演讲伊始，李祯培首先介绍了美国易安信（EMC）的预测，即大数据分析和云服务的普及将带来数据的爆发性增长。“在2010年，1年产生的数据量只有2ZB（Zetta为10的21次方）。2015年一年产生的数据量变成了7.5ZB，到云和大数据分析**普及的2020年，一年的数据量将达到44ZB。这意味着，一年必须新建9000个储存5EB（Exa为10的18次方）数据的数据中心”。
与此同时，NAND闪存的需求也将高涨。美国调查公司IHS iSuppli预测，2019年以前的NAND闪存需求的CAGR（年均增长率）为35％，单从SSD来看将达到38％。据IHS iSuppli调查，三星电子在2002年至2015年间的NAND闪存份额一直高居榜首。2015年第四季度也以30.4％的市场份额继续保持首位宝座，远远甩开了**位以下的企业。
韩国三星电子存储器业务部的李祯培
2016年内将量产1Znm的平面NAND
接下来，李祯培介绍了三星电子的NAND闪存技术动向。该公司2013年全球率先开始量产3D NAND，2015年夏季开始量产第3代产品——采用MLC（3bit/单元）架构、积层数量为48的3D NAND。3D NAND是沿三维方向层积存储单元，提高了集成度的NAND，三星以“V-NAND”的品牌名为其命名。与平面结构的平面NAND相比，“具有写入速度和集成度达到2倍、耗电量减半、寿命达到10倍等优点”（李祯培）。
不过，三星也在继续致力于平面NAND的工艺微细化，2016年内将开始量产采用1Znm（15nm内）设计规则（*小加工尺寸）的平面NAND。
三星的NAND闪存有笔记本电脑内置型和通过USB连接的便携型等消费者产品，以及服务器内置型和OEM闪存阵列使用的企业产品。均积极推进了SSD的新一代接口——NVMe的采用，企业产品中，“SM953/PM953”和“SM1715/PM1715”等支持NVMe。
李祯培引用了对企业用途的NVMe SSD（PM953）、SAS SSD（PM1633）及SAS HDD的TCO（总拥有成本）和性能作比较的测试数据※。利用期间产生的总成本（设备采购费、维护费、电费、机壳费、冷却费、驱动器更换、人工费等）方面，NVMe SSD为5.8274万美元，SAS SSD为6.0561万美元，SAS HDD为17.5149万美元，系统级IOPS（Input/Output per Second）性能方面，NVMe SSD为299.3669万，SAS SSD为109.6961万，SAS HDD为5.526万，李祯培强调说，“NVMe SSD能比SAS HDD削减60％以上的成本，同时实现非常高的性能”。（记者：神近博三）
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