英特尔信誓旦旦说到，摩尔定律已死。三星用实际行动证明，摩尔定律对DRAM产业依然有效…
英特尔信誓旦旦说到，摩尔定律已死。三星用实际行动证明，摩尔定律对DRAM产业依然有效。
近年来，关于摩尔定律的死亡传言被大大夸大。近日，三星电子发布业界**款10纳米8Gb DDR4 DRAM芯片颗粒。这家韩国厂商同时宣布，他们已经先于SK海力士和美光实现10nm DDR4芯片的量产。
三星在新闻发布会上表示，新的DRAM支持3200Mbps数据传输频率，相对20nm工艺的DDR4 DRAM颗粒效能提升约20%，同时，其功耗降低10%至20%，高效低耗的特性适用于新一代HPC（ 高效能运算 ） 、大型企业网络以及主流电脑及服务器市场。
三星在去年发布了用于固态硬盘和其他存储产品的10nm NAND闪存，但将DRAM缩小至如此的尺寸要更加困难。这是因为内存的不稳定性需要电容器伴随着晶体管存在，也就是所又有这些元件都需要进行缩小。除此之外，三星还必须“在几十纳米宽的晶体管上堆叠极窄的圆柱形电容器以存储大电荷，从而创造超过80亿个单元”。如此一来，制作难度又被提高了好几倍。
三星宣称，他们利用现有氟化氩浸没式光刻技术而无需使用极紫外设备，就可以解决DRAM扩展的挑战。
有分析师认为，三星改良了自己的四重图形技术，用光刻曝光来增加芯片功能的分辨率，该技术被广泛的应用于NAND闪存的制造上。并指出，摩尔定律的延续意味着我们将继续得到更便宜的DRAM。
三星将在今年生产SIMM模块，容量从4GB的笔记本电脑到*高128GB企业级服务器不等，同时延长其20纳米DRAM阵容与新的DRAM产品组合贯穿全年。不久的将来，三星将推出10nm高密度超**的移动DRAM产品，以解决超高清智能手机市场
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