业为中心的合理化措施，可能将裁撤数千名员工，而半导体事业和核能、医疗用机器部门皆被东芝定位为核心事业，故东芝正急于回复半导体事业业绩。根据 DRAMeXchange 公布的资料显示，2015 年第三季三星电子 NAND 存储器市占率为 31.5%，较去年同期下滑 1.1 个百分点;东芝上升 1.4 个百分点至 20.5%;Sandisk 成长 2 个百分点至 15.4%。东芝在爆发会计丑闻之后，于9月正式上路的新经营团队就大刀阔斧展开精简措施，继 10 月宣布将退出 CMOS 影像感测器以及白色 LED 市场之后，日前又传出东芝 PC 事业可能将和富士通、VAIO合 并，且东芝家电/电视事业可能*高将裁员 7，000 人。

东芝传分拆 NAND Flash 事业，以便上市筹资、代工强化收益

被东芝（Toshiba）视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）”事业分拆出来，并考虑让其上市、筹措研发所需的巨额资金；另外，大分、岩手两县的工厂将藉由替其他厂商代工、来强化收益能力。报导指出，东芝将在 12 月 21 日公布以电视、PC 以及家电等事业为中心的合理化措施，可能将裁撤数千名员工，而半导体事业和核能、医疗用机器部门皆被东芝定位为核心事业，故东芝正急于回复半导体事业业绩。根据 DRAMeXchange 公布的资料显示，2015 年第三季三星电子 NAND 记忆体市占率为 31.5%，较去年同期下滑 1.1 个百分点；东芝上升 1.4 个百分点至 20.5%；Sandisk 成长 2 个百分点至 15.4%。东芝在爆发会计丑闻之后，于9月正式上路的新经营团队就大刀阔斧展开精简措施，继 10 月宣布将退出 CMOS 影像感测器以及白色 LED 市场之后，日前又传出东芝 PC 事业可能将和富士通、VAIO合 并，且东芝家电/电视事业可能*高将裁员 7，000 人。

大陆主要12寸晶圆厂分布，全球半导体屈服中国制造

擎泰裁员七成 NAND控制器市场更加严峻

曾经是前兴柜股王，目前专注于NAND Flash控制晶片的擎泰，近日传出将裁员七成的消息。若消息属实，则到明年三月，将只剩下10名左右员工。此消息一出，也使得台湾记忆体业界为之震惊。 据了解，擎泰成立于2003年，由于大股东与大客户正是三星，因此被视为记忆体业的****，也曾一度登上兴柜股王。但随着三星不NAND控制晶片策略改变，使得过去过于仰赖三星的擎泰瞬间订单大减，裁员一事更是迫在眉睫。擎泰也证实，由于经营困难，将陆续裁员，以藉此节省成本与开支，资遣人员都将依法办理，部分资遣条件也将优于现行规定。至于业务上，仍将努力开拓新客户并办理私募，来引进新资金与合作夥伴。事实上，NAND控制晶片市场竞争一直都处于激烈状态，包括群联、慧荣等都是竞争厂商。此外，NAND的晶片价格波动大，也对业者造成考验。虽然市场清淡，然而业者普遍认为也没差到这样的程度，因此，此次擎泰的裁员，的确让业界惊讶。

明年半导体 指纹辨识固态硬盘看俏

（中央社记者张建中新竹6日电）半导体产业明年可望恢复成长，指纹辨识与固态硬碟分别在智慧手机及笔记型电脑的渗透率可望同步攀高，将是成长态势相对明确的应用市场。 受全球经济情势不佳，市场库存调整期超乎预期长，加上强势美元衝击，今年全球半导体市场将零成长；随著市场库存可望于今年底调整完毕，晶圆代工龙头厂台积电看好，明年半导体产业可望恢复成长。台积电看好明年半导体产业发展，重振市场信心，并开始关注明年成长应用市场。随著苹果(Apple)iPhone 5S导入指纹辨识功能，指纹辨识发展一直受到市场高度关注，并吸引敦泰、义隆���盛群及神盾等多家国内晶片厂相继投入指纹辨识领域发展。据业者观察，继三星(Samsung)等手机大厂旗舰机种导入指纹辨识功能后，乐视新推出售价人民币1099元的乐1S，与华为新推出售价人民币999元的荣耀5X也跟进导入指纹辨识功能。业者看好，随著千元人民币平价智慧手机纷纷跟进採用指纹辨识功能，将可带动指纹辨识应用快速普及，市场成长可期。神盾即预期，今年智慧手机指纹辨识渗透率将约25%，明年可望进一步攀高至37%，2018年渗透率将可达58%水准。非苹阵营搭载指纹辨识功能的智慧手

TrendForce：2016年半导体产值达3295亿美元

原标题：TrendForce：2016年半导体产值达3295亿美元，年增长率微幅下滑0.6% Dec. 7, 2015 ---- 在移动通信产业成长趋缓下，全球芯片销售产值年成长率将自2014年的10.5%，滑落到2015年的0.9%。TrendForce旗下拓墣产业研究所预估，2016年因内存产值衰退幅度大，全球半导体产值年增长率微幅下滑0.6%，总产值约3295亿美元。拓墣研究经理林建宏表示，2016年半导体产业三大应用类别趋势如下：个人计算机出货衰退趋缓，移动设备平均销售价格将回稳2015年个人计算机（PC）需求不振，且搭载CPU/GPU SoC的产品比例上升，造成整体产值萎缩。2016年中央处理器在经历今年度库存调整后，预计销售量将较今年回稳，平均销售价格波动小。移动设备今年增长趋缓，**性低使产值缩减，然因搭载16/14纳米产品的比重可望上升，2016年中**产品应用处理器降价幅度将较2015年收敛，且预期汇率波动小，将纾解低端应用处理器的价格压力。拓墣预估2015年数字IC芯片产值年增长率滑落1.4%，2016年微幅衰退0.7%。车用与高像素镜头模组护航，模拟IC芯片与OS

分析师：半导体产值今年持平、明年衰退

行动通讯产业成长趋缓，全球晶片销售产值年成长率将自2014年的10.5%，滑落到2015年的0.9%。TrendForce旗下拓墣产业研究所预估，2016年因记忆体产值衰退幅度大，全球半导体产值年成长率微幅下滑0.6%，总产值约3,295亿美元。 拓墣研究经理林建宏表示，2016年半导体产业三大应用类别趋势如下：PC出货衰退趋缓，行动装置平均销售价格将回稳2015年个人电脑(PC)需求不振，且搭载CPU/GPU SoC的产品比例上升，造成整体产值萎缩。2016年CPU在经历今年度库存调整，预计销售量将较今年回稳，平均销售价格波动小。行动装置今年成长趋缓，**性低使产值缩减，然因搭载16/14奈米产品比重可望上升，2016年中高阶产品应用处理器降价幅度将较2015年收敛，且预期汇率波动小，将纾解低阶应用处理器的价格压力。拓墣预估2015年数位IC晶片产值年成长率滑落1.4%，2016年微幅衰退0.7%。车用与高画素镜组护航，类比IC晶片与OSD类别将持续成长2016年全球车辆出货量预估有5%的年成长，且平均每台车所搭配的类比IC金额上升，因此车用电子在类比IC晶片市场所占比例，将由201

紫光赵伟国：外界把我妖魔化

武汉240亿美元打造存储器基地

16日从省经信委获悉，经过多轮沟通，由国家基金公司、武汉新芯集成电路制造有限公司、湖北基金公司、北京亦庄开发区，共同出资在武汉建设的国家存储器基地项目达成共识。项目总投资将达240亿美元，以武汉新芯集成电路制造有限公司为主体，组建存储器公司，实现每月30万片存储芯片的产能规模。根据国内知名分析机构赛迪顾问提供的数据，2014年，中国芯片市场规模达到10393.1亿元，占全球芯片市场的50.7%。其中存储芯片市场规模达到2465.5亿元，占国内市场比重23.7%，其比重超过CPU、手机芯片。然而，中国存储芯片产业基本空白，几乎100%依赖进口。2014年，我国芯片产业进口2176亿美元，仅次于原油进口的2283亿美元。武汉新芯集成电路制造有限公司成立于2006年，是湖北省与武汉市耗资百亿元打造的重大战略投资项目，由湖北省科技投资集团100%控股。目前，该公司主要生产NORFlash存储芯片，累计出货量超过10万片。为增强产业竞争力，今年2月，武汉新芯集成电路制造有限公司与国际知名存储公司Spansion达成合作，开发与生产比NORFlash性能更优的3DNAND三维存储器，并签署共同开发

紫光 不考虑进军DRAM

紫光攻NAND Flash 金士顿、群联相随

〔记者卓怡君／台北报导〕中国紫光集团挟着充沛银弹四处并购，企图建立半导体王国，下一阶段将全力进攻NAND Flash（储存型快闪记忆体）市场，上周紫光入股台湾封测厂力成（6239）股权25%，由于NAND Flash大厂金士顿为力成**大股东，法人圈传出，紫光将携手金士顿以及金士顿重要夥伴群联（8299），快速布建NAND Flash事业。 群联对合作采开放态度群联表示，为扩大中国市场布局，今年正式前进中国合肥成立设计中心，对于与紫光合作一事，群联强调，目前并未听说，但中国是相当重要的市场，只要可以带给公司、股东、员工更大利益，对公司长期生存发展有帮助，各种合作皆会采取开放态度。法人分析，群联为台湾NAND Flash控制晶片龙头，全球NAND Flash大厂东芝、金士顿、海力士都是群联股东，群联与大股东金士顿合资的金士顿电子（KSI）去年也顺利引进美光资金，群联手握各大NAND Flash大厂资源，可望随着中国发展NAND Flash成为*大受惠者之一。今年夏天中国紫光收购DRAM大厂美光受挫，但紫光并未放弃，兵分两路，积极朝向快闪记忆体及DRAM发展，9月底先以38亿美元取得硬碟大

力成无奈出嫁 预示台湾的明日启示录

10月30日下午，全球*大记忆体封测厂力成科技董事长蔡笃恭，宣布紫光以194亿元入股25％持股，成为力成**大股东。这个近200亿元的投资案，不仅是历来外商投资国内封测业*大的案子，而且还来自*近频频在全世界撒钱收购企业的中国紫光集团，更让这个入股案引起众人瞩目。 紫光会入股力成，策略主轴其实相当清楚，而且是一步步完成在记忆体产业的拼图，可以说完全不让人意外。根据紫光集团董事长赵伟国的规画，目前紫光布局的三个重点产业，**个是储存与记忆体产业，**个是行动通讯晶片，第三个则是物联网（ＩＯＴ）相关晶片。在这三大项目中，储存与记忆体是紫光布局*重的一块，紫光至今花了38亿美元收购威腾（ＷＤ）15％股份，而威腾又花了190亿美元买下新帝（SanDisk），此外本身拥有NAND Flash技术的英特尔，如今也入股紫光15％，虽然紫光本来意图以230亿美元收购美光的计画没有成功。台湾没根没技术尔必达破产　力成也一夕崩盘一家外商半导体公司总经理分析，紫光求亲美光虽然暂时没有成功，但从产业竞争态势来看，美光嫁给紫光已是迟早的事，目前只是价钱还没谈拢而已；因为“记忆体行业是个大钱坑，没有够深的口袋没办

英特尔大连工厂转产NAND闪存芯片

并购潮与红色供应链重压下 台湾半导体业翻身的机会在哪？

近一年来全球半导体产业风起云涌，欧美大厂并购案纷起、中国发展集成电路来势汹汹，大者恒大的趋势在慢慢确立，以专业分工见长的台湾，压力不可谓小，但这并不表示台湾半导体一定会走向死胡同，为期两天的两岸半导体高峰论坛，从台湾产业大老们的一番话，台湾或许走得出一条不一样的康庄大道。20 日力晶与合肥合资 12 寸晶圆厂举移动土，并于此两天策划了两岸半导体产业高峰论坛活动，两岸 400 多名产业界相关人士云集，除了合肥董事长陈瑞隆、CEO暨创办人黄崇仁，包含台湾半导体产业学会理事长暨钰创董事长卢超群、立錡董事长邰中和、奕力董事长黄启模、群联董事长潘建成、联咏副总陈建兴等台湾产业重量级人物也成了此次活动的座上宾。对于台湾半导体的现况，大老们并不悲观，反而认为，现在就是翻转的契机！当规格绕着欧美大厂跑1990 年代，日本半导体撑起一片天，全球前十大半导体厂商有六大都来自日本，到了 2015 年，据调研机构 IC insight 预估，将仅剩 NAND Flash 厂商东芝一家。立錡董事长邰中和认为，日本输掉了数码 IC 一役，转由美国称雄，台湾因为*早将微处理器带到高工教育，藉由教育迎头赶上，再搭着英

紫光+WD的Flash+美光DRAM 存储器产业的震撼弹！

全球硬盘龙头厂西部数据（WD）宣布以约190亿美元（新台币约6，186亿元）收购NAND Flash大厂新帝（SanDisk），由于大陆紫光集团入股WD约15%，显然已获得一张顺利进入NAND Flash产业的入门票，传出在必要情况下，日本政府会协助东芝（Toshiba）处理与新帝的日本JV晶圆厂，避免重蹈尔必达的憾事，但看来这场战局 下，美光（Micron）面临严峻挑战，恐加速往大陆靠拢。半导体产业整并再度达到高潮，传出待价而沽的 新帝，确定被WD买下，传出另一家竞价者美光认为价格太高而放弃。新帝是全球快闪记忆卡、随身碟等NAND Flash产品的龙头大厂，同时也是全球NAND Flash二哥东芝的晶圆厂合资伙伴，以不凡的身价将自己**出售给近期与大陆紫光结盟的WD，对于大陆建立存储器产业的筹码，引发无限想像空间。WD将以支付新帝每股86.5美元，包含每股85.1美元现金及0.0176股��普通股，总金额190亿美元买下NAND Flash大厂新帝，溢价约15%。“尔必达翻版”不能再现 日政府会拉东芝一把分析这起购并案，从全球NAND Flash产业战局角度来看，有三个重要关键。**。

三星、英特尔大陆相继扩厂　打造次世代存储器基地

英特尔(Intel)在陆大肆投资，转换新的存储器工厂；在西安生产3D NAND Flash的三星电子(Samsung Electronics)也在渐进式地提高当地产量与技术水准，大陆俨然成为全球前两大半导体企业的次世代存储器基地。据Digital Times报导，英特尔未来3~5年内将投资35亿美元，将位于大连的半导体组装厂转换为次世代存储器制造厂，连同设备投资的整体投资规模上看55亿美元。业界预估大连厂*快在2016年下半正式稼动。英特尔的这项投资震撼市场，主因是英特尔一向将***工厂设在美国，海外生产线的技术水准则相对落后2个世代左右。然而这次却决定在大连厂生产*新Optane技术的固态硬碟(SSD)等次世代产品。英特尔是全球半导体企业中*积极进军大陆市场的企业之一，与大陆国营企业清华紫光集团的合作关系尤其密切。目前与清华紫光集团子公司，同时也是移动应用处理器(AP)市场黑马的展讯，从技术协力到委托代工有着全方位的合作关系。除了英特尔，积极耕耘大陆的还有三星电子。三星电子身为全球*大的存储器半导体企业，***3D NAND Flash产品也在大陆西安厂生产，更有逐渐提高产量的趋势。

并购潮与红色供应链重压下 台湾半导体业翻身的机会在哪？

近一年来全球半导体产业风起云涌，欧美大厂并购案纷起、中国发展集成电路来势汹汹，大者恒大的趋势在慢慢确立，以专业分工见长的台湾，压力不可谓小，但这并不表示台湾半导体一定会走向死胡同，为期两天的两岸半导体高峰论坛，从台湾产业大老们的一番话，台湾或许走得出一条不一样的康庄大道。20日力晶与合肥合资12寸晶圆厂举移动土，并于此两天策划了两岸半导体产业高峰论坛活动，两岸400多名产业界相关人士云集，除了合肥董事长陈瑞隆、CEO暨创办人黄崇仁，包含台湾半导体产业学会理事长暨钰创董事长卢超群、立錡董事长邰中和、奕力董事长黄启模、群联董事长潘建成、联咏副总陈建兴等台湾产业重量级人物也成了此次活动的座上宾。对于台湾半导体的现况，大老们并不悲观，反而认为，现在就是翻转的契机!当规格绕着欧美大厂跑1990年代，日本半导体撑起一片天，全球前十大半导体厂商有六大都来自日本，到了2015年，据调研机构ICinsight预估，将仅剩NANDFlash厂商东芝一家。立錡董事长邰中和认为，日本输掉了数码IC一役，转由美国称雄，台湾因为*早将微处理器带到高工教育，藉由教育迎头赶上，再搭着英特尔与微软(Wintel)列车，

半导体生产仍去库存 明年第1季后复苏

虽然半导体生产链仍在去化库存，但先进制程及高阶3D NAND等投资持续扩大，市场景气已见触底回升迹象。根据国际半导体设备材料产业协会（SEMI）公布2015年7月份北美半导体设备订单出货比（Book-to-Bill Ratio，B/B值）为1.02，重回代表景气扩张的1以上。 由于这次景气循环修正期，主因在于库存修正，虽然目前终端市场需求疲弱，但以库存去化速度来看，景气再经过二个季度、也就是自明年第1季之后，应该就会见到复苏，而物联网、云端运算及巨量资料等新市场，将扮演起火车头角色。 7月B/B值在订单部分，3个月平均订单金额为15.943亿美元，较6月份修正后的15.174亿美元订单金额成长5.1%，较2014年同期的14.171亿美元则成长12.5%，连续8个月年增率维持正成长，并改写2012年6月以来的38个月新高。 在出货部分，7月份的3个月平均出货金额为15.593亿美元，较6月修正后的15.549亿美元回升0.3%，与2014年同期13.191亿美元相较亦成长18.2%，不仅年增率连续5个月正成长，也创2011年7月以来的4年新高纪录。 SEMI总裁暨执行长Denny Mc

英特尔：2019年100TB固态硬盘将到来

近日芯片巨头英特尔表示，随着SSD的容量提高而成本下降，在未来五年内，将更多地应用在数据中心领域，而英特尔准备在2019年能推出高达100TB的SSD!据外媒KITGURU报道，由于机械硬盘拥有非常低廉的每GB价格和足够的性能，这使其仍是数据中心存储大量数据的**。但未来的数据中心将需要更高的性能以满足大数据时代的工作负载量，所以超大型数据中心和云服务提供商都将会加大对SSD的引入。英特尔在这个月的IDF大会上表示，存储级内存(如英特尔和镁光合作研发的3D XPoint)和超高性能SSD将可以取代目前快速数据库和商业分析应用中的昂贵的动态内存。同时，3D NAND闪存技术可以显著地降低SSD的每GB价格，不久以后就可以和目前的高性能机械硬盘价格持平，另外3D NAND 闪存技术也会提高SSD的容量，除了英特尔，东芝公司也计划在未来十年内推出128TB的SSD。另外在未来几年，还将会有使用存储级3D XPoint内存的超高速SSD、高性能3D NAND闪存的SSD和超大容量SSD等等新型SSD的出现，虽然机械硬盘在超大量数据的存储方面还是有重要作用，但SSD已经势不可挡。

三星电子推出V-NAND SSD系列新品

三星电子近日宣布，其业界**的应用于企业和数据中心的SSD产品系列，新增3款基于先进三维垂直结构闪存的TCO优化型、高性能固态硬盘（SSD），该产品目前已经投入市场。三星电子为智能手机、电视、可穿戴设备、平板电脑、相机、数码家电、打印机、医疗设备、移动通信系统、半导体及LED领域赋予新的定义。三星电子在物联网领域不断突破，尤其在智能家居和数字医疗方面位居**地位。三星半导体公司副总裁JimElliott指出：“我们所有*新的SSD具有**性能，我们认为这将会引起全球OEM厂商和计算机爱好者们的高度关注。在快速发展的SSD领域中，我们充分了解客户对于性能的需求，而我们也致力于满足上述需求。”三星电子面向OEM厂商而设计的新型SSD，包括PM1633、PM1725和PM953，均采用三星3bitMLCV-NAND闪存芯片，具有高性能、高可靠性和高容量等特性。三星电子*新的PM1633SASSSD可满足SAS接口系统的所有需求。2.5英寸的12Gb/sSASSSD可提供容量为480GB、960GB、1.92TB和3.84TB等版本。PM1633分别支持高达16万和1.8万IOPS的随机读写速

为什么 16GB iPhone的生命力会这么顽强？

存储器阶层技术突破　可望取代DRAM、NAND、SRAM

为跟上产业对于资料处理需求的大幅提升，存储器芯片与储存装置厂商正致力跟进技术与解决方案，包括研发下一代存储器技术等等。近期已有3D NAND快闪存储器面市，而磁电阻式存储器(MRAM)、非挥发性可变电阻式存储器(ReRAM)、纳米随机存取存储器(NRAM)等亦在研发中，可望打破既有存储器储存技术阶层(hierarchy)。据Semiconductor Engineering网站报导，传统存储器阶层结构简单而直接，静态随机存取存储器(SRAM)整合于处理器内提升快取存储器(Cache)，动态随机存取存储器(DRAM)用于主存储器，而任何磁碟与基于NAND的固态硬碟(SSD)则用来储存。传统存储器阶层往往面临一个问题，那就是阶层之间的落差(gap)。由于资料处理量不断增加，解决方案也需不断推陈出新，让电脑得以在短时间内处理大量资料。英特尔(Intel)非挥发性存储器解决方案部门总经理Rob Crooke表示，依现有资料量而言，NAND技术为主的SSD已不够使用。英特尔与美光(Micron)推出下一代ReRAM技术3D XPoint，可望取代传统NAND与DRAM。当今主流快闪存储器与SSD

闪迪东芝同时宣布新3D NAND闪存问世 存储速度提升5倍将用于iPhone7

东芝/SanDisk研发新NAND、或用于iPhone 7？

东芝(Toshiba)和SanDisk 3日宣布开发出48层的3D NAND Flash(快闪记忆体)。外媒猜测，由于东芝和SanDisk是苹果两大记忆体供应商，这或许意味明年发布的iPhone 7将搭载这款新NAND Flash晶片。 BGR 5日报导，东芝和SanDisk采用15奈米制程，打造出新3D NAND Flash，据称速度为业界之冠，并更具能源效益。尽管东芝新闻稿未提及可能客户，BGR称，假定苹果沿用旧有供应商，这么一来新的3D NAND Flash或许将用于iPhone 7。BGR猜测，东芝仅生产32GB 3D NAND Flash，可能表示明年iPhone 7不会有16GB版本。据了解，东芝和SanDisk的新晶片9月试产，来不及用在iPhone 6s。双方准备在Fab 2工厂量产新记忆体，新厂预定明年完工，由时程看来，或可赶上用于iPhone 7。computerworld.com报导，记忆体卡巨擘SanDisk 3日宣布，与东芝共同开发出48层256Gb高密度3D NAND快闪记忆体，明年有望正式量产出货。东芝于今年3月首度对外发表48层3D NAND快闪记忆体，

东芝/SanDisk研发新NAND、或用于iPhone 7？

东芝(Toshiba)和SanDisk 3日宣布开发出48层的3D NAND Flash(快闪记忆体)。外媒猜测，由于东芝和SanDisk是苹果两大记忆体供应商，这或许意味明年发布的iPhone 7将搭载这款新NAND Flash晶片。 BGR 5日报导，东芝和SanDisk采用15奈米制程，打造出新3D NAND Flash，据称速度为业界之冠，并更具能源效益。尽管东芝新闻稿未提及可能客户，BGR称，假定苹果沿用旧有供应商，��么一来新的3D NAND Flash或许将用于iPhone 7。BGR猜测，东芝仅生产32GB 3D NAND Flash，可能表示明年iPhone 7不会有16GB版本。据了解，东芝和SanDisk的新晶片9月试产，来不及用在iPhone 6s。双方准备在Fab 2工厂量产新记忆体，新厂预定明年完工，由时程看来，或可赶上用于iPhone 7。computerworld.com报导，记忆体卡巨擘SanDisk 3日宣布，与东芝共同开发出48层256Gb高密度3D NAND快闪记忆体，明年有望正式量产出货。东芝于今年3月首度对外发表48层3D NAND快闪记忆体，

闪迪、东芝新3D NAND闪存让iPhone7飞起来

三星3D V-NAND技术再增强 SSD固态硬盘容量可翻番

TLC产品今年将接近NAND整体产出之五成

TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动，加上 NAND Flash 业者陆续推出完整的TLC储存解决方案，预估今年TLC产出比重将持续攀升，将在第四季接近整体 NAND Flash 产出的一半。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，由于成本较具优势，过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星(Samsung)从2013年起积极将TLC导入eMMC/eMCP与Client-SSD，并在2014年近期取得相当成功的市占后，也逐步将TLC导入资料中心与伺服器的固态硬碟，迫使其他NAND Flash业者加速开发相关TLC的嵌入式产品。随着NAND Flash控制晶片技术逐渐成熟，掌握NAND Flash技术更为强大，加上TLC的价格优势(约为MLC价格的80%~85%)，因此在手机、平板电脑、消费型电子的应用比重也逐步增加。其中*关键的发展在于苹果(Apple) 2014年推出的 iPhone 6 / 6 Plus开始采用TLC

NAND闪存下一步指向3D架构14纳米

美光移动解决方案市场副总裁Reynette Au存储是电子产品中*重要的部分之一，它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。近年来，存储芯片行业热点话题不断：3D NAND的生产制造进展情况如何？LPDDR4在市场上的应用进程是怎样的？移动产品中eMCP将成为主流封装形式吗？存储技术发展的路径或许会争论不休，但是整体方面却不会改变，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存储速度、更加节能以及更低的成本。2015年手机存储市场着眼用户体验提升目前业界对于2015年中国智能手机市场走势的预测很多，总的观点是增长率放缓。当市场达到一定饱和度之后，增长率放缓是很自然的现象。一方面，智能手机市场的增长率可能会放缓，但另一方面用户的升级需求仍然非常强劲，其中就包括对存储设备需求的增加。我们可以看到，手机的应用正变得越来越广泛，比如很多可穿戴产品把手机作为信息中继站，通过它，用户可以随时随地访问位于云端的个人数据库；手机厂商正把智能手机打造成为一个连接个人用户与互联网络的信息枢纽，传递着越来越广泛的数据。数据处理能力需求的大幅上升意味着对存储器需求的增加。这种需求不仅停留在对存储容量的提高上

三星SSD固件更新出包　TLC V-NAND惹争议

三星电子(Samsung Electronics)*新固态硬碟(SSD)产品850 PRO更新至*新固件时，在部分系统中会出现无法辨识的问题。韩国MT NEWS引用IT专业网站Anandtech论坛内容，指出三星SSD使用者在更新850 PRO固件后发生问题，提醒其他使用者不要进行更新。根据使用者上传的内容，更新三星提供的*新固件后，发生在部分系统中无法辨识装置的问题，且无法取消固件更新，恢复原本的状态。报导称，本次发布的更新固件主要是为了提升系统兼容性，并提高工作站(Workstation)的性能，目前三星SSD官网已下架该项更新。三星对此表示，自动更新850 PRO*新固件的部分电脑确实会发生无法辨识SSD装置的现象，目前已中断自动更新，不会再发生新问题。针对无法辨识的产品，三星将尽力提供换机服务，并提供技术支援。三星2014年7月以高性能PC和小规模企业用伺服器市场为目标，推出高阶SSD产品850 PRO。该产品搭载可大幅提升资料储存效率的32层3 bit V NAND。先前三星的840 EVO产品也曾传出有速度偏慢的问题，三星840 EVO在2013年7月上市后，每月销售60万

SK海力士着手研发次世代存储器

SK海力士(SK Hynix)将PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存储器芯片列为新成长动能，2015年会先决定要将次世代产品应用在何IT装置上，以确定发展方向。据南韩每日经济报导，SK海力士表示将PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列为次世代半导体。2015年将先明确订定产品制造方向，再着手研发合适的制程技术。所谓的次世代半导体，是指DRAM、NAND Flash所代表的存储器芯片，在功率、容量等规格升级的半导体产品。SK海力士与IBM、东芝(Toshiba)等携手合作，以2~3年内商用化为目标进行研发。与NAND Flash相比，PCRAM在一般资料读写速度方面快100倍以上，耐用性更提升1,000倍，SK海力士正与IBM合作进行研发。SK海力士的STT-MRAM研发伙伴为日系大厂东芝。STT-MRAM是能以超高速、低功率驱动，即使不供应电力，也能保存资讯的非挥发性存储器。此外，STT-MRAM可采用10纳米以下制程。SK海力士与惠普(HP)合作研发的ReRAM亦属非挥发性存储器，可应用在要求高速驱动、大容量、低功率的装置上

性价比优势更明显　TLC NAND应用版图急扩张

三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破，加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进，使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高，因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND快闪记忆体中，又以TLC性价比*为人所注目，因而吸引原始设备/设计制造商(OEM/ODM)的目光，并增加采用TLC颗粒比例，促进TLC NAND快闪记忆体应用版图扩张。控制晶片技术突破　TLC SSD倾巢而出看好TLC在固态储存市场的发展前景，慧荣科技发布新一代TLC控制晶片--SM2256，能大幅提升TLC NAND快闪记忆体高达三倍的写入/抹除次数(P/E Cycle)，解决其过去为人诟病的使用寿命和可靠度不佳等问题，可望助力品牌厂加速推出高性价比的消费性TLC固态硬碟。慧荣科技产品企划部专案副理陈敏

DRAM乐观 NAND有隐忧

记忆体市况今年将不同调；动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。 DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅**获利，并且是丰收的一年。台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本；美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料；去年下半年NAND Flash市场即在各界一面看好中旺季不旺。展望未来，今年DRAM与NAND Flash市场需求可望同步成长；其中，智慧手机市场除出货持续成长，搭载记忆体容量也将倍增，将可带动整体行动记忆体市场需求进一步扩增。固态硬碟(SSD)市场有机会较去年再倍增，加上嵌入式记忆体(eMMC)市场同步成长，也将带动NAND Flash市场大饼进一步扩大。据市调机构集邦科技预估，今年NAND Flash位元需求可望达383.8亿颗，较去年增加42.8%。至于供给端方面，DRAM厂营运仍将以获利导向，持续谨慎扩产，市场

2015年NAND Flash产业持续向上，产值成长超过10%

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示， NAND Flash成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如SSD与eMMC等需求则持续成长，2015年NAND Flash产值将较2014年成长12%，达276亿美元。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新产品刺激市场，受淡季效应影响情况将较为显著，因此DRAMeXchange预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局，也就是上半年会出现供过于求，下半年则随着需求回温转为供需平衡甚至小幅供不应求的情形，但整体而言2015年NAND Flash产业稳定向上成长的趋势维持不变。供给端重心在制程转进、3D NAND Flash的开发与TLC产品应用扩张2015年NAND Flash产业将进入****。由于各家业者不约而同的尽量降低产能增加速度，因此2015年预估总晶圆投片量(12吋约当)的增加幅度只有8%的年成长，供给端重心将会放在半导体制程微缩*后一个世代15/16纳米的制程转进、3D-NAND Flash的开发时程以及

原厂价格战暂歇，12月上旬NAND Flash合约价维持缓跌走势

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究显示，美系厂商在季度末财报结算压力过后，不再采取积极价格战，使得原厂间战火稍缓。另一方面，因模组厂预期此波价格跌势将持续，再加上手中库存仍充足，大多倾向于月底再进行采购谈判，以争取更优惠的价格。12月上旬因交易气氛冷清，NAND Flash合约价呈持平或仅微幅下跌0-2%。DRAMeXchange**研究经理陈玠玮表示，在欧美圣诞节备货动能正式结束后，受到季节性因素影响，预期明年**季全球智能手机、平板电脑与PC的销售量，都会较上季衰退一成以上，造成系统OEM端客户对于eMMC、eMCP与SSD等订单需求持续疲软。而为了减轻产能去化压力，NAND Flash供货商对通路端模组客户的供货料也将增加。但在记忆卡与随身碟疲弱的销售情况无法改善下，模组厂倾向于采取保守的采购策略，以规避库存跌价的风险。陈玠玮指出，受到OEM与通路端客户整体需求明显下滑影响，预期NAND Flash合约价格走跌的趋势将延续到明年**季。

12月上旬NAND Flash合约价跌幅2%内

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究显示，美系厂商在第三季季底财报结算压力过后，不再采取积极价格战，使得原厂间战火稍缓。另一方面，因模组厂预期此波价格跌势将持续，再加上手中库存仍充足下，大多倾向12**底再进行采购谈判，以争取更优惠的价格。因此，12月上旬因交易气氛冷清，NAND Flash合约价呈持平或仅微幅下跌0-2%。DRAMeXchange**研究经理陈玠玮表示，在欧美圣诞节备货动能正式结束后，受到季节性因素影响，预期明(2015)年**季全球智慧型手机、平板电脑与PC的销售量，皆会较上季衰退一成以上之幅度，造成系统OEM端客户对于eMMC、eMCP与SSD等订单需求持续疲软。另外，NAND Flash供应商为了减轻产能去化压力，对通路端模组客户的供货料也将增加。但目前记忆卡与随身碟疲弱的销售情况无法改善下，模组厂倾向采取保守的采购策略，以规避库存跌价风险。陈玠玮表示，受到OEM与通路端客户整体需求下滑影响，预期NAND Flash合约价格走跌的趋势将延续到明年**季。

SSD、eMCP战局升温　明年众厂势力现消长

2015年NAND Flash产业亮点锁定固态硬碟(SSD)和eMCP(eMMC结合MCP封装)，其中，笔记型电脑(NB)搭载128GB容量SSD将成为趋势，至于eMCP则持续在大陆中、低阶智能型手机市场崛起，业者预期2015年SSD和eMCP相关业者将火力全开扩大版图，市场竞争将愈益白热化。2014年NB搭载SSD比重还不到10%，2015年预期将上看30%，经过一波波价格杀戮战后，NB OEM厂纷将内建128GB容量SSD变成标准配备，2015年SSD杀价风潮仍会持续，可望拉升SSD供应链业者出货量。存储器业者指出，2015年SSD市占版图仍将集中在几家品牌大厂，包括三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)、金士顿(Kingston)等，大陆市场更是兵家必争之地，估计大陆占整个NAND Flash芯片市场达20%，目前主要仰赖三星、东芝、海力士等国际大厂供应芯片，控制芯片则有Marvell、群联、慧荣等供应商。2015年NAND Flash产业另一个关注焦点是eMCP芯片，将是NAND Flash产业另一个杀手级应用，由于eMCP芯片内含Mobile