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NAND
61 2016年12月28日 星期三拿下四大厂封测订单 力成明年营收将逐季创高
中时电子报 (0)中国台湾地区存储器封测厂力成受惠于韩国厂商以外四大厂(东芝、西数、美光、英特尔)的3D NAND封测订单,法人看好明年营收有机会逐季创高,全年营收及获利亦将改写历史新高。NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩,但因芯片线宽线距已达物理极限,技术推进上已出现发展瓶颈,用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益,因此,NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND,但也因产能出现排挤,NAND Flash产出量明显减少,导致下半年价格强劲上涨。为了扩大产能因应市场强劲需求,全球六大NAND Flash厂今、明两年的投资计划,全数集中在3D NAND的制程推进及扩产上。但考量到兴建一座新的3D NAND厂所费不眦,六大厂都调拨现在2D NAND产能移转生产3D NAND。以目前的进度来看,三星的大陆西安厂及韩国Fab 16已开始量产,其它业者则仍在进行产能调配,但量产计划将自明年**季陆续展开。三星除了现在的西安厂及Fab 16厂外,Fab 17及Fab 18将在明年上半年开始量产3D NAND。东芝及合作伙伴西数(WD)除了Fab 5开始提高3D NAND投
受惠于四大厂封测订单 力成明年营收将逐季创高
工商时报 (0)中国台湾地区存储器封测厂力成受惠于韩国厂商以外四大厂(东芝、西数、美光、英特尔)的3D NAND封测订单,法人看好明年营收有机会逐季创高,全年营收及获利亦将改写历史新高。 NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩,但因芯片线宽线距已达物理极限,技术推进上已出现发展瓶颈,用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益,因此,NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND,但也因产能出现排挤,NAND Flash产出量明显减少,导致下半年价格强劲上涨。为了扩大产能因应市场强劲需求,全球六大NAND Flash厂今、明两年的投资计划,全数集中在3D NAND的制程推进及扩产上。但考量到兴建一座新的3D NAND厂所费不眦,六大厂都调拨现在2D NAND产能移转生产3D NAND。以目前的进度来看,三星的大陆西安厂及韩国Fab 16已开始量产,其它业者则仍在进行产能调配,但量产计划将自明年**季陆续展开。三星除了现在的西安厂及Fab 16厂外,Fab 17及Fab 18将在明年上半年开始量产3D NAND。东芝及合作伙伴西数(WD)除了Fab 5开始提高3D NAND
3D NAND明年产能全开 力成四大厂大单到手
工商时报 (0)存储器封测厂力成(6239)受惠于囊括韩国业者以外的四大厂3D NAND封测订单,法人看好明年营收有机会逐季创高,全年营收及获利亦将改写历史新高。 NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩,但因芯片线宽线距已达物理极限,技术推进上已出现发展瓶颈,用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益,因此,NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND,但也因产能出现排挤,NAND Flash产出量明显减少,导致下半年价格强劲上涨。为了扩大产能因应市场强劲需求,全球六大NAND Flash厂今、明两年的投资计划,全数集中在3D NAND的制程推进及扩产上。但考量到兴建一座新的3D NAND厂所费不眦,六大厂都调拨现在2D NAND产能移转生产3D NAND。以目前的进度来看,三星的大陆西安厂及韩国Fab 16已开始量产,其它业者则仍在进行产能调配,但量产计划将自明年**季陆续展开。三星除了现在的西安厂及Fab 16厂外,Fab 17及Fab 18将在明年上半年开始量产3D NAND。东芝及合作伙伴威腾(WD)除了Fab 5开始提高3D NAND投片外,Fab 2将在明
牛!海力士72 层3D NAND 内存,传2017年**全球量产
MoneyDJ (0)SK 海力士*先进72 层3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。若按计划进行,海力士将成为****个量产72 层3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温,海力士上周已宣布将在韩国与中国两地,投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 内存产能。随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠内存做突破,但制程技术各不相同。目前技术**的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 内存,至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。据市调机构 DRAMeXchange 统计,三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元,市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居**,Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名,市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。
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NAND
62 2016年12月23日 星期五存储器投资再加码 SK海力士明年投资上看50亿美元
MoneyDJ (0)韩国存储器厂SK海力士2017年投资布局逐渐成形,扩厂加增设新厂,总投资规模上看六万亿韩元(约50亿美元)。据台湾地区科技媒体ETnews.com报导,海力士今年估计砸下近50亿美元在设施投资上,明年预估只会更多。海力士目前正在对利川(Icheon)M14进行扩厂,将用以生产72层3D NAND快闪存储器。除此之外,SK海力士还将增加投资无锡厂附属设施,并将再增建一座新厂(暂称C2F)。无锡厂建于2006年,主要用于生产DRAM,近十年来对海力士营收成长做出不少贡献。另外,SK海力士周四已先行宣布新3D NAND存储器的设厂计划(推测代号M15),规模约略与利川M14厂相当,占地达23.4万平方米,估计于明年八月动工,2019年六月完工,至于实际量产时间,将视当时市况而定。
2017年NAND产能成长有限、价格走扬
eettaiwan (0)2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%,随着业者加速转进3D-NAND,2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。 TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)*新研究报告显示,2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%,随着业者加速转进3D-NAND,2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年,而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前,也将持续缺货,价格有望稳健走扬,使NAND Flash原厂营运表现持续往上。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,在今年新增产能及制程转换同时进行的情况下,业者自2016年**季起加速3D-NAND的制程转进,整体3D-NAND产出比重在年底前达到30%,而自明年起在整体投片产能仅年增6%的成长幅度下,多数业者将开始降低2D-NAND的供货来达到提升3D-NAND产能的目标,因此,DRAMeXchange预估,自2017年**季起2D-NAND的供给量滑落的速度将加快,至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。然而,在3D-NAND的进展上,64层堆叠的3D-NAND Flash
美光加快制程微缩及产品升级速度 台封测厂力成华东受惠
中时电子报 (0)美国存储器大厂美光(Micron)昨(22)日公告财报亮丽,对本季营运展望乐观,法说会中亦宣布将加快制程微缩及产��升级速度,包括1x纳米DRAM、与英特尔合作的3D XPoint存储器将在2017年中量产出货,**代3D NAND亦进入量产阶段等。承接美光封测订单的力成及华东直接受惠,明年营收及获利将较今年跳跃成长。美光今年12月正式取得华亚科所有股权,台湾地区已经成为美光DRAM生产重镇,其中,华亚科产能已全数转进20纳米制程,未来还有计划持续扩充产能。另外,美光也在法说会**布3D NAND位元出货量已过半的好消息。美光**代3D NAND正在全力拉升产能,**代3D NAND开始进入量产阶段。集邦咨询(TrendForce)指出,美光3D NAND架构的行动式NAND在客户端得到不错评价外,用户级固态硬盘(SSD)也已开始量产出货,而企业级SSD位元出货量第三季更大幅季增逾45%。美光持续透过制程微缩及增加投片量方式,提高DRAM及NAND Flash出货量,对承接后段封测订单的力成及华东来说直接受惠。力成董事长蔡笃恭、华东总经理于鸿祺日前参加华亚科并入美光庆祝典礼,就看好营运一
SK海力士在韩建新厂 扩Flash产能
Technews (0)需求回温、产能扩增有限,供需失衡下,DRAM价格在2016年下半逆势翻转,而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下,同样面临缺货。集邦咨询(TrendForce)等调研机构先前都预估,明年内存价格下跌不易,且有一定的成长,现在厂商也开始蠢蠢欲动,先前扩产消息频传的SK海力士也正式宣布砸总计约3.15万亿韩元(约27亿美元)建新厂、扩产能。韩国大厂SK海力士在去年8月M14厂完工典礼上,表态要在十年内,于韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。而22日SK海力士公布了*新的新厂投资计划,SK海力士表示,新厂将座落韩国清州市科技城,将于下个月展开设计、明年8月开始外壳结构与无尘室建构,并于2019年6月完工,而届时的设备机台安装将视公司的迁移计划而定,可以确定的是,新厂总投资金额将来到2.2万亿韩元,主要用于NAND Flash产能的布建。韩国清州自2008年以来,即为SK海力士NAND Flash生产的大本营,SK 海力士新建的利川M14厂虽将于明年转进3D NAND Flash量产,但官方进一步指出,为了顺应接下来3D NAND Flash渗透率持续攀
大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩
经济日报 (0)储存型快闪存储(NAND Flash)军备竞赛再起,南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元),在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂,也预定本月底正式动土,都为2018年供给过于求再现,埋下隐忧。目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍处于供不应求局面,但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂,在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元,扩充产能,希望市占率能赶上三星,但也为NAND Flash市场投下新变数。稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂,预定2017年上半启用,**期投资额15.6兆韩元(134亿美元),估计12寸晶圆产量可达20万片,虽然三星还未敲定生产项目,但市场推测,因三星DRAM市占已接近跨过50%门槛,有反托辣斯法要求分割疑虑,应仍会以发展3D NAND Flash 为主。半导体设备厂透露,目前六大NAND Flash芯片厂都有持续扩充NAND Flash芯片计划,不过在各家从2D转3D NAND芯片,因制程难度高,造成供应不足,使今年NAND芯片供应短缺,预料随3D NA
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NAND
63 2016年12月21日 星期三SK海力士27亿美元扩产投资计划曝光 中国厂投资54.8亿人民币
集微网 (0)集微网消息,韩国存储器制造商SK海力士周四宣布3.16兆韩圜(27亿美元)的投资计划,希望同时在韩国与中国两地增加存储器产能,以满足移动与数据储存市场的需求。 海力士表示将在韩国盖一座全新NAND快闪存储器厂,预算达2.2兆韩圜,有望拉近与三星的差距。市调机构TrendForce指出,NAND供货仍然吃紧,明年报价预估将持续走扬。除此之外,随着智能手机对存储器容量要求越来越高,DRAM市况亦呈现供不应求。有鉴于此,海力士还将加码投资中国DRAM厂9,500亿韩圜,借以扩充产能。TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示,全球第三季DRAM营收季增15.8%,其中三星DRAM营收季增22.4%,市占率来到50.2%。海力士与美光市占率则各为24.8%与12.6%。
大陆高薪挖角华亚科制程人才
经济日报 (0)大陆两大体系紫光和合肥长鑫同步锁定挖角华亚科制程相关人才,其中由合肥市政府主导的存储器研发团队合肥长鑫,开出三倍高薪和紫光集团的双倍薪较劲,在存储器界丢出一颗震撼弹,凸显大陆建立存储器自主技术的决心。大陆高薪挖角的行动,也将让本月才正式并入美光的华亚科,甚至台塑集团旗下的南亚科,明年将有大批人才跳槽,如何挽留这些人才,将成为首要课题。大陆已将存储器列为国家发展半导体产业重项扶植项目,除了明定紫光集团为指标厂外,各地方政府也积极整合,希望列入***补助计划之列。不过在争取和国外技术授权后,以武岳锋为首的大陆基金,和国家大基金都各自积极整合寻求突围,其中以合肥与大陆NAND Flash设计公司兆易**合作的合肥长鑫和清华紫光集团*为积极。消息人士透露,合肥长鑫除了计划和武岳锋基金并入的美商矽成(ISSI)合并,也挖角华亚科前**副总刘大维,展开大批挖角华亚科人才行动。据了解,合肥长鑫开出现有华亚科三倍的高薪进行挖角,且锁定人数高达两百人,远高于紫光集团出的双倍薪,已有不少人决定投效。另外,华亚科前董事长高启全跳槽紫光集团担任**副总裁,紫光纳入武汉新芯整合成立长江存储公司后,也挖角前华亚科
2017年NAND Flash投片产能仅年增6%,价格稳健走扬
华强电子网 (0)Dec. 21, 2016 ---- 集邦咨询存储研究(DRAMeXchange)*新研究报告显示,2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%,随着业者加速转进3D-NAND,2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年,而3D-NAND在64层堆栈顺利导入OEM系统产品前,也将持续缺货,价格有望稳健走扬,使NAND Flash原厂营运表现持续往上。位元产出年成长来自3D-NAND,第三季2D-NAND产出滑落至50%以下DRAMeXchange研究协理杨文得表示,在今年新增产能及制程转换同时进行的情况下,业者自2016年**季起加速3D-NAND的制程转进,整体3D-NAND产出比重在年底前达到30%,而自明年起在整体投片产能仅年增6%的成长幅度下,多数业者将开始降低2D-NAND的供货来达到提升3D-NAND产能的目标,因此,DRAMeXchange预估,自2017年**季起2D-NAND的供给量滑落的速度将加快,至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。然而,在3D-NAND的进展上,64层堆栈的3D-NAND Flash在良率与eMMC/UFS、消费级SSD、
蔡力行转战大陆紫光? 紫光:从未接触
DIGITIMES (0)传出台积电前总执行长蔡力行卸下中华电信董事长职务后,将重返半导体产业,并追随高启全的脚步加入大陆紫光集团,但紫光高层表示,双方从未接触。 业界则是分析,紫光目前的首要任务是存储器DRAM和NAND Flash的技术和生产,这两项产品还没搞定前,大陆政府不会轻言支持紫光把战线扩大到晶圆代工领域的。业界分析,蔡力行在中华电信交接典礼时表示卸下董事长职务后,透露有意重返半导体产业的讯息,毕竟蔡力行在科技和半导体产业的时间长,当初在台积电的表现也虽然黯然下台,但执行力颇受肯定,因此他想要重回老本行并不意外。日前传出蔡力行将加入紫光集团,借由他在半导体产业的人脉与管理经验,协助在成都建立新12吋晶圆厂,总投资金额约200亿美元,主掌紫光的晶圆代工业务。这个消息一出来,大家都联想成蔡力行要和老东加打对台,把过去在台积电的经验复制到大陆半导体产业。不过,大陆政府这次主导半导体产业是有计划的,晶圆代工由中芯国际掌舵,存储器由紫光集团期下的长江存储和武汉新芯负责,紫光在DRAM和NAND Flash技术没搞定前,要去弄晶圆代工的生意,恐怕还要观察。
ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash解决方案
DIGITIMES (0)垂直通道填充金属系3D NAND Flash朝64层以上垂直堆叠发展的关键课题之一,原子层沉积(Atomic Layer Deposition;ALD)制程可于高深宽比(High Aspect Ratio)垂直通道中,大面积形成均匀性薄膜,且具备良好的阶梯覆盖性(Step Coverage),故适用于更多层3D NAND Flash垂直通道填充金属,然其存在沉积速度较慢及所需材料成本较高等问题。 ALD系化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition;CVD)的一种,与另一CVD技术电浆辅助化学气相沉积(Plasma-Enhanced CVD;PECVD)相较,ALD采用依序注入**种与**种前驱物(Precursor)作为反应气体的方式,来蒸镀薄膜,此不同于PECVD运用电浆的蒸镀技术,同时蒸镀两种以上前驱物进行化学反应。观察ALD的优点,其可准确控制膜厚,以原子级精准度形成大面积的均匀薄膜,且适于在凹凸结构蒸镀阶梯覆盖性佳的薄膜,反观PECVD则不易在凹凸结构或深孔图样达成厚度一致的薄膜,故ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash垂直通道填充金属的解
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NAND
64 2016年12月16日 星期五华亚科被高薪挖角 大陆存储点燃DRAM主导权大战
维库电子市场网 (0)中国大陆紫光集团长江存储、合肥长鑫及福建晋华都积极争取大陆存储主导权,随着三大体建厂计划预定2018年量产,三大体系将正面对决。长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员,构成中日台的存储研发团队。长鑫日前正式曝光相关投资计划,预定**期在合肥空港经济示范区兴建**座12寸晶圆厂,明年7月动工,目前团队已逾50位员工,预定明年要达千人规模、2018年上看2,000人,这也是为何急于对台挖角的关键。大陆发展自主存储已列入大陆国家发展目标,多方势力积极主导地位,其中,紫光列名***发展存储厂商外,也获大基金支持,今年8月整并武汉新芯成立长江存取公司,由紫光集团董事长赵伟国出任长江存储公司董事长,国家集成电路产业投资基金总经理丁文武出任副董事长,武汉新芯执行长杨士宁担任执行长。三大存储布局重读据台湾媒体报道,近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战,长江存储传已评估到南京设立12寸厂,联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产,并在南科厂同步研发25、30纳米制程,至于合肥市与北京兆易**(GigaDevice)合作的合肥长鑫,由前中芯国际执行长王宁国操刀,大陆
美光:3D NAND产能总容量已高于2D 二代3D NAND将进入大批量产
DIGITIMES (0)美国记忆体晶片大厂美光科技(Micron)财务长Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference时表示,该公司在3D NAND记忆体生产上已取得重要历程碑。 科技网站AnandTech报导,Maddock表示,虽然目前2D NAND晶片生产数量仍高于3D,但就记忆体总容量而言,3D NAND产能的总容量已高于2D产品。据悉,美光2D和3D NAND生产采用完全不同的技术。 2D NAND生产依赖于光刻(lithography)技术,3D NAND则是使用沉积(deposition)和蚀刻(etching)技术。由于沉积和蚀刻设备所需成本与空间,远高于光刻设备,并且在转换过程中,原生产线必须要完全停止运作,因此由原本已在生产2D NAND晶片的生产线转换为生产3D NAND产品,并不是一件容易的事。由于美光在2016年初才开始大量生产3D NAND产品,因此在考量产能转换的复杂性下,在短短一年内,该公司3D NAND记忆体容量产能就能高于2D,确实会让外界印象深刻。AnandTech表示,随着美光将NAND记忆体制造技术由2D转往3D,该公司
大陆存储三强预计量产,决战2018
维库电子市场网 (0)中国大陆紫光集团长江存储、合肥长鑫及福建晋华都积极争取大陆存储主导权,随着三大体建厂计划预定2018年量产,三大体系将正面对决。长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员,构成中日台的存储研发团队。长鑫日前正式曝光相关投资计划,预定**期在合肥空港经济示范区兴建**座12寸晶圆厂,明年7月动工,目前团队已逾50位员工,预定明年要达千人规模、2018年上看2,000人,这也是为何急于对台挖角的关键。大陆发展自主存储已列入大陆国家发展目标,多方势力积极主导地位,其中,紫光列名***发展存储厂商外,也获大基金支持,今年8月整并武汉新芯成立长江存取公司,由紫光集团董事长赵伟国出任长江存储公司董事长,国家集成电路产业投资基金总经理丁文武出任副董事长,武汉新芯执行长杨士宁担任执行长。三大存储布局重读据台湾媒体报道,近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战,长江存储传已评估到南京设立12寸厂,联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产,并在南科厂同步研发25、30纳米制程,至于合肥市与北京兆易**(GigaDevice)合作的合肥长鑫,由前中芯国际执行长王宁国操刀,大陆
DRAM价格强势 模组厂威刚Q4获利或超前三季总和
中时电子报 (0)由于第四季以来DRAM现货价及合约价持续大涨,加上NAND Flash价格亦缓步走扬,模组大厂威刚因手中握有庞大低价存储器库存,加上转投资运彩,法人圈传出,威刚全年每股净利挑战4.9~5元(新台币,下同)。受惠于DRAM及NAND Flash应用产品价格大涨,威刚第三季合并营收季增16.0%达58.71亿元,归属母公司税后净利季增逾3倍达3.53亿元,较去年同期大增3.9倍,每股净利1.65元,优于市场预期。威刚今年前三季合并营收达158.12亿元,归属母公司税后净利5.61亿元,每股净利2.62元。威刚公告11月合并营收25.65亿元与10月相当,但较去年同期大增49.6%,DRAM产品比重仍以41.6%位居首位,SSD也以近30%的贡献度名列**大产品线。法人预期威刚12月营收虽因年底盘点而略微下滑至20亿元附近,但第四季营收将介于72~73亿元间,较第三季大幅成长23~25%,表现仍优于市场预期。法人表示,第四季DRAM及NAND Flash应用产品价格续涨,让威刚毛利率可上看18.5%高水准,而业外部分因为运彩进入销售旺季,单季可望认列约7,800万元的业外获利,由此推估,威刚
传合肥长鑫三倍工资挖角华亚科两百人
经济日报 (0)大陆两大体系紫光和合肥长鑫同步锁定挖角华亚科制程相关人才,其中由合肥市政府主导的存储器研发团队合肥长鑫,开出三倍高薪和紫光集团的双倍薪较劲,在存储器界丢出一颗震撼弹,凸显大陆建立存储器自主技术的决心。 大陆高薪挖角的行动,也将让本月才正式并入美光的华亚科,甚至台塑集团旗下的南亚科,明年将有大批人才跳槽,如何挽留这些人才,将成为首要课题。大陆已将存储器列为国家发展半导体产业重项扶植项目,除了明定紫光集团为指标厂外,各地方政府也积极整合,希望列入***补助计画之列。不过在争取和国外技术授权后,以武岳锋为首的大陆基金,和国家大基金都各自积极整合寻求突围,其中以合肥与大陆NAND Flash设计公司兆易**合作的合肥长鑫和清华紫光集团*为积极。消息人士透露,合肥长鑫除了计画和武岳锋基金并入的美商矽成(ISSI)合并,也挖角华亚科前**副总刘大维,展开大批挖角华亚科人才行动。据了解,合肥长鑫开出现有华亚科三倍的高薪进行挖角,且锁定人数高达两百人,远高于紫光集团出的双倍薪,已有不少人决定投效。另外,华亚科前董事长高启全跳槽紫光集团担任**副总裁,紫光纳入武汉新芯整合成立长江存储公司后,也挖角前华亚
NAND
65 2016年12月16日 星期五半导体制造装置市场增长7%,3D NAND和中国起主导作用
技术在线 (0)美国SEMI的乔纳森·戴维斯(Jonathan Davis,全球副总裁)在2016年12月13日于东京召开的“SEMICON Japan 2016记者会”上,针对2016年及2017年的半导体制造装置市场发表了演讲。 乔纳森·戴维斯 图片由《日经电子》拍摄。 (点击放大)戴维斯表示,预计2016年全球半导体制造装置市场规模为396.9亿美元。同比增加8.7%。预计2017年将同比增加9.3%,达到434亿美元。关于推动市场实现高增长的因素,戴维斯列举了3D NAND和中国。半导体制造装置市场走势 SEMI的幻灯资料。 (点击放大)从各地区市场规模来看,中国2016年将**进入前三强(首位和**位分别为台湾和韩国,*近排名一直雷打不动)。戴维斯展示了多张显示中国增长的幻灯资料。比如,中国半导体产能的走势。中国的产能自2003年起基本上一直保持增长,2020年在全球所占的比例将提高至近19%。中国的产能走势 SEMI的幻灯资料。 (点击放大)日本的200mm晶圆工厂稳定投产戴维斯还介绍了200mm晶圆工厂。尽管工厂数量基本保持持平,但通过更新设备等投资,提高了产能。据其介绍,2020年将比
美光**代3D NAND年底大规模量产
超能网 (0)今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司,他们本周一正式收购了华亚科公司,内存业务如虎添翼,而闪存方面,美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存,**代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的**代3D NAND闪存也在路上了,今年底就要大规模量产了。 对于3D NAND闪存,我们并不陌生,现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存,不论是性能还是容量或者是写入寿命,3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多,厂商也会借此降低成本,提高产量。以美光为例,他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的,MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb,而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb,TLC更是达到384Gb,大大高于2D NAND闪存。在转向3D NAND方面,实力*强的三星跑得*快,东芝/闪迪、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比较慢的了,不过一旦3D NAND闪存开始量产,由于容量先天性的优势,产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加
NAND Flash持续缺货 SSD/eMMC涨价将超10%
EETTaiwan (0)根据TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange*新研究显示,受惠于强劲的智能型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长,第四季NAND Flash缺货情况达今年*高峰,各产品别价格续创年度新高,预估缺货态势将持续至2017年**季,届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%,行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9~13%,企业级与用户级SSD合约价也上涨5~10%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,整体缺货状况可分为两方面,从供给端分析来看,各家NAND Flash原厂转进3D-NAND 的速度加快,但除了三星外,厂商在转换过程中良率提升进度较缓,使得3D-NAND供应吃紧,而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑,也让2D-NAND缺货的情况更为明显。从需求端观察,现阶段eMMC/eMCP与UFS等产品仍属2D-NAND制程,在中国智能型手机品牌如华为、OPPO、vivo出货表现强劲下,持续追加高容量eMMC/eMCP的订
东芝副社长:“3D NAND将挑战200层单元积层”
技术在线 (0)“三维闪存需要挑战200层左右的存储单元积层”。东芝代表执行董事副社长兼存储与电子元器件解决方案公司社长成毛康雄在2016年12月14日开幕的半导体相关展会“SEMICON Japan 2016”(东京有明国际会展中心)的“半导体**论坛”上登台发言,并如此介绍了该公司的三维闪存(3D NAND)高密度化战略。 成毛以对比15nm工艺2D NAND(二维闪存)的形式,介绍了东芝供应的3D NAND“BiCS FLASH”(48层TLC产品)。BiCS与现有2D NAND相比,存储元件密度可达到两倍以上,可靠性(擦写次数)可提升至约10倍,性能(程序速度)可提高至约两倍,功耗可降至约一半。存储芯片的*大容量方面,15nm工艺2D NAND仅为128Gbit,而48层3D NAND可达到256Gbit。东芝打算运用3D NAND的这些优点,开拓数据中心用SSD等要求容量大、可靠性高的市场和用途。而且,东芝已从2016年7月开始提供64层3D NAND(256Gbit产品)样品,并投放了量产晶圆。成毛称,“2017年可通过64层产品覆盖相当一部分供应bit”,对启动量产充满信心。据称,该公司
NAND Flash持续缺货 SSD/eMMC涨价将逾10%
eettaiwan (0)NAND Flash缺货情况将持续至2017年**季,致使SSD合约价涨幅超过10%,行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高... 根据TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新研究显示,受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长,第四季NAND Flash缺货情况达今年*高峰,各产品别价格续创年度新高,预估缺货态势将持续至2017年**季,届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%,行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9~13%,企业级与用户级SSD合约价也上涨5~10%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,整体缺货状况可分为两方面,从供给端分析来看,各家NAND Flash原厂转进3D-NAND 的速度加快,但除了三星外,厂商在转换过程中良率提升进度较缓,使得3D-NAND供应吃紧,而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑,也让2D-NAND缺货的情况更为明显。从需求端观察,现阶段eMMC/e
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NAND
66 2016年12月13日 星期二美光CEO:与大陆合资Flash可能比较合理
集微网 (0)集微网消息,据台湾媒体报道,在华亚科入并美光,外界关注陆厂是否可能与美光合作,美光CEO德肯(Mark Durcan)认为,在DRAM的部分,依照现况并不那么可行,在NAND Flash方面或许比较合理,但还是要视各方需求与条件而定。 业界人士解读,德肯一番话,并非意味美光与陆厂合资进军NAND Flash领域已经有谱,但在DRAM领域与陆厂合资经营空间,倒是已被明白限缩。德肯认为,当初合资华亚科对于美光与南亚科都是好的模式,然而随着时间的推移,存储器产业市场日趋稳定,美光产出也渐具规模,其他业者以合资模式与陆厂合作,当然还是可行,但对美光就不见得适合。德肯进一步指出,现在DRAM市场起伏已不若以往那么大,且美光已成长至一定的规模,但在NAND Flash的部分,市场依然时有起伏,所以对美光来说,这部分采合资模式或许比较合理。德肯强调,大陆确实是重要的市场,美光愿意跟大陆各个不同公司洽谈,就如同愿意跟世界各地的公司洽商,但美光的目标需顾及现有股东、团队等,为其提供更好的未来。美光考量的是怎么做对公司*好,除可掌握所开发的技术,也不希望让市场供过于求。杜肯表示,以明年的DRAM市场来看,
NAND缺口达颠峰 推升SSD价涨逾10%
苹果日报 (0)DRAMeXchange*新研究显示,受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长,第四季NAND Flash缺货情况达今年*高峰,各产品别价格续创年度新高,预估缺货态势将持续至2017年第1季,届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%,行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。 今年第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9~13%,企业级与用户级SSD合约价也上涨5~10%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,整体缺货状况可分为两方面,从供给端分析来看,各家NAND Flash原厂转进3D-NAND 的速度加快,但除了三星外,厂商在转换过程中良率提升进度较缓,使得3D-NAND供应吃紧,而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑,也让2D-NAND缺货的情况更为明显。从需求端观察,现阶段eMMC/eMCP与UFS等产品仍属2D-NAND制程,在中国智慧型手机品牌如华为、OPPO、vivo出货表现强劲下,持续追加高容量eMMC/eMCP的订单需求,是2D-NAND缺货*大的因
NAND缺货严重 推升SSD价涨逾10%
苹果日报 (0)DRAMeXchange*新研究显示,受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长,第四季NAND Flash缺货情况达今年*高峰,各产品别价格续创年度新高,预估缺货态势将持续至2017年第1季,届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%,行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。今年第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9~13%,企业级与用户级SSD合约价也上涨5~10%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示,整体缺货状况可分为两方面,从供给端分析来看,各家NAND Flash原厂转进3D-NAND 的速度加快,但除了三星外,厂商在转换过程��良率提升进度较缓,使得3D-NAND供应吃紧,而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑,也让2D-NAND缺货的情况更为明显。从需求端观察,现阶段eMMC/eMCP与UFS等产品仍属2D-NAND制程,在中国智慧型手机品牌如华为、OPPO、vivo出货表现强劲下,持续追加高容量eMMC/eMCP的订单需求,是2D-NAND缺货*大的因素
非挥发性存储器**规模将超越SSD
digitimes (0)NAND Flash固态硬碟(SSD)袭卷了过去10年的储存技术产业,而非挥发性存储器(NVM)消除了DRAM与储存硬碟间的差异,势必掀起一波更大的**。由微软(Microsoft)与英特尔(Intel)所组成的Wintel联盟,即将卷土重来,成为这波**背后*主要的推手。ZDNet报导指出,Flash SSD速度虽较传统旋转磁碟装置快上许多,但两者的I/O堆叠其实没有太大的差异,因此Flash SSD在执行数据写入时,仍有延迟、错误等缺点。反观NVM除了速度更快之外,其存储器还拥有持久型储存的功能,也就是储存级存储器(SCM)的能力。储存级存储器产品目前在价格上仍无法与NAND Flash竞争,因此还要几年的时间才有机会成为主流,不过现在仍可利用存储器汇流排上的非挥发性DIMM(NVDIMM)大幅提升系统速度。像是记忆储存厂商Plexistor便打造了一套具备非挥发性存储器意识(NVM-aware)的档案系统,能够将I/O性能提升6~8倍,且延迟不到现今档案系统的10分之1。有鉴于CPU性能提升所能带来的效益面临了极限,微软与英特尔等大厂开始将更多资金投入非挥发性存储器与储存级存储器