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NAND
1 2018年04月24日 星期二2017半导体产业大丰收Samsung**登顶
达普芯片交易网 (0)根据市场研究机构IHS Markit 研究指出, 2017年全球半导体市场营收达到4291亿美元,与2016年相较成长了21.7%,年成长率创下近14年新高。而三星也借着53.6%的年成长率,取代蝉连25年的英特尔(Intel)成为2017年全球*大半导体厂商。在前20大半导体厂商中,SK海力士(SK Hynix)的营收成长幅度*大,较2016年成长81.2%;美光科技(Micron)居次,营收较2016年成长了79.7%。对此,IHS Markit半导体供应链分析师Teevens表示,强劲的需求以及价格上涨,是企业营收大幅成长的主因。高通(Qualcomm)仍为**大IC设计厂商,存储器则是半导体产业中发展*强劲的类别,与2016年营收相比成长了60.8%,其中DRAM成长幅度*高,2017年成长率达76 %;NAND Flash居次,成长率达46.6%,创下这两种IC存储器近10年以来*高的营收成长率。而营收增长主要原因,来自供需紧张与价格的上涨。IHS Markit存储器与储存**总监Craig Stice表示,NAND存储器技术从2D NAND发展至3D NAND,使市场在20
存储器价格将触顶Q3移动式DRAM合约价恐持平
达普芯片交易网 (0)苹果在法人说明会中预期NAND Flash报价将在不久后走低,DRAM价格可能在今年底触顶。而事实上,NAND Flash价格今年以来持续走跌,DRAM价格续涨但涨幅明显缩小。业界目前认为下半年NAND Flash及DRAM价格仍然看涨,但市调机构集邦则预期,第三季移动式DRAM合约价恐持平。苹果财务长Luca Maestri在法人说明会中回答分析师有关iPhone成本提问时,针对存储器的影响提出看法,预期NAND Flash部份很快会出现新局面,至于DRAM预期正逼近高点,很有可能在今年底触顶。市场人士解读,苹果意指NAND Flash价格看跌,移动式DRAM价格再涨空间已经有限。集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)调查显示,**季移动式DRAM合约价持续受到**季中国发改委介入定价的影响,报价普遍趋于保守,涨价幅度低于标准型或伺服器等其他规格DRAM产品,以分离式移动式DRAM来说,**季平均涨幅落在1%以内,eMCP则受NAND Flash价格下跌影响,平均价格跌幅约1%。DRAMeXchange指出,展望第三季,随着传统旺季来临,智能型手机生产数量预估将较**季成
群联本季增温 NAND明年恐过剩
联合晚报 (0)NAND Flash控制芯片暨模组厂群联(8299)公布第1季EPS为4.48元,该公司董事长潘健成表示,首季成绩符合预期,第2季的表现估计将比第1季好。 NAND Flash产业近况相对低缓,群联第1季合并营收92.99亿元,归属母公司业主净利为8.82亿元,两者均比去年同期衰退,税后EPS为4.48元。累计前四月合并营收为128.17亿元,年减0.7%。群联指出,NAND Flash产业去年经历史上*大缺货潮,今年产业循环回归至健康平衡状况,第1季进入传统淡季,第2季逐步回温,目前价格呈现平稳走势。潘健成估计,该公司本季毛利率将回升,获利也可比首季来得好。群联趁今年首季为淡季,价格回档之时,扩大固态硬碟(SSD)市场版图,相关出货量的季增与年增幅度都超过三成。另外,在内嵌式存储器方面,该公司的eMMC/eMCP控制芯片PS8226也已于本季与手机芯片厂合作打入陆系智慧型手机一线品牌厂供应链。由于NAND Flash原厂多座新厂的产能估计将陆续开出,潘健成预估,NAND Flash市场从2019年就会开始逐渐出现供过于求的迹象,2020年**会是供过于求的情况,而这对于该公司算是好事
NAND传统旺季拉货需求将现 SSD终端需求有效放大
Digitimes (0)NAND型快闪存储器(NAND Flash)从2017年底价格走跌,截至第2季跌幅渐趋缓,估计报价平均跌幅仍有约10%,随着第3季传统旺季拉货需求启动,上半年供过于求情况可望扭转,尽管供需略微吃紧,但业界认为NAND价格长期看跌,第3季仍呈现缓跌趋势,但在手机、PC等终端应用支撑下,SSD需求放大,将有利于价格止跌。由于DRAM平均单价持续走扬,存储器业者第2季业绩维持热络,目前DRAM仍供不应求,尽管第2季涨幅约为低个位数百分比,但价格涨势将可延续至第3季;然而NAND Flash在2017年价格高涨之后,库存备货过高加上NAND产能相继开出,导致市场报价反转向下,部分模组厂受到SSD跌价干扰及库存竞相出清,冲击第1季获利不如预期。业界估计NAND在首季跌价幅度约达15%以上,不过,第1季底~第2季终端DIY市场需求涌现,促使第2季整体跌势趋缓,平均跌幅约10%。在NAND价格走跌的诱因下,ODM厂商改变保守作法,大幅提高PC搭载SSD比重,第1季ODM客户开案数大幅成长,并主推PCIe NVMe SSD规格,预计第3季起新案将陆续迈入量产,2018年Client SSD主流规格将由
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NAND
2 2018年03月15日 星期四IHS:2017年全球十大半导体厂排名,三星**登顶
达普芯片交易网 (0)IHS Markit研究指出,2017年全球半导体市场营收达到4291亿美元,与2016年相较成长了21.7%,年成长率创下近14年新高。 而三星也借着53.6%的年成长率,取代蝉连25年的英特尔成为2017年全球*大半导体厂商。在前20大半导体厂商中,SK海力士(SK Hynix)的营收成长幅度*大,较2016年成长81.2%;美光科技(Micron)居次,营收较2016年成长了79.7%。 对此,IHS Markit半导体供应链分析师Teevens表示,强劲的需求以及价格上涨,是企业营收大幅成长的主因。11.png高通仍为**大IC设计厂商,内存则是半导体产业中发展*强劲的类别,与2016年营收相比成长了60.8%,其中DRAM成长幅度*高,2017年成长率达76%;NAND Flash居次,成长率达46.6% ,创下这两种IC内存近10年以来*高的营收成长率。 而营收增长主要原因,来自供需紧张与价格的上涨。IHS Markit内存与储存**总监Craig Stice表示,NAND内存技术从2D NAND发展至3D NAND,使市场在2017年出现供需不平衡的状况,也导致NAND内
SSD价格走势疲软 2018年将成NB主流规格
达普芯片交易网 (0)固态硬盘SSD从2017年大幅涨价后,受到NAND产能投资大幅增加,以及消费性产品需求疲弱,造成季节性波动明显,2018年首季市场杂音频传,业界预计,价格下滑的走势将延续至第2季,但随着SSD价格走势疲弱,预料将有助于NB厂商提高SSD搭载率,2018年将成为主流规格,而第3季将可望在消费性产品需求回温带动下,供需恢复健康水位。由于首季受到智能手机、平板电脑设备量需求下滑的冲击,NAND Flash采购需求在传统淡季达到季减逾2位数,然而近年来半导体厂商持续投注资源以扩产NAND Flash,3DNAND Flash产能及良率持续提高,包括SK海力士、东芝阵营、美光、英特尔等64/72层SSD新产品已先后开始放量,使得NAND Flash市场将进入供过于求态势。业界表示,以NAND Flash整体报价来看,2018年第1季较2017年第4季平均走跌约5%~10%,维持约1年来的价格走势宣告结束。据悉,近期SSD供应商为了促销64/72层3D-SSD新品,并通过降价以加快PCOEM厂导入意愿。随着3月报价仍呈现持平到小幅走跌,业界认为,将值得进一步观察终端产品降价后,各大OEM厂采用新款
【焦点】六月:台积电7nm量产,张忠谋退休
集微网 (0)1.六月:台积电7nm量产,张忠谋退休;2.半导体景气Q1落底 本季可望回温;3.抢攻全球NAND Flash市场,美光宣布在新加坡兴建第3工厂;4.PS5 技术规格泄漏,采 7 纳米制程 Navi GPU;5.专家分享:3nm实现之路有哪些挑战? 1.六月:台积电7nm量产,张忠谋退休;集微网消息,《经济学人》撰文表示,台积电将干掉英特尔,成为****的晶片厂,并分析其胜出的2大关键在于钜额投入研发及代工模式的优势。张忠谋即将退休,未来台积电采取双CEO平行领导制度,交棒给刘德音、魏哲家两人。《经济学人》报导,张忠谋6月引退的当月,台积电将出货*先进制程的半导体,抢下****芯片的宝座,英特尔沦为老二��报导指出,英特尔依循“摩尔定律”,过去在制程技术上一路**,目前芯片生产技术为10奈米,台积电则超前至7nm,技术优势也反映在股价上,台积电2017年市值首度超越英特尔。台积电如何能挤掉英特尔,一直是市场瞩目的焦点,分析2大原因,一是台积电投入近30亿美元的研发经费,远超过同业;另一个是代工模式的优势,英特尔强项是电脑芯片,三星擅长智能手机芯片,台积电则是两者通杀,甚至吃下超夯的挖矿机
赵伟国:成功复制两个武汉新芯 计划筹资3700亿
达普芯片交易网 (0)刚传出请辞清华紫光集团旗下紫光控股与紫光国芯两家子公司董事长及董事职务的赵伟国,9日出席于第6届中国电子信息博览会中表示,未来将整合国内的资源,在武汉、南京、成都合计投资人民币1,800亿元,进行存储器基地的研发与建置。也就是未来将要借由大规模的投资,在南京及成都两地成功复制两个武汉新芯。赵伟国在专题演讲中,一开始就指出,在美国特朗普的贸易战之下,证明国际贸易并非平的。因此,借由美国301政策的公布名单,把紫光集团列入之列,是给了紫光一次全球露脸的机会。也说明紫光的半导体事业符合企业战略与国家战略。因此,目前紫光集团除了已经筹资人民币1,800亿元之外,还正与和重庆政府、国家大基金等发起注册地位于重庆的紫光国芯集成电路股份有限公司(简称大公司),其注册资本额达人民币1,000亿元。另外,希望透过资本额达人民币1,000亿以上的中国企业,共同筹资人民币1,900亿元。以总计达人民币3,700亿元的资金,分5年投资在中国半导体产业的投资上。赵伟国进一步强调,为什么要以5年的时间花人民币3,700亿元在半导体产业上。主要是因为紫光要跟英特尔、三星、台积电等这3家半导体巨头看齐。因为这些公司每
三重因素 促使台湾存储器三强营收跃升
经济日报 (0)存储器厂晶豪科(3006)、南亚科、威刚3月营收亮眼,受惠缺货问题未解、价格持续上扬及工作天数回归正常等三大正面力量挹注,晶豪科冲上10.85亿元写新猷*出色;南亚科、威刚也分别攀上11年多来与57个月来新高。 晶豪科受惠主力客户华为、中兴、海尔、联想等大陆品牌大厂,大举采购DDR3 DRAM,加上大陆挖矿芯片对DRAM需求强劲,推升晶豪科3月合并营收达10.85亿元,月增33.1%,年增3.7%;首季营收28.09亿元,年增5.6%。南亚科受惠工作天数回到正常,加上20纳米制程产出增加,产品平均售价上扬低个位数百分点,3月营收攀高到67.23亿元,月增13.4%,年增60.3% ,为2007年1月来新高;首季营收187.97亿元,季增10.7%,年增53.6%。南亚科总经理李培瑛看好,本季DRAM价格仍可维持平稳或小涨,上半年市况持稳,下半年虽有新产能开出,但新产能估计到今年底或明年初才会对市场产生影响,DRAM市场可望健康一整年。南亚科正在调整产品组合,除毛利较佳的标准型产品比重会提高外,本季也会增加伺服器用DRAM,对营收和获利成长有正面助益。威刚在DRAM销售价量齐扬带动下,3
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NAND
3 2018年02月06日 星期二看好未来2季DRAM供不应求 宇瞻2018年着重毛利率提升
DIGITIMES (0)存储器模组厂宇瞻科技总经理张家騉表示,2018年存储器市场仍将延续2017年供不应求局面,且DRAM市场在未来2季都会供不应求,至于季节性波动较大的NAND部分,也可望在第3季会慢慢平衡,而宇瞻在2018年营运策略将着重于提升毛利率,成长动能将来自于工控市场与消费性电竞产业等需求推升。受到2017年积极攻城掠地、扩大争取客户的营运策略带动,宇瞻2017年营收回升至新台币100.43亿元,年增47.22%,平均毛利率13%,虽然低于2016年17%的水准,但全年每股获利达4.02元,创上市以来新高,董事会决议每股配发2.6元现金股利,殖利率约达6.5%。张家騉表示,2017年是过去20年罕见的情况,DRAM、NAND Flash整年均逐季上扬,尤其是第4季原本预期拉货放缓,但11~12月客户回补库存动作非常积极,带动营运表现优于预期。展望2018年,张家騉认为,未来2季依旧呈现供不应求,虽然国际大厂第4季将开出新增产能,但目前在工控和服务器用DRAM仍无法足量供货,带动服务器的32G DDR4从2017年起持续调涨,而手机存储器的季节性因素影响很大,上半年的市场景气较差,预计第3季可望拉
市场拉动能力转弱 Mobile DRAM**季涨幅收敛为3%
中国电子报 (0)本报讯 由于全球智能手机市场趋于饱和,各品牌大厂纷纷于2017年第四季积极推出**屏新机,以期带动民众换机意愿,但实际上结果并不如预期。全年内存价格涨幅渐高,厂商获利遭压缩,因此,自去年第四季中期开始,品牌大厂即着手调整生产计划并推迟拉料。由于包含Mobile DRAM在内等部分零部件库存水位升高,再逢**季的传统淡季,制造商开始减缓备货力度,使得**季Mobile DRAM平均合约价涨幅收敛为3%。DRAMeXchange指出,智能手机品牌大厂从去年第四季中开始的生产计划急速下修,造成包含Mobile DRAM在内,交期长且高单价零部件库存水位飙升,部分品牌的零部件库存水位相较以往,甚至高达1倍以上。因而导致**季拉货动能走弱,使得供给端、需求端对于**季合约价格几度僵持不下,预计要到1月下旬市场才会完全定价。**季Mobile DRAM受智能手机市场的低迷以及NAND Flash价格走跌等因素影响,价格涨幅较先前收敛,平均价格由原先的5%季成长缩小为3%。展望**季,在Android阵营推出新款旗舰机的带动下,预计市场需求将开始回温并重启拉动能力。在价格表现上,Mobile DRA
Flash存储器成长无极限3D NAND/SSD应用大热门
新电子 (0)物联网的发展导致无论消费性电子、企业、工业、汽车市场对SSD的需求都急速攀升,为NAND Flash记忆体、控制晶片、SSD模组等供应链业者带来**的成长机会,本活动邀集SSD领域重要厂商,前瞻未来技术规格的演进与市场应用趋势。 以NAND Flash为基础的固态储存(SSD)势力版图**扩张。在4K影音、虚拟实境(VR)与扩增实境(AR),以及日益蓬勃的物联网智慧感测等应用趋势驱动下,无论消费性电子、企业、工业、汽车市场对SSD的需求都急速攀升,为NAND Flash记忆体、控制晶片、SSD模组等供应链业者带来**的成长机会,相关厂商无不卯足全力开发更高规格的新一代解决方案。整体而言,2017年SSD*大的变化在于技术规格的升级,如多通道PCIe SSD的快速崛起,以及读写效能、扩充性和省电方面的突破。展望2018年,随着3D NAND记忆体良率与产能提升,与控制器、模组商技术精进,SSD产品效能势将再写新页,市场渗透率亦将更形扩大。本活动邀集SSD领域重要厂商,前瞻未来技术规格的演进与市场应用趋势。
英特尔与美光在3D NAND 96层后终止合作,将各自寻找合作伙伴
集微网 (0)集微网消息,英特尔与美光于2018年1月8日共同宣布,在完成第三代3D NAND Flash研发后,双方将开启各自的研发之路,双方目前共同研发的**代产品为64层3D NAND Flash,预计第三代将可堆栈96层,也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发,Intel将正式与美光分道扬镳。尽管这项决议不会对双方后续的制程提升、产品规划产生重大影响,但在确定分家之后,双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,英特尔与紫光集团正积极研拟后续合作计划,双方可望建立正式销售合作关系。 英特尔与紫光拟订销售合约,紫光存储藉以耕耘渠道销售竞争力从近期英特尔的动向来看,DRAMeXchange分析,英特尔一直以来高度关注中国市场,在CPU、modem、内存等领域皆积极寻求不同的合作或合资机会。除了积极寻求合作伙伴,英特尔也持续扩大在中国的产能,包含在中国大连地区也有3D NAND为主的NAND Flash自主产能将持续扩张。近日来Intel与中国紫光存储(紫光集团旗下子公司)正积极拟订长期合约,未来在此合约架构底下,紫光存储将能够获
Lam财测透玄机、半导体旺到2021年?
精实新闻 (0)半导体业有望摆脱暴起暴落的周期循环,维持稳定成长? 半导体设备厂科林研发(Lam Research)预测三年后盈余将大增,让外界强力看好半导体产业,激励该公司股价飙高、费城半导体指数更改写**新高。 嘉实XQ全球��家系统报价显示,科林研发6日大涨4.91%收在207.94美元,为1月24日以来收盘新高。费城半导体指数走升1.50%收在1,396.47点,再破历史收盘新高。巴伦(Barronˋs)报导,科林研发6日估计,2021财年(2021年6月为止)营收为145~155亿美元、每股盈余为23~25美元。 FactSet尚未有科林研发2021年的盈余预估,市场预期科林研发2020年营收为120.7亿美元、每股盈余为17.46美元。Berenberg的Tammy Qiu指出,科林研发的盈余和营收展望显示,该公司将维持稳健成长。 华尔街认为科林研发和其他半导体设备商为周期性类股,盈余将有起伏。 科林的展望显示,该公司和半导体设备业将持续成长。 该公司加码资本返还,宣布增发股利、扩大库藏股,也突显他们对于周期动能的信心。为什么半导体能持续成长? RBC Capital的Amit Daryan
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NAND
4 2018年01月15日 星期一去年NAND Flash市场TLC颗粒格外缺货,今年回稳
联合晚报 (0)存储器模组厂创见(2451)去年业绩小减,今年预计要重回成长轨道。由于该公司去年底有部分出货递延到本季,法人推估,创见本季不受工作天数较少的影响,表现有机会比去年第4季来得好。 创见去年第4季因为客户在年底调整库存,所以业绩呈现季减,去年营收209.64亿元,年减5.1%,前三季EPS为4.78元。法人认为,该公司去年第4季毛利率应当与第3季相当,但可能有部分汇损影响获利。去年NAND Flash市况供不应求,其中TLC颗粒供需格外吃紧,但工控产品大多采用SLC或MLC颗粒,受市场影响相对较小。如今NAND Flash市况开始有所回档,价格修正,据了解,有部分工控厂商逐渐开始采用TLC颗粒。创见日前也宣布,推出其全新2.5吋与M.2工业级固态硬碟(SSD),**将3D TLC NAND 快闪存储器导入嵌入式解决方案,主打传输效能直逼MLC平面2D快闪存储器,但价格却更具竞争力。创见去年工控相关业绩占比约四至五成,DRAM业务则占一至二成,另外消费性产品比重约超过一成,策略性产品也占近二成。随着今年NAND Flash市场变化,价格滑落可刺激需求,法人推估,该公司今年NAND Flash
NVMe将推动新一代固态存储器发展
达普芯片交易网 (0)固态存储器在嵌入式系统的应用逐渐普及,成为推动物联网(IoT)与智能城市一股重要的动力。*新的NVMe与NVMe over Fabrics (NVMe-oF)技术在固态储存系统的应用备受看好。另一方面,DIMM也开始取代DRAM产品被使用在企业储存。据富比士(Forbes)报导,各大Flash存储器厂商都在2017年扩大了64层3D NAND存储器的出货量,而128层的3D NAND预计在2020年就可问世。2018年3D NAND将恢复供应量成为市场大宗,但由于市场需求居高不下,2019年以前3D NAND的价格可能都不会回到2016年的水准。有分析师预测2017年到2018年间,NAND每TB的价格将可下降20%至30%,SSD将超越智能手机,成为*多消费者接触的NAND Flash产品。企业SSD在2017年时取得了150%的出货容量成长。随着NAND Flash价格下滑,企业市场对NAND Flash的需求可望出现显著成长,而NAND Flash也将快速成为大型储存阵列的主要储存手段。云端以及数据中心储存的崛起,让NVM Express (NVMe)大为普及。2014年到201
紫光打响2018存储攻坚战
中国电子报 (0)1月9日,英特尔与美光公司宣布,双方将在完成第三代3D NAND技术研发之后,各自独立开发3D NAND闪存芯片。这意味着届时在存储器领域两者维持多年的合作关系亦将随之结束。消息传出不久,即有中国台湾地区媒体预期英特尔在3D NAND布局押宝中国大陆市场,后续不排除以技术授权等方式携手紫光集团。尽管这一预测其后并未得到任何证实,却反映出业界对于紫光集团发展存储芯片事业的关注。2018年对于紫光集团来说,正是其**发力存储芯片事业的*为关键一年,攻坚克难在此一举!产业布局已**铺开2018新年伊始,位于四川成都**新区的紫光IC国际城项目便已传出消息,项目建设正式启动。紫光集团董事长赵伟国在致辞中表示,此次启动的**新区紫光IC国际城项目是紫光集团在芯片制造领域的三大布局之一。项目全部建成后,除了实现月产30万片12英寸3D NAND晶圆外,还将涵盖从设计到封测的芯片相关业务,并包括紫光集团“从芯到云”的完整产业链。整个项目未来十年总投资会超过2000亿元。赵伟国提到的紫光在存储芯片的三大布局是指武汉长江存储建设的国家存储器基地、南京建设的紫光IC国际城,以及此次启动的**新区紫光IC国
海力士:去年第四季DRAM平均价格涨9%
集微网 (0)集微网消息,全球**大内存芯片厂韩国SK海力士受惠DRAM价格大涨,以及市况持续畅旺,去年第4季获利创单季新高,看好今年服务器内存需求持续强劲。 市调机构集邦则预期,尽管智能手机销售不如预期,恐导致本季移动内存合约价涨幅收敛为3%,但第2季将重启拉货动能,价格仍会续涨。 SK海力士昨天举行发布会并公布去年财报,去年第4季获利和去年全年获利都**高。 该公司分析,去年第4季获利创高,主因DRAM芯片出货季增3%,平均价格涨9%;NAND芯片出货增16%,均价涨4%。SK海力士预估,2018年DRAM芯片需求较去年成长20%,NAND芯片需求将成长约40%,并预估今年资本支出较去年的10.3兆韩元增加,今年DRAM出货成长约20%,NAND出货约成长45%。
明年起面临艰难时刻 存储器国产化要迈三道坎
中国电子报 (0)中囯已有三家企业向存储器芯片制造发起冲锋,分别是武汉长江存储的32层3D NAND闪存、福建晋华的32纳米DRAM利基型产品,以及合肥长鑫(睿力)的19纳米DRAM。而且三家都声称2018年年底前将实现试产,开通生产线。如果再计及紫光分别在南京和成都刚宣布再建两个存储器基地,总计已有5处。艰难的上马决定中国半导体业要上马存储器芯片制造,相信大多数人都会持谨慎态度,不是看轻自己,而是存储器业的竞争太激烈。存储器业究竟难在那里?主要有以下几个方面:其一,未见“新进者”。自上世纪90年代之后,全球存储器制造厂商未见一家“新进者”,其间奇梦达倒闭,美光兼并了尔必达,导致在DRAM领域全球仅存三家企业:三星、海力士与美光(中国台湾地区的多家加起来占5%,可以忽略不计);NAND闪存仅存四个联合体:三星、东芝与西数、海力士及美光与英特尔,其中三星占垄断地位,2017年它的DRAM占全球的45.8%,NAND占37%。其二,周期起伏。存储器行业基本“规律”是盈利一年,亏损两年,而三星是个例外,它独霸天下,善于逆向投资。依Gartner预测,2017年全球存储器增长64.3%,约1200亿美元,而20
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NAND
5 2017年12月14日 星期四美光与英特尔宣布将中止NAND Flash研发合作,影响性2020年显现
集微网 (0)集微网消息,美光与英特尔在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash(96层)开发之后终止,各自研发未来的NAND Flash技术,以符合双方品牌产品所需,并维持Lehi厂3D-XPoint的合作关系。针对该项消息,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,由于96层3D-NAND直到2019年才逐渐成为主流,分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。 DRAMeXchange表示,英特尔与美光之间的NAND Flash采购协议并未因此中止,短期内不会对双方产能的销售与分配上产生剧烈冲击。从产出端来看,后续英特尔将专注以大连厂产出供给服务器SSD之用,而美光则拥有新加坡两座3D-NAND Flash工厂产能,并搭配生产DRAM优势,具有弹性的策略发展及产品组合。此外,美光与英特尔尽管对NAND Flash的发展各有所需,双方仍会在3D XPoint的开发保持紧密合作,因此,也不排除未来在NAND Flash领域双方仍有合作的可能性。DRAMeXchange认为,美光与英特尔未来在独立开发NAND
扩产与淡季影响,2018年**季NAND Flash产业供过于求将致价格走跌
达普芯片交易网 (0)根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年**季在需求端面临到传统淡季的冲击,包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季下跌逾15%,而服务器需求相对持平,整体位元需求量较2017年第四季呈现0-5%下跌。另一方面,NAND Flash供货商仍持续提升3D-NAND Flash的产能及良率,位元产出成长亦较第四季高于5%,预期NAND Flash市场将进入供过于求态势,2018年**季固态硬盘、NAND Flash颗粒及wafer等合约价皆将翻转走跌。回顾2017年上半年,**季在供给端由于2D-NAND转往3D-NAND导致产能损失,加上中国手机厂商如Huawei、OPPO、vivo的强劲备货需求,加剧NAND Flash缺货状况,包含eMMC/UFS、Client SSD及Enterprise SSD合约价都有至少10%以上的价格涨幅。进入**季后,尽管工作天数恢复,促使笔记本电脑及平板电脑等装置的需求较前一季增加,但中国品牌手机表现不如预期,价格涨幅因此较前季趋缓。观察2017年下半年NAND Flash市场
中国三大存储阵营正在发力,2019 年将决胜负
达普芯片交易网 (0)紫光集团董事长赵伟国近来心情极好,逢人就笑开怀,更在央视《对话》节目和乌镇互联网大会的全球数字经济论坛上畅谈打造中国“芯”的梦想。能让赵伟国这么开心,正是因为近期紫光旗下的长江存储成功研发 32 层 64G 的 3D NAND 芯片,抢下中国存储自制芯片的**名,对于实现打破国际大厂垄断局面的目标,跨出关键性一大步!不可否认的是,当前中国半导体的艰难局面来自于:中国身为全球*大的半导体市场,但却必须高度依赖进口,以需求量*大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片为例,9 成以上都依靠国际大厂。而要打破这样的局面,DT 君认为,关键就在 2019 年!2019 年,中国三大存储阵营的技术开发成果将见真章,包括长江存储的下一代的 64 层 3D NAND 芯片、联电扶植的福建晋华集成的 2x 纳米技术,以及合肥睿力的 19 纳米 DRAM 技术。这关键的 DRAM 和 3D NAND 技术研发成果,究竟会石破天惊打破国际大厂的垄断?抑或只是丑媳妇终究是要见公婆?这问题的答案,将决定未来十年中国存储产业的命运。自主 DRAM 和 3D NAND 技术这条道路,中国才处于萌芽阶段,但已可
东芝宣布兴建第 7 座 NAND Flash 工厂
TechNews (0)2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导,东芝就*新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事实上,目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中,预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过,面对市场的强烈需求,东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。 因此,东芝在 21 日宣布,将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建,选址就位于日本四日市。 日前,东芝才就出售半导体业务一事已经和威腾电子握手言和,达成协议。 未来东芝需要威腾电子的数据提供,以使得 2018 年的新先进芯片生产线进行投产,以此竞争对手和三星、Intel、及 SK 海力士竞争。报导进一步指出,目前数据中心和企业服务器强劲 NAND Flash 闪存需求,已经促使东芝扩大在四日市的设备规模。 而且,其他 NAN
今年DRAM产能增长10%;存储器大厂3D NAND良率升 NAND Flash恐过剩
达普芯片交易网 (0)据国际半导体产业协会(SEMI)*新指出,2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关,而2018年仍会是乐观成长的一年,预估半导体产值将成长4%-8%,且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口。SEMI台湾区产业研究**经理曾瑞榆表示,2017年是全球半导体产值破纪录的一年,年成长率达20%,主因是存储器强劲成长的带动,其中,DRAM产值年成长75%、储存型闪存产值(NAND Flash)年成长45%、其他IC产值年成长9%。三星、海力士、美光扩产 ,今年DRAM产能成长挑战10%DRAM和 NAND Flash是这两年全球半导体产业欣欣向荣的重要推手,尤其是在2017年全球半导体产值冲破4,000亿美元中,受DRAM涨价潮带动功不可没。据SEMI预估,在三星电子、SK海力士持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能成长10%,这会是较大的成长,然终端需求也急起直追,估计到2021年,DRAM年成长率上看30%。观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光,其中三星、SK海力士两大韩系原厂在扩产脚步上加速,包括三星在南韩平泽(Pyeongtaek)的P1
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NAND
6 2017年10月04日 星期三群联和金士顿宣布联手,加速SSD进入PCIe高速时代
达普芯片交易网 (0)12月6日,NAND Flash控制芯片厂商群联与其大股东及长期合作伙伴金士顿科技共同宣布,将针对高速、大容量的PCIe接口SSD推出全系列产品,加快SSD进入高速PCIe新世代,扩展新的市场版图。群联表示,自2012年起开始提供金士顿PATA、SATA、PCIe等逾十款SSD控制芯片解决方案,累计至今,供应给金士顿的SSD控制芯片总量超过1800万片,成为金士顿主要SSD芯片供应厂商,未来双方的合作也会更为紧密,为未来营运及获利之成长共**契机。群联电子董事长潘健成表示,与金士顿长期的合作伙伴关系,奠定了双方对存储产业高灵敏度且一致的默契。在2016年景气反转之际,双方携手在SSD市场稳住业界领导地位,并在2017年Flash依然供货紧缺的时候,双方共同拓展市场,因此群联今年度的SSD控制芯片出货量将交出倍增的年成长佳绩。金士顿科技闪存部副总Nate Steffens也表示,多年来,金士顿与群联在不同层次的合作案上始终维持紧密关系,群联一直以来提供多项前瞻性闪存解决方案,助力金士顿在存储产业中的成长,未来双方仍将持续紧密合作以保持在业界的**地位。SSD向PCIe接口发展的动力主要来
SK海力士投资东芝15%股权 南韩业界乐观看待
DIGITIMES (0)SK海力士(SK Hynix)日前终于如愿以美日韩联盟成员身分与东芝(Toshiba)签约,也为延宕许久的东芝半导体出售一案,暂时划下句点。尽管SK海力士强调仅是投资者,但SK海力士与东芝在NAND Flash市场上,其实有许多复杂的竞争及利害,因此未来SK海力士NAND Flash事业发展动向,格外引起业界高度关注。根据韩媒每日经济的报导,2016年第2季SK海力士NAND Flash市占排名第五,东芝(Toshiba)排名**仅次于三星电子(Samsung Electronics),如果SK海力士与东芝合作联手,两家业者市占率可达26.7%,将对市占率38.3%的三星构成一定程度的压力。南韩业界人士分析,SK海力士即将正式量产堆叠72层3D NAND,此次又顺利成为东芝半导体的投资者,未来将有很好的机会,在NAND Flash市场上展开新局,尤其美日韩联盟成员,不但有许多SK海力士的重要客户,也有许多SK海力士想合作的对象。尽管根据合约内容,SK海力士未来10年,不可取得东芝半导体15%以上含议决权的股权,也不能接触任何业务机密,但是SK海力士透过此次投资,仍然有利于强化客户合作关
DRAM供货吃紧 估Q4平均上涨5-10%、明年还继续涨
钜亨网 (0)进入第 4 季,在供货吃紧下,DRAM 价格上涨趋势持续,集邦咨询TrendForce旗下半导体研究中心 DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出,在智能型手机存储器容量升级,加上服务器 / 资料中心的强劲需求,拉动其他产品涨势,预估第 4 季 ASP 平均涨幅约 5-10%,明年也将持续上涨;NAND Flash 也同样是供不应求的情况,不过,集邦咨询预期,供需状况会在今年第 4 季往平衡方向移动,不同于 DRAM 价格将在 2018 年维持**,明年 NAND Flash 的价格可能将开始走跌。吴雅婷表示,今年 DRAM 价格约较去年上涨 4 成,第 3 季平均涨幅约 7%,第 4 季仍将持续上涨,保守预估平均涨幅约 5-10%,供货吃紧的情况将延续到明年一整年,但因今年 的 ASP 已经上涨非常多,预估明年涨幅将不像今年的年增幅度,由于产能并未大幅增加,保守预估明年涨幅将超过 5%。三大 DRAM 厂陆续在下半年召开针对明年产能规划的年度战略会议,根据 DRAMeXchange 的调查,2018 年各 DRAM 厂资本支出计划都倾向保守,产能扩张甚至技术转进都将趋缓,除将价格
存储器供不应求持续 南亚科、华邦电 9 月份营收亮眼
TechNews (0)随着存储器供不应求的情况持续,不仅带动现货价的涨势,也拉抬近期核阅价的价格,使得国内存储器大厂南亚科,华邦电 9 月份营收持续缴出亮丽成绩。南亚科 9 月份营收不仅较 8 月份上扬 6.71%,也较 2016 年同期成长 32.83%。另外,华邦电则较 8 月份增加 1.91%,也较 2016 年同期增加 18.84%。 在终端产品对存储器产品的需求逐渐进入高峰的情况下,包括 DRAM、NOR 及 NAND Flash 等产品市场供不应求情况加剧,也带动价格上扬,使得存储器厂商获利增加。存储器大厂南亚科的 9 月合并营收为新台币 46.44亿元,较 8 月份增加 6.71%,以较 2016 年同期成长 32.83%,为 2013 年 4 月份以来的单月新高。累计,前 3 季营收为 381.49 亿元,较 2016 年同期增加 29.17%。南亚科表示,2017 年第 3 季受惠于存储器价格上扬,以及在 20 奈米制程上对营收的挹注,单季营收达到 132.93 亿元,创下近年来单季新高。而除了本业表现持续看涨之外,业外还有处分美光持股达 116.58 亿元的获利进帐,都对第 3 季的营收
观存储器产业:DRAM报价仍有上涨空间 NAND持续稳定成长
工商时报 (0)去年我们曾经对存储器产业进行分析,认为存储器产业在2016~2017年是恢复秩序且有机会成长的产业,时至今日,虽然存储器大厂持续迈向新制程发展,但由于市场寡占,主要大厂对于新产能扩充仍相当自律,加上电子化产品对于存储器的需求持续提升,因此在这1年间,存储器变成了洛阳纸贵的零组件。尤其到了第3季旺季,存储器需求更是热络,报价持续走扬,预期2017年对于存储器产业来说将是丰收的1年,受惠智能手机存储器容量升级,服务器/数据中心的强劲需求,2018年存储器需求亦可望持续成长。从需求部分来看,过去存储器多用在NB/PC,虽然NB/PC产业近期需求平稳没有大幅成长,但是对于存储器的需求仍是增加的,另外手机市场的成长虽然也趋于平缓,但对于存储器的需求也是成长。在智能电视、机顶盒等各种电子消费性产品,也都需要存储器,至于所谓家电连网、智能家电等发展方向若逐渐成熟,家电设备对于存储器的需求也将持续攀高,当有**家里的冰箱、电视、洗衣机连网化、智能化之后,不要怀疑,里面一定有存储器的需求存在。除了消费性市场对存储器的需求持续成长之外,近年来热门的几个新技术新产业,对于存储器也有相当的需求。第1就是云端数