电子塑化 前景不悲观

台湾经济成长高低深受进出口动能强弱影响甚巨，股市作为经济的橱窗，难免也受到同样的牵动，因此，每月20日公布的外销接单数据值得投资人研究分析。 2015年我国全年外销接单合计4,518.1亿美元，年衰退4.4%。依七大接单项目占比来看，资通占29.5%、电子25.6%、精密仪器6%、基本金属5.3%、化学品4.4%、机械及塑橡胶各占4.6%。从股市的观点来解读上述数据：我国接单*大项的资讯通讯产品，指的多是已组装完成电子产品，其中苹果的产品与小米机等，是维繫近年我国资通产品接单持续成长的主力。目前iPhone虽面临成长趋缓压力，但去年成长动能较强的小米、华为，台湾业者的订单掌握度不错，研判仍可支应我国整体资讯通讯接单的成长。接单**大项电子产品，以我国全球市占超过六成的晶圆代工为主力，其中2014年全年市占53.7%的台积电是主要成长来源。台积电今年虽失去大客户高通的主打高阶晶片订单，但掌握到去年成长*高的手机厂华为旗下自有晶片设计公司海思之订单，加上近三年积极扩产，高阶产能充沛，仍将是电子接单成长的主要动力。其次，受报价下跌压抑的DRAM及太阳能两产业接单，是电子接单另二个较大的产业。

“紫光模式”是可行的突围路径吗？

旗下的同方国芯巨额增发，重点投资存储芯片领域，入股西部数据和闪迪以解决知识产权问题，招募台湾DRAM教父担当操盘手，入股力成完善存储器的封装环节，在华南地区建厂发展DRAM产业…… 紫光集团步步为营，以企业的实际行动贯彻中国发展存储芯片的国家意志。“紫光在下一盘很大的棋，可以改写全球存储芯片业格局的棋。”赛迪智库集成电路产业研究所所长霍雨涛告诉《中国电子报》记者说。 紫光没有按常规出牌，决心用资金撬开存储芯片的大门——以资本为纽带打造中国存储芯片产业的IDM模式。但权威专家认为，存储芯片产业的新进入者，将有可能承受前几年的巨额亏损，紫光能否打破这一预言?我们拭目以待。 以国家战略为方向，推动中国存储芯片逆袭 “企业发展必须以国家战略为方向。”这是紫光集团董事长赵伟国一再强调的经营理念。 在2014年发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》中，特别指出要发展新型存储等关键芯片产业，抢占未来发展的制高点。工信部印发的“‘互联网+’三年行动计划”中也提出，到2018年要在高性能计算、海量存储系统等领域取得重大突破。 全球存储产业正在向亚洲特别是中国转移，中国承接这一转移的条件已逐渐具备。而紫光

DRAM元月报价重挫，三星、海力士今年恐麻烦大了

DRAM记忆体元月份报价持续走跌，预告三星、SK海力士等南韩半导体厂今年路途恐不平顺。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange周二公布数据显示，4GB DDR3记忆体模组合约价平均较去年同期下滑6.15%，4GB DDR4记忆体更是大跌8.82%。（韩联社）很不巧的，上述两项产品均是三星与海力士半导体事业营收的主力，预料两家公司的获利展望将受冲击。据统计，三星DRAM去年第四季市占率达46.4%、海力士也有27.9%，两者合计来到74.3%。另外，南韩出口连续13个月呈现衰退，DRAM报价下滑也被认为是主要原因之一。为了降低成本、提高竞争力，三星、海力士都有往更高阶制程发展的计画，三星目前正在导入16奈米制程，而海力士则准备开始采用21奈米。

DRAM产值持续衰退 三星与SK海力士获利率下滑

TrendForce旗下存储储存事业处DRAMeXchange*新报告显示，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，2015年第四季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季衰退9.1%。 三星依然是DRAM产业的营收**，SK海力士则位居全球**。 研究协理吴雅婷表示，2015年第四季虽有苹果iPhone6s出货的加持，笔电出货亦比预期更佳，但由于各DRAM厂制程转进，如SK海力士21纳米正式投片、美光集团大幅转进20纳米制程，都让产出持续增加，使得2015年第四季DRAM价格持续下修。 其中，三星依然是DRAM产业的营收**，虽然营收下跌9.7%，至47.6亿美元，但市占比仍高达46.4%。SK海力士也受跌价影响，营收下滑9.3%，来到28.7亿美元，市占为27.9%，位居全球**。美光集团则是三大DRAM厂衰退幅度较大者，季衰退达10.5%，市占仅18.9%。美光集团受到技术转进落后冲击，与SK海力士已产生竞争差距。 此外，两大韩系厂的营业获利率与上季相比呈现小幅衰退，三星与SK海力士分别为43.0%与32.0%；美光集团下滑则较为明显，由2015年第三季的14.8

传三星半导体西安厂**阶段增设恐延期

三星电子(Samsung Electronics)原本预定2016年要在大陆西安半导体工厂进行**阶段的投资，日前传出这项计划目前处于保留状态。业界预估，2016年将会进入记忆体7年来*糟的供需不平衡情况，加上东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与英特尔(Intel)等纷纷增设NAND Flash工厂，也使三星开始担心供货量剧增的恶性竞争情况。 目前三星电子西安工厂只使用整体腹地(约34万坪)的5分之1，而且以目前的设备来说，已经到达*大产能，所以南韩业界原本认为，三星将在2016年内对剩余腹地进行**阶段投资。Digital Times日前引述业界消息，指三星在西安半导体工厂的**阶段投资计划恐将延期至2017年以后进行。2014年**启动的西安工厂，是三星3D V-NAND的核心生产基地。相关人士表示，启动不到2年的西安工厂，如以晶圆投入基准来看，已逼近每月10万片水准，产量大大超过原本预估的6万~7万片水准。三星之所以不执行**阶段投资的理由，很可能与东芝、新帝等大手笔增设NAND Flash产线有关。东芝之前和新帝共同投资5,000亿日圆(约43亿美元)设立3D NA

DRAM厂激战16/18纳米

DRAM价格大跌 南亚科软脚

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新报价显示，DDR3 4GB合约均价较12月下跌6.15%，DDR4 4GB价格与DDR3价格差距持续收敛当中，跌幅增大来到8.82%。受到DRAM价格大跌冲击，DRAM大厂南亚科（2408）今天封关走弱，盘中股价跌破38元，改写今年新低价。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，由于2015年第4季全球笔记型电脑需求较佳，各家厂商纷纷提前出货，加上第1季适逢传统淡季，DRAMeXchange预估笔记型电脑整体出货将较上季衰退2成。DRAM厂碍于出货压力调降合约价格，加速库存去化，同时英特尔Skylake平台已支援DDR4，记忆体的世代交替将于今年下半年出货。DRAM厂也策略性调降DDR4价格，意图拉近与DDR3售价。DRAMeXchange预估DDR4与DDR3同价*快在2016年**季出现，宣告新世代的记忆体DDR4将逐步迈入市场主流规格。第2季末英特尔Skylake平台大量铺货，牵动DDR4记忆体市占迅速扩张。吴雅婷表示，虽然DRAM厂可以主导价格，让DDR4与DDR3的价格有望于第1季同价，但DDR4若要迅

供过于求 DRAM产值持续衰退

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange*新报告显示，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，2015年第四季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季衰退9.1%。 三星依然是DRAM产业的营收**，SK海力士则位居全球**。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2015年第四季虽有苹果iPhone6s出货的加持，笔电出货亦比预期更佳，但由于各DRAM厂制程转进，如SK海力士21奈米正式投片、美光集团大幅转进20奈米制程，都让产出持续增加，使得2015年第四季DRAM价格持续下修。其中，三星依然是DRAM产业的营收**，虽然营收下跌9.7%，至47.6亿美元，但市占比仍高达46.4%。SK海力士也受跌价影响，营收下滑9.3%，来到28.7亿美元，市占为27.9%，位居全球**。美光集团则是三大DRAM厂衰退幅度较大者，季衰退达10.5%，市占仅18.9%。美光集团受到技术转进落后冲击，与SK海力士已产生竞争差距。此外，两大韩系厂的营业获利率与上季相比呈现小幅衰退，三星与SK海力士分别为43.0%与32.0%；美光集团下滑则较为明显，由201

SK海力士关键人物：社长朴星昱

SK海力士(SK Hynix)自2012年2月正式加入SK集团后，连续刷新*新营收纪录，成为集团的核心企业。在这亮眼成绩的背后，身为SK海力士社长的朴星昱功不可没。 朴星昱自1984年进入前现代电子半导体研究所后，陆续担任美国生产法人专责主管、研究所长、研究开发制造总括等职务，为网罗研发和制造，拥有多元现场经验的技术专家。2013年初，朴星昱成为SK海力士社长，2014年3月起成为单独代表理事，在相对较短的时间内维持稳固的业绩。在朴星昱的领导下，SK海力士自2014年第1季至2015年第3季，连续7季创造营业利益破1兆韩元(约8.4亿美元)的纪录。2015年营收达18.8兆韩元，达2010年的2倍。SK海力士能急速成长，原因之一是集团的大举投资。半导体产业需要钜额的设备与研发投资，在2012年半导体业界萧条，多数企业削减投资的情况下，SK集团会长崔泰源反而逆势投资近3.9兆韩元。此外，拥有30年研发经历的SK海力士社长朴星昱坐镇指挥，也对公司成长有很大的帮助。朴星昱虽然是公司经营者，却也同时身为公司的“技术通”，能事先洞察市场趋势以确实因应。针对2016年，朴星昱表示，SK海力士计划投

Gartner：未来全球存储市场先抑后扬

全球DRAM市场先抑后扬。2015年DRAM收入预计下降2.4%，2016年将下降10.6%，有望在2017年与2018年迎来复苏。但是，预测随着中国公司携本地产品进入DRAM市场，DRAM价格将在2019年再次下降；占2014年内存用量需求20.9%的传统产品（桌面PC与传统笔记本电脑）产量预计在2015年下降11.6%，并在2016年进一步下降6.7%。DRAM市场2016年供过于求近期，我们对于DRAM市场的预测不会发生显著变化；2015年与2016年将遭遇市场总体营收下滑，而在2017年与2018年迎来市场复苏，但是对2019年的预测结果将出现变数。此前，我们预计市场复苏后会出现一定的营收下滑；现在，我们认为将出现的营收下降比预期更加严重。这一预测是基于中国将掌握DRAM技术，且本土产能将于2019年进入市场，从而导致价格战与市场规模大幅下滑。步入2016年，Gartner认为芯片产能将出现小幅增长，加之整体需求缺乏明显亮点，将导致今年大部分时间供过于求。但是，随着2017年与2018年需求走强，市场将快速反弹，整个行业将重新迎来收入增长。到2019年，Gartner认为中国将

紫光确定在华南筹建12寸DRAM厂，循华亚科模式

李培瑛：DRAM价格 Q1跌幅收敛

华亚科董事长暨南亚科总经理李培瑛昨（27）日指出，首季DRAM价格跌幅应会收敛，目前有看到不错的季节性需求，大陆市场尤其在消费性产品方面拉货状况有改善，南亚科今年在行动记忆体部分，也会看到成长。 李培瑛说，去年底与今年首季，季节性需求与大陆消费性产品市场的情况都有改善，因此这一季状况应该还不错。DRAM价格在去年后三季下跌不少，今年上半年的价格走势有机会比去年平稳，目前看来应该是呈现缓跌。去年每季的价格跌幅约一成左右，今年首季跌幅估计会收敛到个位数。展望下半年，李培瑛认为，届时将有奥运登场，依照以往经验，应该会刺激消费性市场需求。整体来看，全球景气没那么好，算是相当保守，石油价格也影响部分地区经济，另外，区域性经济也没有看到令人兴奋的成长状况。至于供给端，今年前半年应算是稳定，后半年则要看主要供应商的新产能加入状况，将影响市场状况。

3D NAND技术谨慎乐观 中国存储产能有望释放

全球DRAM市场先抑后扬。2015年DRAM收入预计下降2.4%，2016年将下降10.6%，有望在2017年与2018年迎来复苏。但是，预测随着中国公司携本地产品进入DRAM市场，DRAM价格将在2019年再次下降;占2014年内存用量需求20.9%的传统产品(桌面PC与传统笔记本电脑)产量预计在2015年下降11.6%，并在2016年进一步下降6.7%。 DRAM市场2016年供过于求 近期，我们对于DRAM市场的预测不会发生显著变化;2015年与2016年将遭遇市场总体营收下滑，而在2017年与2018年迎来市场复苏，但是对2019年的预测结果将出现变数。此前，我们预计市场复苏后会出现一定的营收下滑;现在，我们认为将出现的营收下降比预期更加严重。这一预测是基于中国将掌握DRAM技术，且本土产能将于2019年进入市场，从而导致价格战与市场规模大幅下滑。 步入2016年，Gartner认为芯片产能将出现小幅增长，加之整体需求缺乏明显亮点，将导致今年大部分时间供过于求。但是，随着2017年与2018年需求走强，市场将快速反弹，整个行业将重新迎来收入增长。 到2019年，Gartner认

紫光确定筹建12寸DRAM厂 或与美光合资

大陆紫光集团已确定在大陆华南地区筹建12寸DRAM厂，并循当年台塑集团与美光合资华亚科的商业模式，由紫光出资建厂，再邀请美光等国际大厂入股，解决技术授权问题。 据了解，此计划由前华亚科董事长、现为紫光集团执行副总裁的高启全亲自操刀，业界盛传，日本前尔必达总裁坂本幸雄亦有意加入。大陆官方自前年成立国家积体电路产业投资基金（简称大基金）后，就有意投入自建存储器供应链，但不论是DRAM或NAND Flash，主要制程**及矽智财都掌握前国际大厂手中，因此，率先表态要自建存储器产能的紫光集团，由于投资入股美国DRAM厂美光一案受阻，现在策略已有所转变，决定在大陆自建DRAM厂。业界人士指出，紫光原本有意投入钜资收购美光，因传出美国政府反对而作罢，但紫光仍多次派出团队与美光协商，后来有意投资入股美光，但美国政府仍持反对立场。因此，紫光已不再以投资美光为主轴，而是在大陆自建DRAM厂，再邀请美光投资入股，解决**上的问题。

传紫光将自建DRAM厂　由前华亚科董事长高启全主导

2015年来在半导体产业扩张动作不断的大陆清华紫光集团再传布局存储器领域，这次将在大陆自建DRAM厂。 据中央社报导，紫光集团将依循过去台塑集团与美光(Micron)合资华亚科的模式，由紫光出资建厂，再邀国际大厂入股以解决技术授权问题，初步规划厂区将落脚在大陆华南地区，由前华亚科董事长高启全主导。由于先前入股美光未果，促使紫光决定改为自行建置DRAM厂。此外有消息指出，紫光可能邀请美光以技术转移方式入股其DRAM厂，而不需出钱、又能取得产能，说服美光点头的可能性较大。如此也能解决目前DRAM和NAND Flash的主要制程**和矽智财都掌握在国际大厂手中的问题，并避免像在2015年入股美光时招致来自美国政府的阻力。紫光集团董事长赵伟国则表示，不论紫光是否收购或入股国际存储器大厂，自建存储器厂的计划仍然不变，因为不仅企业本身、大陆也需要由当地资本主导的存储器厂。消息指出，目前紫光已派员与美光和SK海力士(SK Hynix)接触，不过与美光合作的可能性应较大，而除了DRAM厂外，紫光可能再行投资建设NAND Flash厂，在大陆建设完整的存储器产线，该计划已获得大陆官方支持。

赵伟国:紫光肯定要建存储器厂

紫光集团3大业务 　赵伟国去年10月入股威腾电子（Western Digital，WD）的紫光集团，为完成记忆体方面的布局，今年将启动建设工厂。紫光集团董事长赵伟国日前接受财新周刊专访时表示，紫光将会自建工厂，但并未透露是否计划收购存储器大厂。报导指出，从目前紫光集团记忆体的布局来看，除了要获得威腾的**授权，还需要收购一家制造工厂或者自建工厂。对此，赵伟国表示，“不管有没有收购，我肯定要自己建设存储（储存装置）工厂。”赵伟国强调，“在中国建立中国资本控制的工厂，这不仅仅是企业自身的需要，也是国家的需要。”另一方面，虽然紫光已入股威腾并成为第1大股东，但根据入股协议，紫光仅拥有1个董事会席次，且不能参与经营。关于取得威腾**授权的方式，赵伟国没有明确回覆，仅表示，所有过程都会符合美国智慧财产权的监管要求。赵伟国提到，目前在储存装置方面，例如DRAM及快闪记忆体，主要的厂商皆是海外厂商，合计占据全球大半市场份额。而中国目前还没有成规模的记忆体厂，仅有部分公司“在做些边边角角的小东西”。此外，赵伟国表示，今年紫光的工作重点是完成旗下同方国芯的定增案。而据同方国芯先前公告，其现金增资规模达8

存储器供过于求　韩厂苦寻具成长潜力新市场

以三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)为代表的韩国存储器半导体产业在2015年加足马力，在DRAM市场三星和SK海力士所占的比重达到史上*高的75%左右，业绩也创下*高纪录，赚进了许多外汇。 但同时也清楚显现存储器市场的极限，尽管移动装置和服务器市场中仍有强大的需求，但是由于供给过剩的状态持续发生，DRAM和NAND等主要存储器价格开始急速下滑，美光(Micron)在2015年第4季营业利益跌了将近40%，甚至2016第1季不排除有亏损的可能性。据Digital Times报导，分析师对于2016年存储器市场的预测也是乌云密布。据市调业者Trendforce报告指出，2015年DRAM价格比起2014年下滑了50%以上，预计2016年也将持续此下降的趋势。此外，从2016年开始全球半导体市场预计将萎缩0.6%水准。SK海力士社长朴星昱在2015年就曾提出警告表示过，2015年的市场情况还算是好的，2016年将会更困难。三星和SK海力士正在全力加强新一代存储器和系统半导体的事业，特别是三星脱离过度倚重生产苹果(Apple)处理器代工的事业构造

中国是今年IC市场的秘密武器，也是*不稳定因素

高启全操盘　紫光今年主攻DRAM

对岸财新周刊报导，继2015年发动一连串国内外IC封测与硬碟厂的购并案之后，2016年清华紫光集团重点将放在DRAM布局。 今年紫光集团重心，在完成旗下同方国芯的800亿人民币现金增资，对外购并方向锁定DRAM业者，也可能自建DRAM工厂，而主导人就是前华亚科（3474）董事长高启全。财新周刊*新一期的封面故事，就是专访清华紫光集团董事长赵伟国。赵伟国并未透露是否会收购美光、海力士这类DRAM制造商，但他说，“不管有没有收购，我肯定要自己建存储工厂。在中国建立起中国资本控制的工厂，这不仅仅是企业自身的需要，也是国家的需要”。赵伟国认为，存储晶片（即DRAM）是中国IC产业链的弱点，相较美日韩等国，中国从技术到产业面都非常落后，他希望同方国芯能为紫光在DRAM的未来铺路。他指出，DRAM市场的主要厂商是三星、海力士与美光，总计占全球90%以上产能，在快闪记忆体的主要厂商是三星、海力士、英特尔、美光、东芝与闪迪。目前中国还没有具一定规模的记忆体业者，“有些公司在做些边边角角的小东西”。至于紫光集团的未来面貌，赵伟国认为，仍将以IT和网路技术为主，“我们可能不会太直接去做互联网，但是会做互联

分析师对IC市场前景与动力看法不一

对于2016年半导体产业营收预测以及市场的长期动力，各家分析师有非常不同的看法；他们在一场于美国举行的晶片业高层年度聚会上表示，中国将会是一个关键因素，但是也几乎不可能预测。IC Insights的分析师Bill McClean是目前*乐观的一个，他预测2016年半导体产业营收将成长4%；International Business Strategies （IBS）的Handel Jones则*为悲观，他原本预期产业营收今年将衰退1.5%，但表示*坏也有可能衰退3%。而Gartner则是预测成长1.9%。McClean 看好产业前景的原因，包括全球GDP成长、英特尔（Intel）与台积电（TSMC）等大厂的乐观财报预测，以及DRAM供应商预估产能吃紧；他预期，电子系统销售量今年将成长2%，半导体资本设备销售则将成长1%。长期看来，晶片营收年成长率平均可达6~7%。IC Insights 对2016年半导体产业前景看法*乐观但Jones则认为，记忆体晶片价格与智慧型手机销售量将持续下滑；举例来说，苹果（Apple）今年iPhone销售量可能只有4，800万支，而非目前预估的5，200万支

美光本季转亏 台厂锉着等

美国记忆体晶片大厂美光美东时间22日示警，本季恐出现亏损，是该公司两年多来首度转亏。美光本季展望不妙、甚至陷入亏损，透露记忆体市况比预期差，法人忧心，华亚科、南亚科、华邦等台湾DRAM厂后市也将转弱。 分析师对美光本季将转亏大为意外，Wedbush证券公司分析师Betsy Van Hees认为：“这代表将出现**风暴，包括疲弱的季报、低于预期的市场需求，以及不利的价格因素”。美光在美东时间22日公布上季财报与展望之后，盘后股价重挫近6%，昨日早盘再跌近7%。法人分析，DRAM业近两年原已摆脱“惨业”的称号，业者普遍获利丰厚，但随着全球景气走弱，加上PC、手机等终端应用销售疲软，造成记忆体业者获利也随之逐步滑落，美光开**枪透露本季将由盈转亏，“对业界是个警讯”。台湾厂商也受市况转弱冲击，以南亚科为例，今年前三季每股纯益为6.3元，换算每个月每股纯益平均约0.7元，但11月单月每股纯益仅0.32元，不仅先前几个月平均值腰斩，更比去年同期衰退逾七成。美光公布截至今年12月3日截止的第1季度财报，营收为33.5亿美元，年减27%、季减约7%，虽然达到原预估的33.5亿至36亿美元区间，但单季

美光本季财报两年来首亏 存储器业警讯

美国存储器芯片大厂美光美东时间22日示警，本季恐出现亏损，是该公司两年多来首度转亏。美光本季展望不妙、甚至陷入亏损，透露存储器市况比预期差，法人忧心，华亚科、南亚科、华邦等台湾DRAM厂后市也将转弱。分析师对美光本季将转亏大为意外，Wedbush证券公司分析师Betsy Van Hees认为：“这代表将出现**风暴，包括疲弱的季报、低于预期的市场需求，以及不利的价格因素”。美光在美东时间22日公布上季财报与展望之后，盘后股价重挫近6%，昨日早盘再跌近7%。法人分析，DRAM业近两年原已摆脱“惨业”的称号，业者普遍获利丰厚，但随着全球景气走弱，加上PC、手机等终端应用销售疲软，造成存储器业者获利也随之逐步滑落，美光开**枪透露本季将由盈转亏，“对业界是个警讯”。台湾厂商也受市况转弱冲击，以南亚科为例，今年前三季每股纯益为6.3元，换算每个月每股纯益平均约0.7元，但11月单月每股纯益仅0.32元，不仅先前几个月平均值腰斩，更比去年同期衰退逾七成。美光公布截至今年12月3日截止的第1季度财报，营收为33.5亿美元，年减27%、季减约7%，虽然达到原预估的33.5亿至36亿美元区间，但单季毛

2016年整体DRAM需求预估成长23%

2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响，DRAM价格呈现显着衰退，尤其以标准型记忆体*为明显。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，在寡占市场型态下，虽然小幅供过于求且价格持续下滑，各供应商生产仍保持纪律，未有明显新增产能，因此延续2013年与2014年态势，今年DRAM各厂仍维持**获利。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2016年虽然受惠于来自智慧型手机及伺服器的需求影响，单机搭载容量会有显着提升，各项终端产品仍难有爆发性的发展。DRAMeXchange预估2016年整体DRAM需求成长率约为23%，供给位元成长约为25%。市场仍维持小幅供过于求，DRAM单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所造成的成本下降以及产品组合的调配。2016年DRAM产业趋势分析如下：年度位元产出来自20奈米制程转进，晶圆投片量大约持平吴雅婷表示，DRAM属寡占市场型态，各供应商在产能的扩张上皆有所节制，相较仍处于完全竞争的市场型态的NAND Flash健康许多。2016年的位元产出主要是来自于SK海力士(Hynix)与美光半导体(Micro

2016年DRAM产业趋势分析 DDR4将成市场主流

2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响，DRAM价格呈现显着衰退，尤其以标准型存储器*为明显。TrendForce旗下存储器储存事业处 DRAMeXchange调查显示，在寡占市场型态下，虽然小幅供过于求且价格持续下滑，各供应商生产仍保持纪律，未有明显新增产能，因此延续2013年与2014年态势，今年DRAM各厂仍维持**获利。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2016年虽然受惠于来自智能手机及服务器的需求影响，单机搭载容量会有显着提升，各项终端产品仍难有爆发性的发展。DRAMeXchange预估2016年整体DRAM需求成长率约为23%，供 给位元成长约为25%。市场仍维持小幅供过于求，DRAM单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所造成的成本下降以及产品组合的调配。 2016年DRAM产业趋势分析如下： 年度位元产出来自20奈米制程转进，晶圆投片量大约持平 吴 雅婷表示，DRAM属寡占市场型态，各供应商在产能的扩张上皆有所节制，相较仍处于完全竞争的市场型态的NAND Flash健康许多。2016年的位元产出主要是来自于SK海力士（Hynix）与美光半导体（

研调：英特尔明年推3D-Xpoint SSD，料冲击高阶市场

英特尔(Intel)采用搭载3D -Xpoint存储器的SSD产品-Optane，做为进一步提升系统产品效能与拉开与后进者差距的杀手级应用产品，预计将于明(2016)年第三季搭配新一代Kaby Lake CPU平台开始出货。 TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange表示，英特尔于今年下半年闪电发表的新非挥发性存储器技术「3D-Xpoint」，明年恐将在高阶SSD市场掀起一阵波澜，带给存储器龙头三星等竞争者一大威胁；由于Optane每GB订价可能落于DRAM与NAND Flash之间，未来将先冲击高阶Flash SSD市场。DRAMeXchange指出，三星为了对抗英特尔的攻势，现在正紧锣密鼓的开发新存储器产品，打算融合自身DRAM与NAND Flash的技术优势，赶在明年年中推出，而三星的积极因应也显示出SSD市场未来将有重大改变，高阶SSD市场尤其值得关注。DRAMeXchange指出，英特尔3D-Xpoint SSD效能与耐用性令人惊艳—IOPS效能较传统主流SSD快超过7倍，延迟(Latency)效能超过8倍，耐用性则足以挑战SLC-SSD水准；3D-Xp

尔必达前社长坂本幸雄：“社长3年更换制”搞垮日本企业

以荷兰恩智浦半导体（NXP Semiconductors）收购美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）为开端，安华高科技（Avago Technologies）收购博通（Broadcom）、英特尔（Intel）收购阿尔特拉（Altera）、西部数据（Western Digital）收购闪迪（SanDisk）——在2015年，半导体行业接连不断地出现收购金额超过1万亿日元的大型企业收购项目。 随着中国的政府背景投资公司紫光集团注资西部数据、收购美国美光科技（Micron Technology）的消息传出，2015年成为了“中国半导体”存在感快速提升的一年。将目光转向日本，作为日本国内的半导体翘楚，东芝正因为会计造假问题而动荡。瑞萨电子当前的业绩虽然有好转趋势，但中长期的前景并不明朗。对于半导体行业今后的势力平衡、日本制造业的未来等问题，曾经叱咤风云的经营者作何看待？记者采访了尔必达存储器前代表董事社长、现咨询公司“WIN Consulting”代表董事的坂本幸雄。（采访人：大下淳一）——坂本先生怎么看半导体行业现在的动向？我从很早以前就一直在说“挤不进世界前三

两道光 终结台湾惨业

科技业*近从中国射入一道“紫光”，挟其后台的丰沛资源，凡被扫过的厂商都如痴如醉，就连政府当年力推的两兆双星中的DRAM制造业，也在这道光的出现后而败部复活，有了希望，透过另一道来自美国的“美光”，虽然两道“光”一举终结掉台湾扎根20年的“惨业”，但对一直死里求生的业者来说，死光光还不如拥抱希望之光。 美光科技在台湾的代工厂华亚科技昨天宣布，美光将收购其所有股份，并以溢价高出3成收购，之后在台股下市，这对国内获利表现*好的DRAM公司华亚科而言，等于是公司、股东及员工三赢局面，今早包括投资人抢买，以及外资按赞声不断，给予正面的支持。不过，若纯就台湾过去以发展半导体业自傲于全球的姿态观察，在技术、资金都不如人下，当年夸下豪语台湾要打败韩国的DRAM大梦，在龙头华亚科技***属于美国公司后，已确定梦碎，国内PC品牌厂*担心的关键零组件也面临断链，未来在DRAM这项产品只能看韩国与美国厂商的脸色，对台湾科技业的未来，实在是很可惜，也令人担忧。事实上，国内DRAM制造业从来没有过自有技术，至今都还是要花大笔钱取得技术授权，景气不好时，一边赔一边还要付权利金，景气好时，技术母厂又要拿更多，赚来的都

评析：紫光购并案恐告吹　台湾应谨慎操作谈判筹码

大陆紫光集团在美国和韩国分别想投资美光(Micron)、海力士(Hynix)都以失败收场后，决定大举转向台湾，并买下矽品、南茂股权，同时亦可能购并台湾的IC设计公司。 15日立法院赶在休会前夕突然达成朝野共识，要求经济部在对立法院提出专案报告以前，经济部投审会不得许可相关投资案。如果立法院决定阻拦，就算紫光集团对台投资一切合法，行政机关未来已不可能审批同意。除非附带某些条件，或许还有一线生机。根据过去经验，经济部向来是被动地以厂商的意见为政策的主轴。因此经济部在推动许多政策的过程中，经常与财政部、劳动部、陆委会甚至是执政党立法委员意见相左。这也造成经济部在政策拍板前，经常要行政院政务委员居中协调，有时甚至要请行政院副院长出面协调，政策才会定案，并形式上向行政院院会提报。例如多年前台湾DRAM产业风雨飘摇之际，时任经济部长的尹启铭就拜托联电荣誉董事长宣明智出面，成立台湾**存储器公司，希望能整合台湾的DRAM产业，用集体的力量和技术母厂如尔必达(Elpida)、美光(Micron)谈判。甚至经济部还打算出巨资(新台币1,000亿)让台湾**存储器公司买下尔必达的股权，以利后续谈判。原本的

清华紫光紧咬半导体不放　IC设计国外优先、封测独钟台湾

大陆清华紫光集团一口气在台连番投资力成、矽品及南茂的好胃口，完全把董事长赵伟国提出展讯愿与联发科合并的口号整个打趴，但确实还存在的台湾法令规范，让清华紫光既便有意向，短期也不知怎么谈下去。 据了解，清华紫光集团在确定要成为大陆半导体产业链的风险投资**人下，IC设计产业先锁定北美市场为主，芯片封测及制造优先看台厂的策略早已清清楚楚。台湾政府若真在2016年初的总统大选前，正式放宽大陆资本投资台系IC设计公司的限制后，那时侯清华紫光集团才会再回过头来台湾猎艳，短期IC设计以北美为主，封测、制造锁定台湾的方针，并无改变。其实对清华紫光集团来说，锁定全球半导体产业链上、下游厂进行并购策略，以符合大陆政府力主半导体产业自主化的目标，早已确立。赵伟国也自承，比起大陆风投资金总偏爱互联网，又或物联网公司的选项，清华紫光集团无意甘作牛后，反而锁定半导体公司积极抢攻，就是要作鸡首的差异化策略，方能为清华紫光集团增添不少保险分。也因此，从美光(Micron)到威腾(WD)，再到新帝(Sandisk)，接着又有力成、矽品及南茂，清华紫光集团这一桩在全球半体产业链的收购大戏，剧情不断高潮迭起，也扣人心弦，而

2016年全球DRAM市场比拼20纳米产能

2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响，DRAM价格呈现显著衰退，尤其以标准型内存*为明显。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示，在寡占市场型态下，虽然小幅供过于求且价格持续下滑，各供货商生产仍保持纪律，未有明显新增产能，因此延续2013年与2014年态势，今年DRAM各厂仍维持**获利。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2016年虽然受惠于智能手机及服务器的需求影响，单机搭载容量会有显著提升，但各项终端产品仍难有爆发性的发展。 DRAMeXchange预估2016年整体DRAM需求增长约为23%，供给位元成长约为25%。市场仍维持小幅供过于求，DRAM单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所带来的成本下降以及产品组合的调配。 2016年DRAM产业趋势分析如下： 年度位元产出来自20纳米制程转进，晶圆投片量大约持平 吴雅婷表示，DRAM属寡占市场型态，各供货商在产能的扩张上皆有所节制，相较仍处于完全竞争市场型态的NAND Flash健康许多。2016年的位元产出主要是来自于SK海力士与美光半导体20/21纳米的转进，晶圆产能上，

IDM厂营收超越IC设计

研调机构IC Insights预估，今年前10大整合元件製造(IDM)厂营收将持平表现，反观前10大IC设计厂则恐将衰退5%，这将是史上第2度IDM厂表现优于IC设计厂。IC Insights指出，2010年动态随机存取记忆体(DRAM)与储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场分别大幅成长75%及44%，带动当年半导体IDM厂营收成长达35%。IC设计厂因普遍并未受惠DRAM与NAND Flash市场高度成长，2010年IC设计厂营收仅成长29%，是史上首度IDM厂表现优于IC设计厂。IC Insights预估，今年前10大半导体IDM厂中，将仅有三星(Samsung)、海力士(Hynix)及Sony三家厂商业绩可望成长；前10大IDM厂总营收将将仅持平表现。只是全球IC设计龙头高通(Qualcomm)因三星增加採用自家处理器影响，IC Insights预估，高通今年营收恐将锐减20%，进而影响前10大IC设计厂营收将衰退5%。IC Insights指出，这将是史上第2度半导体IDM厂表现优于IC设计厂

集成电路行业:Memory产业格局巨变 利好全产业链

Memory产业格局巨变。紫光股份(103.50, 5.50, 5.61%)间接注入闪迪和同方国芯(59.33, 0.79, 1.35%)800亿元定增募投Memory产业。两次运作后，紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash产能，未来再有望进入DRAM领域，国内Memory产业格局发生巨变。 http://d8.sina.com.cn/pfpghc2/201511/30/7689c740c5244e0d9b2e70c2e96161ee.jpg中国切入Memory优势有三。优势一，进口替代空间大，成长性好。2014年国内Memory规模520亿美元，自给率几乎为0。同时2012-2018年DRAM和NANDFlash复合增长率5.5%和11.0%，高于半导体行业平均增速4.6%。优势二，切入Memory门槛低，主要来自标准化(下游转换成本低)、制程要求低(避开中国软肋)、设计难度低。优势三，国内产业政策扶持和国内制造优势。**步NANDFlash，**步DRAM。国内切入Memory领域分两步走，**步进入NANDFlash领域，15-18年全球复合增长20%，2

集成电路行业:Memory产业格局巨变,利好全产业链

Memory产业格局巨变。紫光股份间接注入闪迪和同方国芯800亿元定增募投Memory产业。两次运作后,紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash产能,未来再有望进入DRAM领域,国内Memory产业格局发生巨变。中国切入Memory优势有三。优势一,进口替代空间大,成长性好。2014年国内Memory规模520亿美元, 自给率几乎为0。同时2012-2018年DRAM和NANDFlash复合增长率5.5%和11.0%,高于半导体行业平均增速4.6%。优势二,切入 Memory门槛低,主要来自标准化(下游转换成本低)、制程要求低(避开中国软肋)、设计难度低。优势三,国内产业政策扶持和国内制造优势。**步NANDFlash,**步DRAM。国内切入Memory领域分两步走,**步进入NANDFlash领域,15-18年全球复合增长 20%,2018年中国市场容量180亿美元,并有望有3DNAND实现弯道超车。**步有望进入DRAM领域,15-18年复合增长 12.1%,2018年中国市场容量210亿美元。不过产业巨头在扩产和提高技术进入门槛,有意减缓中国进入脚步。行业

史上第2度 IDM厂营收超越IC设计

研调机构IC Insights预估，今年前10大整合元件製造(IDM)厂营收将持平表现，反观前10大IC设计厂则恐将衰退5%，这将是史上第2度IDM厂表现优于IC设计厂。 IC Insights指出，2010年动态随机存取记忆体(DRAM)与储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场分别大幅成长75%及44%，带动当年半导体IDM厂营收成长达35%。IC设计厂因普遍并未受惠DRAM与NAND Flash市场高度成长，2010年IC设计厂营收仅成长29%，是史上首度IDM厂表现优于IC设计厂。IC Insights预估，今年前10大半导体IDM厂中，将仅有三星(Samsung)、海力士(Hynix)及Sony三家厂商业绩可望成长；前10大IDM厂总营收将将仅持平表现。只是全球IC设计龙头高通(Qualcomm)因三星增加採用自家处理器影响，IC Insights预估，高通今年营收恐将锐减20%，进而影响前10大IC设计厂营收将衰退5%。IC Insights指出，这将是史上第2度半导体IDM厂表现优于IC设计厂。（联合新闻网）

三星128GB内存芯片量产 速度升2倍能耗减少50%

中新网12月4日电 三星电子近日宣布，将在全球**推出128GB DRAM内存。该产品采用3D立体硅穿孔封装技术，容量和速度提升2倍，能耗减少50%。已经正式进入量产。 据悉，在这个小小的内存芯片中，三星内置了 144 个芯片，形成了 36×4GB DRAM 封装，每个封装中有 4×8Gb 芯片，而且该内存芯片采用了三星*先进的20毫微米工艺制造。因此，128GB TSV DRAM模块不仅容量大，而且还满足超高速、超省电、高**性等绿色IT的要求，是面向企业级服务器和数据中心的解决方案。相比于传统的引线连接多芯片封装方式，TSV(硅穿孔)技术能够大大减少半导体设计中的引线使用量，降低工艺复杂度，从而提升速度、降低功耗、缩小体积。尤其与采用引线连接封装方式的64GBD RAM 模块相比，128GB TSV DRAM模块的速度高达2,400Mbps，而功耗则减少了50%。而且，三星电子计划在年内量产采用TSV技术的 “128GB DDR4 LRDIMM”， 并提高20纳米8GB DRAM的生产比例，以此进一步加强竞争力。三星电子内存事业部战略营销组CHO JOO SUN 副社长表示：“ 得

2016年6GB/8GB运存手机将爆发

华亚科20nm 全速冲刺

DRAM大厂华亚科（3474）昨（1）日公告，斥资4.1亿元向美光购进晶圆测试机台，冲刺20奈米制程技术。华亚科本季已产出八项20奈米产品，并获一线厂认证，明年第1季放量出货，其中低功率LP DDR4记忆体将发威，可望扭转毛利率向下走势，获利将逐季向上。 由于美光是华亚科大股东，采购金额超过3亿元，华亚科依规定发布重讯。华亚科目前扮演美光阵营冲刺20奈米的前锋**，因进度落后三星，正加紧追赶脚步。华亚科表示，20奈米制程效益显现，本季已有包括LP DDR4 DRAM 6Gb及8Gb、绘图用DDR5、PC用DDR3 DDR4 DRAM和伺服器用DDR4 DRAM等八项产品获一线大厂认证，并陆续出货。华亚科预估，本季20奈米投片量将达8万片，且本季在部分20奈米产品成本挹注下，毛利率可望持稳，仍会维持获利。

电子芯闻早报：紫光对美光执着，或可能月底联姻

电子元件封装术语大全

1、BGA 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是*简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。9、DFP 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称 陶瓷DIP DIP 的别称 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚

TrendForce：第四季大型数据中心需求涌现

原标题：TrendForce：第四季大型数据中心需求涌现，服务器内存跌价回稳 Dec. 2, 2015 ---- 今年整体服务器需求于**季中开始，表现便不如预期，加上个人计算机（PC）端第三季旺季不旺的波及，服务器内存第三季的价格明显滑落。然而进入第四季，大型数据中心（Datacenters）的需求开始涌现，使得服务器内存价格能有所回稳。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange*新报价显示，十一月底服务器内存DDR3 R-DIMM受到终端拉货力道大幅转移至DDR4 R-DIMM影响，价格降幅较前月明显，16GB合约均价跌至US$95，月跌幅达6%。DDR4 R-DIMM在大型数据中心的需求涌现且于DDR4的渗透速度拉升下，价格较为有所支撑，16GB合约均价来到US$99，月跌幅仅约4~5%。32GB DDR4 R-DIMM则依然持续快速跌价，呈现近9%的月跌幅。DRAMeXchange分析师刘家羽表示，2016年需求仍未如以往热络，服务器内存价格将持续下滑。由于今年第四季DDR4与DDR3部分价格已几乎相同，过去几季的比价效应将解除，使得两代产品呈现缓跌走势。英特尔