8月12日消息，在美国闪存峰会(FMC)上，三星宣布旗下3D V-NAND技术再获突破，堆叠层数从之前的*多32层发展到了48层，在同样的芯片面积下，容量*多可以增长两倍，而功耗降低了30%。
三星的V-NAND技术放弃了传统的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存(Charge Trap Flash，简称CTF)设计，每个单元更小，因为电荷储存在绝缘层而非导体上，理论上单元在不传输数据的时候可以达到0消耗，并且，V-NAND的体积更小、可靠性更高。三星V-NAND闪存的擦写次数可以达到35000次，而目前MLC闪存的擦写次数普遍在3000次左右，这也就是为什么三星表示V- NAND的可靠性提高了2-10倍左右d的原因。
作为三星的第三代V-NAND技术，每片芯片包含了8530万个单元，每个单元能够存储3bit的信息，换句话说，采用了第三代V-NAND技术的SSD固态硬盘单个芯片能达到256GB的容量，也就是一块SSD硬盘能达到2TB容量。更大容量的NAND有着更少的干扰，编程时间会更短，这意味着性能会提高。此外，更大容量的NAND的读写不需要那么多次的重试，因此总功耗也会更低。
据悉，三星*新的V-NAND硬盘将首先供应企业用户，并在2016年第1或第2季度投入消费级产品的生产。
公安机关备案号：
