联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托，开发DRAM相关制程技术，工研院IEK认为，短期应不致对产业造成影响，但未来仍不排除可能对市场造成干扰。
中国大陆积极朝向记忆体领域发展，除合肥市政府与日本尔必达前社长(土反)本幸雄合作，还有紫光及武汉新芯也传出有意进军动态随机存取记忆体（DRAM）市场。
福建省政府投资的晋华集成电路又找上晶圆代工厂联电合作开发DRAM相关制程技术。
联电今天指出，将在南科厂筹组超过 100人团队，投入利基型DRAM相关生产制程开发，初期将先开发32奈米制程技术，将由晋华提供DRAM特用设备，并依开发进度支付技术报酬金作为开发费用。
除在技术开发时期有开发权利金入帐外，联电表示，未来投产后，晋华也将再支付权利金；另外，透过DRAM技术与逻辑技术结合，还有助强化联电在系统单晶片（SOC）方面的竞争力。
对于联电与晋华合作开发利基型DRAM制程技术，台湾DRAM厂南亚科态度低调，并不评论。
工研院产业经济与趋势研究中心系统IC与制程研究部经理彭茂荣表示，联电仍未投入技术开发，晋华也尚未建厂，估计至少1年内不会对DRAM产业造成影响。
只是目前中国大陆业者尚未跨入DRAM市场，市场波动即已相当剧烈，彭茂荣说，今年DRAM产品平均售价恐将下滑30%，产值将较去年衰退15%，预期未来随着中国大陆厂商陆续抢进后，仍不排除对DRAM市场造成干扰。1050513
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