三星主导调涨报价策略 DRAM厂商有望重掌号令

三星主导调涨DRAM报价策略奏效，全球市场研究机构TrendForce集邦科技*新DRAM现货报价连四天缓步上扬，主流DDR4 4Gb DRAM有机会向2美元叩关，也是近2个月来涨势*明确的半导体重要元件。DRAM厂商包括南亚科、华邦、威刚及宇瞻等，可望重掌多头反攻号令。存储器渠道商表示，三星和SK海力士近期主导价格涨势态度积极，除8月调涨DRAM报价，第4季合约价也再涨一成，连同第3季合约价调涨15%，等于下半年涨幅约25%。2大韩系DRAM大厂的市占逾八成，主导DRAM涨价策略奏效，已激励现货报价连四天上扬，集邦*新DRAM报价，主导DDR4 4Gb DRAM单日*高价已达每颗2.2美元，虽然均价在1.86美元，但业者预期随买盘升温，很快会站稳2美元之上。至于应用于其他工控和网通及消费产品的DDR3 2Gb及4Gb DRAM，涨势虽未DDR4强势，但也呈现缓涨态势。渠道商分析，两大韩系业者涨价，三星希望能稳住获利，弥补Note 7回收的损失，各品牌手机为因应高解析影响处理和储存需求，新机搭载DRAM和NAND容量都大幅提升，也是“涨价有理”的关键。例如苹果iPhone 7的DRAM

大陆五大半导体厂扩产　半导体设备采购金额年增68%

SEMICON Taiwan 2016将于7日开幕，受惠台积电持续投资先进制程，台湾仍是蝉联全球设备采购**名，值得注意的是，大陆2016年大陆采购金额达44.38亿美元，年增率高达68%，推测受惠联电厦门厂、中芯国际北京厂、英特尔(Intel)大连厂、三星西安厂、武汉新芯五大半导体厂扩产所致。 根据SEMI估计，全球半导体设备采购金额约219.96亿美元，年减2%，其中台湾2016年的设备采购金额高达55.42亿美元，年增率3.9%，主要是台积电**布局先进制程的贡献。值得注意的是，大陆2016年的设备采购金额高达44.38亿元跃升全球**，年增率达68%，该数字惹人注目。韩国虽然名列2016年全球半导体设备采购第三名，采购金额为37.71亿元，但相较2015年却是衰退30.4%；除了韩国以外，日本、欧洲、北美等地区2016年的半导体设备采购金额也是下滑。在半导体材料采购方面，2016年全球半导体材料市场规模约441亿美元，2016年台湾以96.2亿美元夺冠，预计2017年约97.5亿美元，其次是大陆的采购约65亿美元，2017年约67.9亿美元，第三名则是韩国，2016年采购金额约

DRAM报价连两个月回升，SK海力士有望登一年高

DRAM记忆体报价在第三季止跌回升，南韩三星、SK海力士等记忆体大厂营收有望受惠。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新报价显示，DDR3 4Gb颗粒现货均价八月涨2.99%，再前一个月更是弹升7.2%。DRAMeXchange指出，DRAM报价连两个月上涨，为近两年半来首见，让分析师进一步看好记忆体后市展望。DDR4 4GB均价八月同步上涨3.7%。据券商KTB Investment & Securities预测，DRAM报价第四季至少将再涨十趴。另外KTB还看好SK海力士第三季营业利润将较前季成长23.9%。（Koreherald.com）嘉实XQ全球赢家报价显示，截至下午1时35分(GMT+8)止，SK海力士于韩股盘中跳高1.85%、暂报38600韩圜。若以此收盘，将创2015年7月以来新高。

三星带头涨价 DRAM价格冲高

DRAM与NAND Flash大涨价，在三星、SK海力士两大韩国重量级业者主导下，第4季DRAM将再涨价逾一成，累计下半年大涨逾25%，涨幅*凶猛，NAND同步跟进，华邦、南亚科、群联等营运喊冲。存储器通路商表示，三星新款智能机Note 7惊传电池爆炸意外，集团营运压力大，肩负三星集团获利逾八成重担的半导体部门，决定拉升DRAM和NAND售价，希望借此抵销庞大手机回收造成获利下滑的压力;眼见三星大涨价，SK海力士也趁势调涨价格。三星和SK海力士先前已陆续于8月调涨DRAM报价，通路商透露，近期二大韩系厂再通知客户，9月和第4季涨势持续，显示二大存储器芯片厂已不乐见DRAM价格长期低迷，趁下半年手机厂、笔电厂和伺服器厂都为新产品布局，买气加温时，同步拉升DRAM和NAND售价，以DRAM涨势*为明显，继第3季合约价涨价15%之后，第4季会再调涨10%。存储器通路商分析，两大韩系业者持续涨价，除了三星希望能稳住获利，弥补Note 7大量回收的损失之外，各***手机为因应高解析影响处理和储存需求，新机搭载DRAM和NAND容量都大幅提升，也是“涨价有理”的关键。例如苹果iPhone 7新机的

制程微缩产能损失大 明年下半年DRAM将爆新行情？

明年下半年DRAM供给可能会供不应求，韩媒指出，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热行情。BusinessKorea 12日报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过2017年DRAM每月产量将减少2万组，从当前的105万组、2017年降至103万组，主要是制程转换造成产能减少。不仅如此，产程转换的供给成长率以往大约是30%，2017年成长率可能减至10%，加剧供给不足问题。据了解，明年上半年是淡季，DRAM可能会略为供给过剩。不过随着美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)转进20纳米，产出减少；下半年传统旺季到来时，业者又未增加投资，DRAM将由供给过多变为供给不足。业界观察家预期，明年整体DRAM产品价格将下滑9.8%，DRAM成本减幅更大、约为18%，意味厂商仍有利润。有报道，DRAM存储器报价在今年第三季止跌回升，韩国三星、SK海力士等存储器大厂营收有望受惠。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange*新报价显示，DDR3 4Gb颗粒现货均价八月涨2.99%，

笔电SSD搭载率持续攀升，2018年后有望突破五成

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)调查显示，2016年第三季主流容量PC-Client OEM SSD合约均价，MLC-SSD季涨幅约0~0.5%，TLC-SSD则小跌0~1%，一年来**出现价格持平。虽然下半年传出SSD供应链供货吃紧的杂音，今年笔记本电脑SSD搭载率仍将一举突破30%水平，2017年至2018年则有望挑战50%大关。DRAMeXchange**研究经理陈玠玮表示，由于**季工作天数增加、多家笔记本电脑品牌渠道库存顺利去化，及新机上市需求带动，**季全球笔电出货季成长约8.2%，笔电固态硬盘出货量则季增长约24%。此外，虽然TLC Flash价格 5、6月份大涨并出现供货吃紧的现象，**季渠道市场固态硬盘出货仍季增长达12%，主要受惠工作天数回升与库存充足的影响，表现优于预期。DRAMeXchange统计今年**季笔记本电脑固态硬盘搭载率约32～33%，而整体消费级固态硬盘总出货量为2830万颗，季成长15~20%。展望第三季，由于NAND Flash供给吃紧，且TLC Flash价格处高位，恐造成PC-OEM市场与

全球半导体行业回暖 新型存储器成我国“芯”机遇

国际半导体协会（SEMI）公布数据显示，7月北美半导体设备订单出货比（B/B值）为1.05，并已连续8个月守稳在1以上，表明全球晶圆代工厂与存储器设备投资加快。另外，今年全球主要集成电路制造企业的资本支出呈正增长。机构预计，今年全球集成电路产业或将触底回暖。数据显示，2016年至2017年，全球预计新建晶圆厂19座。其中，10座将建于我国，全球半导体产能正加速向我国转移。机构预计，到2019年，我国集成电路企业销售额增速将维持在25%至30%。存储器是半导体产业资本支出*高的领域，占整个行业的38%。存储器作为我国集成电路支柱产业，目前主要依赖进口。数据显示，仅去年前三季度，我国采购了120 亿美元的DRAM 和66.7 亿美元的NAND flash，分别占到全球消费量的 21.6%和29.1%。存储器是我国半导体行业四大产品类型中自给率*低的一个，未来具有较大的发展空间。目前，我国正斥巨资启动国家存储器战略。今年3月，总投资240亿美元的存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动。据了解，这一存储器基地项目的主要产品为3D NAND，预计到2020年将形成月产能30万片的生产规模，到20

DRAM厂爱普公开收购力积　每股14.5元收购50~100%股权

移动DRAM厂爱普科技2日召开重大讯息记者会表示，将以每股新台币14.5元价格公开收购利基型DRAM厂力积电子，爱普董事长谢再居表示，公开收购力积电子股权50~100%的计划，于2日晚上6点经过爱普董事会正式通过，由于两者规模相当、产品互补，可共同拓展物联网商机。 谢再居表示，收购计划主因系爱普、力积两家公司规模差不多，也是同样在DRAM存储器领域，爱普科技一直以来着重于移动通信用存储器，过去生意模式也非常成功，而力积电子着重在利基型、消费电子产品、网通、PC周边等市场，市场分割方面有互补作用。谢再居补充说明，力积在日本有研发团队，爱普则在美国有研发团队，未来透过这两边与台湾RD的团队合作，可以拓展在所谓物联网时代的商机。经由爱普董事会正式通过后，也希望能够得到力积电子股东们的肯定。爱普财务长林郁昕表示，预计**阶段完成后可以取得50%以上股权，预计100%收购可在2017年完成。据表示，本次收购期间自2016年9月6日至10月25日止，被收购之力积电子有价证券数量为67,953,344股(预计公开收购之*高数量)，预定收购之有价证券价格:每股新台币14.5元。

外资看好记忆体市场需求 调高美光建议价格至每股20美元

继上周日系外资提高存储器厂美光(Micron)自每股16元的目标价到每股20元之后，30日另一家美系外资的*新研究报告也指出，在当前DRAM市场价格逐步回稳的情况下，加上美光逐步降低成本、提高每股获利的转变，也将美光的目标价由原本的每股18美元，提高至每股20美元的价位。该外资报告一开始便提及，看好2016年以来DRAM市场的回温与产品价格的回稳，而且实际上的表现还比当时预估的要好一些。不过，在当前许多供应商的产能不足的情况下，2017年DRAM的供应依旧是吃紧的。尤其，是在3D NAND闪存进入需求旺季的情况下，即便是2017年DRAM的产能有机会提高20%，对市场来说依旧是供不应求的情况。这样的市场状况，对于美光来说，虽然过去的18个月表现不如竞争同业，不过整体的表现已经大幅提升。加上整合了过去尔必达与美光本身晶圆厂的制造技术，将其DRAM制造技术往前推进至20纳米的制程上，如此降低生产成本，加以提高每股获利的情况下，短期间虽然不期待美光能赶上韩系竞争同业的利润水准，但是在未来几季内有机会将差距拉近。在报告中进一步指出，美光在本季的DRAM业务已经逐渐好转，而且在逐步提高毛利率的情

2016 DRAM市场回温优于预期 美光赢得外资青睐

继上周日系外资提高存储器厂美光(Micron)自每股16元的目标价到每股20元之后，30日另一家美系外资的*新研究报告也指出，在当前DRAM市场价格逐步回稳的情况下，加上美光逐步降低成本、提高每股获利的转变，也将美光的目标价由原本的每股18美元，提高至每股20美元的价位。 该外资报告一开始便提及，看好2016年以来DRAM市场的回温与产品价格的回稳，而且实际上的表现还比当时预估的要好一些。不过，在当前许多供应商的产能不足的情况下，2017年DRAM的供应依旧是吃紧的。尤其，是在3D NAND闪存进入需求旺季的情况下，即便是2017年DRAM的产能有机会提高20%，对市场来说依旧是供不应求的情况。这样的市场状况，对于美光来说，虽然过去的18个月表现不如竞争同业，不过整体的表现已经大幅提升。加上整合了过去尔必达与美光本身晶圆厂的制造技术，将其DRAM制造技术往前推进至20纳米的制程上，如此降低生产成本，加以提高每股获利的情况下，短期间虽然不期待美光能赶上韩系竞争同业的利润水准，但是在未来几季内有机会将差距拉近。在报告中进一步指出，美光在本季的DRAM业务已经逐渐好转，而且在逐步提高毛利率的

三星承包Q2全球61.5%移动DRAM市场

iPhone 7主板疑似曝光；三星承包Q2全球61.5%移动DRAM市场；

高启全任长江存储COO,,台湾DRAM业恐现逾百人才出走潮

创见宇瞻等存储器模组厂看好Q3预期Q4

存储器模组厂第3季迎旺季，NAND Flash与DRAM的价格回升，需求也相对转佳，预期有助于创见、宇瞻、威刚等业者第3季的营运表现。创见目前主攻工控、策略性产品，固态硬盘(SSD)销售表现也颇佳，工控与消费型SSD占其业绩比重到6月时合计已占16%。该公司7月工控产品占业绩比重已达35.2%，消费性Flash产品则占33.3%，而策略性产品则占18.7%，标准型DRAM产品仅占12.8%。法人预计，第3季Flash供应短缺，使得价格走扬，厂商不需被迫低卖，创见本季营收表现可望比第2季好，毛利率可能持平，有助于本业获利提升，整体下半年业绩有望优于上半年。另外，在宇瞻方面，同样受惠于Flash缺货，且标准型DRAM价格已回升，对毛利有正面助益。目前宇瞻的Flash业绩占比为67%，DRAM则为33%，法人认为，该公司先前提高库存水位，迎接旺季商机，第3季的营收与获利同样可望比第2季成长。对于第4季存储器市况，模组厂认为，还有机会比第3季更好，因为从需求面看来，都是从第3季开始热身，接着第4季与隔年第1季的需求都算强劲。今年Flash从第2季起涨，第3季延续涨势，第4季可能较为和缓，而DR

韩系DRAM厂传晶圆报废 合约价酝酿调涨超过10%

　全球DRAM大厂进行产能调整带动价格止跌反弹，日前再度传出韩系半导体大厂21纳米制程报废3~5万片，导致产能缺口再扩大，存储器大厂酝酿大手笔调涨合约价，4GB模组将从12.5美元调涨至14美元，涨幅超过10%，下游模组厂已闻风将现货价调高至13.5美元，然也象征存储器转进先进制程难度恐越来越高，让大陆有机会急起直追！ 全球DRAM产业朝三条脉络发展，**是转进**制程速度直线前进，陆续转进18纳米、20纳米和21纳米制程技术；**是持续朝产品多元化布局迈进，陆续分散在标准型存储器PC DRAM和低功耗移动式存储器LPDDR/Mobile RAM；第三是大陆存储器部落的崛起，对全球存储器产业埋下不确定因子。受惠苹果新款手机问世前备货，加上大陆中**智能手机也消化不少货源，DRAM价格止跌反弹，带动现货价和合约价缓步调涨，这点让上半年财报亏损又全球大裁员的美光有喘一口气的机会。日前再度传出，韩系半导体大厂21纳米DRAM制程有报废晶圆约3~5万片产能，市场一度传出是良率不佳导致，但业界透露，这次应该与良率无关，因为良率低不致于让全数产能都报废，应该是晶圆厂的产线出问题所致。存储器业者表示

三星承包Q2全球61.5%移动DRAM市场：主要靠中国厂商

北京时间8月17日消息，据韩国媒体报道，*新数据显示，受来自中国智能手机厂商的订单增加推动，三星电子**季度在全球移动DRAM（动态随机存取存储器）市场的份额创下历史新高。据行业追踪机构DRAMeXchange的数据，三星电子承包了4月至6月全球移动DRAM市场61.5%的份额，环比增长了1.1个百分点。**季度，三星售出价值24.2亿美元的移动DRAM产品，较三个月前增长19.4%。另一家韩国芯片厂商SK海力士**季度斩获25.1%的市场份额，售出了9.88亿美元的移动DRAM产品。美国的美光公司份额为11.4%。**季度全球移动DRAM市场的营收增长了17.2%，三大厂商均从中受益。DRAMeXchange称，华为、Oppo和Vivo推动中国智能手机出货量提升，以及移动DRAM供应量小幅增长是主要的推动力。

Marvell 扩展其屡获殊荣的SSD产品系列

原标题：Marvell 扩展其屡获殊荣的SSD产品系列，为新一代超薄、高性能计算设备推出先进的BGA SSD控制器 集微网消息，2016年8月10日，北京讯 – 为存储、云基础设施、物联网（IoT）、互联和多媒体应用提供半导体解决方案的全球领导厂商美满电子科技（Marvell，Nasdaq：MRVL）今日宣布拓展SSD产品线，推出88NV1160高速非易失性闪存（NVMe）DRAM-less SSD控制器。Marvell的88NV1160 DRAM-less SSD控制器提供行��**的每瓦性能，及高达1600MB/s的读取速度。88NV1160可以可用于BGA封装的SSD，用于支持9x10mm这样的小封装，客户可用于实现M.2230和M.2242。这些特性使88NV1160针对新一代的超薄计算设备而优化，如平板电脑和超极本。这款新的控制器现在已可为全球主要客户提供样片。Marvell SSD事业部副总裁David Chen表示，“作为全球**的存储控制器供应商，Marvell为市场提供*****的历史由来已久，包括前瞻性地将主机存储器缓存技术（HMB）集成到DRAM-less产品中。M

假帐、秃鹰、公司治理、政治化　群联事件有如震撼弹

存储器模组大厂金士顿(Kingston)创办人孙大卫曾下过一个注解，“存储器模组厂挂牌是不道德的！”对照上周五发生群联电子突遭到检调大规模搜索一案，此话现在看来是一语中的，但也道尽该产业的辛酸苦楚！ 为什么存储器模组产业挂牌是不道德的？孙大卫曾解释，存储器价格波动是无法预测的，公司挂牌后要对投资人公开对未来营运的展望和价格走势预估，根本是难如登天，既然一定要交代，就会有很多预测的成份在里面，这对买股票的小股东根本不公平。群联董事长潘健成在事发后把所有责任一肩扛下，充分展现他一路走来敢说、敢冲、敢当的鲜明个性。他表示，这十多年来他也常在想，“究竟是要把公司经营的很平庸？还是放手一冲？”这样的矛盾情结或许一直都在，但前者永远不会是潘健成的选项。公司治理和诚实揭露原则，有其严谨和不可越矩的规范，群联与子公司往来的帐务并未依法揭露，确实是违背公司治理的规范，也不能因为这是产业潜规则而放宽了审视的标准，若能让产业保有竞争力的同时，也能让游戏规则更健康，这是*好的双轨并行两全其美状态。然以目前产业现状，业界也质疑，能够经得起这样检视的公司，恐怕不多，何况群联此案疑点重重，不论是否有政治力介入，如此

三星与Netlist全力构建起闪存DRAM利器：HybriDIMM

金质基板配合极为耐用且经济实惠的24克拉金手指，再辅以价格低廉的金属线路。DRAM的介入为三星-Netlist打造的这款Hybrid DIMM提供缓存支持，共同为应用程序带来如DRAM般迅如闪电，但底层却利用持久性NAND作为存储介质的低成本解决方案。 HybriDIMM属于将Netlist HyperVault技术同三星DRAM与NAND相结合而衍生出的产物，项目*初于去年11月开始建立。其基本思路在于利用NAND作为DRAM的替代机制，利用PreSight这款预测软件解决其速度较慢的弊病，该软件会将数据由NAND处预先载入DRAM，从而在需要加载时保证内存级别的响应速度。**代HybriDIMM的配置为256到512 GB NAND加8到16 GB DRAM，且每套DIMM/1866 MTS 3DPC配备有Broadwell CPU并支持Linux系统。其同时支持块存储与应用定向两种模式。**代HybriDIMM将在此基础上提供更多配置选项，支持每DIMM/2400 MTS 2DPC 1 TB NAND加32 GB DRAM组合，同时采用Purley处理器。其还同时支持Linux与

三星推出高速Z-SSD方案 矛头直指XPoint

闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC(即三层单元)设计。64层 V-NAND64层TLC V-NAND*初公布于今年8月底，其能够提供超越当前256 Gbit 48层技术的存储容量。目前512 Gbit(64 GB)芯片已经完成，意味着其能够将SSD存储容量翻倍。三星方面指出，这套方案的IO速度为每秒800 Mbit。西部数据/东芝也拥有自己的64层3D NAND技术，名为BiCS，目前正处于实验性阶段，芯片容量为256 Gbit。三星方面可能会利用其64层V-NAND芯片打造一款8 TB且尺寸大于M.2的SSD产品。其物理尺寸为22毫米x 110毫米。在利用此款产品的情况下，企业级服务器能够在1U空间内实现256 TB NAND存储容量。标准的M.2尺寸则可能用于构建搭载同款芯片的三星4 TB产品。首款采用64层V-NAND芯片的产品预计将在2016年第四季度推出，据猜测其可能是一款采用BGA尺寸设计的平

大陆芯片行业雄心勃勃 摆脱海外“依赖症”

英国《经济学人》杂志撰文称，为了摆脱对海外企业的依赖，中国政府斥巨资扶持本土半导体行业的发展，并且从之前的光伏面板和LED照明行业中吸取了充分的教训。不过，由于时机问题和技术壁垒，这一计划仍将面临许多挑战。以下为文章主要内容：雄心勃勃自从1970年代以来，中国政府一直在断断续续地促进本土半导体行业的发展。但他们的雄心从未像现在这么高，投入的预算也从未像现在这么多。据摩根士丹利估计，在早期的发展计划中，中国政府1990年代后半期投入的资金不足10亿美元。但这一次，根据2014年制定的一项宏伟计划，政府将向公共和私营基金投入1000亿至1500亿美元。此举的目标是到2030年从技术上赶超****企业，包括各类芯片的设计、装配和封装公司，从而摆脱对国外供应商的依赖。2015年，中国政府还制定了新的目标：10年内将芯片内需市场自制率提升到70%。这显然是一个任重道远的目标。去年，中国的内资和外资厂商共计使用1450亿美元的各类芯片。但中国本土芯片行业的产出仅为这一需求的十分之一。某些高价值芯片领域，中国几乎完全依赖进口——包括号称计算机大脑的处理器，以及汽车内嵌入的坚固耐用的芯片。政府意识到，

封测厂Q2业绩靓Q3会更旺

封测大厂第2季财报除南茂（8150）外，几乎公布完毕，受惠于通讯产品大量拉货，日月光（2311）、矽品（2325）及京元电（2449）都有意外亮眼表现，优于先前第1季法说会时的预测。力成（6239）受惠于记忆体需求增加，第2季财报也有优于市场预期表现。 封测双雄日月光、矽品第2季财报都已揭露，日月光表示，第2季表现符合预期，成长动能主要来自通讯、消费性电子及工业用产品，动能有望延续至第3季；矽品则指出，上季动能来自亚洲地区的通讯产品客户成长。日月光第2季合并营收626.01亿元，季增0.4%，年减11%，合并毛利率19.6%，税后纯益46.79亿元，季增12%，年增28%，每股纯益0.61元。矽品第2季合并营收为216.79亿元，季增12.3%，年增2.1%，毛利率23.5%，税后纯益28.08亿元，季成长75.1%，年减23.6%，每股纯益0.9元。上半年营收409.79亿元，税后纯益44.13亿元，每股纯益1.42元。至于测试厂京元电则受惠于手机系统单手机系统单芯片（SoC）、影像感测元件、微机电（MEMS）传感器、绘图芯片等，业绩表现畅旺，第2季每股纯益0.73元，创下历史单季新

三星年底前量产64层3D NAND

上周东芝及WD（西部数据）宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。 SSD（固态硬盘）近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘（Hard disk），因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash（储存型快闪记忆体），大抢市占率，除了比市占更还要比技术。东芝（Toshiba）及WD于日前同时发布新闻稿宣布，已**全球研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，正式开始向客户送样，预计将透过本月7月完工的日本四日市工厂“新第 2 厂房”量产，量产时间都预计为2017年上半年。当时市场都解读NAND Flash龙头三星，因64层堆叠技术尚未有产出消息，因此认为将被东芝及WD超车，但根据韩国媒体《Electronics Weekly》报道，三星表示，预计将于今年底前量产4G V-NAND及18纳米制程的DRAM，目前进展顺利。

SIA：半导体销售低于季节趋势 年减4%

集微网消息，半导体产业协会（SIA）公布6 月份数据，微处理器和DRAM 买气欠佳，拖累整体表现，销售额低于季节趋势。 霸荣（Barronˋs）1 日报导，2016 年6 月份全球半导体销售额来到283 亿美元，月增10.7%，但是年减4%。Cowen & Co. 的Timothy Arcuri 报告指出，6 月全球半导体销售，表现不及5 年季节趋势的月增12%，主因产品组合改变/均价降低（月减5% vs. 季节趋势月增2%） ，抵销了出货增加的利多（月增17% vs. 季节趋势月增10%）。Arcuri 表示，各类半导体而言，微处理器销售月增4%，远逊于季节趋势的月增32%。微处理器出货疲弱，月增10%、不及季节趋势的月增36%，均价月减6%、逊于季节趋势的月减4%。DRAM 销售月增1%，优于季节趋势的月减4%。DRAM 出货提高、但是均价下滑，均价月减1%，不及季节趋势的持平。NAND Flash销售月增6%，比季节趋势高出400 个基点，出货量和均价都优于季节趋势。类比晶片销售月增19%，比季节趋势高出600 个基点，出货量月增24%，远高于季节趋势的月增13%；抵销了均价下滑

紫光与武汉新芯整合 未来要过几道坎？

本报记者 陈炳欣紫光集团与武汉新芯携手的传闻终于落地。根据近日双方发布的消息，由紫光集团和武汉新芯联手组建的长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于7月26日注册成立。这意味着中国*大的存储产业基地初见雏形。对此事件业界反响普遍持正面态度。清华大学微电子学研究所所长魏少军认为，从目前的股权安排来看，可以说既照顾了武汉新芯的现有状况，也兼顾了未来发展需要，既有利于发挥“国家集成电路产业投资基金”的政策主导性作用，也可以充分发挥紫光集团的市场化作用。然而，长江存储未来将要面临的挑战仍然严峻，包括国际竞争环境，国内的市场接受度等，特别是在存储器产品的开发生产、**技术的获得以及市场竞争等关乎企业未来成败的几个方面，新公司将会如何应对呢？3D NAND +DRAM，产业链整合值得观察“长江存储”成立的消息近来已在业内持续发酵，业界关注的重点首先仍在存储产品的开发与生产上。毕竟这是一家企业生存发展的基础。对此，研究机构DRAMeXchanGE研究协理杨文得指出，中国厂商近一年来通过布局闪存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑，武汉新芯原为NOR 闪存生产厂，在生产经验、厂房与产

三星今年内量产64层NAND确保**优势

集微网消息，上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报导，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。 SSD（近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬碟（Hard disk），因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash（储存型快闪记忆体），大抢市占率，除了比市占更还要比技术。东芝及西部数据于日前同时发布新闻稿宣布，已**全球研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，正式开始向客户送样，预计将通过本月7月完工的日本四日市工厂“新第 2 厂房”量产，量产时间都预计为2017年上半年。当时市场都解读NAND Flash龙头三星，因64层堆叠技术尚未有产出消息，因此认为将被东芝及西部数据超车，但根据韩国媒体《Electronics Weekly》报导，三星表示，预计将于今年底前量产4G V-NAND及18纳米制程的DRAM，目前进展顺利。

南亚科Q2营收季減 14.1% 美光购华亚科依程序进行中

记忆体大厂南亚科27日召开新闻发布会，并且公布第2季财报。根据自结财报显示，南亚科第2季营收为89.33亿元(新台币，下同)，季减14.1%，年减19.9%。董事长李培瑛表示，由于DRAM第2季的价格下跌4.9%，销量下滑7.6%，再加上新台币兑换美元的汇率升值达到2.2%的情况下，第2季营业毛利为25.37亿元，毛利率28.4%，较上季减少4.3%，营业净利为16.5亿元，营业净利率为18.5%，较前一季减少6.8%。李培瑛进一步指出，南亚科第2季营收较上一季衰退的主因，主要是认列汇兑损失7,000万元，再加认列华亚科的第2季亏损4.57亿元，以及第2季的所得税费用包括未分配盈余加征10%营利事业所得税7.65亿元，以及2015年研发投资抵减税额的1.2亿元，使得本季税后净利为3.97亿元，净利率为4.4%，较上季减少13.4%，单季每股EPS为0.14元。累计2016年上半年自结合并营收为193.3亿元，年减16.6%，税后净利为22.46亿元，每股EPS 0.82元。李培瑛表示，虽然2016年上半年因为DRAM价格的下跌，加上市场成长趋缓，使得南亚科的表现退。不过，展望2016年

华邦电Q2净利6.43亿新台币

存储器厂华邦电昨(28)日召开新闻发布会，**季归属母公司税后净利新台币6.43亿元，每股净利新台币0.18元，成为台湾**季*赚钱的存储器厂。华邦电总经理詹东义表示，自主研发的3x纳米制程将在第四季进入量产，明年将可展现强劲的成长爆发力。华邦电**季合并营收含新唐等子公司约季增4.1%达新台币104.97亿元，较去年同期成长13.5%，毛利率虽降至28.2%，但归属母公司税后净利新台币6.43亿元，每股净利新台币0.18元，略优于市场预期，而且是台湾存储器厂中*赚钱的公司。华邦电累计今年上半年合并营收达新台币205.84亿元，归属母公司税后净利达新台币14.19亿元，每股净利新台币0.40元。华邦电今年上半年利基型DRAM营收占比51%，营收较去年同期成长5%，网通及电视应用营收表现强劲，且车用及工业应用贡献营收成长。移动型DRAM(Mobile DRAM)上半年营收占比13%，营收较去年同期成长15%，成长动能主要来自于特殊应用芯片(ASIC)产品需求增加，以及***客户进行design-win阶段。包括NAND及NOR等快闪存储器部分，上半年营收占比达36%，营收较去年同期成长9

华邦季报发布：存储器表现优于同业　子公司新唐获利大增

存储器厂华邦电子与子公司微控制器(MCU)厂新唐举行联合法说会，华邦电2016年第2季合并EPS达到0.18元，上半年EPS 0.4元，优于几家台系存储器大厂。子公司新唐获利亮眼，2Q获利约2.6亿元，季增2.3倍，获利也创下4年来新高。 MCU厂新唐表示，受惠于4、8、16位元MCU出货外，高阶32位元MCU出货畅旺，带动第2季税后净利高达2.6亿元，新唐第2季合并营收约新台币22.23亿元，季增20%，EPS 1.25元，优于市场预期，累计上半年税后净利约3.38亿元，年成长高达32.29%，EPS 1.63元。华邦电单季合并营收约来到新台币105亿元，毛利率28% ，税后获利6.43亿元，EPS 0.18元，符合公司预期。累计华邦电上半年合并营收为206亿元，年增8%，毛利率29%，税后获利14亿元，EPS 0.4元。华邦电2016年上半，从产品比重分布来看，利基型存储器约占营收比重51% ，移动存储器(Mobile DRAM)约13%，NOR Flash快闪存储器约36%。华邦总经理詹东义表示，受惠于TV、网通市场需求增温，华邦电上半年业绩年增约5%，Mobile DRAM受惠

全球智能手机利用人口未过半，令其扩大是半导体的使命

刚诞生时的智能手机，对世界大多数消费者而言是高不可攀的**品。尽管都明白使用智能手机能够方便生活，还能彰显自己的身份。但价钱还是很贵的。而现如今，从发达国家到新兴市场国家，智能手机已经成为了世界众多地区、不同阶层用户的日常用品。 现在，智能手机的增长陷入了停滞状态。智能手机市场已经没有增长的空间了吗？日本微细加工研究所的汤之上隆，以曾被认为与现在同样困难的智能手机在中国市场的拓展为例，剖析了智能手机市场的增长空间与突破方向的要点。（采编：伊藤元昭）汤之上隆日本微细加工研究所所长曾在日立制作所、尔必达存储器等企业从事过16年半导体技术开发工作。之后在日本同志社大学致力于半导体产业的社会科学研究。目前担任微细加工研究所所长，从事顾问工作，还经常发表演讲并为杂志和报纸写文章。著作有《日本半导体的失败》（光文社）、《机电与半导体产业大崩溃的教训》（日本文艺社）、《日本式制造的失败-零式舰载战斗机·半导体·电视》（文献新书）。兴趣爱好是潜水（教练）和瑜伽。您认为智能手机市场的饱和，会改变半导体厂商的势力格局吗？在看似饱和的市场上，能够发起攻势的半导体厂商将会扩大势力对于智能手机市场扩大规模的速度

与紫光合作案卡投审会 力成：若国家队征召也乐意当队员

存储器封测厂力成与大陆清华紫光集团的合作案，仍没有新进展。力成董事长蔡笃恭表示，目前不确定何时会核准，紫光集团仍在投审会补件并说明中，一切都要看投审会进度。他认为，面对全球半导体业并购潮，目前虽然没有人将力成当做国家队，但若国家征召，力成很乐意当国家队队员。 力成3Q释出乐观展望，至于西安厂每月可生产2万颗一般型DRAM，可增加营收，目前台湾一般型DRAM生产较少，看好DRAM第3季成长力道很高，甚至优于Flash。Flash由于容载量需求越来越高，短缺很厉害，也成为不错的成长动能。力成总经理洪嘉鍮表示，先进产品线主要是凸块(bumping)季成长来到4~5成，覆晶封装也有成长，3Q不管是季成长、年成长率都十分乐观。凸块2015年只有月产能3.2万片，现在已经达到3.9万片，下个月力拼5万片以上，4Q来到6.4万片，再跟新加坡厂加起来共计可达到7万片，翻倍成长。力成2Q资本支出约新台币20亿~30亿元，全年约150亿元，包括130亿元用于力成，20亿元予超丰。西安厂进度部分，洪嘉鍮指出，一般型DRAM这个月才开始大量生产，占力成现在不到3%营收比重，未来大概是8~10%。力成3Q产能利

中低端手机带动联电日月光力成上涨

本周起半导体大厂陆续召开法说，包含联电（2303）、日月光（2311）、力成（6239）以及联发科（2454）等。半导体第3季受惠中低阶智慧型手机需求带动，产业景气普遍向上，可预期各家展望也将偏向正面。 其中，力成受惠DRAM接单稳健、3D NAND与SSD固态硬碟等封测需求日甚，同时逻辑晶片封测接单持续增温，第3季营运表现将较第2季成长，加上力成接到美光新设的西安厂区订单，本季开始进入大量产阶段，替力成本季营收成长注入新活水。法人圈传出，在新产能加持下，力成本季营收季增幅有机会上看15%到20%，同时，近期传美光打算购入达鸿位于台中的厂房与土地，设立非标准型DRAM封测业务，虽然力成与南茂都与美光洽谈过协助代管与经营，不过市场解读力成出线机率较高。联电第2季因28奈米制程良率持续拉升，来自联发科、高通等主力客户订单也持续增加，加上40奈米订单续传捷报，且8吋晶圆产能扩增，让6月营收持续推升，创今年新高，达135.27亿元。因受惠行动装置等消费性产品强劲需求，联电更上修资本支出达105亿美元，表示客户下单量维持**，且持续大于产能，呈现供不应求的状况，预期下半年业绩成长可期。元富证券建

受惠中**智能手机需求带动 半导体产业Q3景气向上

本周起半导体大厂陆续召开法说，包含联电、日月光、力成以及联发科等。半导体第3季受惠中**智能手机需求带动，产业景气普遍向上，可预期各家展望也将偏向正面。其中，力成受惠DRAM接单稳健、3D NAND与SSD固态硬盘等封测需求日甚，同时逻辑芯片封测接单持续增温，第3季营运表现将较第2季成长，加上力成接到美光新设的西安厂区订单，本季开始进入大量产阶段，替力成本季营收成长注入新活水。法人圈传出，在新产能加持下，力成本季营收季增幅有机会上看15%到20%，同时，近期传美光打算购入达鸿位于台中的厂房与土地，设立非标准型DRAM封测业务，虽然力成与南茂都与美光洽谈过协助代管与经营，不过市场解读力成出线机率较高。联电第2季因28纳米制程良率持续拉升，来自联发科、高通等主力客户订单也持续增加，加上40纳米订单续传捷报，且8寸晶圆产能扩增，让6月营收持续推升，创今年新高，达新台币135.27亿元。因受惠移动设备等消费性产品强劲需求，联电更上修资本支出达105亿美元，表示客户下单量维持**，且持续大于产能，呈现供不应求的状况，预期下半年业绩成长可期。

SK海力士Q2获利大减 看好下半年复苏

SK海力士**季获利暴跌，但看好在移动设备用DRAM芯片需求转强带动下，下半年营运可望回温。因**季获利大减，周二韩国股市早盘海力士股价下挫3.38%。SK海力士表示，数家主要客户将推出新款智能手机，将提振因消费电子产品需求疲弱而受创的DARM芯片市场。该公司在声明中表示，主要客户需求将大幅成长，第三季业绩可望复苏。海力士**季营收年减15%，为3.9万亿韩元，高于分析师预测均值3.8万亿韩元。营业利益年减67.1%，为4528亿韩元(约3.97亿美元)，创下2013年首季以来新低，但符合分析师预期。净利年减74.2%，为2861亿韩元，不如分析师预估的3320亿韩元。海力士表示，**季DRAM芯片出货季增18%，平均出货价格较前季下跌11%。**季NAND芯片出货季增52%，惟平均出货价格下跌11%。苹果与三星电子等公司都将推出新款**手机，本季可望对芯片厂带来正面效益。集邦科技本月初表示，DRAM合约价已于6月持稳，第三季可望上涨4~8%。海力士预估，与**季相比，第三季DRAM出货量可望实现高个位数百分比增长，NAND出货成长估将略高于10%。

力成总经理谈NAND Flash价格：到11月都会持稳

力成总经理洪嘉鍮26日表示，DRAM涨势正起，本季包括移动式DRAM和利基型DRAM供货都会吃紧;储存型快闪记忆体(NAND Flash)也因手机大厂扫货，到今年11月前供货短缺，价格也会持稳。力成因是记忆体封测龙头，新闻发布会上对DRAM和Flash下半年价格走势的看法，也是法人关注焦点。洪嘉鍮表示，下半年DRAM和NAND Flash市况都看好。DRAM现在供应已经吃紧，价格也上涨。他强调，虽然市场多认为智能手机的需求已有趋缓现象，但手机内的记忆体容量仍持续增加，iPhone 7搭载DRAM容量由原来的2GB增加至3GB，非苹手机记忆体也持续往4GB与6GB方向发展。另外，伺服器对DRAM需求增速更是惊人，已是DRAM大厂兵家必争之地。三星、SK海力士及美光等都将产能大举移往生产高容量的DDR4 DRAM，即看中主要手机和伺服器大厂强劲需求;此举让低容量的利基型DRAM供货也连带缺货，主要来自智能电视、低端智能手机、机上盒与汽车导航等产品应用广，需求也非常强。至于NAND Flash，更因苹果等大厂扫货，导致产能极缺，估计本季有些厂商会拿不到货;新增产能得到12月或明年第1季才会产

硅晶圆厂 下半年营运旺

台积电等主要半导体晶圆代工厂宣布本季产能利用率大增，法人预期，将同步带动硅晶圆厂环球晶（6488）、崇越及台胜科的拉货动能向上提升，三大硅晶圆供应商乐观下半年营运，均预期可优于上半年。 环球晶表示，全球半导体产业景气已自去年下半年的景气谷底逐步翻升。受惠中小尺寸硅晶圆订单成长动能优于预期，环球晶许多生产线已连续数月满载，营收也连六个月成长，营运逐步升温，下半年半导体景气进入旺季，有利硅晶圆拉货提升，看好营运可望逐季攀升。台胜科主力客户涵盖晶圆代工及DRAM厂，晶圆代工包括台积电、联电、和舰、中芯、华虹、宏力等；台湾DRAM厂几乎都是台胜科客户，两大领域占比各达五成。台胜科第2季合并营收26.68亿元，季增5.2%，营运升温。法人预估，本季受惠DRAM需求回稳及晶圆代工进入旺季，会同步上扬，估计单月营收将重返9亿元之上，且下半年表现优于上半年。另外，台胜科是少数在台湾设厂的硅晶圆厂，8寸月产能达33万片，12寸月产能28万片。受惠于硅晶代工厂第3季产能稼动率持续拉升，8寸厂维持满载，12寸厂也升至九成，有助推升台胜科硅晶圆出货，而下半年存储器客户需求同步拉升，有利营运逐月走高。崇越也受惠

中国首座DRAM厂动工，三星、海力士冒冷汗

韩国经济日报周二报导，国营福建晋华积体电路公司（音译：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.）在来自联电（2303）技术的加持下，已着手建造半导体厂，将藉此切入DRAM市场。 来自产业内的讯息指出，福建晋华上周六已在晋江市，举行DRAM厂破土动工仪式，**期工程投资规模预估来到370亿人民币，或相当于55亿美元，2018年投产后每月可产出6万片晶圆（32奈米）。据报导，福建晋华将获得联电技术支援，且全球晶圆代工龙头台积电（2330）传也有参与投资，但未获证实。中国厂商为抢市，往往杀价竞争。尽管中国计画进军DRAM市场传闻已久，但这还是**有陆企付诸行动，且是海峡两岸联手，三星、SK海力士等两大南韩DRAM制造商接获消息后，或许已在冒冷汗。

南亚科Q2营收减少约14% 下半年景气估回温

南亚科发放每股现金股利新台币2.8元，今日除息，开盘参考价新台币37.1元，股价大举开高新台币0.9元为新台币38元，顺利朝向填息走势迈进，本土法人于除息前逢低加码。**季产品价格续跌，南亚科技第2季营收新台币89.33亿元，比前季新台币103.97亿元减少约14%。公司将于27日召开新闻发布会，市场预期下半年DRAM景气可望逐步回温。今年上半年DRAM供过于求，价格走跌，公司以利基型记忆体为主，价格跌幅较轻，有助维持获利。预期下半年记忆体需求回升，产能增加则有限，DRAM供需状况改善，有利价格止跌反弹。根据全球市场研究机构TrendForce集邦科技日前估计，第3季DRAM合约价预期将上涨4%到8%。此外，南亚科转投资华亚科全数股权出售给美光案的*新进度，也将成为本次新闻发布会的焦点。近三个交易日，本土法人较偏多操作，自营商连两日累计买超逾3700张。

美光台中设封测厂 传力成代管

美国记忆体大厂美光科技(Micron)将来台设立封装测试厂。据业界人士透露，美光将在今年底前购入触控面板厂达鸿位于台中的厂房及土地，并设立后段封测厂，负责非标準型DRAM封测业务。该厂未来将交由台湾封测合作伙伴代管经营，美光已经与力成(6239)及南茂(8150)讨论过相关事业，虽然目前未决定*后合作伙伴是谁，但业界认为力成出线的机率*高。美光目前在大陆西安拥有一座DRAM封测厂，但近几年来美光併购日本尔必达、并拿下华亚科所有产能后，西安厂产能已是供不应求。美光近3年并未对自有后段封测厂进行扩产动作，为了解决封测产能不足问题，前年底与力成合作在西安建立DRAM封装厂，今年也陆续与力成、南茂、华东等业者洽谈合作设立测试厂的计画。而据业内人士透露，美光将在今年底前购买达鸿在台中的厂房，并改造成自有封测厂。该厂就位于美光在台12吋厂台湾美光记忆体(塬瑞晶)的对面，明年下半年完成量产后，将以非标準型DRAM封测为主。不过，美光没有打算成立新的团队负责新封测厂的经营，而是计画在该厂完成后，交由封测代工合作伙伴代管经营，美光已与力成及南茂讨论过此事，虽然尚未决定由谁代管，但业界认为，力成出线的机率

传美光将在台设后段封测厂 购入达鸿厂房、力成代管机率高

美系存储器大厂美光(Micron)传出将在台湾本地设立后段封测厂。半导体相关业者透露，美光将出资购入F-TPK旗下触控厂达鸿位于台中之厂房，未来估计将负责Mobile DRAM等之封测。业界传出，美光该厂将循与力成合作的大陆西安厂之营运模式，原本力成、南茂都有意争取，但现在几乎已经确定由力成出线。熟悉半导体相关业者表示，美光购买达鸿厂房可望在2016年下半明朗化，*快2017年可以进行量产，会以非一般型DRAM之封测如Mobile DRAM为主，未来如台弯DRAM大厂华亚科等等订单，可以在美光台中厂房直接进行封测。目前购买金额、详细时间点尚未定，但相关业者表示，交由与美光关系深厚的台存储器封测大厂力成代营运之机率非常高。达鸿宣告破产达鸿于21日晚间公告，于具状撤回重整之声请后，委托鉴价公司对资产进行鉴价，并依鉴价结果计入资产减损之影响后，截至2016年6月30日之自结资产总额为新台币71.26亿元，负债总额为93.90亿元，有资产不足以抵偿负债之情事，为维护股东及债权人之*佳利益，经董事会决议，依公司法第211条第2项及破产法第58条第1项之规定，向法院声请宣告破产。2016年7月21

福建晋华存储器集成电路项目开工 填补国内主流存储器领域空白

7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线项目（以下简称“晋华项目”）开工仪式在泉州晋江举行。该项目一期投资370亿元，是福建省发展集成电路产业的重大战略布局，将打造成为具有自主技术及***制造工艺水平的存储器研发制造企业。国家相关部委、国家集成电路投资基金、中国科学院微电子研究所等单位近百名国内外**专家、业界重量级嘉宾，以及近200家产业链相关企业代表出席开工仪式。国家工信部副部长陈肇雄和国家发改委高技术产业司副司长孙伟分别致辞，福建省委常委、省政府常务副省长张志南致辞并宣布项目开工。填补国内主流存储器领域空白集成电路被喻为“工业粮食”，是信息技术产业的核心，随着云计算、物联网、大数据等新业态的兴起，集成电路产业发展迎来“黄金十年”，有着非常广阔的市场空间。据统计，去年国内集成电路市场规模达到1.2万亿元，是全球*大的一块市场。但目前，中国集成电路市场仍然大量依靠海外进口，去年进口芯片总额达2300多亿美元，已经超过原油成为我国**大进口商品。泉州把发展集成电路产业作为培育经济新增长支撑，推动产业转型升级的重要突破口。在晋江启动建设集成电路产业园，占地1.7万多亩，规划建设“三园一

紫光携手武汉新芯再跟美光谈授权面临的三大挑战

半导体产业界纷纷出现强强联手态势，企业整并、合作风潮持续。尤其2016年，DRAM价格终于在3Q可望出现小涨局势，不过美系龙头大厂美光（Micron）却在上季缴出差强人意的成绩单，甚至将要裁员2，400人，存储器业发展动向持续诡谲。业界传出，清华紫光集团有意拉武汉新芯，抢进NAND Flash市场，采取类似美光与台DRAM大厂华亚科的合作模式，如此一来，紫光也可搭上武汉新芯构建新厂的列车，并且与美光洽谈技术授权，加速紫光集团发展壮大的时间。据海外媒体报道，半导体相关业者认为，其实紫光携手武汉新芯，再跟美光谈技术授权的模式，实际上有三大挑战要面对。其一，美光NAND技术与半导体巨人英特尔（Intel）共有，授权本身还必须经过英特尔这一关，但美国政府对于技转大陆业者相当保守，先前紫光企图收购美光的计划，已经踢到一块大铁板。此 外，武汉新芯的资金来自于大基金、武汉市、及中芯国际，跟紫光其实是竞争关系，双方是否能够握手言和共同并进，或许需要更有力、统一的发展政策。先前已经 有不少半导体业者提出警告，大陆发展半导体产业，从正面角度来看是银弹满手，但也因为官方资金来源除了中央，也有许多地方政府资金

三星联合IBM共同研发STT-MRAM接替DRAM

据韩媒BusinessKorea报道，IBM和三星近日在IEEE上发布研究论文称，两家公司联手打造了一种被称为STT-MRAM的新内存，有望成为目前DRAM内存的*实际接替者。DRAM，即动态随机存取存储器，目前*大的发展障碍就是其很难被压缩至10nm以下，因此两家公司研发的STT-MRAM(自旋传输磁性记忆体)首先就将解决这一问题。另外，新内存也将拥有更高的传输速度且更加省电，理论性能也将超越DRAM。业界认为，这可能是目前DRAM的*佳接替者，因为95%的DRAM制造设施都可以用于接下来的STT-MRAM的生产，这将大大降低成本并缩短换代周期。

南亚科Q2营收季减14% DRAM下半年市场受关注

随着出货增加，南亚科技6月营收达新台币30.61亿元，月增5.6%，第2季营收新台币89.33亿元，仍比上季新台币103.97亿元减少约14%。公司将于27日召开新闻发布会，有关下半年的DRAM景气展望将受到关注。南亚科6月出货量增加，单月营收为近三个月高点，但平均销售单价小幅下滑，6月营收仍年减11.1%;第2季营收新台币89.33亿元，季减14%，上半年营收新台币193.31亿元，年减16.6%。南亚科将于27日召开新闻发布会，公布第2季财报。今年上半年DRAM供过于求，价格走跌，公司以利基型记忆体为主，价格跌幅较轻，有助维持获利。预期下半年需求回升，产能增加有限，DRAM供需状况改善，有利价格止跌反弹。

力成受惠记忆体需求回温 Q2营收季增5.1%

自2014年10月到今年6月间，合约价格已下跌约六成的记忆体，7月起，已传出止跌回升的喜讯，除有利于记忆体厂营运毛利外，以记忆体为主要封测业务的专业厂力成，也被外界视为间接受惠者，今天股价以高盘开出，全场维持上涨约2.0%红盘震荡不坠，成交量更较前一日扩大逾3倍。长期报价处于跌势的记忆体，因三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂，相继展开产品组合调整及减产效应下，DRAM现货市场供应传出趋紧消息，继6月合约价开出平盘后，7月合约价蠢蠢欲动，已有部份厂商为了争取充裕货源，已传出接受涨价的合约报价。惟此次的涨价是跌深后的反弹，抑或记忆体价格已跌不下去的止稳讯号，仍有待观察未来市场的供需变化。记忆体专业封测厂龙头力成受惠快闪记忆体、绘图记忆体和移动式记忆体需求回温，6月合并营收39.8亿元(新台币，下同)，月增2.9%、年增13.7%;第2季合并营收111.56亿元，季增5.1%，上半年合并营收219.36亿元，年增11.5%，符合二位数年成长预期。力成在首季法说中透露，今年DRAM、快闪记忆体及逻辑芯片等三大产品线，在市场库存调整近尾声利基下，预期今年需求将比去年为佳，第1季传统淡季仍有1

晋华12寸DRAM厂下周动土 联电技术支援

在台积电南京12寸厂奠基后，另一家台湾晶圆制造大厂联电（UMC）技术支援的大陆DRAM厂，也将在下周动土，根据科技新报报导，福建晋华集成电路公司旗下的储存器集成电路生产线项目，预计7月16日举行奠基仪式，投资额53亿美元，当天还会举行国际集成电路产业发展论坛。 据了解，福建晋华的新产线是由晋华与联电技术合作的12寸DRAM厂，初期将导入32奈米制程，规画产能为每月6万片，预计2018年9月开始试产。另有消息指出，联电为了这次合作，将筹组约百人团队，并在台湾建立小型产线试产。联电曾在5月份时表示，已接受晋华委托开发DRAM相关制程技术。虽然联电强调双方的合作范围只限于技术开发，并未规画进入DRAM产业或投资晋华，但近来国际晶圆制造厂纷纷加大在大陆市场布局，市场普遍认为，联电是希望藉由这次合作，对切入利基型记忆体市场预做准备。另一方面，为了避免大陆本土半导体产业形成气候之后，被排除在大陆市场之外，业界大厂近来积极前往大陆布局��但具体做法各不相同。譬如，台积电在南京的12寸厂就强调是完全独资；力晶、格罗方德（GlobalFoundries）分别前往合肥、重庆设厂，但都是与当地官方旗下的公司合

DRAM价格 Q4可望反弹

美光公布*新的上季财报亏损高于预期，且展望仍续保守，泼了近期好不容易反弹的DRAM市况一盆冷水；相关DRAM业者，预料9月起，主流记忆体DDR4 DRAM价格将明显弹升，第4季重现荣景。 近期DRAM价格先由利基型的DDR3 DRAM反弹，上周五（1日）集邦旗下DRAMeXchange*新报价，DDR3 4Gb DRAM每颗均价已涨至1.67美元，相较二周前涨幅近一成。由于美光DRAM占比远高于NAND Flash，凸显比重较高的DRAM价格近期弹升空间有限，消息一出，让近期交投渐热的DRAM族群上攻气势受阻。虽然美光全球市占率上季已掉到18%，失去价格主导权，但从亏损情况难改善来看，DRAM价格7月、8月要弹升阻力颇大。受美光财报不佳冲击，上周DRAM族群如华亚科、南亚科、华邦电、晶豪科、宇瞻等全数收黑，华亚科更担心后续并购案添变，跌幅达4.58%，仅储存型快闪记忆体（NAND Flash）题材佳的创见、威刚人气仍旺，持续收红。威刚董事长陈立白表示，第3季各手机厂会密集推出新机，主要NAND Flash厂如东芝、三星及晟碟（SanDisk）货源在第2季就几乎被包走，SK海力士和美光或

美光季报发布(3Q'16)：3Q表现低于预期 裁员2400人

美存储器厂商美光(Micron)公布2016会计年度第3季财报(2016/3~2016/5)，营收为29亿美元，较2015年度同期滑落近25%。净损为2.15亿美元，每股净损为0.21美元，亏损幅度较2016会计年度第2季的每股净损0.09美元为大。 据Thomson Reuters调查分析师所做的预估，美光第3季的营收为29.6亿美元，实际表现较预期为差。展望2016会计年度第4季，美光预期调整后的每股净损为0.16~0.24美元，较分析师以同样标准所预期的每股盈余0.03美元为差。美光执行长Mark Durcan指出，尽管在部属先进NAND以及DRAM技术上有所进展，但持续受到严峻的市场考验。为了面对市场挑战并强化自身竞争力，美光采取撙节计划，将专注在重要专案上，且将调整人力。美光透露将裁减7.5%人力，以目前员工数3万2,000人计算，相当于2,400人。美光表示，在2017会计年度中，所有采行的措施可望节省3亿美元。2016会计年度第3季的表现，DRAM的出货量成长22%，但平均售价(ASP)下滑11%。非挥发性产品出货量减少10%，ASP则下滑6%。虽然第3季生产成本下滑，但

DRAM喊涨 业者吃补

DRAM产业终于盼到下半年回春，第3季旺季价格有望调升，不仅标准型记忆体产品看涨，其他包括行动记忆体、利基型记忆体等，价格也预期会跟着走扬，南亚科（2408）、华亚科、晶豪科、华邦电等，都有机会受惠。 法人认为，有别于上半年的惨淡，第3季是传统终端电子产品出货旺季，带动记忆体拉货需求可望回升。研调机构集邦科技表示，由于原厂端供货吃紧，一线PC OEM客户6月提前与DRAM厂洽谈第3季合约价，预估本季DRAM合约价上涨趋势确立，涨幅约4%至8%。对于DRAM合约价上扬，集邦研究协理吴雅婷表示，韩系DRAM厂第2季陆续调降标准型记忆体产品比重，但全球智慧手机的记忆体搭载量今年成长率仍高达36%，下半年旗舰机种搭载量上看6GB，伺服器记忆体今年平均搭载量也上看110GB，年成长25%，因此可有效消化产品比重调整后多出的量能。同时，集邦指出，NAND Flash供货吃紧也助攻DRAM涨价，且由于原厂制程逐步优化，三星18奈米制程将导入量产，SK海力士与美光也扩大20／21奈米制程投片量，获利结构有望从谷底回升，让下半年DRAM市况更加健康。

研调降半导体预估 恐衰退1%

全球经济疲软及动态随机存取存储器(DRAM)市况不佳，研调机构ICInsights调降今年半导体市场预估，预期恐将衰退1%。IC Insights表示，半导体产业的健康越来越与全球经济的健康挂钩，在没有好的全球经济成长支持，半导体市场很少能有强劲成长；预期全球半导体市场成长率将持续靠近全球GDP成长表现。全球许多地区经济趋缓，其中，电脑、数字电视及智能手机主要市场中国大陆今年经济将持续失去动能，GDP预估将成长6.6%。IC Insights认为，英国公投脱欧至少在未来1或2年将对全球经济造成负面冲击。另一拖累今年半导体产业成长的主要祸首是非常疲弱的DRAM市场，IC Insights表示，去年DRAM市场是半导体产业*大的单一产品领域，预期今年DRAM市场恐将下滑19%。IC Insights估计，DRAM市场今年将影响整体半导体市场成长约3个百分点，若不计DRAM市场，今年半导体市场将可成长2%。

日经:PC用DRAM价格月增6%，能见度到九月

行动记忆体需求暴增，在晶片制造商穷于应付的同时， PC用DRAM却也因此受惠，现货价格持续攀升。 据日经新闻报导，行情指标4-Gigabit DDR3 DRAM过去一个月上涨6%，目前来到1.74美元，某些产品甚至还涨到2美元以上。PC出货量萎缩、需求能见度明明不佳，但PC用DRAM价格之所以还能往上攀升，是因为美光等记忆体大厂将部分产能移作生产行动产品，以致供给减少。PC制造商夏季机种目前已陆续上市，尽管此时季节性需求已开始减缓，但许多专家仍旧看好DRAM这波反弹行情将一直延续至九月，毕竟下半年智慧型手机大战才要进入*高潮，记忆体制造商也会持续调整产能。据市调机构DRAMeXchange表示，整体DRAM市场受惠于制造商管制产能成长，2017年价格有望止跌回稳。DRAMeXchange预测明年DRAM产量增幅应会低于两成，至于今年预估增幅则从25%下修至23.1%，对照以往动辄三到五成的成长率，供给端已有显着节制。

敏博发表全新小尺寸SATA模组

敏博发表全新SATA Module M3C与G3D系列。 敏博(MemxPro)发表全新SATA Module M3C与G3D系列，此二款系列产品体积小、随插即用，能够垂直及水平地装置于行动平台、车载交通设备、工业电脑、嵌入式应用系统或伺服器内，是空间局限的小型机台与控制设备应用配置的*佳选择。敏博SATA Module M3C及G3D系列为7pin微型模组采用内嵌单一BGA封装的精简化设计，集结控制器、DRAM、Flash于单一晶片，在精巧的尺寸下增强了传输品质、速度与耐用稳定性，展现优于以往小型SSD的高性能表现。应用*先进的韧体技术，此系列产品内嵌DRAM的传输速率达到SATA 6Gb/s，随机读写可高达75,000 IOPS。SATA Module是应用先进技术开发之小容量、低成本的储存模组，M3C系列支援MLC Flash型态，提供16GB到128GB等容量储存空间。G3D系列采用高品质MLC模拟SLC型态的StrongMLC，拥有超过MLC六倍的产品生命周期与接近SLC的产品读写效能，提供8GB到64GB等容量选择。M3C与G3D产品系列针对不同的应用装置的空间部署，皆有9

半导体产业景气展望：下半年将优于上半年

据台媒报道，半导体厂股东会旺季即将步入尾声，对于下半年产业景气展望，各家厂商普遍持乐观看法，预期下半年将优于上半年。晶圆代工龙头厂台积电董事长张忠谋虽然认为，今年世界经济环境与半导体业都将与去年相似，仍将相当低迷，不过，他还是看好，台积电将会有很不错的成长，将可达成营收成长5%至10%的目标。台积电今年前5月合并营收新台币3439亿元，较去年同期减少6.42%，若要达成营运成长目标，台积电下半年业绩表现势将优于上半年。动态随机存取存储器(DRAM)厂华亚科董事长暨南亚科总经理李培瑛指出，下半年包括手机、电视及机顶盒等消费市场需求可望比上半年好，网通市场下半年也看到不错需求。服务器市场及标准型市场需求也有机会比上半年好，此外，还有欧美感恩节、圣诞节传统季节性需求，及奥运、欧洲杯等国际运动赛事，将可刺激需求，李培瑛看好，下半年整体市场需求将可比上半年好。供需方面，李培瑛表示，各家供应商制程转换顺利，不过，储存型快闪存储器(NAND Flash)后市看俏，DRAM新产能扩充应可理性控制，下半年市场供需将可较健康。存储器制造厂华邦电董事长焦佑钧虽说，英国脱欧公投、美国升息及总统选举是下半年经济

研调：需求带动+三星西安厂跳电，NAND Q3市况升温

TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange*新报价显示，第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月逐步走扬，而近一个月涨幅开始增加。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NAND Flash原厂持续降低对通路供货比重来满足eMMC/eMCP与固态硬碟(SSD)的需求，并同时积极转进3D -NAND Flash，让2D-NAND Flash的产出持续下滑，因此现货与通路市场的货源更显紧缩。DRAMeXchange预估，第三季的TLC-Wafer及现货卡片价格将持续走扬，而第四季的NAND Flash的市况将视苹果新一代iPhone与其他品牌智能型手机新品上市后的销售力道而定。三星旗下大陆西安厂停电事故将加深市场对第三季供不应求的预期心理。DRAMeXchange指出，上周六(6月18日)凌晨大陆西安市南一变电站爆炸，使三星西安厂短暂停电数秒，在工程师抢修设备并快速进行线上晶圆损害清查后，目前部分产能已恢复生产；现阶段三星西安厂投产规模达每月10万片，全数为先进的3D-NAND Flash，主要应

存储器西安事变 供货吃紧NAND单日*高涨一成

大陆西安变电厂爆炸造成当地三星晶圆厂、美光及力成封测厂出现电力闪断及电功下降，预期将对存储器市场供给造成影响，存储器业界昨（20）日均以“西安事变”来形容此次跳电危机，而包括DRAM及NANDFlash报价也出现难得一见的**上涨行情。三星、美光、力成等业者昨日指出，对后续供货情况不会有太大影响。但存储器业界人士表示，半导体业界在过去10年当中，有关存储器晶圆厂或封测厂发生电力闪断的事件后，都出现供货吃紧问题，因为半导体设备机台跟电脑一样，电力闪断就好像插头拔起几秒再插回一样，设备就会当机或参数跑掉，至少也要1～2周时间才有办法回复原本正常运作。所以，通路商预期后续DRAM及NANDFlash供货可能吃紧，昨日均开始提高库存水位，根据台湾、香港、深圳三地的昨日现货报价，NAND随身碟及存储卡价格涨幅*大，32GB/64GBUSB3.0随身碟公板价格涨幅达5～10％，16GB/32GBMicroSD卡价格涨幅达3～5％，32GB/64GBMLC规格NANDFlash芯片涨幅达1～3％。在DRAM部分，深圳地区DRAM模组平均涨幅达3～5％左右，DDR3颗粒价格则出现1％左右涨幅。集邦科技

集邦：华亚科对美光重要性无法取代并购案料H2明朗

华亚科 (3474)昨(13)日晚间召开记者会，宣布美光(Micron)暂缓合并华亚科的相关事宜，合并案将递延至今年下半年再行决定，除了800亿联贷案持续进行外，现行瑞晶与华亚科的技术合作将会暂缓，增添后续的合并案的变数，但双方表示只是计画展延并非破局，将努力促成该合并案圆满落幕。 TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange表示，从制程技术来分析，自从美光计画转进20 纳米之后，华亚科逐步取代了原先的日本尔必达，成为*重要的生产重镇；美光阵营(含尔必达广岛厂、台湾瑞晶、华亚科及美光原有在美国与新加坡的产能合计)中，华亚科厂是*早开始转进20纳米制程，而目前的产能除原先仅有的标准型存储器及服务器存储器，更将产能大幅延伸至新一代的行动式存储器LPDDR4。截至目前为止，20纳米的投片仍持续往上提升，预计今年约9月时程就能在投片端全转进20纳米。今(2016)年度美光的位元成长全有赖20纳米制程转进时程，代表华亚科在美光集团中至关重要的角色，无法取代。而该合作案对南亚科 (2408)的重要性也不容小觑；南亚科除了今年年底要开始小幅度转进的20纳米外，后续的1Y或1X纳米

威刚：DRAM军备赛三星带头喊卡　2年半空头市场将走完

台存储器模组厂威刚董事长陈立白指出，观察国际龙头大厂动向，全球DRAM军备竞赛可望在韩系龙头三星电子(Samsung Electronics)节制资本支出的情况下停止，预计DRAM价格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景气将好转，为期两年半的DRAM空头市场将走完。 陈立白认为，三星在DRAM的资本支出上踩煞车，影响接近45%的供货，接下来就要看SK海力士的态度，如果海力士也认同避免军备竞赛的移动，开始节制资本支出，对产业来说就是美事一桩。据台存储器模组业者表示，SK海力士新董事长刚出任，信誓旦旦的表示要增加就业率，但据悉，某种程度上也可能只是口头上喊的比较积极，实质上在DRAM军备竞赛上，海力士应该会有所节制。而在三星踩煞车、观望海力士态度的情况下，如果国际大厂节制资本支出，全球DRAM两年半的空头市场大约走完，今年6~7月对于全球存储器市场来说可说是分水岭，到了9~10月因为产能节制，需求也增加，DRAM产业表现可望不错。台存储器模组业者认为，NAND、DRAM将前后有好转反应，DRAM预计落底，于第3季好转。而先前南亚科等业者也有营运转佳看法，对此南亚科总经理李培瑛先前已经

美光连涨9天、飙31%！三星传DRAM缩手NAND下半年夯

北美半导体设备BB值连5个月高于1、再加上半导体设备业龙头厂商应用材料 (Applied Materials Inc.)直指投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪存储器，让美国存储器大厂美光( Micron Technology, Inc. )股价在5月18日触底反弹、一口气连涨9个交易日之多，涨势相当惊人。美光5月31日终场跳涨了3.33%、收12.72美元，平1月12日以来收盘新高，股价带量 冲过颈线；以收盘价计算，过去9个交易日共计狂涨了31.54%，从月KD已在4月低档黄金交叉来看，过去半年来美光股价也有底部成形的味道。barron`s.com报导，RW Baird分析师Tristan Gerra 31日发表研究报告指出，三星电子(Samsung Electronics Co.)可能会在今(2016)年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND型快闪存储器，同时将18 奈米制程产能初步拉高。Gerra认为，下半年NAND的产业市况相当乐观，主要是拜iPhone 7的储存容量增加(该款智慧机应会增添256GB版本)、PC加速采纳固态硬碟(SSD)之赐。他说，这会让NAND定价

美光并购华亚科案时间延后 或因股价涨太凶

美国记忆体大厂美光科技（Micron）8日宣布，由于无法如期在7月中旬完成并购DRAM厂华亚科，预期整个并购案完成的时间点将向后递延，美光未说明延后完成交易的原因，但将在近期提供并购华亚科时间表及更多细节。业界人士预估，美光收购华亚科全部股权一案应可在第3季底结案。美光在去年底宣布将并购华亚科100%股权，并在今年3月底决议通过与美光子公司台湾美光半导体签署正式股份转换契约，由台湾美光半导体以每股新台币30元现金为对价，取得华亚科全部流通在外普通股股份。此案原本预计今年7月完成股份转换，华亚科将成美光100%持股子公司，不过，美光昨日却意外宣布，该并购案无法如期在7月中旬完成。业界人士透露，美光并购华亚科的3个条件中，获政府主管机关核准的条件已经完成，800亿元银行联贷案看起来也不会有太大问题，而目前卡关的部分，则是南亚科认购美光私募案。之所以会出现变数，主要是导因于近1个月来美光股价大涨约3成。今年初DRAM价格续跌，导致美光财报不佳，美光股价1个月内由14美元以上，大跌到10美元左右才见止跌，而至5月中旬为止，美光股价一直都在10美元上下盘整。因此，美光在5月初再度与南亚科协商有关

主要半导体厂商赴陆设厂　韩国唯恐技术外流

陆续传出全球代表性半导体业者决定前往大陆设立生产基地，尽管有技术外流的风险，但面对全球*大的消费市场招手，业者仍决定冒险一试。由于每年大陆的半导体进口规模比进口石油还高，让大陆政府欲积极发展半导体产业以提高自给率。如今领导业者的建厂计划无疑是提升大陆自给率的*佳时机，长期而言还有机会取得技术。 据韩媒ET News报导，日前排名**的IC制造业者格罗方德(GlobalFoundries)决定与重庆市政府合作，在当地兴建12吋(300mm)晶圆厂。重庆市政府提供土地与建物，格罗方德负责设备与技术部分，但双方的持分比例与投资金额等资讯并未公布。预计2017年起投产130~40纳米逻辑、模拟、混合信号芯片等。业界认为，该工厂初期量产规模以每月投入晶圆为基准约1.5万片。格罗方德则计划将新加坡Fab 7工厂使用的技术移转到即将新建的大陆重庆工厂。先前台积电也曾发表到南京的建厂计划，规划兴建12吋晶圆厂，投产时间定在2018年，生产16纳米FinFET芯片。从台积电*新的技术地图(Roadmap)来看，2018年*新制程应为10纳米或7纳米技术，因此用于南京工厂的技术约落后两个世代左右，原因应是

武汉“新芯”存储器项目引起全球热议

武汉“新芯”投资240亿美元启动存储器项目己引起全球的热议，加上紫光的存储器项目，虽然尚未正式落子，但是它的计划几乎己成定局，投资近100亿美元，由紫光国芯操刀。如今又冒出台代工双雄之一的联电，它与福建泉州合作准备迈入利基型存储器的代工行列。这样全球**公司，包括三星、英特尔、海力士，加上国内的武汉“新芯”、紫光国芯，还可能再加上合肥的项目以及泉州联电的存储器代工，都聚集于中国。存储产业竞争将再起波澜业界关切的问题是全球存储器业自1999年始，历经六次大的兼并与退出，厂家数量越来越少，DRAM只剩下三家，包括三星、海力士和美光(它于2012年兼并日本的尔必达);NAND闪存方面有四组，分别是三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔。尽管台湾地区尚有几家小厂，但由于实力不济，或者依附于美光，或者转型代工。存储业很久没有“新进者”出现了。三星及海力士两家垄断的局面己经持续多年，三星己连续24年称霸全球。2015年的数据，韩国的DRAM及NAND全球市场份额分别达到73%及43.7%。如果从存储器的周期计，在2001至2010年期间，仅三星和海力士两家盈利80亿美元，其他诸厂累积亏损达130

大陆发展DRAM 海力士恐首当其冲

工研院 IEK认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM已势在必行，未来若中国大陆成功抢进DRAM领域，预期海力士恐将是*大潜在受害者。 联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托，开发动态随机存取记忆体(DRAM)相关制程技术，引起各界关注。工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)电子与系统研究组副组长杨瑞临认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM似乎已势在必行。杨瑞临指出，中国大陆目前至少有 5家厂商规划投入DRAM发展，除这次委托联电开发技术的晋华外，还有武汉新芯，中芯也传将重操旧业，浪潮集团也可能抢进DRAM领域。如何取得技术是中国大陆发展DRAM的关键，杨瑞临认为，中国大陆可能采取 3个策略，其一是寻求与现有DRAM厂合作，或是自日本找专家，或来台湾找技术。对于联电为晋华开发DRAM制程技术，杨瑞临认为，与其DRAM人才被中国大陆挖角，联电为大陆厂商开发技术，不仅研发活动仍留在台湾，不须承担市场激烈竞争风险，还有技术授权金入帐，未尝不是件好事。杨瑞临说，未来若中国大陆厂商成功抢进DRAM市场，预期海力士恐将首当其冲，将是*大潜在受害者。

美光涨逾7%！应材估DRAM资本支出降温、三星传缩手

半导体设备业龙头厂商应用材料 (Applied Materials Inc.)19日于美股盘后的营收预估值击败分析师预估，带动20日股价跳涨13.81%、收22.66美元，涨幅不但居费城半导体指数成分股30支成分股之冠，收盘更创2015年3月30日以来收盘新高。 美国存储器大厂美光(Micron Technology)19日跟着大涨7.25%、收10.80美元，创4月28日以来收盘新高。TheStreet.com 20日报导，应材在财报电话会议上指出，投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪存储器，估计今(2016)年下半年DRAM的资本支出会年减至少25%，NAND则会年增35%。Sterne Agee 证券发表研究报告指出，这两个趋势都意味着美光的毛利率长期看俏，因为DRAM支出下滑有望让供需止稳、降低定价压力，而NAND支出上扬就有望拉高产能利用率、逐渐推升毛利，因为3D NAND的毛利比其他产品还高。Bernstein Research先前曾痛批三星电子(Samsung Electronics Co.)心狠手辣，意图在存储器界赶尽杀绝，铲除SK 海力士 (SK Hynix )、

三星+海力士移动DRAM逼近九成，美光濒临淘汰

市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，三星**季豪取全球移动DRAM逾六成市场（60.4%），不仅稳居全球龙头，也创下历史新高。（Businesskorea.co.kr） 尽管如此，受DRAM平均报价下滑冲击，三星当季行动DRAM营收不增反减，较前季大幅衰退22.7%至20.26亿美元，这或许是搞军备竞赛争夺市占率必需付出的代价。SK海力士状况类似，市占率虽然进步0.8个百分点，但同期间行动DRAM营收来却较前期倒退23.1%，成为9.03亿美元。加总三星与海力士市占率，从去年第四季的84.3%攀升至87.3%，其余竞争者几无容身之地。美光（Micron）因为制程技术落后给三星与海力士，当季营收仅3.49亿美元，较前季遽减45.6%，市占率仅剩10.4%，濒临淘汰边缘。存储器除了较劲技术外也比规模经济，生产规模越大、平均固定成本越低，越有竞争力，今年预料三星市占率将突破七成，将进一步压缩美光生存空间。

三星+海力士移动DRAM逼近九成 美光濒临淘汰

市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示，三星**季豪取全球移动DRAM逾六成市场（60.4%），不仅稳居全球龙头，也创下历史新高。（Businesskorea.co.kr）尽管如此，受DRAM平均报价下滑冲击，三星当季行动DRAM营收不增反减，较前季大幅衰退22.7%至20.26亿美元，这或许是搞军备竞赛争夺市占率必需付出的代价。SK海力士状况类似，市占率虽然进步0.8个百分点，但同期间行动DRAM营收来却较前期倒退23.1%，成为9.03亿美元。加总三星与海力士市占率，从去年第四季的84.3%攀升至87.3%，其余竞争者几无容身之地。美光（Micron）因为制程技术落后给三星与海力士，当季营收仅3.49亿美元，较前季遽减45.6%，市占率仅剩10.4%，濒临淘汰边缘。存储器除了较劲技术外也比规模经济，生产规模越大、平均固定成本越低，越有竞争力，今年预料三星市占率将突破七成，将进一步压缩美光生存空间。