中国存储三大势力成形，开产能、急建厂力拼 2018 量产

存储产业在历经价格血战成了三强鼎立的寡占市场，中国在市场、国安考量力求在存储有所突围，原先的紫光、武汉新芯从各自进击到合体发展，另外两组势力在联电、中芯老将辅佐下也积极展开布局，中国存储铁三角逐步成形。紫光集团先前欲并购美光、与 SK 海力士谈授权*后都无疾而终，*终与获得中国存储统筹资源的武汉新芯合并，进一步成立长江存储公司，由紫光董事长赵伟国兼任长江存储董事长，大基金总经理丁文武出任副董事长，并由原武汉新芯CEO杨士宁出任总经理负责 NAND Flash 擘划，转战紫光的前华亚科董事长则任长江存储营运长重起炉灶筹备 DRAM建厂。武汉新芯存储基地已在 2016 年 3 月底动土，根据科技新报先前取得的消息，新的存储基地将分三期，总规划面积约 100 万平方米，一期于 8 月开工、预计 2018 年建设完成，月产能约 20 万片，而官方目标到 2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。**步已与 NOR 内存厂商飞索半导体(Spansion)签订技术授权，从 3D NAND Flash 下手，并预计 2017 有能力推出 32 层堆叠、2018 年

日本半导体产业是怎样走向衰落的？

20世纪80、90年代，日本工业实力达到**，半导体、液晶显示器、**机械设备、先进材料工业等等，独步全球。可惜的是，到1990年初，日经指数由38915点的历史*高点向下崩跌，短短2年半间跌至15910点。股市的下跌，戳破日本的泡沫经济，日本半导体产业**全球的��势也逐步腐蚀。短短10年走向衰败1990年全球10大半导体公司中有6家为日本公司，NEC、东芝及日立高居前3大半导体公司，英特尔仅居全球第4，而韩国三星电子尚未能进入前10大排行榜。1995年，日本公司只有4家进入前10大半导体公司排行榜，英特尔跃升为全球半导体公司龙头，NEC、东芝及日立退居2、3、4名，三星电子及现代电子也挤进前10大。2000年，仅有NEC、东芝及日立进入10大，三星电子以些微差距，落在东芝及NEC之後，居全球第4大半导体公司，英特尔仍居全球第1，日本半导体产业在此时已走下坡。以往日本傲视全球的记忆体产业，也在韩国公司凌厉攻势下，逐步失去竞争力。为提升竞争力，2000年NEC、日立的DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取记忆体)部门合并，成立尔必达，2003年尔

存储器价格上扬 芯片产业前景微露曙光

又有一家市场研究机构调升了对2016与2017年半导体产业成长率的预测──International Business Strategies (IBS)现在认为2016年晶片产业成长率为0.2%，2017年则为4.6%。 在今年1月份的某个产业活动上，IBS执行长/**分析师Handel Jones 原本预测今年晶片产业将衰退1.5%；同时间另一家市场研究机构IC Insights则认为今年晶片市场将成长4%。现在，两边的意见已近乎一致。IC Insights不久前将2016年晶片市场成长率预测值更新为1%，2017年成长率则更正为4%；而且上述两家机构的分析师都认为，记忆体价格上扬以及中国智慧型手机业者的新产品内采用了更高容量的记忆体，是拉抬整体IC市场成长的动能所在。Jones表示，DRAM价格在今年下半年应该上涨了20~30%，抵销了过去约一年来的衰退；NAND快闪记忆体的价格也有增加，2016年增加幅度达36.2%，让整体NAND市场规模成长6.2%。他预期DRAM价格在2017年只会小幅下降，NAND价格则会维持在0.28~0.35美元的水准。而Jones指出，为了与Appl

三大DRAM势力明年对决 长江存储、联电、合肥长芯抢版图

集微网消息，据台湾媒体报道，近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战，长江存储传已评估到南京设立12吋厂，联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产，并在南科厂同步研发25、30纳米制程，至于合肥市与北京兆易**(GigaDevice)合作的合肥长芯，由前中芯国际执行长王宁国操刀，大陆这三股DRAM势力将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。 尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作，切入32层和64层3D NAND技术，由于门槛较高，长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂，然值得注意的是，全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。目前大陆DRAM势力处于战国时代，至少有三股DRAM势力**竞逐版图，除了长江存储之外，还有联电旗下福建晋华，其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电**副总陈正坤，第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色，将统筹3D NAND和DRAM两大存储器技术发展，然大

2016年中国集成电路销售额将超4300亿元

今年以来，全球经济一直未完全走出金融危机阴影，整体复苏疲弱乏力，增速持续放缓，传统PC业务进一步萎缩，智能终端市场需求逐步减弱，云计算、大数据、物联网带来的新兴市场需求尚未爆发。美国半导体行业协会数据显示，受此影响，今年1-6月全球半导体市场销售规模依旧呈现下滑态势，为1574亿美元，同比下降5.8%。 与此相反，《国家集成电路产业发展推进纲要》（以下简称《推进纲要》）经过近两年的系统实施，**阶段目标已顺利完成。国家集成电路产业投资基金（以下简称国家基金）金融杠杆作用逐步显现，适应产业发展的政策环境和投融资环境基本形成。在政策支持以及市场需求带动下，我国集成电路产业继续保持平稳快速的发展态势。2016年集成电路行业呈四大特点**，产业规模继续增长，但进出口受经济下行压力影响较大。今年以来，我国集成电路产业继续保持高位趋稳、稳中有进的发展态势。国家统计局数据显示，1-9月**集成电路的产量为943.9亿块，同比增长约18.2%。据中国半导体行业协会统计，1-6月全行业实现销售额为1847.1亿元，同比增长16.1%，其中，设计业继续保持较快增速，销售额为685.5亿元，同比增长24.6

新Macbook Pro升级了AMD独显 Intel*强核显出路何在？

华邦电再夺苹果新笔电大单 Q4营收将明显增长

存储器大厂华邦电子再获苹果新订单!苹果才刚推出的全新款Macbook Pro中，搭载了华邦电的64Mb串列式NOR Flash芯片，显示近年来的营销策略十分成功，顺利卡位国际一线系统大厂供应链。对华邦电来说，受惠于DRAM及NAND Flash价格持续上涨，第四季营收将见到明显成长动能。华邦电第三季合并营收新台币107.33亿元，营业利益达新台币8.84亿元，约与**季持平，单季归属母公司税后净利达新台币6.60亿元，较**季小幅成长2.8%。累计今年前三季合并营收达新台币313.17亿元，归属母公司税后净利新台币20.79亿元。根据拆解网站iFixit的*新Macbook Pro拆解报告，华邦电64Mb NOR Flash再度获得采用，这是继先前旧款MacBook Pro采用华邦电NOR Flash芯片后，再一次采用华邦电NOR Flash。华邦电近年来调整策略有成，目前拥有DRAM、NAND Flash、NOR Flash等三大存储器产能及技术，是中国台湾地区***家拥有完整存储器产品线的业者。在NOR Flash部分，不仅是苹果Macbook Pro主要供应商，今年也成功打进三星

矽品力成业绩发烫本季营运站**

十月DRAM价格月涨逾20%，4GB模组均价来到17.5美元

原标题： TrendForce：十月DRAM价格月涨逾20%，4GB模组均价来到17.5美元 集微网消息，Nov. 2, 2016 ---- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）表示，DRAM原厂与一线的PC-OEM（代工）大厂敲定第四季度的合约价格，4GB模组均价来到17.5美元，较上月的14.5美元上涨逾20%；现货市场也依然维持强劲的上升格局，DDR3／4 4Gb价格分别来到2.46／2.48美元，较上月同期比较已上涨17%与24%，显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，观察市场面，由于原厂产能陆续转进行动式内存与服务器内存后，标准型内存产能已低于20%以下，加上厂商库存水位偏低与旺季需求比预期更佳，标准型内存出现历年少见在无工厂意外情况下而价格暴涨的情形，此效应也让其他的DRAM产品在第四季皆有涨幅。近期上涨行情成寡占格局*佳典范，长期不利中国厂商进军内存产业吴雅婷指出，2016下半年在全球智能手机与服务器需求强劲下，DRAM产能迅速转进行动式内存与服务器用内存，标准型内存因此面

SK海力士本月底将量产48层3D NAND Flash

据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，*快将从11月底正式启动量产；以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。 业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是**家进入量产的业者。由于3D NAND Flash性能上的优点，业界普遍认为不久的未来将成为3D NAND Flash时代。市调机构IHS预估，存储器业者的3D NAND Flash生产比重将由2015年6.7%逐年提高，2016年为23.6%，2017年为57.8%。SK海力士表示，研发团队正顺利进行下一代72层3D NAND产品研发，预估可在2017年下半投产。为此，公司决定将2015年8月完工的利川M14工厂二楼作为3D NAND专用厂房，目前正进行无尘室施工，2017年产线稼动后，3D NAND的产量可望大幅提

南亚科季报：看好4Q价格续涨5%　各应用需求都强

南亚科在26日的法说会中表示，受惠生产效率提升，今年DRAM的位元成长率达16~19%，比预期好，并预期第4季的DRAM价格可以季增5%左右，包括标准型DRAM、伺服器DRAM、消费性DRAM芯片等状况都优于第3季。 近期DRAM价格止跌反弹，第3季市况已明显升温，此好景有机会延续到年底，而南亚科也在26日法说会中公布财报，第3季合并营收为102.4亿元，较上季增加14.2%，单季毛利率为31.1%，也较第2季28.4%明显上扬。由于DRAM市况好转，第4季的平均销售单价也可望增加，因此第4季状况将优于第3季；根据南亚科目前的产品应用分布，第3季的移动通讯DRAM芯片占整体营收比重约18.4%，标准型芯片占11%，另外的工规和车规芯片约占7%，其他为消费性DRAM芯片。南亚科指出，预期第4季的DRAM价格可较上季增加5%左右，包括标准型DRAM、伺服器DRAM、消费性DRAM的状况都优于第3季。另外，南亚科技预估第4季位元出货约持平，今年资本支出约252.5亿元，其中转进20纳米制程所需资本支出约为236亿元。再者，南亚科目前对华亚科的持股约24.2%，第3季认列华亚科的持股利益约2.

南亚科：Q4市况更供不应求，DRAM报价估上涨5%

展望第四季，南亚科总经理李培瑛对市况乐观看待，认为第四季供不应求的情况比第三季更严重，且标准型、消费型、伺服器与手机用记忆体都会出现供给缺口，并预估第四季DRAM平均报价可望较第三季上涨5%。 李培瑛指出，第三季因供应端库存顺利去化，加上需求面的季节性旺季需求，使连续整理了7季的DRAM平均报价，第三季出现显着反弹，其中，标准型DRAM现货价较**季上涨19.7%，消费型DRAM价格也较**季上涨5.6%。展望第四季，李培瑛指出，从需求面来看，因手机备货需求增加和DRAM搭载容量提升，加上云端伺服器市场动能未减，以及消费产品季节性需求，预期第四季DRAM市场需求将优于第三季；而供给面上，因供给成长有限，第四季DRAM供给不足的情况会比第三季更严重。

三星拟提高零组件价格弥补Note7爆炸损失

随着韩国三星电子旗下的旗舰型智能手机Galaxy Note7日前连发发生电池爆炸事件，*终使得三星不得不宣布全球召回即停止生产，而且进行全球消费者与供应商的补偿动作，以挽回商誉。不过，这些损失根据分析师的估计，总金额将超过170亿美元。面对巨大的损失，就有外电消息指出，三星拟提高DRAM、快闪存储器、以及手机用AMOLED面板的价格，用以减少损失。外电消息指出，原本被三星视为对抗苹果iPhone7利器的Galaxy Note7，如此短命，且狼狈不堪的退场，是三星所始料未及的。所以，对于Galaxy Note7退场所造成的损失也让三星措手不及。因此，为了填补一下亏损金额的大洞，有分析师指出，三星将进行一些小手段。也就是计划将目前在全球市占率****的DRAM、快闪存储器、以及手机用AMOLED面板价格提高，用以稍微减轻损失的压力。根据*新调查数据显示，2016年第2季，三星在DRAM市场上的市占率达到61.5%，而快闪存储器市占率则来到36.3%，至于手机用AMOLED面板则更是掌握超97%的市占率。这三项智能手机的关键零组件，三星在目前的全球市占率都达到全球****的位置。因此，一旦提

南亚科李培英：Q4 DRAM市况更供不应求 报价估涨5%

DRAM厂南亚科26日举行法说会，展望第四季，南亚科总经理李培瑛对市况乐观看待，认为第四季供不应求的情况比第三季更严重，且标准型、消费型、服务器与手机用存储器都会出现供给缺口，并预估第四季DRAM平均报价可望较第三季上涨5%。李培瑛指出，第三季因供应端库存顺利去化，加上需求面的季节性旺季需求，使连续整理了7季的DRAM平均报价，第三季出现显着反弹，其中，标准型DRAM现货价较**季上涨19.7%，消费型DRAM价格也较**季上涨5.6%。展望第四季，李培瑛指出，从需求面来看，因手机备货需求增加和DRAM搭载容量提升，加上云端服务器市场动能未减，以及消费产品季节性需求，预期第四季DRAM市场需求将优于第三季;而供给面上，因供给成长有限，第四季DRAM供给不足的情况会比第三季更严重。

SK海力士：存储器价格上升强势带动 营业利益季增60%

25日SK海力士(SK Hynix)公布第3季财报，营收为4.2436兆韩元(约37.28亿美元)，营业利益为7,260亿韩元，税后净利为5,978亿韩元。营收与营业利益较前季各增加7.7%与60.3%，但与2015年同期相比，分别减少13.8%与47.5%。 据韩国经济等韩媒报导，先前证券业者预估SK海力士第3季营业利益金额约6,750亿韩元，但由结果SK海力士公布的各项数据显示，实际绩效比业界预期表现良好。SK海力士营收能较前季成长7.7%，主要可归功于第3季有许多移动装置新产品上市及个人电脑(PC)需求影响，带动市场景气复甦；营业利益较前季增加60.3%，则因SK海力士扩大20纳米前段(2z)制程DRAM量产比重，成功降低生产成本，加上市场价格回升的双重效果所致。由于PC业者事先囤积库存及移动装置新品上市，SK海力士第3季DRAM出货量比第2季增加8%，产品也逐渐走向高容量趋势，平均出货价格则为维持与第2季相同水准；NAND Flash出货量则增加12%，平均出货价格上升7%。对未来DRAM市场走势预估，SK海力士表示，在供给增加有限之下，市场需求成长力道强，产品价格应可持续上扬

手机DRAM有漏洞，黑客可窃取手机*高权限；

1.手机DRAM有漏洞，黑客可窃取手机*高权限；2.联发科平台三星智能机Galaxy J2 Prime在俄国首度现身！；3.四维图新收购杰发科技案获无条件通过 腾讯增资1.8亿元；4.台湾投审会批准汉民科技逾5亿欧元投资ASML；5.Global Foundries半年巨亏13.5亿美元跌谷底 布局中国前途未卜？；6.SK海力士Q3获利胜预期，看好第四季存储器市况 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.手机DRAM有漏洞，黑客可窃取手机*高权限；骇客锁定手机DRAM存在的Rowhammer漏洞，只要重复造访隔壁列的记忆元，造成存储器控制电路电压波动，影响目标存储体列，造成位元翻转现象，在持续变更存储器内的位元，*终将能操控操作系统数据并取得*高权限。阿姆斯特丹自由大学（Vrije Universiteit Amsterdam）的漏洞**实验室VUSec Lab本周揭露了一个可能影响所有智能手机的**漏洞，此一漏洞并非存在于移动平台或程式上，而是藏匿在手机所使用的动态随机存取

三星拟提高零组件价格填补Note7事件损失

随着韩国三星电子旗下的旗舰型智能手机Galaxy Note7日前连发发生电池爆炸事件，*终使得三星不得不宣布全球召回即停止生产，而且进行全球消费者与供应商的补偿动作，以挽回商誉。不过，这些损失根据分析师的估计，总金额将超过170亿美元。面对巨大的损失，就有外电消息指出，三星拟提高DRAM、快闪存储器、以及手机用AMOLED面板的价格，用以减少损失。 外电消息指出，原本被三星视为对抗苹果iPhone7利器的Galaxy Note7，如此短命，且狼狈不堪的退场，是三星所始料未及的。所以，对于Galaxy Note7退场所造成的损失也让三星措手不及。因此，为了填补一下亏损金额的大洞，有分析师指出，三星将进行一些小手段。也就是计划将目前在全球市占率****的DRAM、快闪存储器、以及手机用AMOLED面板价格提高，用以稍微减轻损失的压力。根据*新调查数据显示，2016年第2季，三星在DRAM市场上的市占率达到61.5%，而快闪存储器市占率则来到36.3%，至于手机用AMOLED面板则更是掌握超97%的市占率。这三项智能手机的关键零组件，三星在目前的全球市占率都达到全球****的位置。因此，一旦

存储器市场需求畅旺 力成Q4营运审慎乐观

存储器封测厂力成25日召开法说会，总经理洪嘉鍮表示，第三季市场需求明显改善，第四季为终端产品传统旺季，市场需求健康、客户展望乐观，力成对第四季审慎乐观，虽然成长幅度不若前二季强，仍可望较第三季成长个位数，以DRAM及FLASH为主力。洪嘉鍮指出，近期DRAM市场供给吃紧，导致价格持续上涨，智能手机存储器需求强劲，标准型及绘图存储器需求维持正向，加上利基型存储器在消费性产品的应用日益增多。由于市场供给吃紧，整体市场需求畅旺。而FLASH市场供给亦持续吃紧，主要由于**手机应用的MCP/MMC容载量持续提升，且固态硬盘(SSD)取代传统硬盘趋势显现，渗透率持续拓展，目前已超过4成。此外，晶圆技术持续提升，堆叠密度日益增加，使整体市场供给面依然紧俏。逻辑业务部分，近几月晶圆产能供给亦持续吃紧，特别在先进制程方面相当短缺，加上终端产品第三季市场需求不错，第四季为传统旺季，预期整体需求仍强。整体而言，从市场供应面来看，第四季需求维持正向，将带动半导体产业持续正向成长。洪嘉鍮预期，力成第四季的DRAM及FLASH业务持续乐观，包括标准型、利基型、移动、绘图型DRAM，以及应用于**装置的MCP/M

应对封装技术大转变 未来力成资本支出或超100亿

存储器封测厂力成25日召开法说会，董事长蔡笃恭指出，今年营运逐季成长主要由于多年来对未来发展的所需布局已就绪，因此掌握市场契机。总经理洪嘉鍮表示，今年资本支出较多，未来仍将持续向前走，预期每年平均规模至少会有新台币80～100亿元。蔡笃恭指出，力成去年资出较为保守，主要是为改善与竞争者的成本差距。就设备折旧金额而言，竞争对手约占营收的15～20%，但力成达约25%，因此去年刻意减缓资本支出，以调整体质、达成相同的竞争基础，今年成效已有显现，毛利率明显提升。在达成相同的竞争基础后，力成今年再度积极投资，蔡笃恭指出，主要考量这几年封装技术将大幅转变，力成多年来持续布局准备，目前对于未来所需技术已大致就绪，也看到客户将开始大量释单，上季营运表现不错，并不纯粹只是DRAM或FLASH市况需求增加带动。展望后市，蔡笃恭指出，DRAM在手机或消费性产品的应用日趋多元，几个FLASH大厂都扩充晶圆产能，带动市场及堆叠需求增加。力成虽在相关技术上已准备就绪，但目前产能还不足，因此今年积极投资购置厂房及设备，以因应未来市场及市场需求。晶圆凸块(Bumping)及覆晶封装(Flip Chip)产能部分，洪

应对封装技术大转变 未来力成资本支出*高可达100亿

存储器封测厂力成25日召开法说会，董事长蔡笃恭指出，今年营运逐季成长主要由于多年来对未来发展的所需布局已就绪，因此掌握市场契机。总经理洪嘉鍮表示，今年资本支出较多，未来仍将持续向前走，预期每年平均规模至少会有新台币80～100亿元。 蔡笃恭指出，力成去年资出较为保守，主要是为改善与竞争者的成本差距。就设备折旧金额而言，竞争对手约占营收的15～20%，但力成达约25%，因此去年刻意减缓资本支出，以调整体质、达成相同的竞争基础，今年成效已有显现，毛利率明显提升。在达成相同的竞争基础后，力成今年再度积极投资，蔡笃恭指出，主要考量这几年封装技术将大幅转变，力成多年来持续布局准备，目前对于未来所需技术已大致就绪，也看到客户将开始大量释单，上季营运表现不错，并不纯粹只是DRAM或FLASH市况需求增加带动。展望后市，蔡笃恭指出，DRAM在手机或消费性产品的应用日趋多元，几个FLASH大厂都扩充晶圆产能，带动市场及堆叠需求增加。力成虽在相关技术上已准备就绪，但目前产能还不足，因此今年积极投资购置厂房及设备，以因应未来市场及市场需求。晶圆凸块（Bumping）及覆晶封装（Flip Chip）产能部分，

SMIC扩产利好，DRAM推高2016半导体增长预测

据ICInsight的*新预测，2016年全球半导体业的增长率将是1%，之前的预测为下降2%。它的*新预测为2016年增长1%，及2017年增长4%，而2016年IC unit（出货量）由之前预测增加4%，上升至6%。 IC Insight修正预测的原因是DRAM的价格将止跌回升。如DDR3 4Gb的价格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度达62%。如今由于智能手机及PC对于DRAM的容量需求上升，导致市场缺货，价格止跌回升。三星等又重新开始扩大投资，增加产能。DRAM是个波动十分激烈的产业，如2013年DRAM的ASP增长48%，及2014的 ASP增长26%，而2015年DRAM的ASP下降4%及2016年ASP（F）下降16%。另一个修正的理由是2016 2H的销售额相比20161H增长12.5%，是个利好大消息。还有不可否认是中芯国际等公布新的生产线项目及扩充产能，为全球半导体业作出新的贡献。

第四季DRAM合约价**上涨 南亚科行情升温

因市场供给吃紧，预期第四季DRAM合约价将出现**性上涨。南亚科即将于本周三(26日)召开法说会，股价先行走涨，反应第四季旺季预期。随着市场供需改善，第三季标准型DRAM率先止跌回稳。预期第四季除了标准型DRAM续涨20%超乎预期外，利基型存储器及Mobile DRAM报价也将较上季上涨5%，DRAM合约报价将出现**性上涨。市场供给吃紧，主要DRAM制造厂商包含三星、SK Hynix(SK 海力士)、美光，2017年三星将部分产能转进18纳米制程外，SK 海力士及美光将停留在20纳米制程，位元成长将放缓。需求端方面，由于PC ODM厂在第三季、第四季推出的新机种拉高DRAM容量，搭载8GB容量比重拉升，加上第四季PC、Server、智能手机整体需求不弱，因此推升DRAM需求。第四季利基型存储器报价看涨，亦将有利于相关厂商营运表现。美光合并华亚科已定案，大股东南亚科可望有售股利益入帐，加上将取得美光20纳米以下制程技术授权，有利于长期发展。南亚科下半年本业营运改善又有业外出售华亚科全数持股的大笔利益可期，法说行情持续暖身。DRAM市场预期2017年在供给成长趋缓、需求稳定成长下，供需结

IC Insights上调半导体全年成长至2%

受惠DRAM 市况转强，市调机构IC Insights 看好今年第4季半导体IC市场销售量走扬，预估今年第4季销售额有望创下769亿美元（台币约2.44兆元）单季新高，连带调高今年半导体IC设计销售展望，从原先预估衰退 1%上修至成长 2%，单位出货量也从年增4%上调至6%。鉴于明年全球GDP展望佳，预估明年IC产业年增4%。 IC Insights 指出，预估今年第3季全球IC市场强劲成长 9%，高于去年同期仅有 1% 的成长幅度，更优于近 15 年产业平均成长 8% 的水准。今年第4季市场销售总额预估将再成长 1% 至 769 亿美元（台币约2.44兆元），换言之，将打破 2014 年第4季所创的 767 亿美元（台币约2.43兆元），有望创下单季历史新高。IC Insights 指出，预估今年第3季全球IC市场强劲成长 9%，高于去年同期仅有 1% 的成长幅度，更优于近 15 年产业平均成长 8% 的水准。今年第4季市场销售总额预估将再成长 1% 至 769 亿美元（台币约2.44兆元），换言之，将打破 2014 年第4季所创的 767 亿美元（台币约2.43兆元），有望创下单季

福建晋华DRAM工厂2018年底量产

华美半导体协会第25届年会22日在圣他克拉会议中心举行。活动有请中港台美四地的科技界人士齐聚，在半导体发展领域交流心得互通有无。全天的年会吸引了数百人参与。今年年会的重量级嘉宾是来自中国福建的晋华集成电路有限公司的副总经理吴坤荣，他为在美工程师带来了中国半导体工业发展的新鲜资讯。 吴坤荣所在的福建省晋华集成电路有限公司，成立于今年2月，其目标产品是内存的生产。目前该公司与台湾联华电子公司合作共同开发内存产品。公司已经在泉州建立新厂房，预计工程将在明年年内完工，到2018年年底，该公司会进入量产阶段。吴荣坤表示，该公司的存在，能够填补中国在内存产业上的不足，是中国半导体工业发展的重要一环，也是中国内存企业的**家，所以获得了政府的大力支持。

3D NAND市场持续看俏　三星、SK海力士扩大投资

半导体业界普遍认为，3D NAND Flash市场开始迎接景气回春，荣景可望持续到2017年，3D NAND Flash也将成为整个存储器市场的领头羊。三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)两大韩厂已开始在相关领域进行大规模投资，以便抢得市场先机。 据朝鲜日报报导，尽管个人电脑(PC)市场需求持续衰退，对DRAM的需求也逐渐萎缩，但半导体业者对3D NAND Flash的市场景气却普遍表示乐观。受惠于固态硬碟(SSD)、伺服器、智能型手机市场扩大，3D NAND Flash的需求不但快速成长，也为业者带来丰厚利润。三星电子在2013年首先推出3D NAND Flash技术，以垂直堆叠方式取代原本的平面电路，开发出比平面NAND Flash写入速度增加1倍，电力耗损降低40%，且产品寿命增加10倍的产品。市调业者DRAM eXchange预估，2016年第4季嵌入式多芯片封装(eMCP)的平均售价可望比第3季上升10~15%；嵌入式多媒体卡(eMMC)的平均售价将延续先前趋势持续上升。南韩业界表示，3D NAND Flash的需求呈现激增走势，

三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片

Kilopass*新VLT技术，或改变DRAM产业格局

IC Insights 上修销售展望 DRAM 市况转强

IC Insights 周三发布报告调高 2016 年半导体销售展望，从原先预估衰退 1% 上修至成长 2%，单位出货量预估将成长 4-6%。报告指出 DRAM 市况转强是展望改善的主因。 IC Insights 指出，第三季全球半导体强劲成长 9%，不仅远高于去年同期仅有 1% 的成长幅度，且优于近 15 年长期平均 8% 的成长水平。除此之外，IC Insights 预期第四季全球半导体销售额将再成长 1% 至 769 亿美元，将打破 2014 年第四季所创的 767 亿美元，成为单季历史新高。半导体通常在下半年步入旺季，但今年状况又比以往更强劲，与上半年相比，2016 下半年半导体销售额预估将成长 12.6%，高于 1990 年以来 8.9% 的平均成长率。

标准型DRAM持续提价

今年第三季度以来累计涨幅逾45%受标准型DRAM(动态随机存储器)市场供不应求影响，4Gb DDR3/DDR4原厂颗粒现货价格持续上涨，10月至今平均涨幅已近15%，第三季以来累计涨幅高达45%至50%，模组价格10月涨幅也超过20%。由于三大DRAM厂家明年上半年之前无新增产能开出，明年**季度前缺货问题难以缓解。机构认为，三星、SK海力士、美光三大DRAM厂家，今年上半年将主要产能移转生产Mobile DRAM，导致下半年标准型DRAM供不应求。另外，下半年个人电脑市场销售情况已明显好于上半年，对标准型DRAM存储器需求构成支撑。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange报价显示， 8Gb DDR4原厂颗粒现货均价19日已涨至4.78美元，10月以来涨幅达10.4%，第三季度至今涨幅达31.7%，再创今年新高。此外，主流的4Gb DDR4原厂颗粒现货均价涨至2.48美元，10月以来涨幅达14.3%，第三季度以来涨幅达49.4%。4Gb DDR3原厂颗粒现货价格涨势同样强劲，19日平均报价已达2.42美元，10月以来涨幅达16.3%，第三季度至今涨幅达46.

三星或提高内存和显示屏部件价格以弥补Note7损失

凤凰科技讯 北京时间10月21日消息，据外媒报道，由于Note7事故三星损失了约50亿美元，不过分析师表示，三星可能会利用在部件供应市场的支配地位，提高移动DRAM、闪存芯片和手机屏幕等部件的价格，弥补Note7事故的损失。 在DDR4和UFS 2.0等新技术的带动下，移动DRAM和闪存芯片的价格一直处于涨势之中。但是由于Note7事故的发生，价格上涨幅度可能更剧烈。其内在逻辑是，大批使用三星部件的中国手机厂商或将利用Note7停售带来的空白，提高其大屏手机的产能和营销力度。因此部件需求将会提高，进而促使三星抬高零部件的价格。考虑到芯片制造业务眼下占据三星逾半数的利润，涨价将能够或多或少抵消Note7事故的损失。

DRAM供不应求情况持续 价格或涨至年底

虽然英特尔对第4季电脑市场看法较为保守，但标准型DRAM市场仍是供不应求，4Gb DDR3/DDR4原厂颗粒现货价持续飙涨，10月以来平均涨幅已达15%左右，第3季以来累计涨幅已达45～50%。由于三大DRAM厂明年上半年之前并无新增产能开出，业界不仅乐观看待DRAM价格将续涨到年底，明年第1季前缺货问题亦难获得缓解。标准型DRAM芯片持续飙涨，模组价格涨幅更大，10月以来4GB DDR3/DDR4模组价格涨幅已逾两成，对威刚及创见等模组厂来说，第4季营收及获利将较第3季大幅成长。而标准型DRAM带动利基型及服务器DRAM同步上涨，南亚科、华邦电对第4季营运乐观，产能几乎已被客户包下。包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂今年上半年将主要产能移转生产Mobile DRAM，导致下半年标准型DRAM供不应求，价格也一路飙涨不回头。根据全球市场研究机构TrendForce集邦科技及模组厂提供报价，8Gb DDR4原厂颗粒现货均价昨日已涨至4.78美元，10月以来涨幅达10.4%，第3季以来涨幅达31.7%，改写今年新高价。主流的4Gb DDR4原厂颗粒现货均价昨日涨至2.48美元，10

大陆存储器三路追击 挖角、合作各显神通

大陆近几年积极扶植半导体，诸如晶圆代工中芯国际；IC 设计海思、展讯；封测江苏长电、南通富士通都是中国 IC 潮备受关注的新势力。然而在存储器产业大陆始终难以找到突破口，只好从土法炼钢起，而台湾在这之间成了大陆挖角大本营。大陆发展存储器在屡屡碰壁后，开始积极整合资源力求突围，不只紫光集团与武汉新芯合体为长江存储，先前以武岳峰为首的大陆基金并购美国 DRAM 厂 ISSI，也传出拟与大陆 Flash 设计公司兆易**（Gigadevice）合并，形成 DRAM/NAND Flash 兼有的存储器厂商。先前科技新报才报导，跳槽至紫光集团的前南亚科总经理、华亚科董事长高启全，已运用自身人脉挖角南亚科、华亚科近十位主管，有员工跟随主管脚步转战中国，当时消息人士估计，台湾至少会有百位 DRAM 人才出走。就像与长江存储约好，现在再有消息指出，兆易**藉由两位从华亚科的退休刘姓**副总、离职彭姓高阶主管人脉，挖角南亚科、华亚科人才。台湾俨然成了中国发展存储器的人才培育中心。兆易**目前产品核心为 NOR 跟 Micro Controllers。2015 年营业额 11.9 亿人民币，据调研机构 I

DRAM与NAND供货吃紧 群联威刚等库存厂受惠

近期DRAM与NAND Flash均呈现供货吃紧的情况，支撑报价走扬，存储器相关厂商坦言，现在出现捧现金也不一定买得到货的局面，即使买得到，也可能垫高进货成本。法人表示，这时拥有低价库存的厂商才能真正受惠于涨价潮。在NAND Flash部分，由于群联与大股东兼原厂供应商东芝关系紧密，因此，在掌握货源方面，被视为具有优势，有助于第4季的业绩表现，甚至有机会续**高。另外，威刚的库存水位大约维持在6到8周左右，也有机会享受市况荣景带来的益处。威刚9月营收达新台币21.78亿元，达近21个月新高。创见第3季表现稍有受到货源不足影响，第4季接单情况颇佳，正努力调配货源，以应对客户需求。宇瞻的消费性DRAM产品有爆单现象，受限于部分特定货源吃紧，因此9月部分订单递延到10月，有助于10月业绩成长。

大陆发展存储器大计三箭齐发　明年推首颗自制3D NAND芯片

大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开，初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产，武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂，*快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片，尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代，然大陆终于将**进军NAND Flash领域。 尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代，但在存储器技术改朝换代之际，大陆直接切入新世代3D NAND技术，有机会另辟一片天。大陆有鉴于过去扶植晶圆代工产业经验，这次为让存储器产业落地生根，采取集中资源生产策略，不仅避免资源分散，并杜绝恶性竞争导致产能供过于求情况。大陆过去有众多地方政府和企业集团争取扮演存储器生产中心角色，包括合肥市政府、中芯国际及京东方等，后来由武汉新芯出线，然随着紫光集团加入战局，大陆原本以武汉新芯为主轴的存储器发展大计，出现架构性的改变。2016年紫光集团与武汉新芯合资成立长江存储，武汉新芯成为长江存储旗下100%持股的子公司，并对于未来存储

三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片：手机RAM春天！

据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级(10nm~20nm之间)工艺制造，可实现与20nm级4GB相似的封装面积(立体三围15mm×15mm×1.0mm)和功耗。内存速度为4266Mbps，比目前PC所用的DDR4 DRAM典型值2133 Mbps要快两倍。若按照64bit位宽，每秒可传输34GB的数据。三星称，8GB的容量将得以让移动设备实现更流畅的虚拟机运行、4K视频回放等。去年8月，三星推出了业界**12Gb LPDDR4内存颗粒，使得6GB RAM手机得以实现，随着三星8GB LPDDR4的推出和骁龙821/653对8G的支持，相信很快就会有相关手机**，会是谁呢?

大陆存储器三路追击，台湾成挖角大本营

Kilopass凭借其**性的VLT技术改变DRAM产业格局

2016年10月11日—半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）知识产权（IP）产品**提供商Kilopass Technology， Inc.今日宣布：推出其**性的垂直分层晶闸管（VerTIcal Layered Thyristor， VLT）技术，进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。“Kilopass以一次性可编程（OTP）存储器技术的***而闻名，我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新，”Kilopass**执行官Charlie Cheng说道。“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术，运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这些产品在功耗和成本上将具有显著优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”VLT概览晶闸管是一种结构复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成，这种结构非常适合存储器；与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需

瑞萨电子推出可缩短搜索卸载引擎开发时间的参考设计

原标题：瑞萨电子推出在业内*快的400Gbps网络设备中可缩短搜索卸载引擎开发时间的参考设计 瑞萨网络搜索引擎片上系统参考设计 瑞萨网络搜索引擎片上系统参考设计的组成 2016年10月11日，日本东京讯——全球**的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布推出网络搜索引擎 欲了解瑞萨数据包头文件搜索解决方案的详细信息，请访问：Americas Brazil （注1）网络搜索引擎SoC在用于视频流、电子邮件等的数据包目标硬件中执行高速查询，并在硬件中对网络服务进行优先控制和访问控制。（注2）管道数据包处理能够通过以装配线的方式进行指令相关的处理达到高效的目的。（注3）软件定义网络(SDN)或软件定义基础架构(SDI)是指对常规网络或基础架构进行抽象或虚拟化从而使其通过软件实现定义或控制的环境。（注4）采用LLDRAM-III存储器和FPGA的基于DRAM的100 Gbps搜索解决方案：https://www.renesas.com/en-hq/about/press-center/news/2016/news20160630.html（注5）采用网络搜索引擎的20

VLT技术 或将颠覆DRAM产业格局

10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor）技术，简称VLT技术。据Kilopass**执行官Charlie Cheng称，该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身，有可能颠覆目前的DRAM产业格局。 *适用于云计算/服务器市场的DRAM技术Charlie Cheng指出，DRAM整体市场较为稳定，未来随着PC、手机等方面的市场需求萎缩，新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。然而当前的DRAM技术用于该市场领域面临着功耗太高的问题。当前DRAM技术的存储单元，基本的结构是1个晶体管搭配一个电容器（1T1C）。这种存储单元结构目前只能做到20nm工艺，受制于电容器的尺寸和电容量，DRAM的尺寸缩小再往下走非常困难。同时，因为较小的晶体管带来更多的漏电流，且较小的电容器结构拥有更少的电容量，这将导致两次刷新之间的间隔时间必须缩短。由于刷新周期频率的加快，16Gb DDR DRAM中高达20%的原始带宽将丢失，这给多核/多线程服务器中的CPU带来负担，使CPU必须挤压每一点儿性能来保持系

华邦电成功自行开发3x纳米DRAM Q4量产

存储器大厂华邦电子总经理詹东义在活动中指出，近年强攻车用及工控等市场有成，第2季营收占比已达16%，而第4季客户需求强劲，该公司的产能已被**。另外，华邦电已成功完成自行开发的3x纳米DRAM制程，第4季可望开始进入量产，法人看好华邦电明年获利将出现跳跃性成长。华邦电今年在利基型存储器市场持续扩增市占率，DRAM及NOR/NAND Flash等产品线陆续打进苹果、三星等国际大厂供应链。虽然三星此次宣布停产Note 7，但詹东义表示，华邦电供应三星多款机种，而且还有供应给其它手机品牌大厂，因此Note 7停产不会对华邦电营运造成影响。受惠于DRAM价格持续走高，华邦电9月合并营收月增1.6%、达新台币36.32亿元，持续改写10年来单月营收新高;第3季合并营收季增2.2%、达新台币107.33亿元，与去年同期相较成长12.6%，表现优于市场预期。累计今年前3季度营收达新台币313.17亿元，较去年同期成长9.8%。由于第4季DRAM价格持续调涨，华邦电营收将开始反应涨幅效应，法人看好华邦电营收持续创高，而且明年第1季营运不看淡。另外，华邦电董事长焦佑钧15日也宣布好消息，华邦电已经成功自

全球内存模组市场衰退 金士顿稳居龙头

半导体产业的突变：中国半导体行业的未来之一

据日经新闻报道，由日本尔必达的元社长坂本幸雄所设立的半导体设计公司兆基科技(Sino King Technology)和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，兆基科技将主导合肥市政府总额高达8000亿日元(460亿人民币(6.7180, 0.0130, 0.19%))的大规模半导体工厂兴建企划。新工厂将生产由兆基科技所设计研发、具备低耗电力的计算机内存(DRAM)，计划在2018年下半年开始量产，以12吋晶圆换算的月产能达10万片的国内*大的内存芯片工厂。其实兆基科技现在只有10名日藉员工，从理论上讲应该是一个半导体设计公司，他们也准备从中国、日本和台湾三国招募1000名半导体技术人员。合肥的计划当然是政府振新半导体行业的一部分，但是合肥市政府如此巨额的投资，为什么要和一个刚建立不久且员工只有10名的无名小辈合作呢?社长坂本幸雄个人的魅力是一个很重要的一点，但*重要的原因应该和武汉新芯和飞索联合作获取3D NAND Flash生产技术一样，是为了获取DRAM的生产技术。日本尔必达倒产以后，生产DRAM的只有三星、美光和SK Hynix三巨头，紫光在美光收购和SK Hynix入股的接连失

联电厦门建12寸厂惊传欠款半年

美光顺利迎娶华亚科　下一关DRAM结盟紫光

集微网消息，据海外媒体报道，美光(Micron)吃下华亚科100%股权后，市场传出将会加速美光和紫光集团洽谈DRAM技术的合作模式，大陆的存储器版图布局已然成形。美光在2015年底宣布要以每股新台币30元价格收购华亚科100%股权，然而拖了将近一年，日前才宣布此案在年底前定局，美光成功收编完台湾的DRAM厂，前有力晶与尔必达(Elpida)合资的瑞晶，后有美光与南亚科合资的华亚科，都一一成为美光集团成员后，下一步要加速布局大陆的存储器领域。过去多个地方势力争夺大陆中央存储器生产基地的大本营，*后不负众望是落脚在武汉新芯，因为武汉新芯原本就是NOR Flash存储器芯片的代工厂，前身是由中芯国际代管，后来由湖北政府接手，90%产能都是代工NOR Flash芯片，少部分代工逻辑芯片。日前大陆的大基金与湖北国芯产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资成立长江存储，由紫光集团董事长赵伟国出任长江存储的董事长，国家集成电路产业投资基金的总经理丁文武出任副董事长，武汉新芯的执行长杨士宁担任长江存储的总经理，武汉新芯变成长江存储旗下持股100%的子公司。随着美光和华亚科的收购案中终于告一段落，市场认

2015年全球内存模组厂营收年衰退10%

*新全球内存模组厂排名调查显示，由于2015年标准型内存价格下跌与DIY市场规模缩小，2015年全球模组市场总销售额约79亿美元，年衰退约10%。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2015年整体PC市场供过于求，加上Windows 10授权费以内存搭载量大小当作条件，使得内存消化量无明显成长，甚至全年度笔电内存搭载量年衰退1%。此外，由于2015年整体DRAM价格下跌，现货价格跌幅又较合约价格更为剧烈，使模组厂首当其冲，多数模组厂的营收表现受影响。金士顿稳居全球龙头，记忆科技与威刚分占中国大陆与台湾营收**。DRAMeXchange统计，2015年全球前五大内存模组厂已占整体销售额87%，前十名囊括全球模组市场中97%营业额，大者恒大已是模组厂的趋势。金士顿依然蝉联2015年全球内存模组厂的龙头宝座，在DRAM价格下跌逾三成的市况下，营收却逆势成长4%，主要归功于合约市场比重提升，与扩大DRAM相关产品线带来的综效。此外，金士顿旗下手机用eMCP产品已在中国市场建立滩头堡，成功打入中国代工手机供应链，未来目标直指一线大厂。记忆科技仍是****的模组厂，全球排名第三，虽然受到

NAND冒冷汗？传三星拟扩产、平泽厂将提前投产

记忆体供货吃紧，价格节节高升，先前外资警告，盛况能持续多久，取决于三星是否扩产。如今消息传出，三星受不了诱惑，平泽厂(Pyeongtaek)将提前三个月投产，意味NAND价格可能会盛极而衰。 韩媒etnews 4日报导，业界消息称，NAND Flash价格一路向上，三星眼看机不可失，决定平泽厂将提前三个月投产。目前平泽厂的建筑工事进入尾声，正修筑工厂外墙，预料12月完工，紧接着要开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。多名设备业人士表示，三星若想在2017年初装设仪器，现在就得下单，据称三星不久后就会开始发出订单。外界预料，平泽厂将名为18代线，明年**季季初或季中开始营运，负责生产第四代64层3D NAND Flash。**阶段每月产量为4~5万片12寸晶圆，约为18代线总产量的1/4(总产量为20万片)。估计**阶段投资金额为27.2~31.7亿美元(3兆~3.5兆韩圜)。Mirae Asset Securities研究员Do Hyeon-woo说，近来NAND Flash供需相符，但是三星平泽厂启动后，会打破平衡。另外，三星新厂也会拉大该公司与竞争者的差距。外资曾发出警告，

存储器市场还能热多久？外资：一切取决于三星

存储器供货吃紧，价格喷发，先前韩媒预估，厂商制程转换将使产能减少，明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。巴伦(Barronˋs)23日报道，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两周就飙升9%;NAND Flash也供不应求，价格挺升，存储器大厂SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股价都因此一飞冲天。存储器市场还能热多久?Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等闲置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，又有闲置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。与此

利基型DRAM价格飙 南亚科华邦电得利

在标准型DRAM价格持续调涨下，x16规格利基型DRAM价格也在9月下旬出现飙涨行情，短短不到一周时间涨幅高达1成，对于主攻利基型DRAM市场的南亚科、华邦电、晶豪科等业者来说，第三季获利将见大幅跳升。由于第四季DRAM市场仍供不应求，价格持续看涨，业者喜迎旺季到来，营收及获利可望持续攀高。DRAM市场供给吃紧情况有恶化迹象。由于三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂将多数产能移转生产Mobile DRAM之后，标准型DRAM及利基型DRAM供给缺口持续放大。由于第三季进入PC及消费性电子传统旺季，因此，韩系DRAM厂开始严格控管出货量，除了推升标准型DRAM价格持续上涨，利基型DRAM更因缺货严重，价格在本周出现飙升情况。根据全球市场研究机构TrendForce集邦科技报价，4Gb DDR4标准型x8规格DRAM现货均价已经涨至2.1美元价格，4Gb DDR3标准型DRAM现货均价也在昨日站上2美元关卡。在利基型DRAM部份，x16规格的4Gb DDR3现货价昨日涨幅*大达2.33%，平均价格来到1.931美元，几乎已经来到今年新高，低容量的x16规格2Gb DDR3现货价亦来到1.

大陆手机拉货，Dialog第三季营收有望超标一成

集微网消息，Dialog半导体周三发布第三季未经稽核财报，营收来到3.45亿美元，较展望中间值高出13%，与去年同期相比则成长5%。 Dialog是手机、平板电源管理、音频和短距离无线通讯芯片供应商，客户包含苹果与三星电子等。Dialog当季主要受惠于中国十一长假，部份移动产品客户提前拉货。Dialog预计在11月3日公布完整财报。据研调机构GfK预估，中国2016全年智能手机销售量上看4.39亿部、年增率为14%。另一家市调机构IDC统计数据显示，中国**季前五大手机厂份额依序是华为17.2%、OPPO 16.2%、VIVO 13.2%、小米9.5%、苹果7.8%。中国手机厂下单加速，三星、SK海力士等存储器制造商也受惠良多，市调机构DRAMeXchange数据显示，三星**季移动DRAM份额来到61.5%、海力士为25.1%，两者合计逼近九成，也是多拜中国手机品牌下单量增加所赐。

南亚科三大利多 是*大赢家

美国记忆体大厂美光（Micron）收购华亚科案，可望在年底尘埃落定。法人看好DRAM厂南亚科营运将有三大利多加持，包括将华亚科持股售予美光可贡献税前获利199.42亿元、美光将协助南亚科提前在明年底进入20奈米世代、以及DRAM市场供不应求价格续涨并带动本业获利走高，南亚科可说是此合并案的*大赢家。 南亚科上半年合并营收193.31亿元，归属母公司税后净利22.46亿元，每股净利0.82元。第3季受惠于DRAM价格逐月调涨，而且9月涨幅明显扩大，法人预估南亚科第3季营收表现将回到第1季水准，单季获利上看20亿元，较第2季大增约4倍。至于第4季持续受惠于DRAM价格调涨，加上有处份华亚科股票的业外获利挹注，单季获利大幅跳升，法人乐观预估南亚科今年全年每股净利可望上看9～10元。南亚科不评论法人预估的财务数字。事实上，美光以每股30元现金对价收购华亚科所有股权，南亚科等于坐拥三大利多，将成*大赢家。**大利多是南亚科将以每股30元价格，将手中约15.87亿股华亚科股票售予台湾美光半导体，总成交金额约达476.24亿元，预估将可贡献税前获利199.42亿元，并在今年第4季内帐。以南亚科目前约

柔宇科技宣布推出国内首款3D头戴影院；夏普半年内拼转盈

1、国内**3D头戴影院亮相；2、威刚、群创 买单进驻；3、友达彩晶Q4获利看好；4、夏普半年内拼转盈 戴正吴带头不支薪； 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1、国内**3D头戴影院亮相； 广州日报讯 （记者段郴群）昨日，全球知名柔性显示屏生产商——柔宇科技宣布推出国内首款3D头戴影院，这也是国内首款使用柔性显示屏打造的3D头戴影院。据悉，目前柔宇科技已经和爱奇艺、腾讯、优酷及乐视等内容公司合作，此次推出的国内首款3D头戴影院都已经预装了爱奇艺、腾讯、优酷等主流视频APP。据悉，柔宇科技在2014年已经开发出0.01毫米全球*薄*柔性显示屏，柔宇科技投资超过百亿元人民币的国际柔性显示基地及全球首条类6代大规模全柔性显示屏新量产线预计明年正式投产。据悉，目前全球各大面板厂商纷纷进军柔性显示领域，有消息透露，2017年苹果新一代手机或将全部采用柔性屏幕。在中小尺寸方面，LGD拥有柔性OLED 4.5代线，在2015年7月，LGD又建设了一条可挠式OLED面板生产线E5。2、威刚

DRAM供应吃紧 现货价攀7个月高

动态随机存取记忆体(DRAM)现货价持续攀高，据市调机构集邦科技调查，DDR4 4Gb颗粒现货均价已达2.02美元，创7个多月来新高。 随著北美地区笔记型电脑需求回温，加上供应商将产能移转生产行动记忆体，促使标准型记忆体产品供应吃紧，产品价格不断走高。据集邦科技调查，DDR4 4Gb颗粒现货均价已达2.02美元，9月来涨幅已超过1成水准，并创2月16日来新高纪录。展望未来，各界对DRAM后市普遍看好，记忆体模组业者预期，新款智慧手机搭载记忆体容量多倍增，推升行动记忆体需求激增，标准型记忆体受产能排挤效应影响，供货将持续吃紧，产品价格可望涨至第4季。集邦科技也指出，因中国大陆智慧手机拉货需求及iPhone 7备货需求强劲，部分大陆厂商为确保料源无虞，不惜调高第4季合约价逾1成，预期第4季行动记忆体涨价幅度将相当可观。在供应商产能持续转进行动记忆体，集邦科技预期，第4季标准型记忆体价格也将同步攀高，4GB模组价格有机会较第3季大涨15%，未来1年市场供需并可望维持健康状态。1050924(中央社)

威刚群创买单进驻

第3季进入许多次产业旺季，还有部分族群因国际事件出现突发事件，带动「涨价概念股」成为近期盘面焦点。观察近五个交易日，威刚、群创等，均获三大法人的买单进驻。 观察法人对十大「涨价概念股」的买卖动态，近五个交易日以来，三大法人以买超威刚3,314张*多，群创则买超759张、裕民买超242张；另外，创见、品安、四维航等，也各获张数不等的法人买单进驻。进一步分析十大「涨价概念股」的股价表现，这些个股近五个交易日以来全数上涨，其中威刚、品安、友达、裕民因获市场的买盘加持，走势相对耀眼。法人机构指出，在威刚、创见方面，DDR3 4Gb DRAM报价在8月31日1.73美元，而在上周报价已来到1.88美元，9月以来涨幅接近9%，主要原因是三星、SK海力士等大厂在今年上半年开始减少标准型DRAM投产，使得下半年起供给减少，加上需求端因智慧型手机内建记忆���容量持续增加，预期将带动DRAM景气自谷底走扬，将有助相关个股近期业绩表现。群创方面，9月仍为面板备货旺季，但因报价连续数月走扬，预估面板出货量将略微下滑，其中，群创调整六代线39.5吋和65吋产品发挥效应，让单月电视面板出货持续维持高峰；群创主力产品

威刚、群创 买单进驻

第3季进入许多次产业旺季，还有部分族群因国际事件出现突发事件，带动「涨价概念股」成为近期盘面焦点。观察近五个交易日，威刚、群创等，均获三大法人的买单进驻。 观察法人对十大「涨价概念股」的买卖动态，近五个交易日以来，三大法人以买超威刚3,314张*多，群创则买超759张、裕民买超242张；另外，创见、品安、四维航等，也各获张数不等的法人买单进驻。进一步分析十大「涨价概念股」的股价表现，这些个股近五个交易日以来全数上涨，其中威刚、品安、友达、裕民因获市场的买盘加持，走势相对耀眼。法人机构指出，在威刚、创见方面，DDR3 4Gb DRAM报价在8月31日1.73美元，而在上周报价已来到1.88美元，9月以来涨幅接近9%，主要原因是三星、SK海力士等大厂在今年上半年开始减少标准型DRAM投产，使得下半年起供给减少，加上需求端因智慧型手机内建记忆体容量持续增加，预期将带动DRAM景气自谷底走扬，将有助相关个股近期业绩表现。群创方面，9月仍为面板备货旺季，但因报价连续数月走扬，预估面板出货量将略微下滑，其中，群创调整六代线39.5吋和65吋产品发挥效应，让单月电视面板出货持续维持高峰；群创主力产品

DRAM供货吃紧 产品价格有望涨至Q4

动态随机存取存储器(DRAM)现货价持续攀高，据全球市场研究机构TrendForce集邦科技调查，DDR4 4Gb颗粒现货均价已达2.02美元，创7个多月来新高。随着北美地区笔记本电脑需求回温，加上供应商将产能移转生产移动式存储器，促使标准型存储器产品供应吃紧，产品价格不断走高。据集邦科技调查，DDR4 4Gb颗粒现货均价已达2.02美元，9月来涨幅已超过1成水准，并创2月16日来新高纪录。展望未来，各界对DRAM后市普遍看好，存储器模组业者预期，新款智能手机搭载存储器容量多倍增，推升移动存储器需求激增，标准型存储器受产能排挤效应影响，供货将持续吃紧，产品价格可望涨至第4季。集邦科技也指出，因大陆智能手机拉货需求及iPhone 7备货需求强劲，部分大陆厂商为确保料源无虞，不惜调高第4季合约价逾1成，预期第4季移动存储器涨价幅度将相当可观。在供应商产能持续转进移动存储器，集邦科技预期，第4季标准型存储器价格也将同步攀高，4GB模组价格有机会较第3季大涨15%，未来1年市场供需并可望维持健康状态。

DRAM超夯！外资：小心三星扩产、重演2015年惨况

存储器供货吃紧，价格喷发，先前韩媒预估，厂商製程转换将使产能减少，明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告，DRAM荣景能否持续，取决于记忆体龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。 巴伦(Barronˋs)23日报导，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两週就飙升9%；NAND Flash也供不应求，价格挺升，记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股价都因此一飞衝天。记忆体市场还能热多久？Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等閒置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，又有閒置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。与

DRAM和NAND Flash齐涨 存储器模组厂喜迎旺季

苹果新机已正式上市，带动DRAM、NAND Flash等价格同步走扬，中止近2年半来的价格跌势;存储器模组厂迎来产业环境好转，加上旺季及新产品上市，下半年获利将比上半年明显成长。苹果于第三季开始针对NAND Flash、mobile RAM进行备货，需求提升、再加上供给已获得控制，NAND Flash第三季开始出现缺货潮。在DRAM部分，同样随着苹果新机效应，对mobile RAM的需求大增，因此消耗一部分的DRAM产能，且DRAM大厂对于DRAM的资本支出已踩煞车，供给亦获得节制，产业**季已正式落底，第三及第四季价格可望逐季反弹。存储器在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长与伺服器需求增温带动，DRAM与NAND Flash第四季价格预计将同步上扬，特别是DRAM合约价第四季估将再涨逾一成。在NAND Flash部分，第三季苹果与中国OEM大厂华为、vivo、OPPO等拉货动能优于预期，对整体2D NAND Flash产能消耗十分庞大，尤在NAND Flash原厂转进3D-NAND Flash速度不如预期情况下，供给更为紧俏。此外，企业级固态硬盘需求、笔电固态硬盘搭载率快速提升，同步

中国半导体厂商面临的机遇与挑战

　中国计划投资逾1000亿美元，到2020年成为全球芯片行业的***。全球*成功、***的半导体企业***都开始积极思考，应如何应对此举所带来的挑战，并抓住随之而来的机遇。然而疑问依然存在：中国是否在追逐一个不切实际的目标？中国是否能够成功成为全球半导体老大？ 根据贝恩公司的*新研究发现，到2020年，近55%的全球内存、逻辑和模拟芯片将流向或流经中国。但目前中国只生产全球15%的半导体。虽然这个数字已然比几年前的近10%有所上升，但半导体依然是中国*大的贸易赤字项目，甚至超过了石油，说明中国在解决供需不平衡方面仍是长路漫漫。2020年成全球芯片行业***能否实现？贝恩公司相关分析师表示，中国的目标是生产更多的微处理器和内存芯片，从而提高国产消费电子设备和工业设备的芯片自制率，满足国内消费和出口需求，但财力投资和长期耐心并不足以争得全球半导体行业的领导权，如果想要缩短差距，中国必须要与全球巨头并肩合作。对于全球半导体公司而言，中国此举对市场可能产生的影响不容忽视。在不断变化的竞争环境中，他们可采用基于情景的方法预测中国的潜在行动并采取应对举措。同时，寻找机会投资中国市场、扩大公司版图，

DRAM价格上涨20nm制程发威 华亚科Q3开始获利

DRAM厂华亚科上半年如期完成20纳米制程转换，而随着DRAM价格在第3季涨幅可观，加上20纳米制程良率有效提升，大大降低单位制造成本，华亚科营运已明显转好，不仅第3季营收可望季增12～15%，单季营运也将由亏转盈。当然，随着华亚科开始获利，外传美光因华亚科亏损而暂缓合并的传言也已不攻自破。华亚科采用的移转价格系按美光当月及前2个月份的平均销售价格计算，因此昨日公告8月份实际营收达新台币40.36亿元，虽然较7月下滑8.8%，但7、8月合并营收均站稳新台币40亿元以上，营运表现已明显优于第2季。事实上，DRAM价格自7月起涨，8月份涨幅扩大，因此，华亚科9月的移转价格将受惠于DRAM涨价效益。法人看好华亚科9月营收将维持在40亿元以上**，而以合约价调幅来看，单月营收冲上新台币45亿元的机率大增。法人表示，受惠于DRAM合约价及现货价同步调涨，华亚科第3季营收有机会超过新台币130亿元，较第2季成长12～15%，表现优于市场预期。同时，华亚科20纳米DRAM晶圆生产良率经过半年的调整，已提升到成熟稳定阶段，单位制造成本亦明显降低，让华亚科第3季顺利由亏转盈，第4季也将持续获利。华亚科今

“芯”之难：中国能否成为全球芯片行业的***

中国计划投资逾1000亿美元，到2020年成为全球芯片行业的***。全球*成功、***的半导体企业***都开始积极思考，应如何应对此举所带来的挑战，并抓住随之而来的机遇。然而疑问依然存在：中国是否在追逐一个不切实际的目标？中国是否能够成功成为全球半导体老大？根据贝恩公司的*新研究发现，到2020年，近55%的全球内存、逻辑和模拟芯片将流向或流经中国。但目前中国只生产全球15%的半导体。虽然这个数字已然比几年前的近10%有所上升，但半导���依然是中国*大的贸易赤字项目，甚至超过了石油，说明中国在解决供需不平衡方面仍是长路漫漫。2020年成全球芯片行业***能否实现？贝恩公司相关分析师表示，中国的目标是生产更多的微处理器和内存芯片，从而提高国产消费电子设备和工业设备的芯片自制率，满足国内消费和出口需求，但财力投资和长期耐心并不足以争得全球半导体行业的领导权，如果想要缩短差距，中国必须要与全球巨头并肩合作。对于全球半导体公司而言，中国此举对市场可能产生的影响不容忽视。在不断变化的竞争环境中，他们可采用基于情景的方法预测中国的潜在行动并采取应对举措。同时，寻找机会投资中国市场、扩大公司版图，在处