大陆发展DRAM 海力士恐首当其冲

工研院 IEK认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM已势在必行，未来若中国大陆成功抢进DRAM领域，预期海力士恐将是*大潜在受害者。 联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托，开发动态随机存取记忆体(DRAM)相关制程技术，引起各界关注。工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)电子与系统研究组副组长杨瑞临认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM似乎已势在必行。杨瑞临指出，中国大陆目前至少有 5家厂商规划投入DRAM发展，除这次委托联电开发技术的晋华外，还有武汉新芯，中芯也传将重操旧业，浪潮集团也可能抢进DRAM领域。如何取得技术是中国大陆发展DRAM的关键，杨瑞临认为，中国大陆可能采取 3个策略，其一是寻求与现有DRAM厂合作，或是自日本找专家，或来台湾找技术。对于联电为晋华开发DRAM制程技术，杨瑞临认为，与其DRAM人才被中国大陆挖角，联电为大陆厂商开发技术，不仅研发活动仍留在台湾，不须承担市场激烈竞争风险，还有技术授权金入帐，未尝不是件好事。杨瑞临说，未来若中国大陆厂商成功抢进DRAM市场，预期海力士恐将首当其冲，将是*大潜在受害者。

存储器热要细思量，未来竞争将更残酷无情

武汉“新芯”投资240亿美元启动存储器项目己引起全球的热议，加上紫光的存储器项目，虽然尚未正式落子，但是它的计划几乎己成定局，投资近100亿美元，由紫光国芯操刀。如今又冒出台代工双雄之一的联电，它与福建泉州合作准备迈入利基型存储器的代工行列。这样全球**公司，包括三星、英特尔、海力士，加上国内的武汉“新芯”、紫光国芯，还可能再加上合肥的项目以及泉州联电的存储器代工，都聚集于中国。 存储产业竞争将再起波澜业界关切的问题是全球存储器业自1999年始，历经六次大的兼并与退出，厂家数量越来越少，DRAM只剩下三家，包括三星、海力士和美光(它于2012年兼并日本的尔必达);NAND闪存方面有四组，分别是三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔。尽管台湾地区尚有几家小厂，但由于实力不济，或者依附于美光，或者转型代工。存储业很久没有“新进者”出现了。三星及海力士两家垄断的局面己经持续多年，三星己连续24年称霸全球。2015年的数据，韩国的DRAM及NAND全球市场份额分别达到73%及43.7%。如果从存储器的周期计，在2001至2010年期间，仅三星和海力士两家盈利80亿美元，其他诸厂累积亏损达13

SK海力士积极研发1x纳米制程　寻求更大获利空间

DRAM价格持续下滑造成存储器业者获利更加艰辛，韩厂以先进微细制程降低生产成本，寻求业绩改善空间。继三星电子(Samsung Electronics)率先进入18纳米制程量产之后，SK海力士(SK Hynix)也将提高2z纳米制程DRAM比重，加速研发1x纳米制程。 据ET News报导，SK海力士财务本部长李明英(音译)表示，从2015年下半DRAM市场开始发生供给过剩的问题，主要是因为需求大幅减少所致，未来将设法优先提高成本竞争力，以求改善业绩。三星目前已将20纳米作为生产DRAM的主要制程，不仅如此，*近也开始进入18纳米制程量产。因此，尽管面对DRAM价格持续下跌，三星还是能在同业中维持受影响程度*少。这可归功于提前转换微细制程，才能降低成本获取利润。SK海力士也打算采取相同策略降低成本，将2z纳米制程的DRAM扩大应用到PC及移动装置等领域，并加速研发1x纳米DRAM技术。SK海力士DRAM行销组长朴来学(音译)表示，预估在2016年底时，2z纳米制程DRAM比重将达到*高。另一方面，SK海力士NAND Flash也将转换成14纳米制程，目标2016年下半完成第三代(48层)

联电晋华结盟 DRAM市场起波澜

联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托，开发DRAM相关制程技术，工研院IEK认为，短期应不致对产业造成影响，但未来仍不排除可能对市场造成干扰。 中国大陆积极朝向记忆体领域发展，除合肥市政府与日本尔必达前社长(土反)本幸雄合作，还有紫光及武汉新芯也传出有意进军动态随机存取记忆体（DRAM）市场。福建省政府投资的晋华集成电路又找上晶圆代工厂联电合作开发DRAM相关制程技术。联电今天指出，将在南科厂筹组超过 100人团队，投入利基型DRAM相关生产制程开发，初期将先开发32奈米制程技术，将由晋华提供DRAM特用设备，并依开发进度支付技术报酬金作为开发费用。除在技术开发时期有开发权利金入帐外，联电表示，未来投产后，晋华也将再支付权利金；另外，透过DRAM技术与逻辑技术结合，还有助强化联电在系统单晶片（SOC）方面的竞争力。对于联电与晋华合作开发利基型DRAM制程技术，台湾DRAM厂南亚科态度低调，并不评论。工研院产业经济与趋势研究中心系统IC与制程研究部经理彭茂荣表示，联电仍未投入技术开发，晋华也尚未建厂，估计至少1年内不会对DRAM产业造成影响。只是目前中国大陆业者尚未跨入DRAM市场，市

高启全将退出南亚科董事会

台塑集团旗下记忆体晶片大厂南亚科（2408）今年将董监改选，南亚科前总经理高启全因退休并转任紫光集团全球执行副总裁，不再列人*新董监事候选人名单。业界预料，高启全将在这次南亚科董监改选之后，正式退出该公司董事会。 据了解，高启全目前担负紫光集团推动建立自主记忆体产能大任，正全力进行相关投资计画，重心放在大陆，此次退出南亚科董事会，并不让人意外。南亚科新任董监事候选名单，仍由台塑集团相关决策高层担任，并将全力推动20奈米制程升级计画，同时专注利基型DRAM领域，保存台湾DRAM产业的火苗。南亚科这次董监改选，董事提名人有董事长吴嘉昭、李培瑛、王文渊、王瑞华、邹明仁、王文尧、苏林庆、张家钫及谢式铭，独立董事提名人有侯彩凤、许舒博及赖清祺。其中，董事与独立董事提名人多为现任董事与独立董事，仅谢式铭将自监察人转任董事。现任独立董事林义夫任期届满将不再续任，将由中华大学讲座教授赖清祺接替，南亚科表示，主要是希望借重赖清祺财经专才。

经部：联电携手大陆 成果共享 对台有利

联电携手大陆晋华研发DRAM技术，经济部工业局副局长吕正华昨天表示，该案为陆方出资，联电进行研发，成果双方共享；未来有机会收取技术授权金，建立台湾自主的DRAM技术，也可培养台湾自己的DRAM人才，合作案对台湾有利。 吕正华表示，据经济部投审会规定大陆地区投资技术合作许可办法，大陆晋华集团委托联电开发DRAM相关技术，属于技术合作类，不涉及关键技术投资；工业局大约在三、四月时接获投审会函询相关意见后同意。吕正华表示，台湾主要DRAM设计、制程技术，都是向美光、三星、海力士取得授权，过去曾试图自主技术**，但因故作罢。国内DRAM厂的生产模式，如华亚科与美光合作，都是代工制程。至于合作成果为双方共享，是否涉及技术外流？吕正华说，台湾本身没有DRAM自主技术，长期仰赖国外大厂授权，缴交权利金才能从事生产。如今“大陆出钱，台湾出力，成果共享”，没有技术外流问题。

光辉不再 日本半导体产业的兴衰史

20世纪80、90年代，日本工业实力达到**，半导体、液晶显示器、**机械设备、先进材料工业等等，独步全球。可惜的是，到1990年初，日经指数由38915点的历史*高点向下崩跌，短短2年半间跌至15910点。股市的下跌，戳破日本的泡沫经济，日本半导体产业**全球的优势也逐步腐蚀。短短10年走向衰败1990年全球10大半导体公司中有6家为日本公司，NEC、东芝及日立高居前3大半导体公司，英特尔仅居全球第4，而韩国三星电子尚未能进入前10大排行榜。1995年，日本公司只有4家进入前10大半导体公司排行榜，英特尔跃升为全球半导体公司龙头，NEC、东芝及日立退居2、3、4名，三星电子及现代电子也挤进前10大。2000年，仅有NEC、东芝及日立进入10大，三星电子以些微差距，落在东芝及NEC之後，居全球第4大半导体公司，英特尔仍居全球第1，日本半导体产业在此时已走下坡。以往日本傲视全球的记忆体产业，也在韩国公司凌厉攻势下，逐步失去竞争力。为提升竞争力，2000年NEC、日立的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取记忆体）部门合并，成立尔必达，2003年尔

利基型存储器 Q2营运稳

台积电稍早表示，本季个人电脑及通讯市况呈现下滑，市场预期，DRAM价格仍将持续下滑，不过，专注利基型记忆体的南亚科（2408）、华邦及爱普等，因产品报价仍稳，本季营运预料稳中透坚。 SK海力士昨天公布上季财报为三年来*差，不过，对本季展望并不悲观，预期本季DRAM价格跌势将趋缓，下半年需求将增温，供需也会重新恢复平衡。南亚科总经理李培瑛看法与SK海力士相近，他预期本季DRAM跌势会趋缓，且往年下半年都有季节性需求，今年还有奥运可望带动消费性产品需求成长。手机搭载DRAM容量又将提升，加上新机效应，预期今年下半年市场需求可望大于上半年。

DRAM跌幅收敛 看到曙光

在美光、三星及SK海力士等DRAM大厂决定删减资本支出下，南亚科总经理李培瑛昨（27）日主持法说会时，强调DRAM产业已露出止稳回升曙光。 他预估，本季DRAM价格跌幅将低于5%，下半年产业供需平衡，表现优于上半年。对于近期DRAM价格走势，李培瑛表示，第2季PC用标准型DRAM仍供给大于需求，短期价格仍有下跌压力，但若是三大制造厂商的库存水位不会严重过高，本季DRAM产业平均跌幅有机会落在5%之内，优于首季，产业情况比他原预估还要乐观。他举供应端部分，韩系二大厂市占率73%，市场已经出现寡占，现有三大国际制造商都以获利为导向，将会理性控制资本支出，包括SK海力士、与美光等虽然上季财报都非常糟糕，这两大厂都相继宣布缩减资本支出，三星稍早表示，将删减记忆体资本支出，这对产业来说，是极大的好消息。

三星:10nm今年底量产,DRAM资本支出料年减

三星电子(Samsung Electronics Co.)28日表示，拜韩圜相对于主要货币贬值之赐、2016年第1季(1-3月)营益预估因而增加0.4兆韩圜，主要反映在零件事业盈余数据上。 三星Q1资本支出金额为4.6兆韩圜，半导体事业、显示面板事业各占2.1兆韩圜、1.8兆韩圜。三星尚未敲定2016年全年资本支出预算、但预估将略高于2015年水准。三星显示面板事业今年的资本支出在OLED面板强劲需求带动下可望攀高。DRAM资本支出预计将依照市场供需变化弹性调整、目前初估将低于去年水准。三星28日宣布，10nm晶圆代工产品可望于2016年底量产。嘉实XQ全球赢家系统报价显示，美元兑韩圜第1季贬值3.21%、幅度小于美元兑日圆的6.34%贬幅。换言之，日圆兑韩圜第1季呈现大幅走升态势。

存储器热要细思量

武汉“新芯”投资240亿美元启动存储器项目己引起全球的热议，加上紫光的存储器项目，虽然尚未正式落子，但是它的计划几乎己成定局，投资近100亿美元，由紫光国芯操刀。如今又冒出台代工双雄之一的联电，它与福建泉州合作准备迈入利基型存储器的代工行列。这样全球**公司，包括三星、英特尔、海力士，加上国内的武汉“新芯”、紫光国芯，还可能再加上合肥的项目以及泉州联电的存储器代工，都聚集于中国。存储产业竞争将再起波澜业界关切的问题是全球存储器业自1999年始，历经六次大的兼并与退出，厂家数量越来越少，DRAM只剩下三家，包括三星、海力士和美光（它于2012年兼并日本的尔必达）；NAND闪存方面有四组，分别是三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔。尽管台湾地区尚有几家小厂，但由于实力不济，或者依附于美光，或者转型代工。存储业很久没有“新进者”出现了。三星及海力士两家垄断的局面己经持续多年，三星己连续24年称霸全球。2015年的数据，韩国的DRAM及NAND全球市场份额分别达到73%及43.7%。如果从存储器的周期计，在2001至2010年期间，仅三星和海力士两家盈利80亿美元，其他诸厂累积亏损达130

三星出招太狠毒,DRAM恐剩一家独活;

三星DRAM连霸24年　2015年市占写下45%新高

三星电子(Samsung Electronics)连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率**，为半导体产业写下新历史；2015年市占率达45.3%，营收突破200亿美元，不但刷新自身纪录，也成为存储器价格持续下跌声中，**还能获利的业者。 据韩媒Money Today报导，市调机构IHS资料显示，2015年三星DRAM营收为204.34亿美元，较2014年186.61亿美元成长9.5%，**突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元，但三星营收却逆势成长。从整年度的市占率来看，三星占45.3%创下历史新高；排名**的SK海力士(SK Hynix)为27.7%，营收124.89亿美元，较2014年126.66亿美元减少，但市占率微幅增加。第三名美光(Micron)的营收滑落到90.70亿美元，市占率也从24.6%下降到20%。三星电子在1992年开发出64Mb DRAM之后，连续24年蝉联DRAM半导体全球市占率**。三星能稳坐龙头地位的关键，在于拥有竞争对手难以超越的技术差距，这也是半导体市场价格持续滑落，三星仍能维持获利的原因。三星致

三星半导体、面板去年产能利用率接近满载

提升获利是三星去年的核心目标，精简不必要产线、提高产能利用率则是三星达成目的必胜手段。据BusinessKorea.com报导，三星由于资源调配得当，使得去年四大事业平均产能利用率来到93.8%，对贡献获利颇大。 报导指出，三星一方面调降电视与电视等处于低潮部门产能，另一方面则是增加对半导体与面板事业投资，两者产能利率分别达100%与99%。进一步分析，三星记忆体去年产出大爆发，凭藉着技术**，三星记忆体去年出货量跳增55%至2,686.3亿个单位，对照两年前，成长幅度更是达130%。美光（Micron）等记忆体同业因技不如人一路挨打，看着自己DRAM市占萎缩，而三星市占则是**高。IHS资料显示，三星**季DRAM市占达45.3%、海力士27.7%、美光仅17%。另外，即便三星手机与电视事业处于低档、出货量下滑，但电视产能利用率去年*高还首度来到91%，高于一年前的87%，而手机也微幅成长至85%，就这点而言，不得不让人佩服三星对获利紧迫盯人的功力。

美光并华亚科案过关

台湾公平交易委员会，今天决议通过，美商美光科技与DRAM厂华亚科的结合案，美光取得华亚科全部股权，华亚科方面预计年中完成交易。 华亚科财务长 沈道邦 (2015.12.24)：“使本公司成为台湾美光半导体股份有限公司，100%之子公司。”台塑集团与美国美光所合资成立的DRAM大厂华亚科，去年年底，以股权转换方式，成为台湾美光100%持有子公司，公平会今天决议，准许通过，美光和华亚科的结合案。公平会副主委 邱永和 ：“华亚这家公司，原来就是美光公司本身的一个代工的工厂。所以实际上它一结合以后，对市场的影响力，根本不会有任何的一些影响。 所以我们认为说，并不需要去阻止他们本身去结合。”公平会表示，华亚科现有业务DRAM生产代工，产品100%全数提供给美商美光，两者结合属于水平结合样态，对市场并无冲击。至于美光方面，为了筹措并购资金，与台湾银行团敲定800亿元贷款，但先前华亚科董座高启全，跳槽紫光，引起银行团顾虑。为此，美光还特别发出了五大声明：承诺三年内绝不会在中国进行DRAM设厂、投资，还强调并购华亚科后，现任员工全数留用。联贷案，预计**季完成签约。去年紫光原打算以230亿美元，收购美

趁对手不顺增产抢市占 DRAM恐怕只剩三星独活

存储器产业整合，外界本以为三大厂能和平共存，坐享更高获利，没想到三星电子趁着对手SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）转进20纳米不顺之际，增产抢市占，意图赶尽杀绝。Bernstein Research悲观预测，三星下手太狠，DRAM恐怕只剩三星一家独活。 巴伦（Barronˋs）网站两篇报导指 出，Bernstein分析师Mark Newman表示，制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20纳米遇到瓶颈，原先预期存储器产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁着对手碰壁时， 夺取市占。DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。 三星透过拉大技术差距，抢下市占，DRAM方面，三星增加20纳米产出、并将扩大量产18纳米。在NAND领域也强化了3D NAND的**地位。Newman痛批，三星行为投机、比预想更为激烈，完全不顾对手，或许会**摧毁同业间的信任感。他估计，三星可能是DRAM业的**幸存者。 存储器业者自相残杀，等到中国厂商进入市场，情况将急转直下。报告称，中国可能是足以颠覆市场的竞争者

台湾DRAM双雄 法人保守看

美光（Micron）2016会计年度第2季营运符合市场预期，但其第3季前景虽预期记忆体市场需求开始增温，但对DRAM和NAND Flash营运持中立看法下，法人机构对南亚科（2408）、华亚科投资评等也维持中立。美光由于终端电子相关应用出货不佳影响，2016会计年度第2季（2015年12月~2016年2月）营收为29.34亿美元，季减12.42%，税后亏损达0.97亿美元，这是2013会计年度第2季以来**呈现亏损，每股纯益（EPS）为亏损0.09美元。群益投顾副总裁曾炎裕指出，美光对第3季（3月~5月）记忆体市场持较中性的看法，预估单季营收为29~31亿美元，范围为季减1.16%到季增5.66%间，略低于市场预期的32亿美元，毛利率从20%下滑至16.5%~19%，EPS亏损0.05美元至亏损0.12美元，也低于市场0.05美元，美光对整体DRAM和NAND Flash出货量和价格皆呈现持平或下滑的看法，而NAND Flash表现将较DRAM稳定。其中，DRAM产业进入寡占格局，但三星、海力士与美光转进新制程的进度没有减缓，三星为保有技术**，将于今年导入18nm的生产，海力士201

新DRAM更便宜 三星量产10纳米8GB DDR4

Bernstein：三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家独活

记忆体产业整合，外界本以为三大厂能和平共存，坐享更高获利，没想到三星电子趁着对手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)转进20奈米不顺之际，增产抢市占，意图赶尽杀绝。Bernstein Research悲观预测，三星下手太狠，DRAM恐怕只剩三星一家独活。 巴伦(Barronˋs)网站两篇报导指出，Bernstein分析师Mark Newman表示，制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20奈米遇到瓶颈，原先预期记忆体产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁着对手碰壁时，夺取市占。DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。三星透过拉大技术差距，抢下市占，DRAM方面，三星增加20奈米产出、并将扩大量产18奈米。在NAND领域也强化了3D NAND的**地位。Newman痛批，三星行为投机、比预想更为激烈，完全不顾对手，或许会**摧毁同业间的信任感。他估计，三星可能是DRAM业的**幸存者。记忆体业者自相残杀，等到中国厂商进入市场，情况将急转直下。报告称，中国可能是足以颠覆市场的竞争者，他们财

DRAM市场上,韩企占比飙升,排名老三的美光出路在哪里?

目前，全球DRAM（Dynamic Random Access Memory，也称动态随机存取存储器，是*为常见的系统内存）市场主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美国市调公司IHS指，韩国企业三星和SK海力士的市占率进一步冲高至接近75%，这已经是连续6个季度创下历史新高，那么第三位的美光前途在何方呢？ 三星已在技术方面遥遥**据DRAMeXchange的报告，受2015年四季度全球DRAM市场营收下滑约9%的影响，三星、SK海力士、美光三家的营收分别下滑9.7%、9.3%、10.5%，美光的下滑幅度比两家韩国企业的下滑幅度更大，导致其市场份额下滑，而三星和SK海力士的市场份额反而出现上升。在制造工艺方面，SK海力士��美光去年中才引入20nm工艺，预计今年转进18/16nm工艺，而三星本月初宣布已量产10nm的DRAM，可以看到三星在制造工艺方面已遥遥**于另外两家企业。据了解，采用10nm工艺的DRAM传输率可以达到3200Mbps，较20nm工艺提升了30%的性能，这帮助三星将进一步巩固其作为DRAM市场老大的地位。三星积极推进10nm工艺除了要与DRAM同行竞争外，更重要的原

三星紧盯获利，半导体、面板去年产能利用率接近满载

提升获利是三星去年的核心目标，精简不必要产线、提高产能利用率则是三星达成目的必胜手段。据BusinessKorea.com报导，三星由于资源调配得当，使得去年四大事业平均产能利用率来到93.8%，对贡献获利颇大。 报导指出，三星一方面调降电视与电视等处于低潮部门产能，另一方面则是增加对半导体与面板事业投资，两者产能利率分别达100%与99%。进一步分析，三星记忆体去年产出大爆发，凭借着技术**，三星记忆体去年出货量跳增55%至2,686.3亿个单位，对照两年前，成长幅度更是达130%。美光（Micron）等记忆体同业因技不如人一路挨打，看着自己DRAM市占萎缩，而三星市占则是**高。IHS资料显示，三星**季DRAM市占达45.3%、海力士 27.7%、美光仅17%。另外，即便三星手机与电视事业处于低档、出货量下滑，但电视产能利用率去年*高还首度来到91%，高于一年前的87%，而手机也微幅成长至85%，就这点而言，不得不让人佩服三星对获利紧迫盯人的功力。

华亚科：DRAM下半年乐观

华亚科（3474）董事长暨南亚科总经理李培瑛昨（29）日表示，下半年往往是DRAM厂旺季，预期在旺季需求带动，加上相关厂商规划减少资本支出、新增产能有限，预期DRAM市场下半年可望供需平衡，价格应会比预期稳定，甚至乐观一些。 对于中国近期动作频频，积极进军记忆体产业，李培瑛强调，短期内对整个产业应不会构成影响，因为三大DRAM厂并没有与陆方合作，没有技术授权或合资建厂计画，中国DRAM发展没那么容易突破，如果要靠自力研发，以目前DRAM领域**与高度专业的技术进入障碍门槛，五年内不会造成DRAM市场影响。华亚科认为，半导体产业涵盖逻辑IC、记忆体，也包括DRAM、FLASH等，制程日趋复杂，彼此之间转换已无效益。现在中国方面并没有三大DRAM厂与其合作，武汉新芯与飞索的合作，新厂于2018年量产后，优先生产3D NAND Flash，短期与DRAM生产无关。对于市况，李培瑛认为，*近相关DRAM厂商的资本支出都倾向保守，尤其是韩厂，因此新增产能可能较预期少，所以第2季的状况可能与第1季差不多，如果伺服器的市况转佳，说不定会带动第2季比首季更好，下半年市况可望稍微好些。目前华亚科正陆续转

武汉新芯上马，中国存储的救世主？

昨日，总投资240亿美元的武汉新芯半导体厂正式动工，据官方预测，工厂建成后，产能预计会达到每月产能100万片。按照投资方的说法，他们的目标就是做行业龙头。这种语气和近年来在半导体行业“买买买”的紫光集团如出一辙。据武汉新芯发言人称，240亿美元的投资将分三个阶段部署，**家工厂专注NAND闪存生产，**家工厂专注DRAM芯片生产，第三个阶段的设施将专为供应商服务。武汉新芯和Spansion去年在建立合作关系的联合声明中称，首批产品将于2017年上市销售。新芯的出现，对于国内半导体行业，对于国内的DRAM产业来说，意味着什么？我们从NAND FLASH和DRAM的全球市场现状和存储的中国布局入手，一窥当中的玄机。存储产业的全球现状开始谈这个之前，我们先厘清一下NAND FLASH和DRAM的定义。NAND FLASHNand Flash是Flash的一种技术规格，基本存储单元是页（Page），NAND Flash的页类似硬盘的磁区，硬盘的1个磁区也为512位元组，而每页的有效容量是512位元组的倍数。所谓的有效容量是指用于资料存储的部分，实际上还要加上16位元组的校验资讯，因此用（512

拆解 iPhone SE，平价的真相是因为帮忙消耗零组件库存？

美光恐连续两季度亏损，毛利率只有19.7%

美国记忆体大厂美光昨（31）公布到3月3日为止的年度第2季财报，每股净损0.09美元，单季由盈转亏，并预估本季仍恐持续亏损。外界认为，美光连二季亏损，与该公司关系密切的华亚科（3474）短期营运将有压力。 受到DRAM价格与出货量都比上季滑落近一成的影响，美光第2季营收为29.34亿美元，季减12.4%，年减29.5%，影响其毛利率表现，仅19.7%，远不如前一季的25.3%，单季税后净损9,700万美元，每股净损0.09美元。美光预期，本季恐持续亏损，估每股净损0.05至0.12美元，营收约28亿至31亿美元。PC市况无太大起色，记忆体产业也面临需求持续疲软的困境。但美光强调，尽管市况不理想，该公司仍会持续发展DRAM与NAND Flash技术，并致力于改善成本结构，下半年该公司的竞争态势应可转佳。华亚科董事长暨南亚科总经理李培瑛日前表示，下半年有旺季需求，应会转好，可望达供需平衡。另外，*近DRAM厂的资本支出倾向保守，尤其是韩厂，所以新增产能可能比预期少，使得下半年市况可能好些。法人认为，即使供应端已有所节制，但市场需求的表现依然很差，加上相关DRAM厂正要开始摊提折旧2X新制程

三星18纳米DRAM投产　海力士、美光面临更大压力

三星电子(Samsung Electronics)开始量产18纳米DRAM，成本将可比目前的20纳米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等业者的DRAM制程都还停留在20纳米以上世代，三星电子未来在DRAM市场上，势必将更具价格竞争力。 根据韩媒ETnews报导，存储器半导体的价格越来越低，越快将成本压到比下滑的市场价格更低的话，才有利润能剩下，若降低成本的速度太慢，就会产生赤字。以目前看来，2016年美光*需担忧的就是赤字问题，因为美光没能成功地转换微细制程。而三星电子能比竞争对手创造出更多利润的原因，就是因为拥有成本竞争力的关系。DRAM的价格走势预计将持续下滑的走势。根据市调业者DRAM eXchange的数据显示，主要的DRAM(DDR3 4Gb 1333/1666MHz)价格从2014年11月为起点开始持续下滑。PC出货量减少，智能型手机的出货成长速度也变迟缓，所以预估DRAM价格的下滑趋势将会继续维持。专家预测，当DRAM的主力产品价格掉到1美元以下的时候，除了三星电子之外，其他业者都会有赤字发生。业界相关人士表示，由于三星电子进入

武汉新芯工厂将破土 中国芯片产业能否后来居上？

三星正式量产18nm工艺DRAM 内存价格或跌40%

全球DRAM内存市场垄断在了三星、SK Hynix及美光三家厂商中，在这其中三星是**梯队的，不论工艺还是产能、占有率都遥遥**其他两家，SK Hynix**，美光的工艺和产能*次。2014年率先量产20nm工艺的DRAM内存之后，三星如今再一次领跑，现在正式量产了18nm工艺内存芯片。只不过内存市场今年普遍看淡，随着厂商产能的提高，内存价格降幅甚至高达40%。 跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是从20nm进步到16/15nm，内存工艺这次只是从20nm进步到了18nm，线宽只缩小了2nm，是不是感觉没什么变化。 实际上并不是这样，虽然集成电路的生产制造过程都差不多，但具体到不同产品上又有很大不同。在20nm节点上，三星、SK Hynix及美光还可以使用45nm工艺级别的半导体印刷设备，但再往下就难了，工艺需要改进，三星已经开始启用双重曝光工艺，很多制造设备都是需要改进或者升级的。从20nm到18nm，三星的DRAM内存能效据称提升了20%。 现在的情况是，三星已经开始量产18nm工

国家存储器基地落地武汉东湖新技术开发区

传闻许久的国家存储器战略方案*终定案，由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资建设的国家存储器基地即将落地武汉东湖新技术开发区。项目总投资将达240亿美元。3月28日在武汉东湖存储器基地举行启动仪式。  从投资规模来看，这次国家存储器大战略中的产能规模预计20-30万片（按照10k产能，2D NAND-3D NAND 约7-9亿美元的投资预估），而主要产品也并非之前传言的主要发展DRAM方案，而是重点发展3D NAND，兼具一些2D NAND和DRAM产品。据悉，该项目技术以自研为主，其他关键技术来源目前还处于谈判阶段，可能合作的对象包括美光、IMEC等企业和机构。

无厂DRAM企业Sino King　意图革新商业模式

前日本尔必达(Elpida Memory)社长坂本幸雄开设IC设计公司Sino King Technology，指出目前半导体业界有四种公司：一，有高度研发生产能力的公司，如英特尔(Intel)；二，有高度研发能力如德州仪器(TI)或Sony；三，强调研发生产周期低成本如三星电子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix)；四，有先进生产技术的如台积电。 而Sino King Technology则是要成为不同于上述四种的第五类公司，以研发高度客制化存储器为重，不排除研发生产非属固态技术协会(JEDEC)定义产品，以日本与台湾的技术加上大陆的资金，建立新的高性能DRAM研发生产体系。JEDEC是半导体相关业者组成的业界团体，由其定义的共通规格存储器具有高度相容性；但缺点是标准化作业测试耗时耗资，而且韩国二大存储器厂三星与SK海力士全球市占率超过70%，新的存储器规格可说由韩国主导，对其他国厂商相对不利。实际上，购并了尔必达的世界第三大存储器厂美光(Micro)就有若干非JEDEC规格存储器产品，这条路并非不可行；客制化存储器可以省略标准产品的若干规定，缩短

中国培养不出半导体技术人才 日本专家说得对吗？

去年以来，中国企业大规模收购了全世界的半导体制造商���特别是紫光集团的收购攻势非常厉害。3月23日，日本BusinessJournal网一篇原题为《世界工厂中国，为什么培养不出技术人员，简要说就是做不到必要的开发和合作，还会偷懒》的文章被国内媒体摘译并转载，引发网友热议。文章对尔必达前社长与和合肥政府合作建设DRAM工厂做了介绍，认为中国的半导体技术人才具有偷懒、个人主义、缺乏忠诚感的劣根性，并认为中国无法培养出本土人才。该文作者是日本微细加工研究所所长汤之上隆，曾在日立制作所、尔必达存储器等企业任职，从事半导体技术开发工作长达16年。笔者认为，虽然文中描述的部分事实客观存在，但其主要观点与结论恐怕与事实不符。对中芯国际的描述有误导之嫌在文章中，汤之上隆称，曾在2007年拜访上海中芯国际，指出“这个公司在2000年4月成立的，之后，一次也没有获得可观的收益，一直处于低空飞行的状态。要是没有国家的援助的话，一定早早就倒闭了……访问中芯国际之后，感觉到*大的违和感是，经理是台湾人，几乎所有的技术人员不是日本人就是台湾人，中国人的技术人员只有极少的一小部分。”虽然汤之上隆的描述，在他2007年

武汉新芯新厂动土邀请函曝光！240 亿美元资金到位

日本东北大学，开发成功超高速小电流MRAM

日本东北大学2016年3月21日宣布，开发成功了可超高速动作的新型磁存储器（MRAM：Magnetic Random Access Memory）的基础元件，并实际验证了动作。该元件可兼顾迄今MRAM元件难以实现的小电流动作和高速动作。 三种自旋轨道力矩磁化反转元件构造。（a）与（b）为以前的构造，（c）为此次开发的构造（该图摘自东北大学的发布资料） （点击放大）PC及智能手机使用的SRAM及DRAM等半导体存储器，因构成元件的微细化，性能获得了提高，但随着微细化的进一步发展，其耗电量增大的问题显现出来。而以磁化（N极/S极）方向来存储信息的MRAM具有出色的微细化特性、不消耗电力的非易失性、与现行SRAM/DRAM有相同的高速特性以及无限次擦写特性等，作为半导体存储器的替代技术而备受期待。*近20年，经过从基础研究到应用的广泛研发，部分MRAM已开始了实用化。2011年，由电流引起的基板垂直方向磁流（自旋流）的“自旋轨道力矩磁化反转”现象为实验所证实。人们知道这种方式有两种构造，一种是（a）磁化朝着与基板垂直的方向（Z轴方向），另一种是（b）在基板内与电流垂直的方向（Y轴方向）。但是

武汉新芯新厂 重点主打3D-NAND Flash

大陆半导体厂武汉新芯将在月底前进行新内存晶圆厂动土，市场传出武汉新芯将兴建新DRAM厂，对国内DRAM厂南亚科、华邦电等将造成冲击。不过，市调机构集邦科技昨日指出，武汉新芯主攻NAND Flash市场，新厂在2018年量产后，将以生产3D-NAND Flash为主。集邦表示，武汉新芯新建内存晶圆厂将从3月底开始进行建厂工程，目标*快在2018年年初开始生内存芯片，初期规划将以目前*先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展内存产业的态势下，将开始进入新的里程碑。集邦科技旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。不同于国际NAND Flash大厂均自行建厂及生产，没有对外授权，武汉新芯选择与飞索半导体（Spansion）共同合作开发3D-NAND Flash技术，并在去年完成初期芯片电气测试后，持续往更高的堆栈数迈进，目标2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的产品，来切入高成长性的NAND Flash存

芯片采2.5D先进封装技术　可望改善成本结构

目前在全球半导体产业领域，有业界人士认为2.5D先进封装技术的芯片产品成本，未来可望随着相关产品量产而愈来愈低，但这样的假设可能忽略技术本身及制造商营运管理面的诸多问题与困境，可能并非如此容易预测新兴封装技术产品的未来价格走势。 据Semiconductor Engineering网站报导，随着2.5D先进封装技术进行测试，来自芯片制造商及设备供应商*普遍的声音，即认为用来在封装技术中连结各类晶粒的中介层(interposer)成本太高，或是认为光罩成本高到无法以14纳米或16纳米制程，开发复杂的平面式(planar)系统单芯片(SoC)；或是认为矽绝缘层金氧半电晶体元件(FD-SOI)比28纳米空白矽晶圆(Bulk Silicon)还贵等。但上述观念可能有些误导，即使更复杂的SoC有一定程度增加生产成本，但实际上也有部分节省成本之处，有些甚至还可以大幅节省成本开支。随着**代高频宽存储器(HBM2)的推出，其不论价格、效能及功率均低于DRAM，外观尺寸同样明显较小。对此，SK海力士(SK Hynix)技术行销**经理Kevin Tran指出，4颗芯片堆叠、采2.5D封装技术的HBM2

IC工艺制程竞赛升级 下一个爆发点值得期待

莫大康全球半导体业己进入逻辑工艺16/14纳米制程及NAND闪存的1z纳米的量产，其中英特尔、三星、台积电及东芝、美光等多家正同台亮相，未来在“定律”的驱使下进入10纳米制程，争夺非常激烈，各家都认为可以**对手。先进制程争夺激烈据报道，台积电在2015 Q3宣布16纳米量产后，它首先声称2016年内量产10纳米。而当三星声称可在2016 Q4量产时，台积电马上又称进程可能提前。相比之下英特尔总显得步伐似乎慢了一点，它声称10纳米要到2017年才能量产。实际上其中含有各家的舆论宣传技巧，因为至此产业界对于特征尺寸的定义并非有统一标准，也即三家说的所谓10纳米，未必是同样的东西。近期权威机构Chipworks作了客观比较，它认为英特尔14纳米的栅极间距为70纳米，内部互联*小间距为52纳米，这两项指标分别比22纳米时缩小了22％、35％。相比之下，台积电16纳米、三星/GF 14纳米的栅极间距分别是90纳米、78纳米，前者只相当于英特尔22纳米的水平，后者也略弱一些，而内部互联*小间距则都是64纳米，相比于英特尔大了23％。所以全球半导体工艺制程尺寸的历程，英特尔肯定是走在前列，至今对于

合肥建中国*大DRAM厂

1.日月光并矽品 将发动三度收购;2.日月光并矽品／还没拍板 订单先跑光;3.量子电脑破解公开金钥加密机制;4.大陆台湾日本“联姻”成功，共建中国*大DRAM厂;5.锁定四大方向调整体质　台湾IC设计力拚转型;6.大基金助力紫光660亿元投资厦门半导体 老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow 1.日月光并矽品 将发动三度收购;日月光**次公开收购矽品案，本周四（17日）为截止日，由于公平会无法在收购截止日前做出决议，此次收购案恐破局，但日月光仍有意在市场继续收购矽品股权，预计将手中持股增至矽品总股数的三分之一以内，在金管会同意以特殊原因让日月光再次提案之后，日月光也酝酿发动第三次收购矽品股权计画。据悉，日月光的第三次公开收购矽品计画，条件将比照**次收购案不变，亦即以每股55元公开收购矽品普通股，*高收购数量为7.7亿股，占矽品普通股数约24.71%，*低收购数量1亿5,581万8,056股，占比5%，日月光将静待公平会*迟在5月1日前对日月光与矽品结合案的决议，一旦公平会通过结合案，加上金管会同意让日月光重启公开收购矽品，日月光就会

华邦电子总经理詹东义　华邦锁定高阶市场获利创佳绩

主打**供应商与产品品质策略奏效，华邦电子2015年获利稳定成长，并创下近五年来新高。尽管外界普遍认为DRAM市场趋向保守，但华邦将秉持深耕**供应商客户、提升产品品质之营运策略，预估2016年营收可望持续稳定成长；并将自行开发制程技术，于2017提供客制化产品，再拓市场版图。 华邦电子总经理詹东义表示，主打**供应商与产品品质之策略开始发酵，未来该公司营运可望维持稳定。华邦电子总经理詹东义表示，华邦主要市场营运策略为提升产品品质及附加价值，而非采取削价竞争的路线。目前众多业者都在追逐中国市场，甚至纷纷到中国设厂，但中国并不代表全球市场，全世界市场至少还有70～80%是来自于欧美日韩。华邦这几年的生意模式便是努力经营世界各地的**供应商，并致力提升产品品质，主打高阶市场，高阶市场对产品品质的需求，是增进华邦营收的主要驱动力。 华邦电子2015年第四季合并营业收入含新唐科技等子公司约为新台币98亿4千万元，较前一季增加3%；营业毛利率为31%；记忆体事业群部份，利基型记忆体(Specialty DRAM)占第四季营收51%，较前一季增加1%，表现持稳，而车用及工业应用的出货量及营收贡献持

创见束崇万：SSD即将成主流　可弥补随身碟市场

存储器模组厂创见资讯董事长束崇万表示，SSD固态硬碟取代传统硬碟的速度越来越快，随着存储器大厂之间的合并案越来越烈，SSD将成为主流，这件事情一定会发生，SSD时代真的要来了。 SSD应用多为工控市场，质现在其实越来越成熟，MLC(多层式储存)价格上涨，价钱高30%以上，速度、可靠性都好很多，TLC(三层式储存)则用于一般消费用产品。工控SSD很多不同规格，而创见4月起将进军TLC SSD消费市场，今年SSD相关应用希望有20%以上比重。束崇万表示，MLC SSD可靠度其实是普遍被接受的，价钱比较贵，而TLC SSD在认证上可靠性还不是很好，但问题*近都解决了，韩系大厂三星电子(Samsung Electronics)也是*近才解决这些问题。创见目前毛利稳定，工控领域有很稳定收入，今年跟去年相比，营收小幅下滑，获利则差不多，毛利率从约20.4%下降至18.9%。创见展望2016年，营收会持续成长，毛利率希望可以维持，同时也希望通路能够增加，逐步把SSD导入，工业用领域很有信心可以逐步成长。2015年SD、USB、micro SD衰退，卡碟类衰退约25%，现在创见产品营收占比剩35%，主

武汉新芯12寸DRAM厂28日动工;

武汉新芯12寸DRAM厂 28日动工

大陆记忆体业新秀武汉新芯廿八日将举行旗下首座十二寸DRAM厂建厂动工仪式。武汉新芯挟官方资金与国家集成电路产业发展基金（大基金）支持，向全球宣示大陆建立自主记忆体技术与制造的决心。 这是继紫光集团进军记忆体领域、酝酿收购多家国际大厂之后，大陆于记忆体领域又一次大动作布局。武汉新芯此十二寸DRAM厂建厂，是大陆首度凭藉自有资金的记忆体晶片建厂案，牵动全球记忆体板块移动，业界高度关注 。业界人士指出，先前大陆业者进军LED、面板、触控等产业，挟官方资源撑腰下，大举扩产，使得这些产业都陷入杀价竞争、供过于求的窘境。武汉新芯进军DRAM产业，大举建厂，加上紫光和合肥市政府后续也都有意在大陆盖DRAM厂，反映大陆力攻记忆体的旺盛企图心，是否会让DRAM产业重蹈LED、面板、触控的覆辙， 使市场陷入红海，乃至威胁南亚科、华邦等台湾厂商，都不容小觑。据悉，武汉新芯稍早也曾争取与三星、ＳＫ海力士及美光等大厂技术合作，但未获三大厂同意，武汉新芯因而改采自主研发与盖厂方式进行。DRAM专业研调机构集邦科技表示，武汉新芯成立于二○○六年，是湖北省与武汉市的重大战略投资项目，先前曾与大陆晶圆代工龙头中芯国际一

南亚科业绩 看旺到Q3

合肥建中国*大DRAM厂

1.日月光并矽品 将发动三度收购;2.日月光并矽品／还没拍板 订单先跑光;3.量子电脑破解公开金钥加密机制;4.大陆台湾日本“联姻”成功，共建中国*大DRAM厂;5.锁定四大方向调整体质　台湾IC设计力拚转型;6.大基金助力紫光660亿元投资厦门半导体 老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow 1.日月光并矽品 将发动三度收购;日月光**次公开收购矽品案，本周四（17日）为截止日，由于公平会无法在收购截止日前做出决议，此次收购案恐破局，但日月光仍有意在市场继续收购矽品股权，预计将手中持股增至矽品总股数的三分之一以内，在金管会同意以特殊原因让日月光再次提案之后，日月光也酝酿发动第三次收购矽品股权计画。据悉，日月光的第三次公开收购矽品计画，条件将比照**次收购案不变，亦即以每股55元公开收购矽品普通股，*高收购数量为7.7亿股，占矽品普通股数约24.71%，*低收购数量1亿5,581万8,056股，占比5%，日月光将静待公平会*迟在5月1日前对日月光与矽品结合案的决议，一旦公平会通过结合案，加上金管会同意让日月光重启公开收购矽品，日月光就会

存储器芯片厂 全衰退

记忆体晶片厂2月业绩陆续公布，受工作天数减少等影响，普遍较元月衰退，南亚科（2408）为33.4亿元，月减11.1%；华亚科暂估为34.11亿元，月减6.2%；旺宏、华邦电则分别月减3.2%、7.3%。 目前DRAM市场价格仍呈现缓跌趋势，南亚科2月营收较去年同期减少15.7%；前二月合并营收为70.97亿元，年减10.7%。虽然到第2季，DRAM价格恐怕仍难逃跌势，不过由于高单价的产品销售比重提高，因此外界预期南亚科首季平均销售单价下滑的幅度，会比原先预期好，大约落在5%左右，有助毛利率相对有撑。华亚科2月业绩暂估年减42%。该公司第1季因20奈米制程产出明显增加，成本结构可望改善，到第2季底时，投片会全数转换为20奈米制程。旺宏2月合并营收为16.29亿元，年增14.8%；前二月合并营收为33.11亿元，年增10.8%。旺宏由于12寸厂折旧金额降低，每季约仅5亿元，编码型快闪记忆体（NOR Flash）与储存型（NAND Flash）业务也持续成长，加上努力控制库存，力拚今年下半年转亏为盈。

存储器龙头还不够　三星瞄向系统半导体王座

三星电子(Samsung Electronics)稳坐存储器市场龙头地位，更进一步觊觎系统半导体的全球王座。2015年移动应用处理器(AP)市场排名已超越大陆业者展讯通信上升到第四位，在数据芯片市场排名也提高。 根据韩国经济报导，依市调机构Strategy Analytics(SA)的资料显示，三星2015年AP市场排名超越展讯，上升到第四位。三星AP营收在2014年为8.6亿美元，到2015年成长为2倍达17.3亿美元。排名依序为**名高通(Qualcomm)、**名苹果(Apple) 、第三名联发科、第五名展讯通信。三星自家AP品牌Exynos，搭载于Galaxy S6、Galaxy Note 5、Galaxy S7等系列。2015年1月首度以14纳米制程量产Exynos 7 Octa，技术实力因而受到肯定。2016年又再接再厉以升级的**代14纳米制程量产Exynos 8 Octa。此外，三星也宣布以14纳米制程生产中低阶移动AP Exynos 7870。外界评论三星挟14纳米制程的实力，让系统LSI事业部2015年移动AP出货量成长2倍，甚至威胁市场霸主高通。值此同时，三星开始

大陆台湾日本“联姻”成功，共建中国*大DRAM厂

还记得「尔必达」这家昔日全球DRAM巨擘吗？因不敌三星电子等韩厂蚕食，尔必达于2012年申请破产、之后被美国美光(Micron)收购，而坂本幸雄也成为尔必达的末代社长、在尔必达被美光收购后就辞去社长一职以示负责。不过坂本幸雄要开始踏上复仇之路了，此次将携手台湾、中国大陆之力，在安徽合肥打造大规模内存厂，力抗三星等厂商。 日经新闻11日报导，由坂本幸雄所设立的半导体设计公司「Sino King Technology(以下简称SKT)」已和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，Sino将主导合肥市政府总额高达8,000亿日圆的大规模半导体工厂兴建企划，Sino将在上述工厂的设备导入、制定生产计划等项目中扮演重要角色。 上述新工厂将生产由Sino所设计研发、具备低耗电力的次世代内存(DRAM)，目标为在2018年下半启用量产，以12寸晶圆换算的月产能达10万片，产能规模同于「旧」尔必达时代的旗舰工厂「广岛工厂」、预估将成为中国*大规模的DRAM厂；因看好物联网(IoT)商机，故Sino已开始研发使用于家电等IoT产品所必需的低耗电力DRAM技术，而目前DRAM市场虽由三星、SK Hynix以

【拆解】中国智能手机再现潜力股，一加或成小米**

笔者之前介绍过，中国综合家电厂商步步高集团旗下有一家智能手机子公司欧珀（品牌为OPPO，参阅本站报道：智能手机薄型化竞争不停歇，进入4mm时代）。以前步步高自己也以“维沃”（Vivo）品牌开展智能手机业务，但现在作为维沃电子独立出来了。欧珀和维沃电子均以厚度约为5mm的超薄智能手机为卖点实现了迅猛增长，在中国智能手机市场占据一席之地。 令人意外的是，欧珀又成立了一家新的子公司——万普拉斯科技（OnePlus，一加科技），也是负责制造和销售智能手机。此次就来介绍一下像刚成立时的小米一样，凭借性价比优异的产品受到瞩目的中国智能手机界的新星——万普拉斯科技的“一加2 A2001”。一加2 A2001的外观后盖内侧还有一个盖，实现了普通薄型终端无法实现的牢固结构。背面记载的信息※本文的终端和图片由加拿大Chipworks提供，在此表示感谢。一加总部位于广东，是其母公司欧珀的副总裁刘作虎于2013年从欧珀辞职后创建的（高通网站上刊登的刘作虎采访）。与其母公司欧珀不同，一加好像并没有特意追求终端的薄型化。此次拆解的一加2 A2001的厚度为9.85mm，与凭借4mm多的厚度展开竞争的OPPO手机采

2015年韩国半导体出口**高 今年面临考验

2015年南韩半导体出口金额自2014年626亿美元增加3亿美元至629亿美元，连续2年**高，然因进口金额自365亿美元增加18亿美元至383 亿美元，在进口增加金额大于出口增加金额的情况下，南韩半导体顺差金额由261亿美元减少至246亿美元，DIGITIMES Research观察，2016年南韩存在DRAM等记忆体价格不易止跌回稳，及三星电子（Samsung Electronics）面临台积电抢攻苹果（Apple）应用处理器（Application Processor；AP）代工订单等考验，将使得南韩半导体出口金额续创高难度增加，且顺差金额恐再减少。 南韩半导体出口金额占资通讯 （Information & Communication Technology；ICT）出口金额比重在3成以上，2015年南韩ICT出口金额自2014年1，762亿美元相对高点下滑至1，729亿美元，反 观南韩半导体出口金额却自626亿美元增加至629亿美元，可知南韩半导体出口表现优于ICT出口表现。南韩因以记忆体为其半导体出口大 宗产品，故将半导体贸易统计区分为记忆体与非记忆体两大项，2015年南韩记忆

替代闪存的存储新技术有哪些？

近十年来，在高速成长的非易失性存储器(NVM)市场的推动下，业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术，以替代闪存技术，更有效地缩小存储器，提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM(PRAM)或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。 新一代存储技术显现“多、快、省”特点 MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，基本上可以无限次重复写入。其设计原理非常诱人，它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的，从而使其具备二进制数据存储能力。MRAM的主要缺点是固有的写操作过高和技术节点缩小受限。 为了克服这两大制约因素，业界提出了自旋转移矩RAM(SPRAM)解决方案，这项**技术是利用自旋转换矩引起的电流感应式开关效应。尽管这一**方法在一定程度上解决了MRAM的一些常见问题，但还有很多挑战等待研究人员克服，如自读扰动、写次数、单元集成等。 目前，MRAM只局限于4Mb阵列180nm工艺的产品。另

三星跻身全球第四大智能型手机AP供应商

三星电子(Samsung Electronics)在全球智能型手机应用处理器(AP)市场市占大幅提升，已跻身前五名。三星目前在DRAM和NAND Flash**全球，但于智能型手机AP市场销售表现相对弱势。 根据Business Korea报导，市场研调公司Strategy Analytics于2月28日发布报告指出，全球智能型手机AP市场于2015年衰退4%，达201亿美元。高通(Qualcomm)以42%市占稳居龙头宝座。苹果(Apple)和联发科则以21%和19%市占分居**、第三名。三星排行第四，展讯排名第五。苹果并未直接生产其智能型手机AP，而是委由台积电代工。Strategy Analytics表示，三星LSI垂直整合半导体和智能型手机部门，已对高通造成强烈竞争。据DRAMeXchange数据显示，三星自行开发的Exynos芯片2015年出货量已达5,000万颗。三星电子于2015年共出货3亿支智能型手机，其中有15%搭载自家智能型手机AP。8核心Exynos芯片是针对高阶手机而设计，目前仅在Galaxy S6、Note 5等旗舰机上使用。

【拆解】中国智能手机再现潜力股，一加或成小米**